專利名稱：具有穩(wěn)定增益斜率的半導(dǎo)體電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體電路，特別是涉及一種CATV(有線電視)混合集成電路(HIC)中所用的半導(dǎo)體電路。
在CATV所用的HIC(混合集成電路)寬帶放大器中，放大器的許多級(jí)是通過(guò)同軸電纜串接起來(lái)的，為了修正同軸電纜的特性損失，必須在所使用的全頻帶范圍內(nèi)建立所要求的增益斜率。增益斜率是指在頻帶寬度內(nèi)增益隨頻率的增高而增大。
近年來(lái)，因?yàn)樗褂玫念l帶寬度已擴(kuò)展到更高的頻率，在所使用的頻帶寬度內(nèi)實(shí)現(xiàn)所要求的增益斜率變得更為困難。


圖1和圖2是表示現(xiàn)有技術(shù)如日本實(shí)用新型公開(kāi)申請(qǐng)No.85810/83中披露的為實(shí)現(xiàn)所要求的增益斜率而采用的電路結(jié)構(gòu)的電路圖。
在圖1和圖2所示的電路中，采用設(shè)在偏壓反饋電路中的電感L101和設(shè)在晶體管Tr101的基極和發(fā)射極之間的電容C102，形成并聯(lián)諧振電路。另外，為控制諧振電路的Q值，在晶體管Tr101的基極和發(fā)射極之間設(shè)有與電容C102串聯(lián)的阻尼電阻R106。
在以上述方法構(gòu)成的電路中，可通過(guò)改變電路L101和電容C102的元件常數(shù)，使諧振頻率改變，從而調(diào)節(jié)峰值頻率。
圖3和圖4是表示現(xiàn)有技術(shù)如日本專利公開(kāi)No.264404/89中披露的為實(shí)現(xiàn)所要求的增益斜率而采用的電路結(jié)構(gòu)的電路圖。
在圖3所示的電路中，電容C112和電感L111在設(shè)置在兩個(gè)放大器電路之間的級(jí)間電路中形成一串聯(lián)諧振電路，而在圖4所示的電路中，設(shè)有FET(場(chǎng)效應(yīng)晶體管)Tr113，使電感L111并聯(lián)在源極和漏極之間，電感L111和在FET Tr113的源極和漏極之間的電容形成一并聯(lián)諧振電路。
在以上述方法構(gòu)成的電路中，通過(guò)改變柵極偏壓而使FET Tr113的源極和漏極之間的電容發(fā)生變化，從而調(diào)節(jié)峰值頻率。
但是，現(xiàn)有技術(shù)中的上述電路有下面一些缺點(diǎn)(1)在圖1和圖2所示的電路中，峰值頻率的調(diào)節(jié)是通過(guò)改變電感L101和電容C102的元件常數(shù)而使諧振頻率改變實(shí)現(xiàn)的，但因?yàn)殡姼蠰101和電容C102設(shè)置在反饋電路中，輸入端和輸出端的阻抗隨峰化量的大小而變化。
因此，所形成的電路具有三個(gè)因素輸入阻抗、輸出阻抗和增益斜率，這就使設(shè)計(jì)和調(diào)整需要相當(dāng)多的時(shí)間，且比較麻煩。
(2)在圖3和圖4所示的電路中，通過(guò)改變柵偏壓使FET的源極和漏極之間的電容改變，從而改變諧振頻率以調(diào)節(jié)峰值頻率。所以，這些電路要求一可變的偏壓，使柵偏壓能夠改變。這些電路還要求附帶提供一個(gè)FET。結(jié)果是電路的大小和成本都增加了。
另外，在圖3所示電路中，為改變諧振頻率，處于有源元件之間的電容C112和電感L111也必須改變，有增益作用的元件之間的失配也容易引起特性方面的問(wèn)題，如振蕩和不穩(wěn)定性問(wèn)題。
本發(fā)明的目的是提供一種半導(dǎo)體電路，它能實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的增益斜率，而不增加電路的尺度或不需要為修正阻抗而花費(fèi)額外的時(shí)間。
在本發(fā)明中，為在特定頻率形成類峰，并使增益斜率有一個(gè)符合要求的傾斜度，例如1dB或其以上的傾斜度，把諧振電路設(shè)計(jì)在反饋環(huán)路的外部。因此，在設(shè)計(jì)電路時(shí)，不必考慮振蕩的發(fā)生。
另外，在把諧振電路設(shè)計(jì)在反饋環(huán)路的輸出級(jí)的情況下，阻抗的改變也只是在輸出端發(fā)生，而在輸入端則不會(huì)發(fā)生阻抗的改變。所以，電路的設(shè)計(jì)和調(diào)整只需考慮兩個(gè)因素，而不必考慮輸入端，因而簡(jiǎn)化了調(diào)整工作。
最后，本發(fā)明不需要擴(kuò)大電路的尺度，因?yàn)椴恍枰郊佑性丛?br> 本發(fā)明的上述和其它目的、特征和優(yōu)點(diǎn)，在下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的幾個(gè)最佳實(shí)施例的說(shuō)明中可明顯地表現(xiàn)出來(lái)。
圖1是表示日本實(shí)用新型公開(kāi)申請(qǐng)No.85810/83中披露的現(xiàn)有技術(shù)中為實(shí)現(xiàn)所要求的增益斜率而采用的電路結(jié)構(gòu)圖。
圖2是表示日本實(shí)用新型公開(kāi)申請(qǐng)No.85810/83中披露的現(xiàn)有技術(shù)中為實(shí)現(xiàn)所要求的增益斜率而采用的電路結(jié)構(gòu)圖。
圖3是表示日本專利公開(kāi)No.264404/89中披露的現(xiàn)有技術(shù)中為實(shí)現(xiàn)所要求的增益斜率而采用的電路結(jié)構(gòu)圖。
圖4是表示日本專利公開(kāi)No.264404/89中披露的現(xiàn)有技術(shù)中為實(shí)現(xiàn)所要求的增益斜率而采用的電路結(jié)構(gòu)圖。
圖5是表示根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的半導(dǎo)體電路圖。
圖6表示包含電路分量的芯片電感結(jié)構(gòu)的一個(gè)例子。
圖7是圖6所示的芯片電感的等效電路圖。
圖8表示諧振電路未加入圖5所示電路時(shí)的頻率一增益特性。
圖9表示圖5所示電路的頻率一增益特性。
圖10是表示根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的半導(dǎo)體電路圖。
圖11是表示根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施例的半導(dǎo)體電路圖。
圖12是表示根據(jù)本發(fā)明的第四實(shí)施例的半導(dǎo)體電路圖。
圖13是表示根據(jù)本發(fā)明的第五實(shí)施例的半導(dǎo)體電路圖。
第一實(shí)施例圖5是表示根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的半導(dǎo)體電路圖。這個(gè)電路只是本發(fā)明半導(dǎo)體電路的交流部分。
如圖5所示，本實(shí)施例的構(gòu)成包括FET Q1，其柵極端子與輸入端子相連，它的源極端子接地；電阻R1和電容C1，串聯(lián)于FET Q1的漏極端子和柵極端子之間；電容C2和電感L1，并聯(lián)于FET Q1的輸出端子和漏極端子之間；其中，F(xiàn)ET Q1，電阻R1和電容C1形成反饋環(huán)路。這個(gè)反饋環(huán)路是為了保持頻帶和阻抗設(shè)置的。
在按照上面的說(shuō)明構(gòu)成的半導(dǎo)體電路中，尖峰是由諧振引起的，而諧振是由電感L1和電容C2引起的。因此，通過(guò)改變這個(gè)電感L1和電容C2的元件常數(shù)，諧振頻率可被改變，就增益來(lái)說(shuō)，可以實(shí)現(xiàn)所期望的例如1dB或其以上的斜率。
在這個(gè)實(shí)施例中，雖然阻抗因構(gòu)成電路的元件的常數(shù)改變而改變，但由于產(chǎn)生諧振的電路設(shè)計(jì)在反饋環(huán)路的外部，所以，僅僅是輸出端的阻抗經(jīng)受變化，而輸入端的阻抗不會(huì)改變。因此，與圖1和圖2所示的輸入和輸出兩端的阻抗都會(huì)變化的電路相比較，這個(gè)實(shí)施例在設(shè)計(jì)和調(diào)整時(shí)，所需的時(shí)間和麻煩都會(huì)減少。
這個(gè)發(fā)明也能省去為改變圖3和圖4所示的FET的偏壓而對(duì)可變偏壓的需要，因?yàn)楹?jiǎn)單地通過(guò)改變?cè)?shù)，就可以使諧振頻率改變，因此，不增加電路的尺度，增益就得以傾斜。另外，因?yàn)榧?jí)間元件的元件常數(shù)不變，由阻抗失配引起的振蕩不會(huì)發(fā)生。
在這個(gè)實(shí)施例中，雖然電路L1和電容C2是并聯(lián)的，如果把這些元件串聯(lián)起來(lái)，同樣地也能實(shí)現(xiàn)尖峰。
在如上所述的半導(dǎo)體電路中，由電感L1和電容C2所組成的諧振電路，也可以僅由包含電容分量的芯片電路構(gòu)成。
圖6所示的包含電容分量的芯片電感結(jié)構(gòu)的一個(gè)例子，圖7是圖6所示的芯片電感的等效電路圖。
如圖6所示，這個(gè)例子中的芯片電感含有內(nèi)部導(dǎo)體，這些內(nèi)部導(dǎo)體在陶瓷單元中以螺簧的形式鏈接為許多層，組成為L(zhǎng)分量，陶瓷單元中的導(dǎo)體之間的部分構(gòu)成為C分量。由此形成包含L分量和C分量的諧振電路，如圖7所示。
圖8所示為諧振電路未被加入圖5所示電路時(shí)的頻率一增益特性，圖9所示為圖5所示電路的頻率一增益特性。
如圖9所示，圖5所示的電路可在所要求的頻帶內(nèi)實(shí)現(xiàn)例如1dB或其以上的斜度的增益斜率。第二個(gè)實(shí)施例圖10是表示根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的半導(dǎo)體電路圖。這個(gè)電路只是這個(gè)發(fā)明的半導(dǎo)體電路的交流部分。
如圖10所示，這個(gè)實(shí)施例的構(gòu)成包括FET Q1，其柵極端子與輸入端子相連，源極端子接地；電阻R1和電容C1，串聯(lián)于FET Q1的漏極端子和柵極端子之間；FET Q2，其柵極端子與FET Q1的漏極端子相連，源極端子接地；電阻R2和電容C3，串聯(lián)于FET Q2的漏極端子和柵極端子之間；電容C2和電感L1，并聯(lián)于輸出端子和FET Q2的漏極端子之間；其中，F(xiàn)ET Q1，電阻R1和電容C1形成一個(gè)第一反饋環(huán)路；FET Q2，電阻R2和電容C3形成一個(gè)第二反饋環(huán)路。
由上述方法構(gòu)成的半導(dǎo)體電路中，產(chǎn)生諧振的電路設(shè)置在反饋環(huán)路的外部，因此，僅僅是輸出端的阻抗改變，而輸入端的阻抗不變，如在第一實(shí)施例中所述的電路那樣。這種結(jié)構(gòu)可以使設(shè)計(jì)和調(diào)整電路時(shí)所需要的時(shí)間和麻煩減少。第三實(shí)施例在圖10所示的電路中，雖然形成了兩個(gè)反饋環(huán)路，但只用兩個(gè)環(huán)路中的一個(gè)也可以得到同樣的效果。
圖11是表示根據(jù)本發(fā)明的第三個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體電路圖。這個(gè)電路只是這個(gè)發(fā)明的半導(dǎo)體電路中的交流部分。
如圖11所示，在這個(gè)實(shí)施例中，由電感L1和電容C2構(gòu)成的諧振電路，設(shè)計(jì)在由FET Q1、電阻R1和電容C1構(gòu)成的反饋環(huán)路的外部。因此，只有輸出端的阻抗改變，輸入端的阻抗則不會(huì)改變，因而可減少設(shè)計(jì)和調(diào)整電路時(shí)所需要的時(shí)間和麻煩。
雖然在這個(gè)實(shí)施例中，反饋環(huán)路是由FET Q1，電阻R1和電容C1構(gòu)成的，如果諧振電路設(shè)計(jì)在反饋環(huán)路的外部，那么，利用FET Q2形成反饋環(huán)路，也能得到同樣的效果。第四個(gè)實(shí)施例在圖10所示的電路中，即使反饋環(huán)路是從FET Q2的漏極端子至FETQ1的柵極端子實(shí)現(xiàn)反饋，也能得到同樣的效果。
圖12是表示根據(jù)本發(fā)明的第四個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體電路圖。
在圖12所示的實(shí)施例中，只有輸出端的阻抗改變，輸入端的阻抗則不會(huì)改變，因?yàn)橛呻姼蠰1和電容C2構(gòu)成的諧振電路設(shè)計(jì)在由FET Q1和Q2，電阻R1和電容C1構(gòu)成的反饋環(huán)路的外部。所以這個(gè)實(shí)施例可減少設(shè)計(jì)和調(diào)整時(shí)所需要的時(shí)間和麻煩。
雖然前面在這個(gè)實(shí)施例中，已經(jīng)敘述過(guò)用FET形成兩級(jí)連接的電路，但本發(fā)明并不局限于用兩個(gè)FET，在用多個(gè)FET連接成多級(jí)的情況下，只要把諧振電路設(shè)計(jì)在反饋環(huán)路的外部，也能得到同樣的效果。第五實(shí)施例圖13是表示根據(jù)本發(fā)明的第五個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體電路圖。
如圖13所示，在這個(gè)實(shí)施例中，輸入信號(hào)被分解為兩個(gè)不同的信號(hào)，這兩個(gè)被分解的信號(hào)各自被放大器電路12和13放大，然后，被放大器12和13放大的部分再被合成并被輸出。
通過(guò)電容C34和C35接地的變壓器T1，被設(shè)置作為分布裝置，把從輸入端子1輸入的信號(hào)分解為兩個(gè)不同相位的信號(hào)，通過(guò)電容C37接地的變壓器T2被設(shè)置作為合成裝置，把被放大器12和13放大的兩個(gè)信號(hào)合成。
放大器電路12的構(gòu)成包括FET Q11-Q13，為多級(jí)連接；熱敏電阻Rt11和電阻R13，并聯(lián)在一起作為第二FET,FET Q11的柵極電阻；電感L13，設(shè)置在FET Q11的柵極端子和熱敏電阻Rt11與電阻R13的一個(gè)連接點(diǎn)之間；電路R11，電容C11和熱敏電阻Rt12，串聯(lián)在FET Q12的柵極端子即放大器電路12的輸入端與FET Q12的漏極端子之間；電路R12和電容C12，串聯(lián)在FET Q12的漏極端子和設(shè)定的電位之間；電容C13，連接在FET Q12的漏極端子和熱敏電阻Rt11與電阻R13的另一個(gè)連接點(diǎn)之間；電感L11和電阻R17，串聯(lián)在FET Q12的漏極端子和FET Q11的源極端子之間；電容C15，連接在電感L11與電阻R17之間的連接點(diǎn)和設(shè)定的電位之間；電阻R14，電容C14和熱敏電阻Rt13，串聯(lián)在FET Q12的漏極端子和FET Q13的漏極端子之間；電阻R16，連接FET Q13的柵極端子；電阻R15，電感L12和電容C16，并聯(lián)在FET Q13的漏極端子和放大器電路12的輸出端子之間；FET Q11的漏極端子和FET Q13的源極端子相連。
放大器電路13的構(gòu)成包括FET Q21-Q23，為多級(jí)連接；熱敏電阻Rt21和電阻R23，并聯(lián)在一起作為第二FET,FET Q21的柵極電阻；電感L23，設(shè)置在FET Q21的柵極端子和熱敏電阻Rt21與電阻R23的一個(gè)連接點(diǎn)之間；電阻R21，電容C21和熱敏電阻Rt22，串聯(lián)在FET Q22的柵極端子即放大器電路13的輸入端和FET Q22的漏極端子之間；電阻R22和電容C22，串聯(lián)在FET Q22的漏極端子和設(shè)定的電位之間；電容C23，連接在FET Q22的漏極端子和熱敏電阻Rt21與電阻R23之間的另一個(gè)連接點(diǎn)之間；電感L21和電阻R27，串聯(lián)在FET Q22的漏極端子和FET Q21的源極端子之間；電容C25，連接在電感L21與電阻R27之間的連接點(diǎn)與設(shè)定的電位之間；電阻R24，電容C24和熱敏電阻Rt23，串聯(lián)在FET Q22的漏極端子和FET Q23的漏極端子之間；電阻R26，連接FET Q23的柵極端子；電阻R25，電感L22和電容C26，并聯(lián)在FET Q23的漏極端子和放大器電路13的輸出端子之間；FET Q21的漏極端子和FET Q23的源極端子相連。
FET Q13的柵極端子和FET Q23的柵極端子通過(guò)電阻R16和R26相連。
變壓器T1的輸入端設(shè)有電容C33和電感L31，串聯(lián)在變壓器T1和輸入端子1之間；電容C31和電阻R31，串聯(lián)在電容C33與電感L31之間的連接點(diǎn)和設(shè)定的電位之間；電容C32，連接在電容C33與電感L31之間的連接點(diǎn)和設(shè)定的電位之間。在變壓器T2的輸出端設(shè)有電感L32和電容C39，串聯(lián)在變壓器T2和輸出端子2之間；電容C38，連接在電感L32與電容C39的連接點(diǎn)和設(shè)定的電位之間。
另外，在放大器電路12和放大器電路13之間設(shè)有電阻R41，連接在FET Q11的源極端子和FET Q21的源極端子之間；電阻R39和R40，串聯(lián)在FET Q11的柵極端子和FET Q21的柵極端子之間；電阻R33和R34，串聯(lián)在電阻R39與R40之間的連接點(diǎn)和變壓器T1之間；電阻R32，熱敏電阻Rt31和Rt32，串聯(lián)在電阻R33與變壓器T1之間的連接點(diǎn)和設(shè)定的電位之間；電阻R35，連接在設(shè)定的電位和電阻R34與電阻R39、電阻R40之間的連接點(diǎn)之間；電阻R37，連接在FET Q12的源極端子和FET Q22的源極端子之間；電阻R36，連接在FET(12的源極端子和設(shè)定的電位之間；電阻R38，連接在FET Q22的源極端子和設(shè)定的電位之間；電阻R42和R43，連接在變壓器T2和電阻R16與電阻R26之間的連接點(diǎn)之間；電阻R44和電容C40，并聯(lián)在設(shè)定的電位和R42與R43之間的連接點(diǎn)之間；電容C36，連接在設(shè)定的電位和R42與變壓器T2之間的連接點(diǎn)之間；電源電壓Vdd施加在電阻R33和電阻R34的連接點(diǎn)上，同時(shí)也施加在電阻R42和變壓器T2的連接點(diǎn)上。
熱敏電阻Rt11,Rt21和Rt31是熱敏電阻元件，它們的電阻值以負(fù)溫度特性隨環(huán)境溫度變化，熱敏電阻Rt12,Rt13,Rt22,Rt23和Rt32是熱敏電阻元件，它們的電阻值以正溫度特性隨環(huán)境溫度變化。
根據(jù)前述方法構(gòu)成的半導(dǎo)體電路中，由電感L12和電容C16產(chǎn)生的諧振(同樣地，由電感L22和電容C26產(chǎn)生的諧振)引起尖峰。因此，通過(guò)改變這個(gè)電感L12和電容C16(同樣地，通過(guò)改變電感L22和電容C26)的元件常數(shù)，可以改變諧振頻率，還有，通過(guò)用于Q阻尼的電阻R15和R25，可以控制Q值，因而增益可以設(shè)定為具有1dB或其以上的斜率。
在這個(gè)實(shí)施例中，由于電路組成元件的常數(shù)變化，阻抗會(huì)改變，但只是輸出端阻抗改變，輸入端阻抗并不改變。這是因?yàn)樵诜糯笃麟娐?2中，由電感L12和電容C16組成的諧振電路被設(shè)置在用FET Q11-Q13形成的反饋環(huán)路的外部，在放大電路13中，由電感L22和電容C26組成的諧振電路，被設(shè)置在用FET Q21-Q23形成的反饋環(huán)路的外部。
所以，實(shí)施例能使電路設(shè)計(jì)和調(diào)整中所用的時(shí)間和麻煩減少。
另外，通過(guò)改變?cè)?shù)來(lái)修改諧振頻率，就免去了為改變FET的柵極偏壓所需要的可變偏壓，因此，可以設(shè)定增益的斜率而不增加電路的尺度。還有，由于不在級(jí)間元件中改變?cè)?shù)，所以不會(huì)發(fā)生因阻抗失配引起的振蕩。
在這個(gè)實(shí)施例中，具有負(fù)溫度特性的熱敏電阻Rt11和Rt21，分別被提供為FET Q11和Q21的柵極電阻。
因此，在放大器電路12中，在由電感L12和電容C16所組成的諧振電路中環(huán)境溫度在增益斜率對(duì)增益特性的擾動(dòng)，可以被環(huán)境溫度對(duì)由電容C13，熱敏電阻Rt11和電感L13所組成的電路的Q值的擾動(dòng)所抵消，因而，從放大器電路12輸出的增益斜率的斜度，不論環(huán)境溫度如何的變化，可以保持統(tǒng)一。
同樣地，在放大器電路13中，在由電感L22和電容C26所組成的諧振電路中，在增益斜率環(huán)境溫度對(duì)增益特性方面的擾動(dòng)，可以被環(huán)境溫度對(duì)由電容C23，熱敏電阻Rt21和電感L23所組成的電路的Q值的擾動(dòng)所抵消，因而從放大器電路13輸出的增益斜率的斜度可以不管環(huán)境溫度如何變化而保持統(tǒng)一。
在這個(gè)實(shí)施例中，熱敏電阻Rt31和Rt32串聯(lián)在設(shè)定的電位和電阻R33與變壓器T1之間的連接點(diǎn)之間。
結(jié)果是，在設(shè)定溫度附近的電流為最小值，隨著環(huán)境溫度從設(shè)定溫度下降時(shí)，電路電流增加，而環(huán)境溫度從設(shè)定溫度上升時(shí)，電路電流也隨之增加，因此可防止因溫度變化而導(dǎo)致失真特性的惡化。
另外，在這個(gè)實(shí)施例中，阻值為10-100Ω的電阻R43被設(shè)置在電阻R42和電阻R16與電阻R26之間的連接點(diǎn)之間，電容C40被設(shè)置在設(shè)定的電位和電阻R42與電阻R43之間的連接點(diǎn)之間，這些元件的電路常數(shù)根據(jù)終端條件來(lái)設(shè)定。
因此，在圖中的A點(diǎn)發(fā)生電位起伏的情況下，電位的起伏(波動(dòng))被電阻R43吸收，而不會(huì)產(chǎn)生固定的波動(dòng)，因而可以防止由固定波動(dòng)引起的平穩(wěn)失真(主要是CSO)所招致的特性惡化。
本發(fā)明的最佳實(shí)施例已用具體的術(shù)語(yǔ)作了敘述，這種敘述僅是為了舉例說(shuō)明，應(yīng)當(dāng)理解的是，在不偏離本發(fā)明權(quán)利要求范圍的情況下，可以有所修改和變化。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體電路，其特征在于，它包括一個(gè)放大器電路，以放大和輸出交流信號(hào)；一個(gè)反饋環(huán)路，它從所述放大器的輸出端向輸入端反向饋送；和一個(gè)諧振電路，它處于所述反饋環(huán)路的外部。
2.一種半導(dǎo)體電路，其特征在于，它包括一組多級(jí)連接的多元放大器電路，一個(gè)反饋環(huán)路，它從所述多元放大器電路中的至少一個(gè)放大器電路的輸出端向輸入端反向饋送；和一個(gè)諧振電路，處于所述反饋環(huán)路的外部。
3.一種半導(dǎo)體電路，其特征在于，它包括一組多級(jí)連接的多元放大器電路，一個(gè)反饋環(huán)路，它從所述多元放大器電路中的最后一級(jí)放大器電路的輸出端向第一級(jí)放大器電路的輸入端反向饋送；和一個(gè)諧振電路，處于所述反饋環(huán)路的外部。
4.一種半導(dǎo)體電路，其特征在于，它包括一個(gè)分布裝置，將通入輸入端子輸入的信號(hào)分布解為不同相位的兩個(gè)信號(hào)；第一和第二放大裝置，帶有反饋環(huán)路，多元電阻元件和連接為多級(jí)的FET，所述第一和第二放大裝置用來(lái)分別放大由所述分布裝置分解的信號(hào)；合成裝置，用以合成被所述第一和第二放大裝置放大的兩個(gè)信號(hào)，并輸出結(jié)果；和一個(gè)諧振電路，處于所述反饋環(huán)路的外部。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體電路，其特征在于，其中，所述諧振電路被設(shè)置在所述反饋環(huán)路的輸出級(jí)。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體電路，其特征在于，其中，所述諧振電路被設(shè)置在所述反饋環(huán)路的輸出級(jí)。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體電路，其特征在于，其中，所述諧振電路被設(shè)置在所述反饋環(huán)路的輸出級(jí)。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體電路，其特征在于，其中，所述諧振電路被設(shè)置在所述反饋環(huán)路的輸出級(jí)。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體電路，其特征在于，其中，所述諧振電路由一個(gè)電容和一個(gè)電感元件組成。
10.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體電路，其特征在于，其中，所述諧振電路由一個(gè)電容和一個(gè)電感元件組成。
11.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體電路，其特征在于，其中，所述諧振電路由一個(gè)電容和一個(gè)電感元件組成。
12.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體電路，其特征在于，其中，所述諧振電路由一個(gè)電容和一個(gè)電感元件組成。
13.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體電路，其特征在于，其中，所述諧振電路由一個(gè)電容和一個(gè)電感元件組成。
14.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體電路，其特征在于，其中，所述諧振電路由一個(gè)電容和一個(gè)電感元件組成。
15.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體電路，其特征在于，其中，所述諧振電路由一個(gè)電容和一個(gè)電感元件組成。
16.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體電路，其特征在于，其中，所述諧振電路由一個(gè)電容和一個(gè)電感元件組成。
17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體電路，其特征在于，其中，所述諧振電路由一個(gè)帶有電容分量的電感元件組成。
18.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體電路，其特征在于，其中，所述諧振電路由一個(gè)帶有電容分量的電感元件組成。
19.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體電路，其特征在于，其中，所述諧振電路由一個(gè)帶有電容分量的電感元件組成。
20.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體電路，其特征在于，其中，所述諧振電路由一個(gè)帶有電容分量的電感元件組成。
21.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體電路，其特征在于，其中，所述諧振電路由一個(gè)帶有電容分量的電感元件組成。
22.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體電路，其特征在于，其中，所述諧振電路由一個(gè)帶有電容分量的電感元件組成。
23.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體電路，其特征在于，其中，所述諧振電路由一個(gè)帶有電容分量的電感元件組成。
24.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體電路，其特征在于，其中，所述諧振電路由一個(gè)帶有電容分量的電感元件組成。
全文摘要
本發(fā)明能夠?qū)崿F(xiàn)穩(wěn)定的增益斜率,而無(wú)需增加電路尺度或者為修正阻抗耗費(fèi)額外的時(shí)間和工作。由電容和電感構(gòu)成的諧振電路設(shè)置在輸出級(jí)反饋環(huán)路的外部,使特定頻率處實(shí)現(xiàn)尖峰,并使增益斜率具有要求的斜度,例如1dB或1dB以上。
文檔編號(hào)H03F1/08GK1219023SQ98124878
公開(kāi)日1999年6月9日 申請(qǐng)日期1998年11月27日 優(yōu)先權(quán)日1997年11月27日
發(fā)明者角田雄二, 深澤善亮, 田口雄一 申請(qǐng)人:日本電氣株式會(huì)社