本技術屬于電磁屏蔽領域，具體涉及一種吸收主導的高性能電磁屏蔽膜。

背景技術：

1、隨著現(xiàn)代電子、通訊工業(yè)的高速發(fā)展，電磁輻射污染已成為一種對人類生產(chǎn)及生活具有危害的一大污染。電磁輻射污染不僅影響著各種電子設備的正常運行，影響通訊設備的穩(wěn)定及信息安全，而且對人類的健康產(chǎn)生巨大的危害。

2、石墨烯作為準二維納米碳材料，其具有眾多的優(yōu)良特性，例如高載流子遷移率、高熱導率、高機械強度、獨特的電學以及摩擦特性等。多孔石墨烯不僅具有其部分優(yōu)良特性，同時由于其相比于本征石墨烯具有一定的納米孔缺陷，使得其擁有更大的表面積。激光誘導3d多孔石墨烯技術。它通過在聚合物表面進行激光輻射，原位生成多孔石墨烯，這種方法成本低廉，而且可以一步完成石墨烯的圖形化。

3、現(xiàn)有的電磁屏蔽材料可分為金屬類電磁屏蔽材料，磁介質(zhì)型電磁屏蔽材料，碳系導電性電磁屏蔽材料和聚合物基電磁屏蔽材料。傳統(tǒng)金屬類電磁屏蔽材料和磁介質(zhì)型電磁屏蔽材料具有密度大，難加工的特點，而且但過高的導電性導致了阻抗失配和過高的電磁波反射造成二次污染；傳統(tǒng)碳系導電型電磁屏蔽材料、傳統(tǒng)碳材料較金屬材料相比表現(xiàn)出的導電性與屏蔽效能亟待改善。

技術實現(xiàn)思路

1、本實用新型的主要目的在于克服現(xiàn)有技術的不足，提供一種吸收主導的高性能電磁屏蔽膜。

2、為了實現(xiàn)上述實用新型目的，本實用新型采取如下技術方案：

3、電磁屏蔽膜，包括保護層、3d多孔石墨烯層和泡沫金屬層；

4、所述3d多孔石墨烯層設于所述保護層和泡沫金屬層之間，所述泡沫金屬層外設有背膠層。

5、本實用新型的進一步技術：

6、優(yōu)選的，所述保護層為硅膠層。

7、優(yōu)選的，所述泡沫金屬層的厚度為0.3-1mm。泡沫金屬層為泡沫鎳、泡沫鐵、泡沫鐵鎳中的一種。

8、優(yōu)選的，所述背膠層為雙面膠。

9、3d多孔石墨烯層為：將泡沫金屬層浸泡在聚合物溶液中，放入烘箱80-100℃烘干1-5h固化后，激光掃描2-4遍，在泡沫金屬電磁屏蔽層原位生成均勻的3d多孔石墨烯。

10、本實用新型的有益效果是：

11、本實用新型設計的電磁屏蔽膜中，泡沫金屬層具有高電導率、高磁導率，能同時提供電導損耗和磁損耗，此外泡沫多孔結(jié)構能降低結(jié)構的密度，并且多孔結(jié)構利于電磁波在材料內(nèi)部的多重反射耗散；因此能夠提供很高的屏蔽效能值，同時3d多孔的激光誘導石墨烯層可增強電磁波在屏蔽膜表面的吸收、提高阻抗匹配。

技術特征：

1.電磁屏蔽膜，其特征在于，包括保護層(1)、3d多孔石墨烯層(2)和泡沫金屬層(3)；

2.根據(jù)權利要求1中所述的電磁屏蔽膜，其特征在于：所述保護層(1)為硅膠層。

3.根據(jù)權利要求1中所述的電磁屏蔽膜，其特征在于：所述泡沫金屬層(3)的厚度為0.3-1mm。

4.根據(jù)權利要求1中所述的電磁屏蔽膜，其特征在于：所述背膠層(4)為雙面膠。

技術總結(jié)
本技術公開了電磁屏蔽膜，包括保護層、3D多孔石墨烯層和泡沫金屬層；所述3D多孔石墨烯層設于所述保護層和泡沫金屬層之間，所述泡沫鎳層外設有背膠層。泡沫金屬層具有高電導率、高磁導率，能同時提供電導損耗和磁損耗，此外泡沫多孔結(jié)構能降低結(jié)構的密度，并且多孔結(jié)構利于電磁波在材料內(nèi)部的多重反射耗散；因此能夠提供很高的屏蔽效能值，同時3D多孔的激光誘導石墨烯層可增強電磁波在屏蔽膜表面的吸收、提高阻抗匹配。

技術研發(fā)人員：宋彥平,徐新宇
受保護的技術使用者：安徽格蘭科新材料技術有限公司
技術研發(fā)日：20240403
技術公布日：2025/1/2