本技術(shù)涉及集成電路，具體涉及一種帶鉗位功能的電平轉(zhuǎn)移電路結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)：

1、現(xiàn)有低電平轉(zhuǎn)高電平的方案是用一個(gè)低壓域的倒相器(低壓管子mp1，mn1)輸出一個(gè)倒相信號(hào)vn，vn和輸入信號(hào)vp都是低壓域的方波信號(hào)，這兩個(gè)互補(bǔ)信號(hào)給高壓域的nmosmn2，mn3，高圧域的pmos的mp2和mp3交叉耦合形成負(fù)載，缺陷在于當(dāng)?shù)蛪河虻碾妷簐dd_lv很低，低到小于高壓管的閾值電壓時(shí)，低端nmos?mn2，mn3都很難開啟導(dǎo)通，這種結(jié)構(gòu)的電平轉(zhuǎn)移功能很可能就失效了，不能正常工作。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、1、實(shí)用新型要解決的技術(shù)問題

2、本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問題是提供一種帶鉗位功能的電平轉(zhuǎn)移電路結(jié)構(gòu)，解決了在低壓域的電壓小于高壓管的閾值電壓時(shí)電平轉(zhuǎn)移功能失效的問題。

3、2、技術(shù)方案

4、為解決上述問題，本實(shí)用新型提供的技術(shù)方案為：

5、一種帶鉗位功能的電平轉(zhuǎn)移電路結(jié)構(gòu)，包括電平轉(zhuǎn)移電路和鉗位電路，所述鉗位電路接在所述電平轉(zhuǎn)移電路中，所述電平轉(zhuǎn)移電路包括低壓域和高壓域。

6、進(jìn)一步地，所述低壓域包括第一pmos管和第一nmos管，輸入控制信號(hào)vp、低電平；

7、低電平接于第一pmos管的源極，所述第一pmos管的漏極連接至第一nmos管的漏極，所述第一nmos管的源極接地，所述輸入控制信號(hào)vp連接所述第一pmos管和所述第一nmos管的柵極,所述第一pmos管的漏極還輸出有輸出倒相信號(hào)vn。

8、進(jìn)一步地，所述高壓域包括第二pmos管和第三pmos管和第二nmos管、第三nmos管以及鉗位電路、第一高電平，所述鉗位電路分別串聯(lián)連接在所述第二pmos管和第二nmos管之間以及所述第三pmos管和第三nmos管之間。

9、進(jìn)一步地，所述第一高電平分別連接所述第二pmos管和所述第三pmos管的源極，所述第二pmos管和所述第三pmos管的漏極經(jīng)過所述鉗位電路分別連接在所述第二nmos管和所述第三nmos管的漏極，所述第二pmos管的漏極連接所述第三pmos管的柵極，所述第三pmos管的漏極連接所述第二pmos管的柵極，所述第二nmos管和所述第三nmos管的源極接地。

10、進(jìn)一步地，所述輸出倒相信號(hào)vn連接在所述第二nmos管的柵極，所述輸入控制信號(hào)vp接在所述第三nmos管的柵極。

11、進(jìn)一步地，所述第二pmos管的漏極和所述第三pmos管的漏極分別輸出有差分放大信號(hào)。

12、進(jìn)一步地，所述鉗位電路包括第四nmos管和第五nmos管以及第二高電平，第一電阻和第二電阻，所述第四nmos管的漏極連接所述第二pmos管的漏極，所述第四nmos管的源極連接至所述第二nmos管的漏極，所述第五nmos管的漏極連接所述第三pmos管的漏極，所述第五nmos管的源極連接至所述第三nmos管的漏極。

13、進(jìn)一步地，所述第二高電平連接所述第一電阻，所述第一電阻連接所述第二電阻，所述第二電阻接地，所述第一電阻并聯(lián)所述第四nmos管與所述第五nmos管的柵極。

14、3、有益效果

15、采用本實(shí)用新型提供的技術(shù)方案，與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有如下有益效果：

16、本實(shí)用新型提供的技術(shù)方案為電平轉(zhuǎn)移電路增設(shè)了鉗位功能，通過鉗位電路實(shí)現(xiàn)了電平轉(zhuǎn)移電路在實(shí)現(xiàn)低壓電平轉(zhuǎn)高壓電平的情況下，當(dāng)高低電壓域的電壓差距過大，也就是低壓域的電源電壓小于高壓域高壓管子的閾值電壓時(shí)，也能成功實(shí)現(xiàn)電平轉(zhuǎn)移功能，方便快捷。

技術(shù)特征：

1.一種帶鉗位功能的電平轉(zhuǎn)移電路結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括電平轉(zhuǎn)移電路和鉗位電路，所述鉗位電路接在所述電平轉(zhuǎn)移電路中，所述電平轉(zhuǎn)移電路包括低壓域和高壓域；

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種帶鉗位功能的電平轉(zhuǎn)移電路結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一高電平分別連接所述第二pmos管和所述第三pmos管的源極，所述第二pmos管和所述第三pmos管的漏極經(jīng)過所述鉗位電路分別連接在所述第二nmos管和所述第三nmos管的漏極，所述第二pmos管的漏極連接所述第三pmos管的柵極，所述第三pmos管的漏極連接所述第二pmos管的柵極，所述第二nmos管和所述第三nmos管的源極接地。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種帶鉗位功能的電平轉(zhuǎn)移電路結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述輸出倒相信號(hào)vn連接在所述第二nmos管的柵極，所述輸入控制信號(hào)vp接在所述第三nmos管的柵極。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種帶鉗位功能的電平轉(zhuǎn)移電路結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二pmos管的漏極和所述第三pmos管的漏極分別輸出有差分放大信號(hào)。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種帶鉗位功能的電平轉(zhuǎn)移電路結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述鉗位電路包括第四nmos管和第五nmos管以及第二高電平，第一電阻和第二電阻，所述第四nmos管的漏極連接所述第二pmos管的漏極，所述第四nmos管的源極連接至所述第二nmos管的漏極，所述第五nmos管的漏極連接所述第三pmos管的漏極，所述第五nmos管的源極連接至所述第三nmos管的漏極。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種帶鉗位功能的電平轉(zhuǎn)移電路結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二高電平連接所述第一電阻，所述第一電阻連接所述第二電阻，所述第二電阻接地，所述第一電阻并聯(lián)所述第四nmos管與所述第五nmos管的柵極。

技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)公開了一種帶鉗位功能的電平轉(zhuǎn)移電路結(jié)構(gòu)，涉及集成電路技術(shù)領(lǐng)域，包括電平轉(zhuǎn)移電路和鉗位電路，所述鉗位電路接在所述電瓶轉(zhuǎn)移電路中，所述電瓶轉(zhuǎn)移電路包括低壓域和高壓域，所述低壓域包括第一PMOS管和第一NMOS管，輸入控制信號(hào)VP、低電平；本技術(shù)提供的技術(shù)方案為電平轉(zhuǎn)移電路增設(shè)了鉗位功能，通過鉗位電路實(shí)現(xiàn)了電平轉(zhuǎn)移電路在實(shí)現(xiàn)低壓電平轉(zhuǎn)高壓電平的情況下，當(dāng)高低電壓域的電壓差距過大，也就是低壓域的電源電壓小于高壓域高壓管子的閾值電壓時(shí)，也能成功實(shí)現(xiàn)電平轉(zhuǎn)移功能，方便快捷。

技術(shù)研發(fā)人員：劉輝,張智印
受保護(hù)的技術(shù)使用者：浙江芯勱微電子股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20240326
技術(shù)公布日：2025/1/9