本公開涉及電路板，特別是涉及一種陶瓷基板及其制備方法。

背景技術(shù)：

1、在印制電路板的制造過程中，陶瓷基板因其優(yōu)異的熱導(dǎo)率、機(jī)械強(qiáng)度和穩(wěn)定的電氣性能，被廣泛應(yīng)用于高功率、高頻率的電子產(chǎn)品中。陶瓷基板的制造工藝也面臨著諸多技術(shù)挑戰(zhàn)，其中之一便是蝕刻不凈的問題。蝕刻過程是通過化學(xué)藥水去除多余的金屬銅，以形成精密的電路圖形。

2、陶瓷基板的周緣通過fr4載板內(nèi)預(yù)留的卡持區(qū)進(jìn)行卡持，即fr4載板內(nèi)的卡持區(qū)存在多個卡持凸起，多個卡持凸起沿陶瓷基板的周緣卡持固定，以進(jìn)行蝕刻步驟。然而，如圖1所示，在陶瓷基板上進(jìn)行蝕刻時(shí)，由于陶瓷材料本身的化學(xué)惰性及表面特性，蝕刻藥水難以均勻滲透到基板的所有部位，尤其是陶瓷基板的周緣與卡持凸起的卡持固定處(如圖1所示的圓圈處)，使陶瓷基板的周緣容易出現(xiàn)蝕刻不凈的問題。

3、這種蝕刻不凈現(xiàn)象，會導(dǎo)致殘留的銅箔影響電路的導(dǎo)電性能和信號完整性，進(jìn)一步引發(fā)短路、阻抗不匹配等電氣故障。因此，如何有效地提高陶瓷基板的蝕刻的均勻性和徹底性，成為當(dāng)前pcb制造技術(shù)領(lǐng)域中亟需解決的重要課題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本公開的目的是克服現(xiàn)有技術(shù)中的不足之處，提供一種能夠有效地提高陶瓷基板的蝕刻的均勻性和徹底性的陶瓷基板及其制備方法。

2、本公開的目的是通過以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)的：

3、一種陶瓷基板的制備方法，包括：

4、將陶瓷板體夾持于載板的卡持區(qū)，所述卡持區(qū)的周向間隔設(shè)置有多個安裝凸起及多個彈性卡持件，每一所述彈性卡持件包括彈性件及空腔泡沫塊，所述彈性件的一端連接于空腔泡沫塊，所述彈性件的另一端連接于相應(yīng)的所述安裝凸起，所述空腔泡沫塊用于抵接于所述陶瓷板體的外側(cè)壁上；

5、對所述陶瓷板體進(jìn)行微蝕粗化處理；

6、對所述陶瓷板件進(jìn)行壓abf處理操作，得到陶瓷基板半成品；

7、對所述陶瓷基板半成品進(jìn)行激光鉆孔操作；

8、對所述陶瓷基板半成品進(jìn)行圖形制作操作。

9、在其中一個實(shí)施例中，所述安裝凸起開設(shè)有相連通的滑動槽及開口槽，所述滑動槽的橫截面積大于開口槽的橫截面積，所述彈性件位于所述滑動槽內(nèi)，所述彈性件的一端固定于滑動槽的內(nèi)壁，所述空腔泡沫塊位于所述滑動槽內(nèi)并與所述安裝凸起滑動連接，所述空腔泡沫塊的部分用于通過開口槽抵接于所述所述陶瓷板體的外側(cè)壁上。

10、在其中一個實(shí)施例中，所述彈性件套接于所述安裝凸起。

11、在其中一個實(shí)施例中，在對所述陶瓷板體進(jìn)行微蝕粗化處理的步驟之后，以及在對所述陶瓷板件進(jìn)行壓abf處理操作的步驟之前，所述制備方法還包括：

12、對所述陶瓷板體進(jìn)行烘烤操作。

13、在其中一個實(shí)施例中，對所述陶瓷板件進(jìn)行壓abf處理操作的步驟包括：

14、通過真空壓膜機(jī)對所述陶瓷板件的表面壓合所述abf層；

15、對壓合所述abf層的陶瓷板件進(jìn)行烘烤固化。

16、在其中一個實(shí)施例中，所述烘烤固化的溫度為98℃～200℃。

17、在其中一個實(shí)施例中，對壓合所述abf層的陶瓷板件進(jìn)行烘烤固化的步驟包括：

18、以第一預(yù)設(shè)溫度對壓合所述abf層的陶瓷板件進(jìn)行預(yù)烘烤固化；

19、以第二預(yù)設(shè)溫度對預(yù)烘烤固化后的陶瓷板件進(jìn)行二次烘烤固化。

20、在其中一個實(shí)施例中，所述第一預(yù)設(shè)溫度小于所述第二預(yù)設(shè)溫度。

21、在其中一個實(shí)施例中，所述烘烤固化的時(shí)間為60min～70min。

22、一種陶瓷基板，其特征在于，采用上述任一實(shí)施例所述的陶瓷基板的制備方法制備得到。

23、與現(xiàn)有技術(shù)相比，本公開至少具有以下優(yōu)點(diǎn)：

24、1、上述的制備方法，先將陶瓷板體夾持于載板的卡持區(qū)，由于卡持區(qū)的周向間隔設(shè)置有多個安裝凸起及多個彈性卡持件，彈性件的一端連接于空腔泡沫塊，彈性件的另一端連接于相應(yīng)的安裝凸起，使空腔泡沫塊通過彈性件彈性連接于安裝凸起，進(jìn)而使陶瓷板體的外側(cè)壁通過空腔泡沫塊進(jìn)行卡持固定；然后對陶瓷板體進(jìn)行微蝕粗化處理，使后續(xù)abf較好地壓合至陶瓷板件的表面；然后對陶瓷板件進(jìn)行壓abf處理操作，得到陶瓷基板半成品；然后對陶瓷基板半成品進(jìn)行激光鉆孔操作；然后對陶瓷基板半成品進(jìn)行圖形制作操作，由于空腔泡沫塊具有較好的藥水吸附能力，在陶瓷板件的外側(cè)壁上與空腔泡沫塊抵接處，藥水能夠快速流入并作用于陶瓷板體的外側(cè)壁上方的abf，這樣在圖形制作過程中，藥水能夠有效地作用于陶瓷板件表面的任意位置的abf，以使陶瓷基板上形成有圖形電路。

25、2、上述的制備方法，解決了陶瓷基板的周緣容易出現(xiàn)蝕刻不凈的問題，有效地提高陶瓷基板的蝕刻的均勻性和徹底性。

技術(shù)特征：

1.一種陶瓷基板的制備方法，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陶瓷基板的制備方法，其特征在于，所述空腔泡沫塊為納米級空腔泡沫塊。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陶瓷基板的制備方法，其特征在于，所述安裝凸起開設(shè)有相連通的滑動槽及開口槽，所述滑動槽的橫截面積大于開口槽的橫截面積，所述彈性件位于所述滑動槽內(nèi)，所述彈性件的一端固定于滑動槽的內(nèi)壁，所述空腔泡沫塊位于所述滑動槽內(nèi)并與所述安裝凸起滑動連接，所述空腔泡沫塊的部分用于通過開口槽抵接于所述所述陶瓷板體的外側(cè)壁上。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陶瓷基板的制備方法，其特征在于，在對所述陶瓷板體進(jìn)行微蝕粗化處理的步驟之后，以及在對所述陶瓷板件進(jìn)行壓abf處理操作的步驟之前，所述制備方法還包括：

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陶瓷基板的制備方法，其特征在于，對所述陶瓷板件進(jìn)行壓abf處理操作的步驟包括：

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的陶瓷基板的制備方法，其特征在于，所述烘烤固化的溫度為98℃～200℃。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的陶瓷基板的制備方法，其特征在于，對壓合所述abf層的陶瓷板件進(jìn)行烘烤固化的步驟包括：

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的陶瓷基板的制備方法，其特征在于，所述第一預(yù)設(shè)溫度小于所述第二預(yù)設(shè)溫度。

9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的陶瓷基板的制備方法，其特征在于，所述烘烤固化的時(shí)間為60min～70min。

10.一種陶瓷基板，其特征在于，采用權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)所述的陶瓷基板的制備方法制備得到。

技術(shù)總結(jié)
本公開提供一種陶瓷基板的制備方法，包括：將陶瓷板體夾持于載板的卡持區(qū)，卡持區(qū)的周向間隔設(shè)置有多個安裝凸起及多個彈性卡持件，每一彈性卡持件包括彈性件及空腔泡沫塊，彈性件的一端連接于空腔泡沫塊，彈性件的另一端連接于相應(yīng)的安裝凸起，空腔泡沫塊用于抵接于陶瓷板體的外側(cè)壁上；對陶瓷板體進(jìn)行微蝕粗化處理；對陶瓷板件進(jìn)行壓ABF處理操作，得到陶瓷基板半成品；對陶瓷基板半成品進(jìn)行激光鉆孔操作；對陶瓷基板半成品進(jìn)行圖形制作操作。上述的制備方法，解決了陶瓷基板的周緣容易出現(xiàn)蝕刻不凈的問題，有效地提高陶瓷基板的蝕刻的均勻性和徹底性。

技術(shù)研發(fā)人員：許校彬,譚小林,張遠(yuǎn)禮
受保護(hù)的技術(shù)使用者：惠州市特創(chuàng)電子科技股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/9