本發(fā)明屬于超寬帶射頻微系統(tǒng)領域，具體涉及一種基于硅基-矩形微同軸混合集成的寬帶預選變頻sip（system?in?package，系統(tǒng)級封裝）。

背景技術：

1、為了滿足電子對抗的高集成、小型化需求，針對寬帶接收模塊進行微系統(tǒng)形態(tài)的開發(fā)。目前存在多種接收模塊sip方案將工作頻帶劃分為多段，并分段進行濾波處理，但由于高密度集成的客觀條件，有限的空間和傳統(tǒng)工藝限制了帶通濾波器的平坦度、帶寬、滾降，無法解決高頻寬帶信號的射頻平坦度波動問題，從而導致接收模塊輸出信號的性能指標惡化。傳統(tǒng)集成形態(tài)及研發(fā)模式面臨電子設備高密度集成與高性能的挑戰(zhàn)，難以形成有效解決方案。

技術實現(xiàn)思路

1、本發(fā)明的目的是提供一種基于硅基-矩形微同軸混合集成的寬帶預選變頻sip，能夠通過高密度集成實現(xiàn)小型化的同時，優(yōu)化整體接收鏈路的平坦度和鏡像抑制，實現(xiàn)高性能的寬帶預選變頻sip。

2、為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的一個方面提供一種基于硅基-矩形微同軸混合集成的寬帶預選變頻sip，包括第一數(shù)控衰減器、射頻放大器、射頻濾波電路、一本振倍頻電路、第一混頻器和中頻電路；

3、第一數(shù)控衰減器和射頻放大器用于根據(jù)接收機的動態(tài)范圍將輸入的射頻信號衰減或放大，滿足所述射頻濾波電路的信號輸入功率需求；

4、所述射頻濾波電路包括射頻開關濾波器組和第二數(shù)控衰減器，所述射頻開關濾波器組用于將跨頻段的寬帶輸入射頻信號通過開關選擇進行分頻段濾波，包括開關和多個矩形微同軸帶通濾波器，所述第二數(shù)控衰減器用于調(diào)節(jié)增益使不同頻段的增益一致并將濾波后的射頻信號輸出至所述第一混頻器，所述開關、第二數(shù)控衰減器與多個矩形微同軸帶通濾波器混合集成在硅基tsv轉(zhuǎn)接板上，各濾波器之間采用圍框隔離每個頻段形成獨立通道；

5、所述一本振倍頻電路用于得到一本振信號并輸出至所述第一混頻器，所述第一混頻器用于將所述射頻濾波電路輸出的射頻信號與所述一本振倍頻電路輸出的一本振信號進行一次下變頻，輸出一中頻信號到所述中頻電路；

6、所述中頻電路用于將所述第一混頻器輸出的一中頻信號進行濾波放大，并與外接輸入的二本振信號進行二次下變頻產(chǎn)生二中頻信號，對二中頻信號進行低通濾波并實現(xiàn)中頻agc輸出功率控制；

7、所述射頻濾波電路、一本振倍頻電路、中頻電路分別為獨立封裝的硅基sip子模塊，所述射頻濾波電路硅基sip子模塊與第一數(shù)控衰減器、射頻放大器和第一混頻器采用微同軸封裝工藝封裝成一個微同軸sip模塊，與一本振倍頻電路硅基sip子模塊、中頻電路硅基sip子模塊裝配在所述寬帶預選變頻sip的母板上。

8、優(yōu)選地，所述一本振倍頻電路包括鎖相環(huán)、倍頻器、一本振濾波器、一本振放大器；

9、所述鎖相環(huán)用于將外接輸入的參考時鐘信號轉(zhuǎn)換為一個或多個頻率輸出；

10、所述倍頻器用于將所述鎖相環(huán)輸出的信號進行倍頻產(chǎn)生一本振信號；

11、所述一本振濾波器用于將倍頻產(chǎn)生的一本振信號進行帶通濾波；

12、所述一本振放大器用于將濾波后的一本振信號放大至飽和狀態(tài)，輸出至所述第一混頻器。

13、優(yōu)選地，所述中頻電路包括一中頻濾波器、第一放大器、第二混頻器、二本振放大器、二中頻濾波器、第二放大器、第三數(shù)控衰減器，

14、所述一中頻濾波器用于將所述第一混頻器輸出的一中頻信號進行帶通濾波，抑制諧波與帶外雜散；

15、所述第一放大器用于將所述一中頻濾波器輸出的一中頻信號進行放大，傳輸至所述第二混頻器；

16、所述二本振放大器用于將外接輸入的二本振信號進行放大，傳輸至所述第二混頻器；

17、所述第二混頻器用于將所述第一放大器輸出的一中頻信號與所述二本振放大器輸出的二本振信號進行二次下變頻產(chǎn)生二中頻信號；

18、所述二中頻濾波器用于將所述第二混頻器輸出的二中頻信號進行低通濾波，抑制諧波與帶外雜散；

19、所述第二放大器用于將所述二中頻濾波器輸出的二中頻信號進行放大；

20、所述第三數(shù)控衰減器用于將所述第二放大器輸出的二中頻信號進行衰減并輸出。

21、根據(jù)本發(fā)明上述方面的基于硅基-矩形微同軸混合集成的寬帶預選變頻sip，利用硅基tsv的高密度集成實現(xiàn)小型化，基于矩形微同軸工藝優(yōu)化整體接收鏈路的平坦度和鏡像抑制，實現(xiàn)高性能的寬帶預選變頻sip。

技術特征：

1.一種基于硅基-矩形微同軸混合集成的寬帶預選變頻sip，其特征在于，包括第一數(shù)控衰減器、射頻放大器、射頻濾波電路、一本振倍頻電路、第一混頻器和中頻電路；

2.如權利要求1所述的寬帶預選變頻sip，其特征在于，所述一本振倍頻電路包括鎖相環(huán)、倍頻器、一本振濾波器、一本振放大器；

3.如權利要求1或2所述的寬帶預選變頻sip，其特征在于，所述中頻電路包括一中頻濾波器、第一放大器、第二混頻器、二本振放大器、二中頻濾波器、第二放大器、第三數(shù)控衰減器，

技術總結(jié)
本發(fā)明公開了一種基于硅基?矩形微同軸混合集成的寬帶預選變頻SiP，包括第一數(shù)控衰減器、射頻放大器、射頻濾波電路、一本振倍頻電路、第一混頻器和中頻電路，射頻濾波電路包括射頻開關濾波器組和第二數(shù)控衰減器，射頻開關濾波器組包括開關和多個矩形微同軸帶通濾波器，與第二數(shù)控衰減器混合集成在硅基TSV轉(zhuǎn)接板上，射頻濾波電路硅基SiP子模塊與第一數(shù)控衰減器、射頻放大器和第一混頻器采用微同軸封裝工藝封裝成一個微同軸SiP模塊，與一本振倍頻電路硅基SiP子模塊、中頻電路硅基SiP子模塊裝配在寬帶預選變頻SiP的母板上。本發(fā)明能夠通過高密度集成實現(xiàn)小型化的同時，優(yōu)化整體接收鏈路的平坦度和鏡像抑制，實現(xiàn)高性能的寬帶預選變頻SiP。

技術研發(fā)人員：胡乂丹,羅成斌,楊岱旭,曹佳,屈川鴻
受保護的技術使用者：成都航天博目電子科技有限公司
技術研發(fā)日：
技術公布日：2024/12/30