本申請涉及電路板制作，尤其涉及一種電路板的選鍍工藝及電路板。

背景技術(shù)：

1、隨著fpc(flexible?printed?circuit，柔性電路板)等電路板技術(shù)的迅速發(fā)展，其設(shè)計的越來越精密，對應(yīng)的線路的線寬、線距也越來越小，這就需要鍍銅后的線路層的總厚度越薄越好，但是在保證鍍銅后線路層總厚度越薄越好的前提下還要保證導(dǎo)通孔內(nèi)的孔銅厚度滿足電性導(dǎo)通的要求。

2、常規(guī)技術(shù)中，一般采用整板電鍍的方式在導(dǎo)通孔內(nèi)電鍍孔銅，但整板電鍍除了使得孔銅增厚以外，作為線路層的表銅也會同步增厚，不利于細(xì)密線路制作，故出現(xiàn)了選鍍(即局部電鍍)工藝，只對導(dǎo)通孔進(jìn)行電鍍，而表銅的線路位置用干膜覆蓋，使其無法接觸鍍銅藥水，從而表銅不會增厚，達(dá)到降低表通厚度、制作精細(xì)線路的目的。

3、現(xiàn)有技術(shù)中，在對電路板進(jìn)行選鍍后，會出現(xiàn)導(dǎo)通孔的孔銅偏薄或孔環(huán)不上銅、電性導(dǎo)通效果差，甚至導(dǎo)致電路板報廢。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本申請?zhí)峁┝艘环N電路板的選鍍工藝及電路板，能夠解決現(xiàn)有技術(shù)中在對電路板進(jìn)行選鍍后，會出現(xiàn)導(dǎo)通孔的孔銅偏薄或孔環(huán)不上銅、電性導(dǎo)通效果差，甚至導(dǎo)致電路板報廢的問題。

2、第一方面，本申請實施例提供了一種電路板的選鍍工藝，包括：

3、在基板的導(dǎo)通孔的內(nèi)孔壁上沉積導(dǎo)電層，所述基板包括基材和兩個線路層，兩個所述線路層分別設(shè)置在所述基材相背的兩側(cè)，所述導(dǎo)通孔貫穿所述基材和兩個所述線路層，所述導(dǎo)電層電性導(dǎo)通兩個所述線路層；

4、在所述基板上沉積第一導(dǎo)電層，所述第一導(dǎo)電層包括相連接的第一部和第二部，所述第一部覆蓋所述導(dǎo)電層，所述第二部覆蓋所述線路層背離所述基材的表面；

5、在所述第二部上貼附干膜，所述干膜遮蔽所述導(dǎo)通孔的孔口；

6、去除部分所述干膜，使得所述干膜上形成開窗，所述開窗暴露出所述導(dǎo)通孔的孔口，且所述導(dǎo)通孔的孔口位于所述開窗的內(nèi)部；

7、去除所述開窗暴露出的至少部分所述第二部；

8、在所述開窗內(nèi)電鍍上第二導(dǎo)電層，所述第二導(dǎo)電層包括相連接的第三部和第四部，所述第三部設(shè)于所述導(dǎo)通孔的內(nèi)部，所述第四部設(shè)于所述線路層背離所述基材的一側(cè)；

9、去除剩余的所述干膜。

10、在其中一些實施例中，所述去除所述開窗暴露出的至少部分所述第二部時，一并去除所述導(dǎo)通孔內(nèi)的所述第一部；所述在所述開窗內(nèi)電鍍上第二導(dǎo)電層時，所述第三部覆蓋所述導(dǎo)電層。

11、在其中一些實施例中，去除所述開窗暴露出的全部所述第二部；所述在所述開窗內(nèi)電鍍上第二導(dǎo)電層時，所述第四部覆蓋所述線路層背離所述基材的表面。

12、在其中一些實施例中，所述去除剩余的所述干膜之后，去除剩余的所述第二部。

13、在其中一些實施例中，所述第一導(dǎo)電層的厚度為1μm-1.5μm。

14、在其中一些實施例中，所述導(dǎo)電層包括碳粉或石墨。

15、在其中一些實施例中，所述干膜包括保留部和移除部；所述去除部分所述干膜，包括：對所述干膜的所述保留部進(jìn)行曝光處理；通過顯影的方式去除所述移除部，獲得所述開窗。

16、在其中一些實施例中，所述去除剩余的所述干膜，包括：使用堿性退膜液去除所述保留部。

17、在其中一些實施例中，使用微蝕藥水去除所述開窗暴露出的至少部分所述第二部，所述微蝕藥水包括硫酸和雙氧水的混合液，所述硫酸的濃度為3％-7％，所述雙氧水的濃度為20g/l-50g/l。

18、第二方面，本申請實施例提供了一種電路板，所述電路板通過如第一方面所述的電路板的選鍍工藝制作而成。

19、本申請實施例提供的電路板的選鍍工藝，有益效果在于：由于先在基板的導(dǎo)通孔的內(nèi)孔壁上沉積導(dǎo)電層，并在基板上沉積第一導(dǎo)電層，接著在第二部上貼附干膜，并去除部分干膜，然后再去除開窗暴露出的至少部分第二部，所以可以在去除開窗暴露出的至少部分第二部的同時，將開窗暴露出的第二部上的殘留的干膜形成的殘膜一并去除，從而能夠在開窗內(nèi)電鍍上第二導(dǎo)電層時，確保第二導(dǎo)電層的第四部能夠與開窗內(nèi)的線路層緊密結(jié)合，確保第四部形成的孔環(huán)具有一定的厚度，同時能夠通過導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層的第三部使得兩個線路層的電性導(dǎo)通效果較佳，提高了電路板的品質(zhì)。

20、本申請?zhí)峁┑碾娐钒逑啾扔诂F(xiàn)有技術(shù)的有益效果，可參考本申請?zhí)峁┑碾娐钒宓倪x鍍工藝相比于現(xiàn)有技術(shù)的有益效果說明，此處不再贅述。

技術(shù)特征：

1.一種電路板的選鍍工藝，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路板的選鍍工藝，其特征在于，所述去除所述開窗暴露出的至少部分所述第二部時，一并去除所述導(dǎo)通孔內(nèi)的所述第一部；所述在所述開窗內(nèi)電鍍上第二導(dǎo)電層時，所述第三部覆蓋所述導(dǎo)電層。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電路板的選鍍工藝，其特征在于，去除所述開窗暴露出的全部所述第二部；所述在所述開窗內(nèi)電鍍上第二導(dǎo)電層時，所述第四部覆蓋所述線路層背離所述基材的表面。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電路板的選鍍工藝，其特征在于，所述去除剩余的所述干膜之后，去除剩余的所述第二部。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路板的選鍍工藝，其特征在于，所述第一導(dǎo)電層的厚度為1μm-1.5μm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路板的選鍍工藝，其特征在于，所述導(dǎo)電層包括碳粉或石墨。

7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任意一項所述的電路板的選鍍工藝，其特征在于，所述干膜包括保留部和移除部；所述去除部分所述干膜，包括：對所述干膜的所述保留部進(jìn)行曝光處理；通過顯影的方式去除所述移除部，獲得所述開窗。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電路板的選鍍工藝，其特征在于，所述去除剩余的所述干膜，包括：使用堿性退膜液去除所述保留部。

9.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任意一項所述的電路板的選鍍工藝，其特征在于，使用微蝕藥水去除所述開窗暴露出的至少部分所述第二部，所述微蝕藥水包括硫酸和雙氧水的混合液，所述硫酸的濃度為3％-7％，所述雙氧水的濃度為20g/l-50g/l。

10.一種電路板，其特征在于，所述電路板通過如權(quán)利要求1至9中任意一項所述的電路板的選鍍工藝制作而成。

技術(shù)總結(jié)
本申請涉及電路板制作技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種電路板的選鍍工藝及電路板，電路板的選鍍工藝包括：在基板的導(dǎo)通孔的內(nèi)孔壁上沉積導(dǎo)電層，基板包括基材和兩個線路層；在基板上沉積第一導(dǎo)電層，第一導(dǎo)電層包括第一部和第二部，第一部覆蓋導(dǎo)電層，第二部覆蓋線路層背離基材的表面；在第二部上貼附干膜；去除部分干膜，使得干膜上形成開窗；去除開窗暴露出的至少部分第二部；在開窗內(nèi)電鍍上第二導(dǎo)電層，第二導(dǎo)電層包括第三部和第四部；去除剩余的干膜。本申請?zhí)峁┑碾娐钒宓倪x鍍工藝及電路板，能夠解決現(xiàn)有技術(shù)中在對電路板進(jìn)行選鍍后，會出現(xiàn)導(dǎo)通孔的孔銅偏薄或孔環(huán)不上銅、電性導(dǎo)通效果差，甚至導(dǎo)致電路板報廢的問題。

技術(shù)研發(fā)人員：張海龍,金添,李夢龍,彭羅平,陸青望
受保護的技術(shù)使用者：景旺電子科技（龍川）有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/9