本公開涉及電子裝置和制造電子裝置的方法。

背景技術：

1、電子裝置包括顯示圖像的顯示面板。有諸如液晶顯示面板、有機發(fā)光顯示面板、電潤濕顯示面板和電泳顯示面板的各種各樣的顯示面板。

2、有機發(fā)光顯示面板可以包括具有陽極、陰極以及設置在陽極與陰極之間的發(fā)光圖案的有機發(fā)光二極管。包括發(fā)光圖案的多個發(fā)光區(qū)可以彼此分離。陽極可以將驅動電流提供給發(fā)光圖案，并且陰極可以針對發(fā)光圖案提供公共電壓。

3、另外，除諸如按鈕、鍵盤和鼠標的典型輸入模式之外，電子裝置可以包括使用戶能夠通過觸摸容易且直觀地輸入信息或命令的輸入傳感器。

技術實現(xiàn)思路

1、本公開可以提供包括在不使用金屬掩模的情況下形成的發(fā)光元件的電子裝置和包括發(fā)光元件的電子面板以及制造電子裝置的方法。

2、本公開可以提供包括具有提高的工藝可靠性的發(fā)光元件的電子裝置和包括發(fā)光元件的電子面板以及制造電子裝置的方法。

3、本公開可以提供能夠將產(chǎn)品小型化的電子裝置和制造電子裝置的方法。

4、電子裝置的實施例包括：基底層；像素限定膜，設置在基底層上，并且具有在其中限定的發(fā)光開口；障壁，設置在像素限定膜上，具有導電性，并且包括具有與發(fā)光開口相對應的第一障壁開口的第一部分以及與第一部分絕緣的第二部分；發(fā)光元件，設置在發(fā)光開口中，并且包括陽極、設置在陽極上的中間層以及設置在中間層上并且連接到第一部分的陰極；第一封裝層，覆蓋陰極；第二封裝層，覆蓋發(fā)光開口和第一障壁開口；第三封裝層，設置在第二封裝層上；以及傳感器，設置在發(fā)光元件上并且包括第一傳感器電極和第二傳感器電極，其中，傳感器包括設置在第二封裝層與第三封裝層之間的第一導電層以及設置在第三封裝層上的第二導電層，并且第一導電層穿過第一封裝層電連接到第二部分。

5、在實施例中，在障壁中，可以限定有當在平面上觀看時與第一障壁開口間隔開的第二障壁開口，第二部分可以與第二障壁開口重疊，并且第一部分和第二部分可以間隔開。

6、在實施例中，第一部分與第二部分之間的距離可以小于或等于第一封裝層的厚度。

7、在實施例中，空氣層可以設置在第一部分與第二部分之間。

8、在實施例中，無機材料和有機材料中的至少一種可以設置在第一部分與第二部分之間。

9、在實施例中，可以在第一部分與第二部分之間限定有間隔開的多個凹槽。

10、在實施例中，第一傳感器電極可以包括：多個第一傳感器圖案，沿著第一方向布置；以及多個第一連接圖案，沿著第一方向布置，并且各自設置在第一傳感器圖案之間以將第一傳感器圖案當中的相鄰的第一傳感器圖案連接，第二傳感器電極可以包括：多個第二傳感器圖案，沿著與第一方向交叉的第二方向布置；以及多個第二連接圖案，沿著第二方向布置，并且各自設置在第二傳感器圖案之間以將第二傳感器圖案當中的相鄰的第二傳感器圖案連接，并且第一連接圖案和第二連接圖案可以設置在不同的層。

11、在實施例中，第一傳感器圖案和第二傳感器圖案可以設置在不同的層。

12、在實施例中，障壁可以包括包含導電材料的下層以及設置在下層上并且包含導電材料的上層。

13、在實施例中，第一部分可以在截面中具有底切形狀，并且陰極可以與第一部分接觸。

14、在實施例中，障壁可以包括：第一障壁，設置在像素限定膜上并且限定下障壁開口；以及第二障壁，設置在第一障壁上并且限定與下障壁開口重疊的上障壁開口。

15、在實施例中，第一障壁可以包括：第一下層，包括導電材料；以及第一上層，設置在第一下層上并且包括導電材料，并且第二障壁可以包括：第二下層，設置在第一上層上并且包括與第一下層的材料不同的材料；以及第二上層，設置在第二下層上并且包括導電材料。

16、在實施例中，第一下層和第二下層可以在截面中具有底切形狀，并且陰極可以與第一下層接觸。

17、在實施例中，像素限定膜可以在截面中具有底切形狀。

18、電子裝置的實施例包括：基底層；像素限定膜，設置在基底層上，并且具有在其中限定的發(fā)光開口；障壁，設置在像素限定膜上，具有導電性，并且具有在其中限定的與發(fā)光開口相對應的障壁開口；發(fā)光元件，設置在發(fā)光開口中，并且包括陽極、設置在陽極上的中間層以及設置在中間層上并且連接到障壁的陰極；第一封裝層，覆蓋陰極；第二封裝層，覆蓋發(fā)光開口和障壁開口；第一導電層，設置在第二封裝層上；第三封裝層，設置在第二封裝層上；以及第二導電層，設置在第三封裝層上，其中，障壁包括連接到陰極的第一部分以及與第一部分絕緣并且連接到第一導電層的第二部分。

19、在實施例中，第一導電層的至少一部分可以穿過第一封裝層和第二封裝層，并且可以接觸第二部分。

20、在實施例中，第一部分與第二部分之間的距離可以小于或等于第一封裝層的厚度。

21、在實施例中，空氣層可以設置在第一部分與第二部分之間。

22、在實施例中，第一部分可以在截面中具有底切形狀，并且陰極可以與第一部分接觸。

23、制造電子裝置的方法的實施例包括：提供預備電子面板，預備電子面板包括基底層、設置在基底層上的陽極以及設置在基底層上并且覆蓋陽極的預備像素限定膜；形成障壁，障壁設置在預備像素限定膜上，并且包括形成障壁開口并且具有底切形狀的第一部分以及與第一部分間隔開的第二部分；圖案化預備像素限定膜，以形成與障壁開口重疊并且暴露陽極的至少一部分的多個發(fā)光開口以便形成像素限定膜；在障壁開口中形成包括發(fā)光材料的中間層并且形成接觸第一部分的陰極；形成覆蓋陰極的第一封裝層；形成覆蓋第一封裝層的第二封裝層；形成穿過第一封裝層和第二封裝層的接觸孔；以及在第二封裝層上形成通過接觸孔連接到第二部分的第一導電層。

24、在實施例中，該方法可以進一步包括：形成覆蓋第一導電層的第三封裝層；以及在第三封裝層上形成第二導電層。

25、在實施例中，在第二封裝層的形成中，有機材料可以被沉積在第一封裝層上以形成第二封裝層。

26、在實施例中，第二封裝層的形成可以在25℃至100℃的溫度下執(zhí)行。

27、在實施例中，在第二封裝層的邊緣部分與平面之間形成的角度可以是10°至70°。

28、在實施例中，障壁的形成可以包括：在預備像素限定膜上形成第一層；在第一層上形成第二層；圖案化第一層和第二層以形成第一圖案的第一蝕刻工藝；以及進行圖案化以在第一圖案中形成底切形狀的第二蝕刻工藝。

29、在實施例中，障壁的形成可以包括：在像素限定膜上形成第一下層；在第一下層上形成第一上層；在第一上層上形成第二下層；在第二下層上形成第二上層；圖案化第一下層和第一上層以形成第一圖案并且圖案化第二下層和第二上層以形成第二圖案的第一蝕刻工藝；以及進行圖案化以在第一圖案和第二圖案中的每一個中形成底切形狀的第二蝕刻工藝。

技術特征：

1.一種電子裝置，包括：

2.根據(jù)權利要求1所述的電子裝置，其中，在所述障壁中，限定有當在平面上觀看時與所述第一障壁開口間隔開的第二障壁開口，

3.根據(jù)權利要求1所述的電子裝置，其中，所述第一部分與所述第二部分之間的距離小于或等于所述第一封裝層的厚度。

4.根據(jù)權利要求1所述的電子裝置，其中，空氣層設置在所述第一部分與所述第二部分之間。

5.根據(jù)權利要求1所述的電子裝置，其中，無機材料和有機材料中的至少一種設置在所述第一部分與所述第二部分之間。

6.根據(jù)權利要求1所述的電子裝置，其中，在所述第一部分與所述第二部分之間限定有間隔開的多個凹槽。

7.根據(jù)權利要求1-6中任一項所述的電子裝置，其中，所述第一傳感器電極包括：

8.根據(jù)權利要求7所述的電子裝置，其中，所述第一傳感器圖案和所述第二傳感器圖案設置在不同的層。

9.根據(jù)權利要求1所述的電子裝置，其中，所述障壁包括：

10.根據(jù)權利要求1所述的電子裝置，其中，所述第一部分在截面中具有底切形狀，并且所述陰極與所述第一部分接觸。

11.根據(jù)權利要求1所述的電子裝置，其中，所述障壁包括：

12.根據(jù)權利要求11所述的電子裝置，其中，所述第一障壁包括：

13.根據(jù)權利要求12所述的電子裝置，其中，所述第一下層和所述第二下層在截面中具有底切形狀，并且所述陰極與所述第一下層接觸。

14.根據(jù)權利要求1所述的電子裝置，其中，所述像素限定膜在截面中具有底切形狀。

15.一種制造電子裝置的方法，所述方法包括：

16.根據(jù)權利要求15所述的方法，進一步包括：形成覆蓋所述第一導電層的第三封裝層；以及

17.根據(jù)權利要求15所述的方法，其中，在所述第二封裝層的所述形成中，

18.根據(jù)權利要求17所述的方法，其中，所述第二封裝層的所述形成在25℃至100℃的溫度下執(zhí)行。

19.根據(jù)權利要求17所述的方法，其中，在所述第二封裝層的邊緣部分與平面之間形成的角度是10°至70°。

20.根據(jù)權利要求15所述的方法，其中，所述障壁的所述形成包括：

技術總結
本發(fā)明公開了電子裝置和制造電子裝置的方法，電子裝置包括：基底層；像素限定膜，設置在基底層上，且具有在其中限定的發(fā)光開口；障壁，設置在像素限定膜上，具有導電性，且包括具有與發(fā)光開口相對應的第一障壁開口的第一部分和與第一部分絕緣的第二部分；發(fā)光元件，設置在發(fā)光開口中且包括陽極、中間層和連接到第一部分的陰極；第一封裝層，覆蓋陰極；第二封裝層，覆蓋發(fā)光開口和第一障壁開口；第三封裝層，設置在第二封裝層上；和傳感器，設置在發(fā)光元件上且包括第一傳感器電極和第二傳感器電極，其中，傳感器包括設置在第二封裝層與第三封裝層之間的第一導電層和設置在第三封裝層上的第二導電層，且第一導電層穿過第一封裝層電連接到第二部分。

技術研發(fā)人員：成宇鏞,宋昇勇
受保護的技術使用者：三星顯示有限公司
技術研發(fā)日：
技術公布日：2024/12/30