示例實(shí)施例涉及半導(dǎo)體器件和/或用于制造半導(dǎo)體器件的方法。

背景技術(shù)：

1、正在進(jìn)行研究以減小構(gòu)成半導(dǎo)體器件的元件的尺寸并提高性能。例如，在dram中，正在進(jìn)行研究以可靠且穩(wěn)定地形成具有減小尺寸的元件。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、一些示例實(shí)施例提供了用于提高集成度的半導(dǎo)體器件。

2、一些示例實(shí)施例提供了用于提高可靠性的半導(dǎo)體器件。

3、一些示例實(shí)施例提供了用于制造半導(dǎo)體器件的方法，以增加集成度并提高可靠性。

4、根據(jù)示例實(shí)施例，一種半導(dǎo)體器件包括：第一位線，在第一方向上與存儲(chǔ)單元陣列區(qū)域交叉，該第一位線延伸到與存儲(chǔ)單元陣列區(qū)域相鄰的延伸區(qū)域中；第二位線，在第一方向上與存儲(chǔ)單元陣列區(qū)域交叉，該第二位線延伸至到延伸區(qū)域中，并且與第一位線相鄰；絕緣圖案，在延伸區(qū)域內(nèi)，并且接觸第二位線在第一方向上的端部；以及絕緣間隔物，在延伸區(qū)域內(nèi)，并且接觸第一位線在第一方向上的端部，絕緣間隔物與絕緣圖案不同。

5、根據(jù)示例實(shí)施例，一種半導(dǎo)體器件包括：襯底，包括存儲(chǔ)單元陣列區(qū)域和延伸區(qū)域；線結(jié)構(gòu)，與存儲(chǔ)單元陣列區(qū)域交叉，并且延伸到延伸區(qū)域中，該線結(jié)構(gòu)彼此平行；以及絕緣圖案，在延伸區(qū)域內(nèi)，并且彼此間隔開。每個(gè)線結(jié)構(gòu)具有在第一方向上延伸的線形形狀，線結(jié)構(gòu)包括第一線結(jié)構(gòu)以及在第一線結(jié)構(gòu)的兩側(cè)的第二線結(jié)構(gòu)，在延伸區(qū)域內(nèi)絕緣圖案接觸第二線結(jié)構(gòu)在第一方向上的端部，并且在延伸區(qū)域內(nèi)，第一線結(jié)構(gòu)在第一方向上的端部在絕緣圖案之間。

6、根據(jù)示例實(shí)施例，一種半導(dǎo)體器件包括：襯底，包括存儲(chǔ)單元陣列區(qū)域、第一延伸區(qū)域和第二延伸區(qū)域；位線結(jié)構(gòu)，與存儲(chǔ)單元陣列區(qū)域交叉，并且延伸到第一延伸區(qū)域和第二延伸區(qū)域中，該位線結(jié)構(gòu)在襯底上彼此平行；第一絕緣圖案，在第一延伸區(qū)域內(nèi)該第一絕緣圖案在襯底上彼此間隔開；以及第二絕緣圖案，在第二延伸區(qū)域內(nèi)，該第二絕緣圖案在襯底上彼此間隔開，其中，存儲(chǔ)單元陣列區(qū)域在第一延伸區(qū)域和第二延伸區(qū)域之間，每個(gè)位線結(jié)構(gòu)具有在第一方向上延伸的線形形狀，位線結(jié)構(gòu)包括在垂直于第一方向的第二方向上交替的第一位線結(jié)構(gòu)和第二位線結(jié)構(gòu)，在第一延伸區(qū)域內(nèi)，第一絕緣圖案接觸第二位線結(jié)構(gòu)在第一方向上的端部，在第二延伸區(qū)域內(nèi)，第二絕緣圖案接觸第一位線結(jié)構(gòu)在第一方向上的端部，在第一延伸區(qū)域內(nèi)，第一位線結(jié)構(gòu)在第一方向上的端部在第一絕緣圖案之間，并且在第二延伸區(qū)域內(nèi)，第二位線結(jié)構(gòu)在第一方向上的端部在第二絕緣圖案之間。

技術(shù)特征：

1.一種半導(dǎo)體器件，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述絕緣圖案與所述第一位線和所述絕緣間隔物間隔開。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述絕緣圖案在所述第一方向上的長度大于所述絕緣間隔物在所述第一方向上的長度。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述絕緣間隔物包括與所述絕緣圖案的材料不同的材料。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，在所述延伸區(qū)域內(nèi)，所述絕緣圖案的下表面在比所述第一位線和所述第二位線的下表面低的水平處。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，在所述延伸區(qū)域內(nèi)，所述絕緣圖案的上表面在比所述第一位線和所述第二位線的上表面高的水平處。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件，其中，在所述延伸區(qū)域內(nèi)，所述絕緣圖案的所述第二部分的寬度大于所述第一位線和所述第二位線中的每一個(gè)的寬度。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件，其中，在所述延伸區(qū)域內(nèi)，所述絕緣圖案的所述中間區(qū)域的最大寬度大于所述第一位線和所述第二位線中的每一個(gè)的寬度。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，還包括：

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體器件，還包括：

13.一種半導(dǎo)體器件，包括：

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述絕緣圖案與所述第一線結(jié)構(gòu)間隔開。

15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體器件，其中，

16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體器件，其中，

17.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體器件，還包括：

18.一種半導(dǎo)體器件，包括：

19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的半導(dǎo)體器件，還包括：

20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的半導(dǎo)體器件，其中，

技術(shù)總結(jié)
提供了一種半導(dǎo)體器件。該半導(dǎo)體器件包括：第一位線，在第一方向上與存儲(chǔ)單元陣列區(qū)域交叉，并且延伸到與存儲(chǔ)單元陣列區(qū)域相鄰的延伸區(qū)域中；第二位線，在第一方向上與存儲(chǔ)單元陣列區(qū)域交叉，并且延伸到延伸區(qū)域中，并且與第一位線相鄰；絕緣圖案，在延伸區(qū)域內(nèi)，并且接觸第二位線在第一方向上的端部；以及絕緣間隔物，在延伸區(qū)域內(nèi)，并且接觸第一位線在第一方向上的端部，該絕緣間隔物與絕緣圖案不同。

技術(shù)研發(fā)人員：李忠炫,金岡昱,金俊澈,金真雅
受保護(hù)的技術(shù)使用者：三星電子株式會(huì)社
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/9