技術(shù)總結(jié)
本實(shí)用新型公開(kāi)了一種GaN多芯片合成的大功率微波器件防振蕩寬帶匹配電路，包括封裝在封裝管殼內(nèi)依次連接的輸入匹配電路、N個(gè)GaN芯片和輸出匹配電路；輸入匹配電路分為兩級(jí)，第一級(jí)為T型匹配網(wǎng)絡(luò)，第二級(jí)為N路功率分配器；輸出匹配電路分為兩級(jí)，第一級(jí)為T型匹配網(wǎng)絡(luò)，第二級(jí)為N路功率合成器。本實(shí)用新型匹配網(wǎng)絡(luò)采用了二級(jí)匹配網(wǎng)絡(luò)，增加了器件的帶寬。N路功率分配器輸出端和功率合成器輸入端各金絲鍵合點(diǎn)的相位不一致性控制在5度以內(nèi),保證了器件整體的輸出功率和合成效率。傳輸線比較寬，沒(méi)有電遷移現(xiàn)象，不會(huì)出現(xiàn)長(zhǎng)期可靠性問(wèn)題。

技術(shù)研發(fā)人員：沈美根;朱佳浩;李賀;陳強(qiáng)
受保護(hù)的技術(shù)使用者：江蘇博普電子科技有限責(zé)任公司
文檔號(hào)碼：201720115061
技術(shù)研發(fā)日：2017.02.08
技術(shù)公布日：2017.09.12