本發(fā)明涉及pcb加工領(lǐng)域，具體涉及一種pcb等離子體處理裝置。

背景技術(shù)：

印刷電路板(pcb)是電子信息業(yè)不可或缺的重要配件。pcb在加工過程中，常需要進(jìn)行等離子體處理。等離子體處理能激活活性，對(duì)印刷電路板去污和背面蝕刻是一種較方便、高效、優(yōu)質(zhì)的方法。等離子體處理的流程是在鉆孔后沉銅前，主要是對(duì)孔的處理，普遍的等離子體處理流程為：鉆孔——等離子體處理——kmno4清洗二次處理——化學(xué)沉銅。等離子體處理可以清除孔內(nèi)膠渣殘留、碳化物殘留導(dǎo)致的內(nèi)層銅層電性結(jié)合不良以及回蝕不充分等問題，但目前制程存在清除不徹底，因此需要額外增加kmno4藥水進(jìn)行二次處理，以徹底消除膠渣及碳化物對(duì)pcb板性能的影響。一般而言，在對(duì)pcb進(jìn)行等離子體處理時(shí)，常通過高頻發(fā)生器(典型40khz和13.56mhz)，利用電場(chǎng)的能量在真空條件下、分離加工氣體建立等離子體技術(shù)。這些激發(fā)不穩(wěn)定的分離氣體物質(zhì)，將表面進(jìn)行改性和轟擊。

現(xiàn)有技術(shù)中，在進(jìn)行等離子體處理時(shí)，常將需要處理的pcb板人工疊放在等離子體處理用的工藝腔中，在人工疊放待處理的pcb板后，啟動(dòng)等離子體處理程序，以對(duì)放置在工藝腔中的待處理的pcb板同時(shí)進(jìn)行等離子體處理；在等離子體處理完畢后，再將位于工藝腔中的pcb板人工取出。這種等離子體處理方式雖然能夠批量處理，但是，在等離子體處理前后需要人工進(jìn)行放置和取出，非常繁瑣，自動(dòng)化程度偏低。此外，這種等離子體處理方式總耗時(shí)長達(dá)30分鐘。

因此，如何解決人力需求過多，實(shí)現(xiàn)快速流水作業(yè)與現(xiàn)行流水制程銜接成為亟待解決的技術(shù)問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明要解決的技術(shù)問題在于如何解決人力需求過多，實(shí)現(xiàn)快速流水作業(yè)與現(xiàn)行流水制程銜接。

為此，根據(jù)第一方面，本發(fā)明實(shí)施例公開了一種pcb等離子體處理裝置，包括：

工藝腔，用于為pcb電路板提供等離子體加工場(chǎng)所；工藝腔設(shè)置有等離子體源，用于為位于工藝腔內(nèi)的pcb電路板進(jìn)行等離子體加工；傳輸軌道，貫穿工藝腔的腔體，用于通過工藝腔腔體的入口端向工藝腔腔體內(nèi)傳送pcb電路板以及通過工藝腔腔體的出口端將位于工藝腔腔體內(nèi)的pcb電路板傳出工藝腔腔體。

可選地，工藝腔包括第一工藝腔和第二工藝腔，第一工藝腔和第二工藝腔沿傳輸軌道一字排布。

可選地，設(shè)置在第一工藝腔內(nèi)的等離子體源位于傳輸軌道的上方；設(shè)置在第二工藝腔內(nèi)的等離子體源位于傳輸軌道的下方。

可選地，等離子體源為微波等離子體發(fā)生裝置。

可選地，還包括：過渡腔，與工藝腔腔體的入口端和出口端連通；傳輸軌道通過過渡腔貫穿工藝腔的腔體。

可選地，過渡腔包括：上片過渡腔，上片過渡腔可封閉與工藝腔腔體的入口端連通；傳輸軌道通過上片過渡腔貫穿工藝腔的腔體；傳輸軌道將待處理pcb電路板傳送至上片過渡腔后，上片過渡腔封閉抽氣；在上片過渡腔內(nèi)的氣壓達(dá)到上片閾值后，傳輸軌道將位于上片過渡腔內(nèi)的待處理pcb電路板傳送至工藝腔的腔體內(nèi)。

可選地，過渡腔包括：下片過渡腔，下片過渡腔可封閉與工藝腔腔體的出口端連通；傳輸軌道通過下片過渡腔貫穿工藝腔的腔體；傳輸軌道將處理后的pcb電路板傳送至下片過渡腔后，下片過渡腔充氣；在下片過渡腔內(nèi)的氣壓達(dá)到下片閾值后，傳輸軌道將位于下片過渡腔內(nèi)的pcb電路板傳送出下片過渡腔。

本發(fā)明技術(shù)方案，具有如下優(yōu)點(diǎn)：

本發(fā)明實(shí)施例提供的pcb等離子體處理裝置，通過工藝腔為pcb電路板提供等離子體加工場(chǎng)所，傳輸軌道貫穿工藝腔的腔體，通過工藝腔腔體的入口端向工藝腔腔體內(nèi)傳送pcb電路板以及通過工藝腔腔體的出口端將位于工藝腔腔體內(nèi)的pcb電路板傳出工藝腔腔體，從而實(shí)現(xiàn)了通過傳輸軌道自動(dòng)地向工藝腔輸送pcb電路板，并自動(dòng)地將pcb電路板從工藝腔內(nèi)傳出，提高了pcb板的等離子體處理自動(dòng)化程度。相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)集中式人工放置pcb電路板進(jìn)行等離子體處理的方案，本實(shí)施例的技術(shù)方案可以實(shí)現(xiàn)流水化作業(yè)，提高了等離子體處理效率。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明具體實(shí)施方式或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)具體實(shí)施方式或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本發(fā)明的一些實(shí)施方式，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本實(shí)施例中一種pcb等離子體處理裝置立體結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本實(shí)施例中一種pcb等離子體處理裝置正視平面結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

在本發(fā)明的描述中，需要說明的是，術(shù)語“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“豎直”、“水平”、“內(nèi)”、“外”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，僅是為了便于描述本發(fā)明和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對(duì)本發(fā)明的限制。此外，術(shù)語“第一”、“第二”、“第三”僅用于描述目的，而不能理解為指示或暗示相對(duì)重要性。

在本發(fā)明的描述中，需要說明的是，除非另有明確的規(guī)定和限定，術(shù)語“安裝”、“相連”、“連接”應(yīng)做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或一體地連接；可以是機(jī)械連接，也可以是電連接；可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連，還可以是兩個(gè)元件內(nèi)部的連通，可以是無線連接，也可以是有線連接。對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以具體情況理解上述術(shù)語在本發(fā)明中的具體含義。

此外，下面所描述的本發(fā)明不同實(shí)施方式中所涉及的技術(shù)特征只要彼此之間未構(gòu)成沖突就可以相互結(jié)合。

為了提高pcb板的等離子體處理自動(dòng)化程度，本實(shí)施例公開了一種pcb等離子體處理裝置，請(qǐng)參考圖1和圖2，其中，圖1為本實(shí)施例pcb等離子體處理裝置立體結(jié)構(gòu)示意圖，圖2為本實(shí)施例pcb等離子體處理裝置正視平面示意圖。請(qǐng)參考圖1和圖2，該pcb等離子體處理裝置包括：工藝腔1和傳輸軌道2，其中：

工藝腔1用于為pcb電路板提供等離子體加工場(chǎng)所。本實(shí)施例中，工藝腔1設(shè)置有等離子體源10，用于為位于工藝腔內(nèi)的pcb電路板進(jìn)行等離子體加工。在具體實(shí)施例中，等離子體源10可以是微波等離子體發(fā)生裝置，微波線性等離子體發(fā)生裝置不間斷工作不斷激發(fā)等離子體，在偏壓電場(chǎng)3作用下，等離子體同時(shí)向正面和反面飛出，轟擊位于工藝腔腔體內(nèi)的pcb電路板，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)pcb電路板進(jìn)行等離子體處理。

傳輸軌道2貫穿工藝腔1的腔體，用于通過工藝腔腔體的入口端向工藝腔腔體內(nèi)傳送pcb電路板以及通過工藝腔腔體的出口端將位于工藝腔腔體內(nèi)的pcb電路板傳出工藝腔腔體。在具體實(shí)施例中，傳輸軌道2上鋪設(shè)驅(qū)動(dòng)輪20，通過驅(qū)動(dòng)輪20來驅(qū)動(dòng)傳輸軌道2上的pcb電路板向工藝腔1的腔體內(nèi)傳送，或者將位于工藝腔腔體內(nèi)的pcb電路板傳出工藝腔腔體。通過傳輸軌道2可以流水式傳送pcb電路板。

相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)分批次人工放置pcb電路板進(jìn)行等離子體處理的方案，本實(shí)施例的技術(shù)方案可以實(shí)現(xiàn)流水化作業(yè)，提高了等離子體處理效率。

請(qǐng)參考圖1和圖2，在具體實(shí)施例中，工藝腔1包括：第一工藝腔11和第二工藝腔12，第一工藝腔11和第二工藝腔12沿傳輸軌道2一字排布。傳輸軌道2依次通過第一工藝腔11的入口端貫穿第一工藝腔11和第二工藝腔12，而后通過第二工藝腔12的出口端穿出第二工藝腔12。在具體實(shí)施例中，設(shè)置在第一工藝腔11內(nèi)的等離子體源位于傳輸軌道2的上方；設(shè)置在第二工藝腔12內(nèi)的等離子體源位于傳輸軌道2的下方。當(dāng)待處理的pcb電路板通過傳輸軌道2進(jìn)入第一工藝腔11的腔體內(nèi)時(shí)，第一工藝腔11內(nèi)的等離子體源對(duì)待處理的pcb電路板上側(cè)進(jìn)行等離子體處理；當(dāng)待處理的pcb電路板通過傳輸軌道2進(jìn)入第二工藝腔12的腔體內(nèi)時(shí)，第二工藝腔12內(nèi)的等離子體源對(duì)待處理的pcb電路板下側(cè)進(jìn)行等離子體處理。本實(shí)施例中，通過第一工藝腔11和第二工藝腔12中等離子體源的不同設(shè)置方位，使得待處理的pcb電路板在通過傳輸軌道2進(jìn)入第一工藝腔11和第二工藝腔12后，可以實(shí)現(xiàn)雙側(cè)等離子體處理。

在可選的實(shí)施例中，該pcb等離子體處理裝置還包括：過渡腔，過渡腔與工藝腔1腔體的入口端和出口端連通；傳輸軌道2通過過渡腔貫穿工藝腔1的腔體。

請(qǐng)參考圖1和圖2，在具體實(shí)施例中，過渡腔包括：上片過渡腔41，上片過渡腔41可封閉與工藝腔1腔體的入口端連通；傳輸軌道2通過上片過渡腔41貫穿工藝腔的腔體；傳輸軌道2將待處理pcb電路板傳送至上片過渡腔41后，上片過渡腔41封閉抽氣；在上片過渡腔41內(nèi)的氣壓達(dá)到上片閾值后，傳輸軌道2將位于上片過渡腔41內(nèi)的待處理pcb電路板傳送至工藝腔1的腔體內(nèi)。本實(shí)施例中，所稱上片閾值可以根據(jù)經(jīng)驗(yàn)或者先驗(yàn)知識(shí)確定，具體地，該閾值應(yīng)能滿足等離子體處理的真空環(huán)境要求。

請(qǐng)參考圖1和圖2，在具體實(shí)施例中，過渡腔包括：下片過渡腔42，下片過渡腔42可封閉與工藝腔1腔體的出口端連通；傳輸軌道2通過下片過渡腔42貫穿工藝腔1的腔體；傳輸軌道2將處理后的pcb電路板傳送至下片過渡腔42后，下片過渡腔42充氣；在下片過渡腔42內(nèi)的氣壓達(dá)到下片閾值后，傳輸軌道2將位于下片過渡腔42內(nèi)的pcb電路板傳送出下片過渡腔42。本實(shí)施例中，所稱下片閾值可以根據(jù)經(jīng)驗(yàn)或者先驗(yàn)知識(shí)確定，具體地，該閾值應(yīng)能滿足等離子體處理的真空環(huán)境要求。

本實(shí)施例提供的pcb等離子體處理裝置，通過工藝腔為pcb電路板提供等離子體加工場(chǎng)所，傳輸軌道貫穿工藝腔的腔體，通過工藝腔腔體的入口端向工藝腔腔體內(nèi)傳送pcb電路板以及通過工藝腔腔體的出口端將位于工藝腔腔體內(nèi)的pcb電路板傳出工藝腔腔體，從而實(shí)現(xiàn)了通過傳輸軌道自動(dòng)地向工藝腔輸送pcb電路板，并自動(dòng)地將pcb電路板從工藝腔內(nèi)傳出，提高了pcb板的等離子體處理自動(dòng)化程度。相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)集中式人工放置pcb電路板進(jìn)行等離子體處理的方案，本實(shí)施例的技術(shù)方案可以實(shí)現(xiàn)流水化作業(yè)，提高了等離子體處理效率。

本發(fā)明實(shí)施例采用微波激發(fā)等離子體，相對(duì)比業(yè)界普遍采用的40khz和13.56mhz激發(fā)的等離子體，具有等離子體濃度大，活性強(qiáng)，因此能夠快速并徹底的清除pcb板孔內(nèi)的膠渣和碳化物，將業(yè)界現(xiàn)有的等離子體處理和kmno4清洗，二步制程所達(dá)到的效果，僅用等離子體處理一步制程即可實(shí)現(xiàn)，大大提高pcb處理效率；其次，微波激發(fā)等離子體效率高，因此只需少量工作氣體就能產(chǎn)生工藝需要的等離子體數(shù)量，僅有業(yè)界目前40khz和13.56mhz射頻等離子體工作氣體用量的一半不到；再次，高活性的微波等離子體能大大提高pcb板孔內(nèi)壁活性，有利于后續(xù)化學(xué)沉銅制程中藥水附著，提高沉銅效果。

顯然，上述實(shí)施例僅僅是為清楚地說明所作的舉例，而并非對(duì)實(shí)施方式的限定。對(duì)于所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在上述說明的基礎(chǔ)上還可以做出其它不同形式的變化或變動(dòng)。這里無需也無法對(duì)所有的實(shí)施方式予以窮舉。而由此所引伸出的顯而易見的變化或變動(dòng)仍處于本發(fā)明創(chuàng)造的保護(hù)范圍之中。