本實(shí)用新型屬于電源驅(qū)動線路領(lǐng)域，具體涉及一種新型Mos驅(qū)動電路。

背景技術(shù)：

MOS管，是是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管，在電源驅(qū)動線路中，經(jīng)常用到MOS管的開關(guān)作用。

MOS管驅(qū)動是指在柵極加控制電壓使源極、漏極之間導(dǎo)通、截止，在不共地的多個MOS管驅(qū)動架構(gòu)中，為了驅(qū)動Mos管，傳統(tǒng)設(shè)計(jì)上大都采用采用隔離變壓器將地分開，隔離變壓器的次級不與大地相連，因此它的任意兩線與大地之間沒有電位差，實(shí)現(xiàn)了控制回路跟功率回路隔離的目的，避免了信號之間相互干擾。如附圖1所示，為了驅(qū)動Mos管Q14、Mos管Q17， MOS管Q14的驅(qū)動使用了隔離變壓器Driver1，使得輸入MOS管Q14柵極的驅(qū)動電源與電路的電源端不共地，而MOS管Q17柵極接驅(qū)動電源Driver2，MOS管Q14和MOS管Q17的驅(qū)動電源不共地。

另外，在多個MOS管共同設(shè)置在一個電路中時，為了避免電源與MOS管之間的信號干擾，以及MOS管的驅(qū)動控制信號不同、實(shí)現(xiàn)的功能結(jié)果也不同，需要使得MOS管的驅(qū)動電源不共地。但是，采用傳統(tǒng)隔離變壓器來隔離，因隔離變壓器的制造工序復(fù)雜，其制造成本也相對較高，用于MOS管驅(qū)動的經(jīng)濟(jì)程度不高。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型的目的是為了用更低的成本來實(shí)現(xiàn)對MOS管不同地的驅(qū)動問題，提供一種Mos管驅(qū)動電路。

為了達(dá)到上述實(shí)用新型目的，本實(shí)用新型采用以下技術(shù)方案：

一種新型Mos驅(qū)動電路，包括被驅(qū)動MOS管，所述電路包括二極管D6、自舉電容C26、三極管Q15A、三極管Q18、MOS管Q17、電阻R63，二極管D6的正極接系統(tǒng)電源，二極管D6的負(fù)極、自舉電容C26、MOS管Q17的漏極依次連接，MOS管Q17的源極接地；自舉電容C26的正極與三極管Q15A的集電極連接，三極管Q15A的發(fā)射極與被驅(qū)動 MOS管Q14的柵極連接，被驅(qū)動 MOS管Q14的源極與MOS管Q17的漏極連接；驅(qū)動信號端INVQ14與三極管Q18的基極連接，三極管Q18的集電極與三極管Q15A的集電極連接，三極管Q18的發(fā)射極接地。

本電路使用自舉電容C26替換了傳統(tǒng)中的隔離變壓器，實(shí)現(xiàn)了Mos 管開通所需電源。電源經(jīng)二極管D6、電容C26、MOS管Q17、三極管Q18之間形成一個電路通道，MOS管Q17的漏極與源極導(dǎo)通，給自舉電容C26充電，自舉電容C26充電充滿后，使得MOS管Q17的漏極與源極之間不導(dǎo)通，MOS管Q17關(guān)閉；驅(qū)動信號端INVQ14輸入驅(qū)動信號，自舉電容C26通過三極管Q15A的發(fā)射極與集電極、被驅(qū)動MOS管Q14之間形成一個放電回路，被驅(qū)動MOS 管的柵極被充電，開啟被驅(qū)動MOS 管所需的電壓偏置。

進(jìn)一步，被驅(qū)動 MOS管Q14的柵極與源極之間接電阻R70, MOS管Q17的柵極與源極之間接電阻R80。電阻R70、電阻R80為MOS管提供偏置電壓，是MOS管的柵極保護(hù)電阻，起著泄放靜電的作用。

進(jìn)一步，三極管Q15A的基極與三極管Q18集電極之間接電阻R71，三極管Q15A的發(fā)射極與被驅(qū)動 MOS管Q14的柵極之間接有電阻R63。電阻R71、電阻R63接在對應(yīng)三極管的集電極端，為負(fù)載電阻，使三極管集電極電壓隨基極電流變化，而在集電極電阻上電壓發(fā)生改變，起到電流放大作用。

進(jìn)一步，三極管Q15A的集電極與二極管D6的負(fù)極之間接電阻R62，三極管Q18基極與驅(qū)動信號端INVQ14之間接電阻R77，MOS管Q17的柵極接電阻R76。電阻R62、電阻R77、電阻R76起著偏置電阻作用,限流供合適電流給其對應(yīng)的三極管或MOS管。

進(jìn)一步，三極管Q15A的發(fā)射極與電阻R63之間接電阻R184。因電流為三極管Q15A的發(fā)射極輸出，電阻R184Z作用為射極電阻，產(chǎn)生電流負(fù)反饋，可以穩(wěn)定靜態(tài)工作點(diǎn)。

更進(jìn)一步，電阻R184與電阻R63的節(jié)點(diǎn)與三極管Q15的發(fā)射極連接，電阻R70與MOS管Q17的漏極之間的節(jié)點(diǎn)與三極管Q15的集電極連接，三極管Q15的基極與三極管Q15A的基極連接。

更進(jìn)一步，所述驅(qū)動信號端INVQ14與三極管Q18的基極之間的節(jié)點(diǎn)與電阻R185的一端連接。

進(jìn)一步，所述Mos管驅(qū)動電路還包括被驅(qū)動的MOS管Q13，被驅(qū)動的MOS管Q13的電路與被驅(qū)動的MOS管Q14的電路鏡像設(shè)置， 所述被驅(qū)動的MOS管Q13的電路為：被驅(qū)動的MOS管Q13的源極與MOS管Q20的漏極連接，電阻R66、電阻R69相連的節(jié)點(diǎn)與被驅(qū)動的MOS管Q13的柵極連接，三極管Q16的集電極分別與電阻R69、自舉電容C27的負(fù)極、被驅(qū)動的MOS管Q13的源極與MOS管Q20的漏極之間的節(jié)點(diǎn)連接，電阻R66、電阻R186一端相連的節(jié)點(diǎn)與三極管Q16的發(fā)射極連接，電阻R186另一端與三極管Q16A的發(fā)射極連接，三極管Q16A的集電極分別與自舉電容C27的正極、二極管D7的負(fù)極、電阻R65一端連接，二極管D7的正極接系統(tǒng)電源，三極管Q16A的基極、三極管Q16的基極、電阻R65另一端三者連接的節(jié)點(diǎn)與電阻R74一端連接，電阻R74的另一端接三極管Q19的集電極，三極管Q19的發(fā)射極、電阻R79、MOS管Q20的源極三者連接的節(jié)點(diǎn)接地, 三極管Q19的基極接電阻R75一端，電阻R75另一端與接驅(qū)動信號INVQ13端、電阻R187一端分別連接;電阻R78、電阻R79兩者之間的節(jié)點(diǎn)與MOS管Q20的柵極連接;所述被驅(qū)動的MOS管Q14的漏極與被驅(qū)動的MOS管Q13的漏極連接的節(jié)點(diǎn)與電容C25一端連接，電容C25另一端接地。

本實(shí)用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比，有益效果是：采用自舉電容放電產(chǎn)生懸浮電源實(shí)現(xiàn)了Mos 管的電源驅(qū)動，采用低成本的電路架構(gòu)解決了兩個或多個不共地Mos 管的驅(qū)動問題，整個電路產(chǎn)品的制造成本更低，使用的性價(jià)比更高，更貼合實(shí)際使用。

附圖說明

圖1是傳統(tǒng)MOS管驅(qū)動示意圖；

圖2是本實(shí)用新型兩路MOS管驅(qū)動電路示意圖；

圖3是圖2中MOS管的驅(qū)動脈沖輸出示意圖。

具體實(shí)施方式

下面通過具體實(shí)施例對本實(shí)用新型的技術(shù)方案作進(jìn)一步描述說明。

實(shí)施例1

如圖所示，一種新型Mos驅(qū)動電路，包括被驅(qū)動MOS管Q14、二極管D6、自舉電容C26、三極管Q15A、三極管Q18、MOS管Q17、電阻R63，二極管D6的正極接電源+12V，二極管D6的負(fù)極、自舉電容C26、MOS管Q17的漏極D依次連接，MOS管Q17的源極S接地；自舉電容C26的正極與三極管Q15A的發(fā)射極2連接，三極管Q15A的集電極3與被驅(qū)動 MOS管Q14的柵極G連接，被驅(qū)動 MOS管Q14的源極S與MOS管Q17的漏極D連接；驅(qū)動信號端INVQ14與三極管Q18的基極1連接，三極管Q18的集電極3與三極管Q15A的基極1連接，三極管Q18的發(fā)射極2接地。

電源經(jīng)二極管D6、電容C26、MOS管Q17、三極管Q18之間形成一個電路通道，MOS管Q17的漏極D與源極S導(dǎo)通，給自舉電容C26充電，自舉電容C26充電充滿后，等C26電容上電荷充飽以后，MOS管Q17關(guān)閉；驅(qū)動信號端INVQ14輸入驅(qū)動信號，自舉電容C26通過三極管Q15A的發(fā)射極2與集電極3、被驅(qū)動MOS管Q14之間形成一個放電回路，被驅(qū)動MOS 管的柵極G被充電，開啟被驅(qū)動MOS 管所需的電壓偏置。

作為優(yōu)先的設(shè)置，被驅(qū)動 MOS管Q14的柵極G與源極S之間接電阻R70, MOS管Q17的柵極G與源極S之間接電阻R80；三極管Q15A的基極1與三極管Q18集電極3之間接電阻R71，三極管Q15A的發(fā)射極2與被驅(qū)動 MOS管Q14的柵極G之間接有電阻R63；三極管Q15A的集電極3與二極管D6的負(fù)極之間接電阻R62，三極管Q18基極1與驅(qū)動信號端INVQ14之間接電阻R77，MOS管Q17的柵極G接電阻R76；三極管Q15A的發(fā)射極2與電阻R63之間接電阻R184；電阻R184、電阻R63的之間的節(jié)點(diǎn)與三極管Q15的發(fā)射極2連接，電阻R70、MOS管Q17的漏極D之間的節(jié)點(diǎn)與三極管Q15的集電極3連接，三極管Q15的基極1與三極管Q15A的基極1連接。驅(qū)動信號端INVQ14、三極管Q18的基極1之間的節(jié)點(diǎn)與電阻R185的一端連接。

實(shí)施例2

與實(shí)施例1不同的是，本方案為兩路Mos管驅(qū)動電路，除了被驅(qū)動的MOS管Q14的電路之外還包括被驅(qū)動的MOS管Q13的電路，兩個電路鏡像設(shè)置， 所述被驅(qū)動的MOS管Q13的電路為：被驅(qū)動的MOS管Q13的源極S與MOS管Q20的漏極D連接，電阻R66、電阻R69相連的節(jié)點(diǎn)與被驅(qū)動的MOS管Q13的柵極G連接，三極管Q16的集電極3與電阻R69、自舉電容C27的負(fù)極、被驅(qū)動的MOS管Q13的源極與MOS管Q20的漏極D之間的節(jié)點(diǎn)連接，電阻R66、電阻R186一端相連的節(jié)點(diǎn)與三極管Q16的發(fā)射極2連接，電阻R186另一端與三極管Q16A的發(fā)射極2連接，三極管Q16A的集電極3分別與自舉電容C27的正極、二極管D7的負(fù)極、電阻R65一端連接，二極管D7的正極接電源+12V，三極管Q16A的基極1、三極管Q16的基極1、電阻R65另一端三者連接的節(jié)點(diǎn)與電阻R74一端連接，電阻R74的另一端接三極管Q19的集電極3，三極管Q19的發(fā)射極2、電阻R79、MOS管Q20的源極S三者連接的節(jié)點(diǎn)接地, 三極管Q19的基極1接電阻R75一端，電阻R75另一端與接驅(qū)動信號INVQ13端、電阻R187一端分別連接;電阻R78、電阻R79兩者之間的節(jié)點(diǎn)與MOS管Q20的柵極G連接;

所述被驅(qū)動的MOS管Q14的漏極D與被驅(qū)動的MOS管Q13的漏極D連接的節(jié)點(diǎn)與電池BAT、電容C25的正極、指示燈W2分別連接，電容C25的負(fù)極接地。

上述實(shí)施例1和實(shí)施例2中，二極管D6、二極管D7選用1N4148WSM的小信號開關(guān)二極管，自舉電容C26、C27選用47U/50V/W電解電容。

以上為本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式，并不限定本實(shí)用新型的保護(hù)范圍，對于本領(lǐng)域技術(shù)人員根據(jù)本實(shí)用新型的設(shè)計(jì)思路做出的變形及改進(jìn)，都應(yīng)當(dāng)視為本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。