1.一種取消可控硅RC吸收回路的控制器，包括可控硅控制器主體(1)、紅外線發(fā)射裝置(11)和可控硅控制器內(nèi)殼(14)，其特征在于，所述可控硅控制器主體(1)上表面安裝有開關(guān)鍵(2)，且開關(guān)鍵(2)右側(cè)安裝有模式鍵(7)，所述可控硅控制器主體(1)上表面安裝有顯示器裝置(5)，且顯示器裝置(5)下方安裝有工作指示燈裝置(6)，所述可控硅控制器主體(1)下方安裝有蓄電池裝置(10)，所述可控硅控制器主體(1)內(nèi)部安裝有可控硅控制器內(nèi)殼(14)，所述可控硅控制器內(nèi)殼(14)上方安裝有紅外線發(fā)射裝置(11)，所述紅外線發(fā)射裝置(11)下方安裝有數(shù)據(jù)連接線裝置(12)，所述可控硅控制器內(nèi)殼(14)上方安裝有高抗可控硅SCR模塊(13)，所述可控硅控制器內(nèi)殼(14)上方安裝有處理器裝置(16)，所述可控硅控制器內(nèi)殼(14)上方安裝有主板固定裝置(15)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種取消可控硅RC吸收回路的控制器，其特征在于，所述高抗可控硅SCR模塊(13)為三端雙向可控硅開關(guān)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種取消可控硅RC吸收回路的控制器，其特征在于，所述蓄電池裝置(10)左側(cè)上方安裝有時間加鍵(4)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種取消可控硅RC吸收回路的控制器，其特征在于，所述蓄電池裝置(10)右側(cè)上方安裝有時間減鍵(9)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種取消可控硅RC吸收回路的控制器，其特征在于，所述開關(guān)鍵(2)下方安裝有溫度加鍵(3)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種取消可控硅RC吸收回路的控制器，其特征在于，所述模式鍵(7)下方安裝有溫度減鍵(8)。