1.一種跨阻放大器,其特征在于,包含:
偽差分跨阻放大器,其輸入端為跨阻放大器的輸入端,輸入光電流信號(hào),其輸出端為跨阻放大器的輸出端,分別輸出正極電壓信號(hào)和負(fù)極電壓信號(hào);
負(fù)電容Cneg,其兩端分別連接偽差分跨阻放大器的兩個(gè)輸出端,用于提高跨阻放大器的帶寬;
負(fù)電阻Rneg,其兩端分別連接偽差分跨阻放大器的兩個(gè)輸出端,用于提高跨阻放大器的增益和噪聲性能;
工藝角檢測(cè)器(101),其輸出端輸出控制電壓信號(hào)Vctrl給負(fù)電阻Rneg,用于根據(jù)工藝,電源和溫度信息得到的控制電壓信號(hào)Vctrl來(lái)調(diào)節(jié)負(fù)電阻Rneg的大小。
2.如權(quán)利要求1所述的跨阻放大器,其特征在于,所述的偽差分跨阻放大器包含:
第一放大器A0,其輸入端輸入光電流信號(hào),輸出端輸出負(fù)極電壓信號(hào),作為負(fù)極電壓輸出端Von;
第一電阻Rf_P,其一端連接第一放大器A0的輸入端,另一端連接第一放大器A0的輸出端;
第二放大器A1,輸出端輸出正極電壓信號(hào),作為正極電壓輸出端Vop;
第二電阻Rf_N,其一端連接第二放大器A1的輸入端,另一端連接第二放大器A1的輸出端。
3.如權(quán)利要求2所述的跨阻放大器,其特征在于,所述的第一放大器A0和第二放大器A1是單端輸入單端輸出的放大器。
4.如權(quán)利要求1所述的跨阻放大器,其特征在于,所述的負(fù)電容Cneg包含:交叉耦合的第一N型MOS管NM_P和第二N型MOS管NM_N、偏置電流源Ib、以及電容Cc;
其中,第一N型MOS管NM_P的漏極連接正極電壓輸出端Vop和第二N型MOS管NM_N的柵極,第一N型MOS管NM_P的柵極連接第二N型MOS管NM_N的漏極,第一N型MOS管NM_P的源極連接偏置電流源Ib,第二N型MOS管NM_N的漏極連接負(fù)極電壓輸出端Von和第一N型MOS管NM_P的柵極,第二N型MOS管NM_N的柵極連接第一N型MOS管NM_P的漏極,第二N型MOS管NM_N的源極連接偏置電流源Ib,電容Cc的兩端分別連接第一N型MOS管NM_P的源極和第二N型MOS管NM_N的源極。
5.如權(quán)利要求1所述的跨阻放大器,其特征在于,所述的負(fù)電阻Rneg包含:交叉耦合的第一P型MOS管PM_P和第二P型MOS管PM_N、以及尾電流源Icomp;
其中,第一P型MOS管PM_P的漏極連接尾電流源Icomp,第一P型MOS管PM_P的柵極連接負(fù)極電壓輸出端Von和第二P型MOS管PM_N的源極,第一P型MOS管PM_P的源極連接正極電壓輸出端Vop和第二P型MOS管PM_N的柵極,第二P型MOS管PM_N的漏極連接尾電流源Icomp,第二P型MOS管PM_N的柵極連接正極電壓輸出端Vop和第一P型MOS管PM_P的源極,第二P型MOS管PM_N的源極連接負(fù)極電壓輸出端Von和第一P型MOS管PM_P的柵極,尾電流源Icomp的大小受工藝角檢測(cè)器輸出的控制電壓信號(hào)Vctrl控制。