1.一種中頻雙向有源巴倫，其特征在于，包括：電源調(diào)制單元(1)、單轉(zhuǎn)雙單元(2)、雙轉(zhuǎn)單單元(3)、單端匹配單元(4)以及差分匹配單元(5)，其中：
所述電源調(diào)制單元(1)分別與所述單轉(zhuǎn)雙單元(2)和所述雙轉(zhuǎn)單單元(3)連接，所述單轉(zhuǎn)雙單元(2)的輸入端與所述單端匹配單元(4)連接、輸出端與所述差分匹配單元(5)連接，所述雙轉(zhuǎn)單單元(3)的輸入端與所述差分匹配單元(5)連接、輸出端與所述單端匹配單元(4)連接。
2.根據(jù)權利要求1所述的一種中頻雙向有源巴倫，其特征在于，所述電源調(diào)制單元(1)包括：單轉(zhuǎn)雙電源輸出端口(1-1)、雙轉(zhuǎn)單電源輸出端口(1-2)、第一PMOS管(1-3)、第一NMOS管(1-4)、第二PMOS管(1-5)、第二NMOS管(1-6)、第一反相器(1-7)、第二反相器(1-8)以及第三反相器(1-9)，其中：
所述第一反相器(1-7)和所述第二反相器(1-8)的輸入端相連作為輸入控制信號的端口，所述第一反相器(1-7)的輸出端與所述第一PMOS管(1-3)的柵極和所述第一NMOS管(1-4)的柵極連接，所述第二反相器(1-8)的輸出端與所述第三反相器(1-9)的輸入端連接，所述第三反相器(1-9)的輸出端與所述第二PMOS管(1-5)的柵極和所述第二NMOS管(1-6)的柵極連接，所述第一PMOS管(1-3)的柵極與所述第一NMOS管(1-4)的柵極連接，所述第一PMOS管(1-3)的源極與電源電壓VDD連接，所述第一NMOS管(1-4)的源極接地，所述第一PMOS管(1-3)的漏極與所述第一NMOS管(1-4)的漏極與所述單轉(zhuǎn)雙電源輸出端口(1-1)連接，所述第二PMOS管(1-5)的柵極與所述第二NMOS管(1-6)的柵極連接，所述第二PMOS管(1-5)的源極與電源電壓VDD連接，所述第二NMOS管(1-6)的源極接地，所述第二PMOS管(1-5)的漏極與所述第二NMOS管(1-6)的漏極與所述雙轉(zhuǎn)單電源輸出端口(1-2)連接。
3.根據(jù)權利要求2所述的一種中頻雙向有源巴倫，其特征在于，所述單轉(zhuǎn)雙單元(2)包括：單轉(zhuǎn)雙單元電源端口(2-1)、單轉(zhuǎn)雙輸入信號端口(2-2)、第一單轉(zhuǎn)雙輸出信號端口(2-3)、第二單轉(zhuǎn)雙輸出信號端口(2-4)、第三NMOS管(2-5)、第一電阻(2-6)、第二電阻(2-7)、第三電阻(2-8)和第四電阻(2-9)，其中：
所述第三NMOS管(2-5)的柵極與所述單轉(zhuǎn)雙輸入信號端口(2-2)連接，所述第三NMOS管(2-5)的漏極與所述第一單轉(zhuǎn)雙輸出信號端口(2-3)連接，所述第三NMOS管(2-5)的源極與所述第二單轉(zhuǎn)雙輸出信號端口(2-4)連接，所述第三NMOS管(2-5)的柵極分別與所述第三電阻(2-8)和所述第四電阻(2-9)的一端連接，所述第三電阻(2-8)的另一端與所述單轉(zhuǎn)雙單元電源端口(2-1)連接，所述第四電阻(2-9)的另一端接地，所述第三NMOS管(2-5)的源極與所述第二電阻(2-7)的一端連接，所述第二電阻(2-7)的另一端接地，所述第三NMOS管(2-5)的漏極與所述第一電阻(2-6)的一端連接，所述第一電阻(2-6)的另一端與所述單轉(zhuǎn)雙單元電源端口(2-1)連接。
4.根據(jù)權利要求3所述的一種中頻雙向有源巴倫，其特征在于，所述雙轉(zhuǎn)單單元(3)包括：雙轉(zhuǎn)單單元電源端口(3-1)、第一雙轉(zhuǎn)單輸入信號端口(3-2)、第二雙轉(zhuǎn)單輸入信號端口(3-3)、雙轉(zhuǎn)單輸出信號端口(3-4)、第四NMOS管(3-5)、第五NMOS管(3-6)、第五電阻(3-7)、第六電阻(3-8)、第七電阻(3-9)和第八電阻(3-10)，其中：
所述第四NMOS管(3-5)的柵極作為所述第一雙轉(zhuǎn)單輸入信號端口(3-2)，所述第五NMOS管(3-6)的柵極作為所述第二雙轉(zhuǎn)單輸入信號端口(3-3)，所述第四NMOS管(3-5)的源極與所述第五NMOS管(3-6)的漏極連接并與所述雙轉(zhuǎn)單輸出信號端口(3-4)連接，所述第四NMOS管(3-5)的柵極與所述第五電阻(3-7)的一端連接，所述第五電阻(3-7)的另一端與所述雙轉(zhuǎn)單單元電源端口(3-1)連接，所述第四NMOS管(3-5)的漏極與所述雙轉(zhuǎn)單單元電源端口(3-1)連接，所述第五NMOS管(3-6)的柵極與所述第六電阻(3-8)的一端連接，所述第六電阻(3-8)的另一端分別與所述第七電阻(3-9)的一端和所述第八電阻(3-10)的一端連接，所述第七電阻(3-9)的另一端與所述雙轉(zhuǎn)單單元電源端口(3-1)連接，所述第八電阻(3-10)的另一端接地，所述第五NMOS管(3-6)的源極接地。
5.根據(jù)權利要求1-4中任一項所述的一種中頻雙向有源巴倫，其特征在于，所述單端匹配單元(4)和所述差分匹配單元(5)均由無源匹配器件組成。