本發(fā)明涉及一種電磁波屏蔽膜及其制造方法、屏蔽印刷線(xiàn)路板。
背景技術(shù):
近年來(lái),對(duì)智能電話(huà)和平板類(lèi)信息終端高速傳輸大容量數(shù)據(jù)的這一性能的要求越來(lái)越顯著。要高速傳輸大容量數(shù)據(jù)就要使用高頻信號(hào)。然而,使用高頻信號(hào)的話(huà),設(shè)于印刷線(xiàn)路板上的信號(hào)回路會(huì)產(chǎn)生電磁波噪聲,外圍設(shè)備很容易出現(xiàn)作業(yè)錯(cuò)誤。為防止這種作業(yè)錯(cuò)誤,很重要的一點(diǎn)就是針對(duì)印刷線(xiàn)路板屏蔽電磁波。
關(guān)于屏蔽印刷線(xiàn)路板的方法,已有人想到使用含有屏蔽層和導(dǎo)電性接合劑層的電磁波屏蔽膜(例如參見(jiàn)專(zhuān)利文獻(xiàn)1~3)。
上述這些電磁波屏蔽膜會(huì)將導(dǎo)電性接合劑層與覆蓋印刷線(xiàn)路板的接地回路的絕緣層上所設(shè)有的開(kāi)口部重合,加熱加壓,使導(dǎo)電性接合劑填充到開(kāi)口部。以此屏蔽層和印刷線(xiàn)路板的接地回路通過(guò)導(dǎo)電性接合劑連接,印刷線(xiàn)路板得到屏蔽。
現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
專(zhuān)利文獻(xiàn)
專(zhuān)利文獻(xiàn)1:日本專(zhuān)利公報(bào)特開(kāi)2004-095566號(hào)
專(zhuān)利文獻(xiàn)2:wo2006/088127號(hào)手冊(cè)
專(zhuān)利文獻(xiàn)3:wo2009/019963號(hào)手冊(cè)。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:
發(fā)明要解決的課題
然而,導(dǎo)電性接合劑層所含有的導(dǎo)電性粒子的導(dǎo)電率很低時(shí),屏蔽層與接地回路之間的連接電阻增大,這會(huì)成為降低屏蔽特性的主要因素。因此,一直以來(lái)屏蔽膜的導(dǎo)電性接合劑層使用的是銀粉或銀包銅粉等導(dǎo)電率高的導(dǎo)電性粒子,但是其存在著使用銀等所造成的原材料成本增加的問(wèn)題。另外,隨著印刷線(xiàn)路板的組裝密度提高,覆蓋接地回路的絕緣層上所設(shè)有的開(kāi)口部的直徑也會(huì)變小。開(kāi)口部直徑變小的話(huà),會(huì)帶來(lái)含有大量導(dǎo)電性粒子的導(dǎo)電性接合劑層難以填充到開(kāi)口部的問(wèn)題。
此外,人們對(duì)智能型電話(huà)和平板型信息終端薄型化輕量化的要求日趨增高,這就要求電磁波屏蔽膜更薄。然而,有導(dǎo)電性接合劑層的情況下很難使電磁波屏蔽膜更薄。
本發(fā)明的目的在于,提供一種在接合劑層不使用導(dǎo)電性粒子的情況下仍能獲得良好的屏蔽特性的電磁波屏蔽膜及其制造方法、以及屏蔽印刷線(xiàn)路板。
解決問(wèn)題的手段
一種技術(shù)方案下的本發(fā)明的電磁波屏蔽膜含有:有凹凸的導(dǎo)電性屏蔽層、以及覆蓋凹凸的接合劑層,凹凸的最大峰高值大于接合劑層的厚度。
本發(fā)明一種技術(shù)方案下的電磁波屏蔽膜中,凹凸的最大峰高可以在20μm以下。
本發(fā)明一種技術(shù)方案下的電磁波屏蔽膜中,凹凸的最大峰高可以在4μm以上。
本發(fā)明一種技術(shù)方案下的電磁波屏蔽膜中,屏蔽層中的接合劑層的相反一側(cè)的面上還可以含有保護(hù)層。
本發(fā)明一種技術(shù)方案下的電磁波屏蔽膜中,保護(hù)層中屏蔽層一側(cè)的面的最大峰高值可以在接合劑層的厚度以上且在20μm以下。
在電磁波屏蔽膜的一種技術(shù)方案下,保護(hù)層可以含有粒徑1μm以上20μm以下的粒子。
在電磁波屏蔽膜的一種技術(shù)方案下,接合劑層也可以是絕緣性的。
本發(fā)明一種技術(shù)方案下的電磁波屏蔽膜的制造方法包括下述步驟:準(zhǔn)備保護(hù)層的步驟;在保護(hù)層之上形成有凹凸的導(dǎo)電性屏蔽層的步驟;形成厚度比屏蔽層的最大峰高值薄的、覆蓋凹凸的接合劑層的步驟。
本發(fā)明一種技術(shù)方案下的電磁波屏蔽膜的制造方法中,準(zhǔn)備保護(hù)層的步驟可以是形成表面具有最大峰高在4μm以上20μm以下的凹凸的保護(hù)層的步驟。
本發(fā)明一種技術(shù)方案下的電磁波屏蔽膜的制造方法中,準(zhǔn)備保護(hù)層的步驟可以是在支撐基材上涂布含有樹(shù)脂組成物和粒子的保護(hù)層用組成物并使其固化的步驟,粒子的粒徑可以為1μm以上20μm以下。
本發(fā)明一種技術(shù)方案下的電磁波屏蔽膜的制造方法中,準(zhǔn)備保護(hù)層的步驟可以包括在支撐基材之上形成樹(shù)脂層的步驟和在樹(shù)脂層形成凹凸的步驟。
本發(fā)明一種技術(shù)方案下的電磁波屏蔽膜的制造方法中,形成凹凸的步驟可以包括對(duì)樹(shù)脂層進(jìn)行壓花加工處理的步驟。
本發(fā)明一種技術(shù)方案下的電磁波屏蔽膜的制造方法中,形成凹凸的步驟可以包括對(duì)樹(shù)脂層進(jìn)行噴射處理的步驟。
本發(fā)明一種技術(shù)方案下的電磁波屏蔽膜的制造方法中,準(zhǔn)備保護(hù)層的步驟可以包括在表面有凹凸的支撐基材之上形成樹(shù)脂層的步驟。
本發(fā)明一種技術(shù)方案下的電磁波屏蔽膜的制造方法中,形成接合劑層的步驟可以是在屏蔽層之上涂布接合劑用組成物的步驟。
本發(fā)明的屏蔽印刷線(xiàn)路板含有:本發(fā)明的電磁波屏蔽膜、以及印刷線(xiàn)路板,該印刷線(xiàn)路板含有:設(shè)有信號(hào)回路和接地回路的基底層、以及設(shè)有至少露出一部分接地回路的開(kāi)口部的絕緣層;其中,電磁波屏蔽膜和印刷線(xiàn)路板使接合劑層與絕緣層相向而接合,屏蔽層的凸部穿過(guò)接合劑層與從開(kāi)口部露出的接地回路相接。
發(fā)明效果
按照本發(fā)明的電磁波屏蔽膜,即使在接合劑層不使用導(dǎo)電性粒子的情況下電磁波屏蔽膜仍具有良好的屏蔽特性。
附圖說(shuō)明
圖1為一實(shí)施方式涉及的電磁波屏蔽膜的截面圖;
圖2(a)~(c)為一實(shí)施方式涉及的電磁波屏蔽膜制造方法的步驟順序的截面圖;
圖3為一實(shí)施方式涉及的屏蔽印刷線(xiàn)路板的截面圖。
具體實(shí)施方式
(電磁波屏蔽膜)
如圖1所示,一實(shí)施方式中的電磁波屏蔽膜100含有:有由凸部110a和凹部110b構(gòu)成的凹凸的導(dǎo)電性屏蔽層110、以及與屏蔽層110的第一面相接觸地設(shè)置的接合劑層120。屏蔽層110的凸部110a被接合劑層120覆蓋。在通過(guò)加壓將電磁波屏蔽膜100貼到印刷線(xiàn)路板后屏蔽層110的凸部110a的至少一部分穿過(guò)接合劑層120。
如此結(jié)構(gòu)下,通過(guò)加壓將電磁波屏蔽膜100貼在印刷線(xiàn)路板時(shí)能夠使屏蔽層110的凸部110a的至少一部分與印刷線(xiàn)路板的接地回路連接。在將電磁波屏蔽膜100貼在印刷線(xiàn)路板之前,屏蔽層110的凸部110a未從接合劑層120突出出來(lái),因此易于將電磁波屏蔽膜100臨時(shí)貼在印刷線(xiàn)路板上。還能防止接合劑層120與印刷線(xiàn)路板之間產(chǎn)生氣泡。另外,在貼到印刷線(xiàn)路板之前,屏蔽層110的凸部110a被接合劑層120覆蓋著,因此凸部110a表面不易氧化,導(dǎo)電性不易下降。
要使得通過(guò)加壓將電磁波屏蔽膜100貼在印刷線(xiàn)路板上后屏蔽層110的凸部110a的至少一部分穿過(guò)接合劑層120,只要使屏蔽層的凹凸的最大峰高(rp)的值大于接合劑層120的厚度(t)即可。使t<rp,凸部110a就能充分穿過(guò)接合劑層120,凸部110a與接地回路就能良好連接。以此,屏蔽膜與接地回路之間的電阻值減小,能獲得良好的屏蔽性能。
最大峰高(rp)的值只要比接合劑層120的厚度(t)大即可,但最好在4μm以上。rp值設(shè)在4μm以上,則通過(guò)加壓將屏蔽膜貼在印刷線(xiàn)路板時(shí)凸部110a易于穿過(guò)接合劑層120。以此,能夠縮小電磁波屏蔽膜100與接地回路之間的電阻值,獲得良好的屏蔽特性。此外,還能設(shè)置足夠厚度的接合劑層120以便與印刷線(xiàn)路板進(jìn)行良好的接合。
rp無(wú)特別限定,但以20μm以下為宜。rp在20μm以下能使電磁波屏蔽膜100的厚度更薄。還易于確保接合劑層120表面的平坦性,通過(guò)加壓將電磁波屏蔽膜100貼在印刷線(xiàn)路板時(shí),電磁波屏蔽膜100與印刷線(xiàn)路板之間的接合力良好。另外,本發(fā)明中的最大峰高(rp)值是根據(jù)實(shí)施例所示jisb0651:2001所測(cè)得的值。
接合劑層120的厚度在能覆蓋屏蔽層110的凸部110a的前提下最好盡可能薄,以3μm以上為宜,4μm以上更好,而且以10μm以下為宜,7μm以下更好。接合劑層120的厚度在3μm以上的話(huà),即使屏蔽層110的凹凸的rp值較大,也能防止電磁波屏蔽膜100貼在印刷線(xiàn)路板之前屏蔽層110的凸部110a從接合劑層120突出出來(lái)。由此能夠防止接合劑層120與印刷線(xiàn)路板之間混入空氣,能夠獲得良好的接合力。此外,尺寸在10μm以下能使電磁波屏蔽膜100更薄,且能讓屏蔽層110的凸部110a切實(shí)與印刷線(xiàn)路板的接地回路連接。
屏蔽層110與接合劑層120相反一側(cè)的第二面上可以根據(jù)需要設(shè)置保護(hù)層130。保護(hù)層130可以由絕緣性的樹(shù)脂材料等形成。設(shè)置保護(hù)層130的情況下,通過(guò)在保護(hù)層130的屏蔽層110一側(cè)的面上設(shè)置凹凸就能輕松地在屏蔽層110的第一面上形成凸部110a。在保護(hù)層130的表面設(shè)置凹凸的情況下,如下設(shè)置即可:使保護(hù)層130的表面的rp在接合劑層的厚度以上,在4μm以上更佳,同時(shí)在20μm以下。這種結(jié)構(gòu)能夠輕松地使屏蔽層110的第一面的rp在4μm以上20μm以下。
(屏蔽層)
屏蔽層110可以為金屬膜或由導(dǎo)電性粒子構(gòu)成的導(dǎo)電膜等。金屬膜例如可以由下述物質(zhì)形成:鎳、銅、銀、錫、金、鈀、鋁、鉻、鈦或鋅或含有上述物質(zhì)中的任意一種以上的合金等。形成金屬膜的方法例如可以采用壓延法、電解鍍層法、非電解鍍層法、濺射法、電子束蒸鍍法、真空鍍膜法、cvd法或金屬有機(jī)法等。
導(dǎo)電性粒子例如可以是碳、銀、銅、鎳、金屬焊料或?qū)︺~粉鍍銀所得到的銀包被銅粒子等。除此之外也可以使用在樹(shù)脂球或玻璃微珠等絕緣性粒子上鍍金屬所得到的粒子。上述導(dǎo)電性粒子可單獨(dú)使用,也可以將二種以上混合使用。
導(dǎo)電性粒子的形狀可以是球狀、針狀、纖維狀、薄片狀或樹(shù)枝狀中的任意一種,從形成層狀的角度來(lái)說(shuō)宜采用薄片狀。
導(dǎo)電性粒子的粒徑無(wú)特別限定,從減少屏蔽層110厚度的角度來(lái)說(shuō),可以設(shè)在0.1μm以上10μm以下。
屏蔽層110的厚度可以根據(jù)所希望得到的電磁波屏蔽特性及反復(fù)彎折和滑動(dòng)時(shí)的耐性適當(dāng)選擇,可以采用0.1μm以上10μm以下的厚度。
(接合劑層)
接合劑層120既可以是絕緣性的也可以是導(dǎo)電性的??紤]到向直徑較小的開(kāi)口部填充時(shí)的可填充性,接合劑層120宜為絕緣性。將接合劑層120制作成不含金屬粒子等導(dǎo)電性填料的層還有另一優(yōu)點(diǎn),即能使接合劑層120更薄。
接合劑層120無(wú)特別限定,可以使用苯乙烯類(lèi)樹(shù)脂組成物、醋酸乙烯酯類(lèi)樹(shù)脂組成物、聚酯類(lèi)樹(shù)脂組成物、聚乙烯類(lèi)樹(shù)脂組成物、聚丙烯類(lèi)樹(shù)脂組成物、酰亞胺類(lèi)樹(shù)脂組成物、酰胺類(lèi)樹(shù)脂組成物、或丙烯酸類(lèi)樹(shù)脂組成物等熱塑性樹(shù)脂組成物、或酚醛類(lèi)樹(shù)脂組成物、環(huán)氧類(lèi)樹(shù)脂組成物、聚氨酯類(lèi)樹(shù)脂組成物、三聚氰胺類(lèi)樹(shù)脂組成物或醇酸類(lèi)樹(shù)脂組成物等熱固化性樹(shù)脂組成物等。上述物質(zhì)可單獨(dú)使用,也可同時(shí)使用二種以上。
根據(jù)需要,接合劑層120中也可以含有固化促進(jìn)劑、增黏劑、抗氧化劑、顏料、染料、可塑劑、紫外線(xiàn)吸收劑、消泡劑、整平劑、填充劑、阻燃劑及黏度調(diào)節(jié)劑等中的至少一種。
接合劑層120的厚度無(wú)特別限定,可根據(jù)需要適當(dāng)設(shè)定,但可以設(shè)為3μm以上,4μm以上更佳,可以設(shè)為10μm以下,7μm以下更佳。將接合劑層120的厚度設(shè)在3μm以上的話(huà),可以避免電磁波屏蔽膜100貼在印刷線(xiàn)路板之前屏蔽層110的凸部110a從接合劑層120突出出來(lái),可以防止空氣混入其與印刷線(xiàn)路板之間。此外,將接合劑層120的厚度設(shè)在10μm以下就能使屏蔽膜更薄,而且能使屏蔽層的凸部切實(shí)與印刷線(xiàn)路板的接地回路連接。
(保護(hù)層)
本實(shí)施方式的電磁波屏蔽膜還可以有保護(hù)層130。保護(hù)層130只要具備保護(hù)屏蔽層110所需要的一定機(jī)械強(qiáng)度、耐化學(xué)性及耐熱性等即可。保護(hù)層130只要具有充分的絕緣性且能保護(hù)接合劑層120和屏蔽層110即可,無(wú)特別限定,例如可以使用熱塑性樹(shù)脂組成物、熱固化樹(shù)脂組成物或活性能量射線(xiàn)固化性組成物等。
熱塑性樹(shù)脂組成物無(wú)特別限定,可以使用苯乙烯類(lèi)樹(shù)脂組成物、醋酸乙烯酯類(lèi)樹(shù)脂組成物、聚酯類(lèi)樹(shù)脂組成物、聚乙烯類(lèi)樹(shù)脂組成物、聚丙烯類(lèi)樹(shù)脂組成物、酰亞胺類(lèi)樹(shù)脂組成物、或丙烯酸類(lèi)樹(shù)脂組成物等。熱固化性樹(shù)脂組成物無(wú)特別限定,可以使用酚醛類(lèi)樹(shù)脂組成物、環(huán)氧類(lèi)樹(shù)脂組成物、聚氨酯類(lèi)樹(shù)脂組成物、三聚氰胺類(lèi)樹(shù)脂組成物或醇酸類(lèi)樹(shù)脂組成物等?;钚阅芰可渚€(xiàn)固化性組成物無(wú)特別限定,例如,可以使用分子中至少有二個(gè)甲基丙烯酰氧基的聚合性化合物等。保護(hù)層130可以由單獨(dú)的材料形成,也可以由二種以上的材料形成。
根據(jù)需要,保護(hù)層130中可以含有固化促進(jìn)劑、增黏劑、抗氧化劑、顏料、染料、可塑劑、紫外線(xiàn)吸收劑、消泡劑、整平劑、填充劑、阻燃劑、黏度調(diào)節(jié)劑及防粘連劑等中的至少一種。
保護(hù)層130也可以是材質(zhì)或硬度或彈性模量等物理性質(zhì)不同的二層以上的層疊體。例如采用硬度低的外層和硬度高的內(nèi)層構(gòu)成的層疊體的話(huà),外層有緩沖墊的效果,因此在將電磁波屏蔽膜100加熱加壓在印刷線(xiàn)路板的這一步驟中能夠緩和加在屏蔽層110的壓力。因此,能夠防止印刷線(xiàn)路板上設(shè)置的高低相異的部分破壞屏蔽層110。
保護(hù)層130的厚度無(wú)特別限定,可以根據(jù)需要適當(dāng)設(shè)定,可以設(shè)為1μm以上,設(shè)為4μm以上更佳,可以設(shè)在20μm以下,10μm以下更佳,5μm以下更好。將保護(hù)層130的厚度設(shè)定在1μm以上就能充分保護(hù)接合劑層120和屏蔽層110。將保護(hù)層130的厚度設(shè)定在20μm以下就能確保電磁波屏蔽膜100的彎折性,更易于將電磁波屏蔽膜100適用于需要彎折性的部分。
在保護(hù)層130的屏蔽層110一側(cè)的表面設(shè)置凹凸?fàn)畈糠志湍茌p松地在屏蔽層110的表面形成凸部110a。此時(shí),保護(hù)層130的屏蔽層110一側(cè)的表面的rp宜在接合劑層的厚度以上,在4μm以上更佳,且宜在20μm以下。
在保護(hù)層130的表面設(shè)置凹凸部分的情況下,保護(hù)層130可以是含有粒子的層。添加粒子的話(huà)就能輕松地在保護(hù)層130表面形成凹凸部分。
添加到保護(hù)層130的粒子無(wú)特別限定,可以使用眾所周知的粒子。比如可以使用二氧化硅或氧化鋁等無(wú)機(jī)粒子、或樹(shù)脂粒子等。
保護(hù)層130中添加的粒子的平均粒徑可以根據(jù)在表面形成的凹凸的大小來(lái)決定,可以在1μm以上,4μm以上更佳,且可以在20μm以下,15μm以下更佳,在10μm以下會(huì)更好。粒子的平均粒徑在1μm以上的話(huà)能夠增大保護(hù)層130表面的凹凸,在加熱加壓步驟中屏蔽層110能夠容易地穿過(guò)接合劑層120。粒子的平均粒徑在20μm以下有其有益效果,即能夠使保護(hù)層130厚度更薄。
添加在保護(hù)層130的微粒子的量可以根據(jù)保護(hù)層130的厚度、表面上形成的凹凸的大小等來(lái)決定,相對(duì)于形成保護(hù)層130的樹(shù)脂組成物和微粒子之總和而言,其量可以在1質(zhì)量%以上,在5質(zhì)量%以上更佳,且其量可以在30質(zhì)量%以下,在20質(zhì)量%以下更佳。微粒子在1質(zhì)量%以上就能在保護(hù)層130的表面形成足夠數(shù)量的凸部。微粒子在30質(zhì)量%以下的話(huà),能夠防止凸部連綿不斷而導(dǎo)致凹凸部分變得平緩。
保護(hù)層130中添加的微粒子形狀無(wú)特別限定,可以是球狀、針狀、纖維狀、薄片狀及樹(shù)枝狀中的任意一種,但想要輕松形成保護(hù)層130的表面有凹凸的屏蔽層110的話(huà),最好是球狀。
在保護(hù)層130表面設(shè)置凹凸部分的方法可以是噴射加工、等離子體照射、電子束照射、化學(xué)試劑處理或壓花加工等。
(電磁波屏蔽膜的制造方法)
下面就電磁波屏蔽膜100的制造方法的一例進(jìn)行說(shuō)明。本實(shí)施方式的電磁波屏蔽膜100的制造方法不限于下述方法。
(形成保護(hù)層)
首先,如圖2(a)所示,在支撐基材140上涂布保護(hù)層用組成物,形成保護(hù)層130。保護(hù)層用組成物可以通過(guò)在樹(shù)脂組成物132中適量添加粒子133、溶劑和其他配合劑來(lái)制備。粒子133無(wú)特別限定,可以使用眾所周知的微粒子。此種粒子例如可以使用二氧化硅或氧化鋁等無(wú)機(jī)粒子、或者是樹(shù)脂微粒子等。粒子133的平均粒徑可以在1μm以上,在4μm以上更佳,且其可以在20μm以下,在15μm以下更佳,在10μm以下會(huì)更好。相對(duì)于樹(shù)脂組成物132和粒子133的總和來(lái)說(shuō),粒子133的添加量可以在1質(zhì)量%以上,在5質(zhì)量%以上更佳,且其可以在30質(zhì)量%以下,在20質(zhì)量%以下更佳。溶劑例如可以是甲苯、丙酮、甲基乙基酮、甲醇、乙醇、丙醇及二甲基甲酰胺等??梢蕴砑咏宦?lián)劑、聚合用催化劑、固化促進(jìn)劑和著色劑等作為其他配合劑。其他配合劑是根據(jù)需要添加的,也可以不添加。
接著,在支撐基材140的單面上涂布上述制備的保護(hù)層用組成物。在支撐基材140的單面涂布保護(hù)層用組成物的方法無(wú)特別限定,可以采用唇模涂布、逗號(hào)涂布、凹版涂布、狹縫型擠壓式涂布等眾所周知的技術(shù)。
支撐基材140例如可以是膜狀。支撐基材140無(wú)特別限定,比如可以由聚烯烴類(lèi)、聚酯類(lèi)、聚酰亞胺類(lèi)、聚苯硫醚類(lèi)等材料形成。支撐基材140和保護(hù)層用組成物之間也可以設(shè)置離型劑層。
在支撐基材140上涂布保護(hù)層用組成物后,加熱干燥來(lái)除去溶劑,以此形成表面有凹凸形狀的保護(hù)層130。支撐基材140可以從保護(hù)層130剝離。支撐基材140的剝離作業(yè)可以在將電磁波屏蔽膜100貼在印刷線(xiàn)路板后進(jìn)行。如此就能用支撐基材140保護(hù)電磁波屏蔽膜100。
也可以將以上方法取而代之,即,也可以用表面呈平坦形狀的支撐基材形成表面平坦的保護(hù)層后再在保護(hù)層表面形成凹凸形狀。凹凸形狀可以通過(guò)以下處理來(lái)進(jìn)行:噴射處理、等離子體照射或電子束照射等實(shí)現(xiàn)的干蝕刻處理、化學(xué)試劑處理等實(shí)現(xiàn)的濕蝕刻處理或壓花加工等。
比如,在噴射處理中,可以向支撐基材的表面吹干冰等來(lái)形成凹凸形狀。在壓花加工中,可以在支撐基材的表面按壓上有凹凸形狀的模具來(lái)形成凹凸形狀。
另外,也可以用其他方法代替上述方法,即通過(guò)在表面有凹凸形狀的支撐基材表面涂布保護(hù)層用組成物并進(jìn)行干燥來(lái)形成表面有凹凸形狀的保護(hù)層。
(形成屏蔽層)
接下來(lái)如圖2(b)所示地形成表面有凸部110a的屏蔽層110。通過(guò)在有凹凸形狀的保護(hù)層130表面形成厚為0.1μm~10μm的金屬膜就能很容易地形成表面有凸部110a的屏蔽層110。形成金屬膜的方法可以采用電解鍍層法、非電解鍍層法、濺射法、電子束蒸鍍法、真空鍍膜法、cvd法或金屬有機(jī)法等。
另外,通過(guò)電解鍍層法和非電解鍍層法形成金屬膜時(shí),可以在金屬膜表面形成樹(shù)枝狀的微小凹凸。因此能夠使屏蔽層110和印刷線(xiàn)路板的接地回路之間的連接更加扎實(shí)。
也可以通過(guò)將含有導(dǎo)電性粒子的導(dǎo)電膏被覆在有凹凸的保護(hù)層表面來(lái)形成屏蔽層。此時(shí),可以根據(jù)需要燒制被覆層等。
也可以在平坦的保護(hù)層上形成金屬膜后通過(guò)使金屬膜表面變得粗糙來(lái)形成有凹凸的屏蔽層。此外,還可以通過(guò)壓花加工來(lái)將銅箔加工成凹凸形狀并由此形成有凹凸的屏蔽層。此時(shí)也能形成無(wú)保護(hù)層的電磁波屏蔽膜。
(形成接合劑層)
然后,如圖2(c)所示,在屏蔽層110上涂布接合劑層用組成物,形成接合劑層120。接合劑層用組成物包含樹(shù)脂組成物和溶劑。樹(shù)脂組成物無(wú)特別限定,可以選用苯乙烯類(lèi)樹(shù)脂組成物、醋酸乙烯酯類(lèi)樹(shù)脂組成物、聚酯類(lèi)樹(shù)脂組成物、聚乙烯類(lèi)樹(shù)脂組成物、聚丙烯類(lèi)樹(shù)脂組成物、酰亞胺類(lèi)樹(shù)脂組成物、酰胺類(lèi)樹(shù)脂組成物或丙烯酸類(lèi)樹(shù)脂組成物等熱塑性樹(shù)脂組成物、或酚醛類(lèi)樹(shù)脂組成物、環(huán)氧類(lèi)樹(shù)脂組成物、聚氨酯類(lèi)樹(shù)脂組成物、三聚氰胺類(lèi)樹(shù)脂組成物、或醇酸類(lèi)樹(shù)脂組成物等熱固化性樹(shù)脂組成物等。上述物質(zhì)可以單獨(dú)使用,也可以同時(shí)使用二種以上。溶劑例如可以使用甲苯、丙酮、甲基乙基酮、甲醇、乙醇、丙醇及二甲基甲酰胺等。根據(jù)需要,接合劑層用組成物中也可以包含固化促進(jìn)劑、增黏劑、抗氧化劑、顏料、染料、可塑劑、紫外線(xiàn)吸收劑、消泡劑、整平劑、填充劑、阻燃劑及粘度調(diào)節(jié)劑等中的至少一種。接合劑層用組成物中的樹(shù)脂組成物的比率可以根據(jù)接合劑層120的厚度等適當(dāng)設(shè)定。
下一步,在屏蔽層110上涂布接合劑層用組成物。在屏蔽層110上涂布接合劑層用組成物的方法無(wú)特別限定,可以采用唇模涂布、逗號(hào)涂布、凹版涂布或狹縫型擠壓式涂布等技術(shù)。
在屏蔽層110上涂布接合劑層用組成物后,加熱干燥來(lái)除去溶劑,形成接合劑層120。另外,還可以根據(jù)需要在接合劑層120表面貼上離型膜。
電磁波屏蔽膜的制造方法不限于上述方法。比如,可以準(zhǔn)備第一支撐基材和第二支撐基材,在第一支撐基材的表面用與上述同樣的方法涂布保護(hù)層用組成物,形成保護(hù)層后,再形成屏蔽層。此外,通過(guò)與上述同樣的方法在第二支撐基材的表面涂布接合劑層用組成物,形成接合劑層120。然后,使在第一支撐基材上形成的屏蔽層和在第二支撐基材上形成的接合劑層相對(duì)并將兩者貼在一起,以此就能制作電磁波屏蔽膜。
本實(shí)施方式的電磁波屏蔽膜100可以將接合劑層120設(shè)為絕緣性。此時(shí)可以不在接合劑層用組成物中添加導(dǎo)電性填料。但接合劑層120也可以是導(dǎo)電性的,此時(shí),可以在接合劑層用組成物中添加導(dǎo)電性填料。在添加導(dǎo)電性填料的情況下,同樣地,屏蔽層110會(huì)直接與接地回路連接,因此屏蔽特性仍比以往的電磁波屏蔽膜好。而且,本發(fā)明與以往的導(dǎo)電性接合劑層相比能夠減少導(dǎo)電性填料的量,因此能夠降低成本。此外,即使覆蓋接地回路的絕緣層上設(shè)置的開(kāi)口部的直徑較小,接地回路與屏蔽層也能良好地連接。
(屏蔽印刷線(xiàn)路板)
本實(shí)施方式的電磁波屏蔽膜100可以用于以下所述屏蔽印刷線(xiàn)路板。如圖3所示,屏蔽印刷線(xiàn)路板300含有印刷線(xiàn)路板200和電磁波屏蔽膜100。
印刷線(xiàn)路板200含有:基底層210、包括在基底層210上形成的信號(hào)回路220a及接地回路220b在內(nèi)的印刷回路220、以及覆蓋基底層210并至少露出接地回路220b的一部分的絕緣層230。
基底層210和絕緣層230可以選用任意物質(zhì),比如可以使用樹(shù)脂膜等。此時(shí),其可以通過(guò)下述物質(zhì)制得:聚丙烯、交聯(lián)聚乙烯、聚酯、聚苯并咪唑、聚酰亞胺、聚酰胺酰亞胺、聚醚酰亞胺、或聚苯硫醚等樹(shù)脂。印刷回路220比如可以是在基底層210上形成的銅線(xiàn)路圖案等。
將電磁波屏蔽膜100與印刷線(xiàn)路板200接合并使接合劑層120位于絕緣層230一側(cè)。屏蔽層110的凸部110a的一部分穿過(guò)接合劑層120并與從絕緣層230露出的接地回路220b接觸。因此,即使接合劑層120不含有導(dǎo)電性填料也能使屏蔽層110與接地回路220b實(shí)現(xiàn)電連通,發(fā)揮優(yōu)良的屏蔽特性。接合劑層120不含導(dǎo)電性填料時(shí),接地回路220b與屏蔽層110之間沒(méi)有導(dǎo)電性填料,因此無(wú)需考慮導(dǎo)電性填料產(chǎn)生的電阻。因此,接地回路220b與屏蔽層110之間的電阻值不會(huì)大幅度下降,從而表現(xiàn)出良好的屏蔽特性。此外,接合劑層120不含導(dǎo)電性填料時(shí),接合劑層120可以更薄,從而能夠使屏蔽印刷線(xiàn)路板300的厚度比以往更薄。
下面就屏蔽印刷線(xiàn)路板300的制造方法進(jìn)行說(shuō)明。在印刷線(xiàn)路板200上放置電磁波屏蔽膜100,用壓制機(jī)加熱并加壓。加熱后變軟的接合劑層120的一部分因加壓而流入絕緣層230的開(kāi)口部。此外,通過(guò)加壓,屏蔽層110的凸部110a的至少一部分穿過(guò)接合劑層120。以此連接屏蔽層110和接地回路220b。在屏蔽層110的凹部,屏蔽層110與印刷線(xiàn)路板200之間有足夠量的接合劑層120,因此電磁波屏蔽膜100與印刷線(xiàn)路板200以足夠的強(qiáng)度接合在一起。
實(shí)施例
(形成電磁波屏蔽膜)
支撐基材使用的是厚60μm且表面進(jìn)行了離型處理的pet膜。支撐基材上涂布含有一定粒徑的二氧化硅粒子、雙酚a型環(huán)氧類(lèi)樹(shù)脂及甲基乙基酮的保護(hù)層用組成物(固形成分的量30質(zhì)量%),加熱干燥形成保護(hù)層。再在保護(hù)層表面通過(guò)真空鍍膜法形成厚0.5μm的銀,由此形成屏蔽層。然后,在屏蔽層表面涂布由環(huán)氧類(lèi)樹(shù)脂構(gòu)成的接合劑,形成一定厚度的接合劑層。
(接合劑層厚度的測(cè)定方法)
從形成接合劑層后的電磁波屏蔽膜的厚度中減去形成接合劑層前的保護(hù)層與屏蔽層的層疊體的厚度所得到的值即為接合劑層的厚度。在此,各厚度均用測(cè)微計(jì)(mitutoyo公司制,mdh-25)以jisc2151為標(biāo)準(zhǔn)測(cè)定。
(最大峰高的測(cè)定方法)
屏蔽層表面的最大峰高(rp)是用lasertec公司生產(chǎn)的共聚焦顯微鏡,依據(jù)jisb0651:2001進(jìn)行了測(cè)定。
(連接性的評(píng)價(jià))
在印刷線(xiàn)路板的表面臨時(shí)貼上電磁波屏蔽膜(120℃、0.5mpa、5秒)后,加熱加壓(170℃、3mpa、30分鐘),形成屏蔽印刷線(xiàn)路板。所采用的印刷線(xiàn)路板有互相有一定間隔且平行延伸的二條銅箔圖形、以及覆蓋銅箔圖形的厚25μm的聚酰亞胺構(gòu)成的絕緣層。絕緣層上設(shè)有使銅箔圖形分別露出的開(kāi)口部。開(kāi)口部的直徑為1mm。用電阻計(jì)測(cè)量二條銅箔圖形之間的電阻值,以此來(lái)評(píng)價(jià)銅箔圖形與電磁波屏蔽膜之間的連接性。電阻小于0.4ω時(shí)判斷為連接性良好。
(實(shí)施例1)
保護(hù)層用組成物中添加的粒子選用粒徑為4μm的二氧化硅(電氣化學(xué)工業(yè)(株)制,fb-5sdc),二氧化硅的含量相對(duì)于樹(shù)脂組成物與二氧化硅的總和來(lái)說(shuō)為15質(zhì)量%。所獲得的保護(hù)層厚度為6μm。屏蔽層表面的最大峰高為4.5μm。接合劑層的厚度為3μm。電阻值為0.1ω。
(實(shí)施例2)
保護(hù)層用組成物中添加的粒子選用粒徑為9μm的二氧化硅(電氣化學(xué)工業(yè)(株)制,fb-12d),二氧化硅含量相對(duì)于樹(shù)脂組成物與二氧化硅的總和來(lái)說(shuō)為5質(zhì)量%。所獲得的保護(hù)層的厚度為7μm。屏蔽層表面的最大峰高為5.2μm。接合劑層的厚度為3μm。電阻值為0.2ω。
(實(shí)施例3)
除了接合劑層的厚度為5μm外,其他均與實(shí)施例2相同。電阻值為0.2ω。
(實(shí)施例4)
保護(hù)層用組成物中添加的粒子選用粒徑為9μm的二氧化硅(電氣化學(xué)工業(yè)(株)制,fb-12d),二氧化硅含量相對(duì)于樹(shù)脂組成物與二氧化硅的總和來(lái)說(shuō)為15質(zhì)量%。所獲得的保護(hù)層厚度為11μm。屏蔽層表面的最大峰高為9.1μm。接合劑層厚度為3μm。電阻值為0.1ω。
(實(shí)施例5)
除接合劑層厚度為5μm外,其他均與實(shí)施例4相同。電阻值為0.1ω。
(實(shí)施例6)
除接合劑層厚度為8μm外,其他均與實(shí)施例4相同。電阻值為0.1ω。
(實(shí)施例7)
保護(hù)層用組成物中添加的粒子選用粒徑為14μm的二氧化硅(電氣化學(xué)工業(yè)(株)制,fb-940),二氧化硅含量相對(duì)于樹(shù)脂組成物與二氧化硅的總和來(lái)說(shuō)為5質(zhì)量%。所得到的保護(hù)層厚度為16μm。屏蔽層表面的最大峰高為8.7μm。接合劑層厚度為3μm。電阻值為0.2ω。
(實(shí)施例8)
除接合劑層厚度為5μm外,其他均與實(shí)施例7相同。電阻值為0.2ω。
(實(shí)施例9)
除接合劑層厚度為8μm外,其他均與實(shí)施例7相同。電阻值為0.1ω。
(實(shí)施例10)
保護(hù)層用組成物中添加的粒子選用粒徑為14μm的二氧化硅(電氣化學(xué)工業(yè)(株)制,fb-940),二氧化硅含量相對(duì)于樹(shù)脂組成物與二氧化硅的總和來(lái)說(shuō)為15質(zhì)量%。所得到的保護(hù)層厚度為20μm。屏蔽層表面的最大峰高為16.3μm。接合劑層厚度為3μm。電阻值為0.1ω。
(實(shí)施例11)
除接合劑層厚度為5μm外,其他均與實(shí)施例10相同。電阻值為0.1ω。
(實(shí)施例12)
除接合劑層厚度為8μm外,其他均與實(shí)施例10相同。電阻值為0.1ω。
(實(shí)施例13)
保護(hù)層用組成物中添加的粒子選用粒徑為14μm的二氧化硅(電氣化學(xué)工業(yè)(株)制,fb-940),二氧化硅含量相對(duì)于樹(shù)脂組成物與二氧化硅的總和來(lái)說(shuō)為25質(zhì)量%。所得到的保護(hù)層厚度為20μm。屏蔽層表面的最大峰高為14.6μm。接合劑層厚度為3μm。電阻值為0.2ω。
(實(shí)施例14)
除接合劑層厚度為5μm外,其他均與實(shí)施例13相同。電阻值為0.2ω。
(實(shí)施例15)
除接合劑層厚度為8μm外,其他均與實(shí)施例13相同。電阻值為0.2ω。
(比較例1)
保護(hù)層用組成物中添加的粒子選用粒徑為4μm的二氧化硅(電氣化學(xué)工業(yè)(株)制,fb-5sdc),二氧化硅含量相對(duì)于樹(shù)脂組成物與二氧化硅的總和來(lái)說(shuō)為5質(zhì)量%。所得到的保護(hù)層厚度為5μm。屏蔽層表面的最大峰高為2.2μm。接合劑層厚度為3μm。電阻值為0.6ω。
(比較例2)
除接合劑層厚度為5μm外,其他均與比較例1相同。電阻值為1.4ω。
(比較例3)
除接合劑層厚度為8μm外,其他均與比較例1相同。電阻值為1.8ω。
(比較例4)
除接合劑層厚度為5μm外,其他均與實(shí)施例1相同。電阻值為0.5ω。
(比較例5)
除接合劑層厚度為8μm外,其他均與實(shí)施例1相同。電阻值為1.3ω。
(比較例6)
除接合劑層厚度為8μm外,其他均與實(shí)施例2相同。電阻值為0.5ω。
表1中集中顯示了各實(shí)施例和比較例。
[表1]
本發(fā)明并不限于上述實(shí)施方式,在不改變本發(fā)明宗旨的范圍內(nèi)可以進(jìn)行適當(dāng)變更、應(yīng)用。
實(shí)用性
本發(fā)明的電磁波屏蔽膜的高頻傳輸效率不容易下降,其作為用于印刷線(xiàn)路板等的電磁波屏蔽膜等是非常有用的。
編號(hào)說(shuō)明
100電磁波屏蔽膜
110屏蔽層
110a凸部
120接合劑層
130保護(hù)層
132樹(shù)脂組成物
133粒子
140支撐基材
200印刷線(xiàn)路板
210基底層
220印刷回路
220a信號(hào)回路
220b接地回路
230絕緣層
300屏蔽印刷線(xiàn)路板