本發(fā)明涉及一種導(dǎo)電性接合膜、印刷布線板及電子設(shè)備。

背景技術(shù)：

以往已經(jīng)有一種屏蔽蓋用于避免外部電磁波入侵印刷布線板上的電子元件并防止電子線路產(chǎn)生的電磁波向外部流出（如專利文獻(xiàn)1）。這種屏蔽蓋由不銹鋼等金屬層制成蓋狀，且配置時(shí)使其覆蓋需要保護(hù)的電子元件。此外，關(guān)于該屏蔽蓋，其金屬層連接著印刷布線板上的接地用布線圖案，屏蔽效果得以提高。

但是，屏蔽蓋其內(nèi)壁面需要和電子元件間留出空隙，以免內(nèi)壁面接觸印刷布線板上的電子元件，因此難以達(dá)到印刷布線板的薄型化。就此，如專利文獻(xiàn)2和3所示，還有將導(dǎo)電膏印刷在印刷布線板上的方式。此外，專利文獻(xiàn)4公開(kāi)了一種技術(shù)，用與基板形狀相應(yīng)的熱軟化電磁屏蔽材料覆蓋包括安裝元件在內(nèi)的整個(gè)基板，至少將上述屏蔽材料加熱后冷卻，使其緊密貼合在基板上。

先行技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：特開(kāi)（日本專利）2001－345592號(hào)公報(bào)

專利文獻(xiàn)2：特開(kāi)（日本專利）2009－016715號(hào)公報(bào)

專利文獻(xiàn)3：特開(kāi)（日本專利）2010－245139號(hào)公報(bào)

專利文獻(xiàn)4：特開(kāi)（日本專利）平5-327270號(hào)公報(bào)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

發(fā)明要解決的問(wèn)題

然而，專利文獻(xiàn)2~4或制造工序復(fù)雜或負(fù)荷較大。因此，近年來(lái)，類似于專利文獻(xiàn)1的屏蔽蓋成為主流。此外，如專利文獻(xiàn)4所述地讓電磁屏蔽材料配合電子元件的形狀時(shí)，電磁屏蔽材料變形所造成的電阻上升會(huì)降低屏蔽效果。

鑒于上述問(wèn)題，本發(fā)明的目的在于提供一種導(dǎo)電性接合膜、印刷布線板及電子設(shè)備，通過(guò)本發(fā)明，在用壓制加工這一簡(jiǎn)易方法覆蓋電子元件時(shí)也不易出現(xiàn)因電阻增大而造成屏蔽性能下降的問(wèn)題。

解決問(wèn)題所采取的技術(shù)手段

本發(fā)明涉及一種導(dǎo)電性接合膜，通過(guò)壓制加工使其與印刷布線板的截?cái)嘤冒疾肯鄳?yīng)的部位向膜面方向伸展并覆蓋電子元件，以此屏蔽電磁波，該導(dǎo)電性接合膜含有：由含第一導(dǎo)電性粒子的各向同性導(dǎo)電材料形成的導(dǎo)電性接合劑層、以及在上述壓制加工時(shí)位于比上述導(dǎo)電性接合劑層靠近上述電子元件一側(cè)的位置的、由含第二導(dǎo)電性粒子的各向異性導(dǎo)電材料形成的底部接合劑層。

當(dāng)通過(guò)壓制加工用導(dǎo)電性接合膜覆蓋電子元件時(shí)，導(dǎo)電性接合膜會(huì)隨著印刷布線板的截?cái)嘤冒疾啃螤钕鄳?yīng)地伸展。此時(shí)，導(dǎo)電性接合膜由電子元件往外側(cè)方向而逐漸大幅度伸展。在上述結(jié)構(gòu)中，位于遠(yuǎn)離電子元件的最外側(cè)的導(dǎo)電性接合劑層由含第一導(dǎo)電性粒子的各向同性導(dǎo)電材料形成，位于電子元件一側(cè)的底部接合劑層由含第二導(dǎo)電性粒子的各向異性導(dǎo)電材料形成。各向同性導(dǎo)電材料所含導(dǎo)電性粒子的比例比各向異性導(dǎo)電材料多，因此，即使導(dǎo)電性接合劑層比底部接合劑層伸展幅度更大，也能夠防止第一導(dǎo)電性粒子之間出現(xiàn)間隙并導(dǎo)致導(dǎo)電性能降低。因此，能夠防止出現(xiàn)因電阻增加而導(dǎo)致屏蔽性能下降的問(wèn)題。

此外，在本發(fā)明的導(dǎo)電性接合膜中，可以如下設(shè)置：所述第一導(dǎo)電性粒子在伸展后的所述導(dǎo)電性接合劑層中以至少一部分相互接觸的密度分散。

通過(guò)上述結(jié)構(gòu)，能夠有效地防止導(dǎo)電性粒子相互之間最容易產(chǎn)生間隙的部位——即導(dǎo)電性接合劑層中伸展程度最大部位的導(dǎo)電性下降。

此外，本發(fā)明的導(dǎo)電性接合膜可以如下：所述導(dǎo)電性接合劑層中所含有的所述第一導(dǎo)電性粒子是平均長(zhǎng)徑為所述導(dǎo)電性接合劑層的伸展前層厚的15%~25%的薄片狀粒子，所含有的該第一導(dǎo)電性粒子為所述導(dǎo)電性接合劑層總重量的40重量%~80重量%。

通過(guò)上述結(jié)構(gòu)，在導(dǎo)電性粒子相互之間最容易產(chǎn)生間隙的部位——即導(dǎo)電性接合劑層中，第一導(dǎo)電性粒子的長(zhǎng)徑方向會(huì)與導(dǎo)電性接合劑層的膜面方向一致，因此，壓制加工后第一導(dǎo)電性粒子相互之間容易接觸，能夠有效防止伸展程度最大的部位的導(dǎo)電性下降。

此外，本發(fā)明的導(dǎo)電性接合膜可以如下：所述第二導(dǎo)電性粒子的平均粒徑是所述底部接合劑層伸展前層厚的10%~50%，且所含有的該第二導(dǎo)電性粒子為所述底部接合劑層總重量的40重量%~80重量%。

通過(guò)上述結(jié)構(gòu)能夠防止因第二導(dǎo)電性粒子相互之間出現(xiàn)間隙而導(dǎo)致整個(gè)底部接合劑層的導(dǎo)電性下降，進(jìn)一步防止電阻增加所導(dǎo)致的屏蔽性能下降。

本發(fā)明的導(dǎo)電性接合膜中，所述第二導(dǎo)電性粒子可以是樹(shù)枝狀粒子。

在上述結(jié)構(gòu)中，第二導(dǎo)電性粒子是樹(shù)枝狀粒子，與使用同樣重量%的非樹(shù)枝狀粒子相比，能夠提高第二導(dǎo)電性粒子相互之間的接觸率。以此能夠防止底部接合劑層的接合劑的量減少，從而能夠在不降低導(dǎo)電性接合劑層與底部接合劑層的接合性的情況下提高導(dǎo)電性。

在本發(fā)明的導(dǎo)電性接合膜中也可以如下設(shè)置：所述導(dǎo)電性接合劑層的伸展前層厚為所述凹部的槽深的1%~3%，所述底部接合劑層的伸展前層厚為所述凹部的槽深的4%~8%，二者伸展前的總厚為所述凹部的槽深的5%~11%。

本發(fā)明的導(dǎo)電性接合膜也可以如下：所述導(dǎo)電性接合劑層的層厚為10μm~30μm，所述底部接合劑層的層厚為40μm~80μm。

本發(fā)明的導(dǎo)電性接合膜可以如下：轉(zhuǎn)印膜層疊于所述導(dǎo)電性接合劑層的與底部接合劑層相反的面上，所述轉(zhuǎn)印膜在150℃以上的溫度條件下的儲(chǔ)能模量為20MPa以下。

通過(guò)上述結(jié)構(gòu)，轉(zhuǎn)印膜在熱壓制加工時(shí)易于延伸，能夠提升導(dǎo)電性接合膜對(duì)電子元件和印刷布線板的截?cái)嘤冒疾康奶盥裉匦浴?/p>

本發(fā)明的屏蔽印刷布線板的特征在于含有上述導(dǎo)電性接合膜。

本發(fā)明的電子設(shè)備的特征在于含有上述屏蔽印刷布線板。

發(fā)明效果

用壓制加工這一簡(jiǎn)單的方法將導(dǎo)電性接合膜覆蓋在電子元件上時(shí)能夠防止因電阻增加而導(dǎo)致屏蔽性能下降。

附圖說(shuō)明

圖1為導(dǎo)電性接合膜的截面圖。

圖2為導(dǎo)電性接合膜的詳細(xì)說(shuō)明圖。

圖3為導(dǎo)電性接合膜的壓制加工說(shuō)明圖。

圖4為實(shí)施例中層疊在環(huán)氧玻璃基板上的導(dǎo)電性接合膜的形態(tài)說(shuō)明圖。

圖5為實(shí)施例中導(dǎo)電性接合膜的表面電阻值的測(cè)定方法說(shuō)明圖。

具體實(shí)施方式

下面參照附圖就本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。

如圖1所示，本實(shí)施方式的導(dǎo)電性接合膜1設(shè)置在屏蔽印刷布線板100上，通過(guò)壓制加工使與凹部相對(duì)應(yīng)的部位向膜面方向伸展來(lái)覆蓋電子元件2，以此進(jìn)行電磁波屏蔽。

具體而言，印刷布線板100上設(shè)有：包括在基板4上的信號(hào)圖案和接地圖案等的布線在內(nèi)的線路圖案、電容器和電感等無(wú)源元件、以及集成線路芯片等電子元件2。這些電子元件2通過(guò)樹(shù)脂塑封等封裝材料3進(jìn)行了一體封裝?；?上形成有多個(gè)由一體封裝的電子元件2組成的單元模塊，各個(gè)單元模塊通過(guò)凹狀的槽（凹部）進(jìn)行區(qū)分?；?以單元模塊為單位從凹部截?cái)?，并作為印刷布線板100設(shè)置到筆記本電腦及平板終端等各種電子設(shè)備300中。另外，本發(fā)明中的印刷布線板的截?cái)嘤冒疾恐傅氖巧鲜霭疾俊?/p>

（導(dǎo)電性接合膜1）

使導(dǎo)電性接合膜1覆蓋基板4上設(shè)置的多個(gè)單元模塊，并進(jìn)行壓制加工。以此，導(dǎo)電性接合膜1中位于凹部上側(cè)的部位進(jìn)入凹部的槽內(nèi)，向膜面方向伸展。

這種導(dǎo)電性接合膜1含有導(dǎo)電性接合劑層10、以及位于比導(dǎo)電性接合劑層10靠近電子元件2一側(cè)的底部接合劑層11。即，導(dǎo)電性接合膜1由導(dǎo)電性接合劑層10和底部接合劑層11層疊形成。

導(dǎo)電性接合劑層10和底部接合劑層11由導(dǎo)電性粒子和粘合劑的混合物——即導(dǎo)電性接合劑形成。導(dǎo)電性接合劑的電連接是通過(guò)粘合劑內(nèi)的導(dǎo)電性粒子連續(xù)地機(jī)械性接觸而實(shí)現(xiàn)的，通過(guò)粘合劑的粘接力而保持了該電連接。

導(dǎo)電性接合劑層10和底部接合劑層11的粘合劑可以列舉出丙烯酸類樹(shù)脂、環(huán)氧類樹(shù)脂、硅類樹(shù)脂、熱塑性彈性體類樹(shù)脂、橡膠類樹(shù)脂、聚酯類樹(shù)脂、聚氨酯類樹(shù)脂等。另外，接合劑可以是上述樹(shù)脂的單獨(dú)一種也可以是其混合物。此外，粘合劑也可以再含有增粘劑。作為增粘劑可以舉出脂肪酸烴樹(shù)脂、C5/C9混合樹(shù)脂、松香、松香衍生物、萜烯樹(shù)脂、芳香族類烴樹(shù)脂、熱反應(yīng)性樹(shù)脂等。

導(dǎo)電性接合劑層10和底部接合劑層11的導(dǎo)電性粒子使用的是碳、銀、銅、鎳、焊錫、鋁、錫、鉍及銅粉鍍銀得到的銀包銅等金屬填料、還有在樹(shù)脂小球和玻璃微珠等物上鍍金屬而得到的填料或這些填料的混合物。

導(dǎo)電性粒子10a和11a的形狀可以是球狀、針狀、纖維狀、薄片狀、樹(shù)枝狀中的任何一種。此外，如圖2所示，在本實(shí)施方式中，導(dǎo)電性接合劑層10的導(dǎo)電性粒子10a（第一導(dǎo)電性粒子）使用薄片狀導(dǎo)電性粒子，底部接合劑層11的導(dǎo)電性粒子11a（第二導(dǎo)電性粒子）使用樹(shù)枝狀導(dǎo)電性粒子。

(導(dǎo)電性接合膜1：導(dǎo)電性接合劑層10）

導(dǎo)電性接合劑層10由含導(dǎo)電性粒子10a的各向同性導(dǎo)電材料形成。導(dǎo)電性接合劑層10也可以是二層以上的多層結(jié)構(gòu)。導(dǎo)電性接合劑層10伸展前的層厚下限以凹部槽深的1.0%為宜，更好為1.5%。此外，導(dǎo)電性接合劑層10伸展前的層厚上限以3.0%為宜，更好為2.0%。更具體而言，導(dǎo)電性接合劑層10層厚的下限以10μm為宜，15μm更好。導(dǎo)電性接合劑層10層厚的上限以30μm為宜，20μm更好。導(dǎo)電性接合劑層的下限不到上述值的話，伸展導(dǎo)電性接合膜1后導(dǎo)電性粒子之間難以接觸，因此，伸展程度最大的部位的導(dǎo)電性將受損。而導(dǎo)電性接合劑層的上限超過(guò)上述值，則向微小的凹部進(jìn)行填埋時(shí)的填埋特性將會(huì)變差，且從經(jīng)濟(jì)角度來(lái)看也不合算。

導(dǎo)電性接合劑層10由各向同性導(dǎo)電材料形成，故導(dǎo)電性接合劑層10能夠在厚度方向、寬度方向和長(zhǎng)邊方向構(gòu)成的三維全方向上確保通電狀態(tài)。

導(dǎo)電性粒子10a最好在伸展后的導(dǎo)電性接合劑層10中以至少一部分相互接觸的密度分散。另外，所謂“至少一部分相互接觸”不限于在伸展后的導(dǎo)電性接合劑層10中使所含有的全部導(dǎo)電性粒子10a接觸并連續(xù)（電連接）這一情況，只要有導(dǎo)電性粒子10a至少在厚度方向、寬度方向或長(zhǎng)邊方向相互接觸實(shí)現(xiàn)電連接即可。

具體而言，導(dǎo)電性粒子10a的含有率下限為導(dǎo)電性接合劑層10總重量的40重量%則較為適宜，50重量%更好。導(dǎo)電性粒子10a的含有率上限為導(dǎo)電性接合劑層10的總重量的80重量%為宜，60重量%更好。導(dǎo)電性粒子的含有率下限不到上述值則導(dǎo)電性接合膜1伸展后導(dǎo)電性粒子之間難以接觸，因此伸展程度最大的部位的導(dǎo)電性將受損。而導(dǎo)電性粒子的含有率上限超過(guò)上述值的話，接合性會(huì)下降，且經(jīng)濟(jì)上不合算。

如本實(shí)施方式的導(dǎo)電性粒子10a所示，導(dǎo)電性接合劑層10中所含有的第一導(dǎo)電性粒子最好為薄片狀粒子。此外，導(dǎo)電性粒子10a平均長(zhǎng)徑的下限以導(dǎo)電性接合劑層10伸展前層厚的15%為宜，18%更好。導(dǎo)電性粒子10a平均長(zhǎng)徑的上限以導(dǎo)電性接合劑層10伸展前層厚的25%為宜，22%更好。第一導(dǎo)電性粒子10a的形狀為有長(zhǎng)徑的薄片狀，因此在后述導(dǎo)電性接合膜1的制造方法中的導(dǎo)電性接合劑層10的層疊步驟里，所含有的導(dǎo)電性粒子10a的長(zhǎng)徑方向?qū)?huì)與導(dǎo)電性接合劑層的膜面方向一致。以此，對(duì)具有截?cái)嘤冒疾康挠∷⒉季€板進(jìn)行壓制加工后，導(dǎo)電性粒子10a之間容易接觸，能夠有效地防止伸展到最大程度的部位的導(dǎo)電性下降。另外，導(dǎo)電性粒子的平均長(zhǎng)徑和平均粒徑可以用激光衍射散射法測(cè)定。此外，導(dǎo)電性粒子10a的平均長(zhǎng)徑下限小于伸展前層厚的15%的話，導(dǎo)電性接合劑層10伸展后導(dǎo)電性粒子之間難以接觸，因此會(huì)有損最大程度伸展部位的導(dǎo)電性。

另外，所謂“由各向同性導(dǎo)電材料形成導(dǎo)電性接合劑層10”是指導(dǎo)電性接合劑層10的厚度方向、寬度方向和長(zhǎng)邊方向均為通電狀態(tài)。即，通過(guò)適當(dāng)調(diào)整導(dǎo)電性接合劑層10的導(dǎo)電性粒子的形狀、粘合劑的種類、相對(duì)于粘合劑的導(dǎo)電性粒子的混合比例、加壓壓制時(shí)的壓力、以及溫度等來(lái)獲得各向同性導(dǎo)電材料。

(導(dǎo)電性接合膜1：底部接合劑層11）

底部接合劑層11由含導(dǎo)電性粒子11a的各向異性導(dǎo)電材料形成。另外，底部接合劑層11也可以是二層以上的多層結(jié)構(gòu)。底部接合劑層11的伸展前的層厚下限以凹部的槽深的4%為宜，最好為5%。此外，底部接合劑層11伸展前的層厚上限以8%為宜，最好為6%。更具體而言，底部接合劑層11伸展前層厚的下限以40μm為宜，50μm更好。底部接合劑層11層厚的上限以80μm為宜，60μm更好。底部接合劑層的下限不到上述值的話，導(dǎo)電性接合膜1伸展后導(dǎo)電性粒子之間難以接觸，所以最大程度伸展的部位的導(dǎo)電性將受損。而導(dǎo)電性接合劑層的上限超過(guò)上述值的話，向微小的凹部進(jìn)行填埋時(shí)的填埋特性會(huì)變差，且經(jīng)濟(jì)上也不合算。

形成底部接合劑層11的各向異性導(dǎo)電材料具有僅在加壓方向使電流通過(guò)的性質(zhì)。因此，用各向異性導(dǎo)電性接合劑形成的底部接合劑層11能夠只在厚度方向保持使電流通過(guò)的狀態(tài)。

導(dǎo)電性粒子11a的含有率下限為底部接合劑層11總重量的40重量%為宜，50重量%更好。導(dǎo)電性粒子11a的含有率上限為底部接合劑層11總重量的80重量%為宜，60重量%更好。導(dǎo)電性粒子的含有率下限不到上述值的話，導(dǎo)電性接合膜1伸展后導(dǎo)電性粒子之間難以接觸，所以最大程度地伸展的部位的導(dǎo)電性將會(huì)受損。而導(dǎo)電性粒子的含有率上限超過(guò)上述值的話，接合性會(huì)下降，且經(jīng)濟(jì)上不合算。

如本實(shí)施方式的導(dǎo)電性粒子11a所示，底部接合劑層11中所含有的第一導(dǎo)電性粒子最好為樹(shù)枝狀粒子。此外，導(dǎo)電性粒子11a平均粒徑的下限以底部接合劑層11伸展前層厚的10%為宜，20%更好。導(dǎo)電性粒子11a平均粒徑的上限以底部接合劑層11伸展前層厚的50%為宜，40%更好。

所謂“底部接合劑層11由各向異性導(dǎo)電材料形成”是指底部接合劑層11處于只在一個(gè)方向（厚度方向）確保使電流通過(guò)的狀態(tài)。即，通過(guò)適當(dāng)調(diào)整底部接合劑層11的導(dǎo)電性粒子的形狀、粘合劑的種類、導(dǎo)電性粒子相對(duì)于粘合劑的混合比例、加壓壓制時(shí)的壓力、以及溫度等來(lái)獲得各向異性導(dǎo)電材料。

另外，導(dǎo)電性接合膜1本身的伸展前的層厚——即導(dǎo)電性接合劑層10和底部接合劑層11伸展前的總厚度（導(dǎo)電性接合劑層10的厚度和底部接合劑層11厚度的總合）的下限以凹部的槽深的5%為宜，更好為7%。此外，導(dǎo)電性接合膜1本身的伸展前的層厚——即導(dǎo)電性接合劑層10和底部接合劑層11伸展前的總厚度的上限以11%為宜，更好為9%。

(導(dǎo)電性接合膜1的制造方法)

如圖3所示，導(dǎo)電性接合膜1在層疊有轉(zhuǎn)印膜12的狀態(tài)下置于電子元件2上，再放置緩沖膜13并在此狀態(tài)下從上側(cè)加壓。關(guān)于導(dǎo)電性接合膜1的制造方法，首先，此轉(zhuǎn)印膜12通過(guò)T形模具法等擠出成型，形成膜狀。另外，轉(zhuǎn)印膜12只要相對(duì)于導(dǎo)電性接合劑層10來(lái)說(shuō)具有剝離性即可，無(wú)特別限定，比如可以使用涂鍍了硅或非硅類的三聚氰胺離型劑或丙烯酸離型劑的PET膜等。另外，轉(zhuǎn)印膜12宜在150℃以上的溫度條件下的儲(chǔ)能模量為20MPa以下。以此，在壓制加工中將導(dǎo)電性接合膜1填埋到印刷布線板的截?cái)嘤冒疾繒r(shí)能夠獲得良好的填埋特性。

通過(guò)在此轉(zhuǎn)印膜12上涂布含有導(dǎo)電性粒子10a的各向同性導(dǎo)電材料來(lái)在轉(zhuǎn)印膜12上層疊導(dǎo)電性接合劑層10。另一方面，另行在通過(guò)擠出成型所形成的無(wú)圖示的剝離膜上涂布含有導(dǎo)電性粒子11a的各向異性導(dǎo)電材料，以此形成底部接合劑層11。然后，對(duì)這二個(gè)層疊體進(jìn)行層壓，以此形成依次層疊有轉(zhuǎn)印膜12、導(dǎo)電性接合劑層10、底部接合劑層11和無(wú)圖示剝離膜的層疊結(jié)構(gòu)體。

如此，所形成的導(dǎo)電性接合膜1處于夾在轉(zhuǎn)印膜12和剝離膜之間的狀態(tài)。另外，此層疊結(jié)構(gòu)體可以以上述四層結(jié)構(gòu)的形態(tài)卷成筒保管和運(yùn)送等。此外，也可以在僅剝離剝離膜后以三層結(jié)構(gòu)的形態(tài)卷筒并保管和運(yùn)送等。當(dāng)以三層結(jié)構(gòu)卷筒時(shí)，宜對(duì)轉(zhuǎn)印膜12上導(dǎo)電性接合劑層10所層疊面的相反一側(cè)的面進(jìn)行離型處理。

此外，不限于通過(guò)上述層壓方法來(lái)進(jìn)行制作，也可以針對(duì)在轉(zhuǎn)印膜12上層疊有導(dǎo)電性接合劑層10的層疊體再涂布含有導(dǎo)電性粒子11a的各向異性導(dǎo)電材料，由此形成底部接合劑層11。以此即可在轉(zhuǎn)印膜12上層疊導(dǎo)電性接合膜1。

（壓制加工）

如圖3所示，用層疊在轉(zhuǎn)印膜12上的導(dǎo)電性接合膜1覆蓋基板4上用封裝材料3一體封裝的電子元件2，在轉(zhuǎn)印膜12一側(cè)放置緩沖膜13并在此狀態(tài)下進(jìn)行壓制加工。在本實(shí)施方式中，用平板進(jìn)行壓制加工，但不限于此，也可以使用擠入凹部用的模具。此時(shí)也可以不使用緩沖膜13。

在上述具體說(shuō)明中，為了使本發(fā)明更易于理解而主要對(duì)特征性的部分進(jìn)行了說(shuō)明，但本發(fā)明不限于以上具體說(shuō)明中所述實(shí)施方式，本發(fā)明也可以適用于其他實(shí)施方式，其應(yīng)用范圍應(yīng)得到盡可能廣泛的解釋。

另外，本說(shuō)明書(shū)中所使用的詞語(yǔ)和語(yǔ)法僅用于確切地說(shuō)明本發(fā)明，其并無(wú)限制對(duì)本發(fā)明的解釋的作用。此外，只要是本領(lǐng)域技術(shù)人員就很容易從本說(shuō)明書(shū)所述發(fā)明概念聯(lián)想到本發(fā)明概念中所包含的其他結(jié)構(gòu)、系統(tǒng)和方法等。因此，權(quán)利要求書(shū)所記述的內(nèi)容應(yīng)被視為包含不脫離本發(fā)明技術(shù)思想的范圍內(nèi)的其他等同結(jié)構(gòu)。另外，為了充分理解本發(fā)明的目的和本發(fā)明的效果，望讀者充分參考已公開(kāi)的文獻(xiàn)等。

實(shí)施例

（實(shí)施例1~4、比較例1~3）

實(shí)施例中使用的導(dǎo)電性接合膜由下述部分層疊而成：含薄片狀導(dǎo)電性粒子的各向同性導(dǎo)電材料所形成的導(dǎo)電性接合劑層、以及由含樹(shù)枝狀的導(dǎo)電性粒子的各向異性導(dǎo)電材料形成的底部接合劑層。實(shí)施例1~4的導(dǎo)電性接合劑層在通過(guò)壓制而伸展前的厚度分別為20μm、20μm、15μm、10μm。此外，實(shí)施例1~4的底部接合劑層在通過(guò)壓制而伸展前的厚度分別為40μm、60μm、60μm、80μm。

比較例1、2使用的導(dǎo)電性接合膜由下述部分層疊而成：由含樹(shù)枝狀導(dǎo)電性粒子的各向異性導(dǎo)電材料形成的導(dǎo)電性接合劑層、以及由含薄片狀導(dǎo)電性粒子的各向同性導(dǎo)電材料形成的底部接合劑層。此外，比較例3使用的導(dǎo)電性接合膜由下述部分層疊而成：由含樹(shù)枝狀導(dǎo)電性粒子的各向異性導(dǎo)電材料形成的導(dǎo)電性接合劑層、以及由含樹(shù)枝狀導(dǎo)電性粒子的各向異性導(dǎo)電材料形成的底部接合劑層。比較例1~3的導(dǎo)電性接合劑層在通過(guò)壓制而伸展前的厚度分別為60μm、80μm、60μm。此外，比較例1~3的底部接合劑層通過(guò)壓制而伸展前的厚度分別為20μm、20μm、60μm。

另外，實(shí)施例1~4和比較例1~3各自的導(dǎo)電性接合劑層和底部接合劑層中的導(dǎo)電性粒子的混入比例均為導(dǎo)電性接合劑層和底部接合劑層各自總量的60wt%。實(shí)施例1~4的導(dǎo)電性接合劑層和比較例1、2的底部接合劑層中使用的薄片狀導(dǎo)電性粒子的平均長(zhǎng)徑和平均短徑分別為5μm、1μm，實(shí)施例1~4和比較例3的底部接合劑層、以及比較例1~3的導(dǎo)電性接合劑層中使用的樹(shù)枝狀導(dǎo)電性粒子的平均粒徑為13μm。在這些導(dǎo)電性接合膜上層疊轉(zhuǎn)印膜，再放上緩沖膜，在壓制對(duì)象上進(jìn)行壓制加工。

轉(zhuǎn)印膜使用的是150℃的儲(chǔ)能模量為10MPa的聚烯烴樹(shù)脂（厚度50μm）。此外，緩沖膜使用的是三井化學(xué)東賽璐株式會(huì)社（Mitsui Chemicals Tohcello, Inc.）生產(chǎn)的CR1012MT4(厚度150μm）。壓制加工在加熱溫度170℃、壓制時(shí)間30分鐘、壓力3MPa的條件下進(jìn)行。

壓制的對(duì)象使用的是模擬電子元件裝載基板而成的、在環(huán)氧玻璃基板上設(shè)置槽寬0.6mm、槽深1mm的格子形（分成8×8個(gè)區(qū)域）凹部后所得到的基板。

如上所述，通過(guò)壓制加工將導(dǎo)電性接合膜貼在壓制對(duì)象上。然后，對(duì)剝離了緩沖膜和轉(zhuǎn)印膜后的實(shí)施例1~4和比較例1~3的導(dǎo)電性接合膜如圖4、圖5所示地測(cè)定所有相鄰區(qū)域之間的表面電阻值（合計(jì)112次）。具體而言，如圖4所示，環(huán)氧玻璃基板20上有由上述槽狀凹部20b劃分為8×8個(gè)的區(qū)域20a。各凹部20b在環(huán)氧玻璃基板20上以10mm間隔呈格子狀設(shè)置。在環(huán)氧玻璃基板20上壓制加工導(dǎo)電性接合膜1并覆蓋所有區(qū)域20a的至少一部分。即，環(huán)氧玻璃基板20上的中央部位的6×6個(gè)區(qū)域20a全部被導(dǎo)電性接合膜1覆蓋，位于環(huán)氧玻璃基板20的邊緣的區(qū)域20a的一部分被導(dǎo)電性接合膜1覆蓋。以此形態(tài)進(jìn)行壓制加工，則導(dǎo)電性接合膜1會(huì)填埋到環(huán)氧玻璃基板20的凹部20b。以此，導(dǎo)電性接合膜1上形成凹部1b。即，導(dǎo)電性接合膜1上形成由凹部1b劃分出的區(qū)域1a。然后，如圖5所示，測(cè)定夾著導(dǎo)電性接合膜1的凹部1b的相鄰的區(qū)域1a間的表面電阻值R。對(duì)實(shí)施例1~4和比較例1~3的所有區(qū)域1a之間（112種組合各一次）進(jìn)行如上表面電阻值R的測(cè)定。實(shí)施例1~4和比較例1~3中的表面電阻值R的最大值、最小值、平均值及其測(cè)評(píng)見(jiàn)表1。

另外，測(cè)評(píng)是如下實(shí)施的。具體而言，當(dāng)表面電阻值的平均值、最大值和最小值均未達(dá)到1Ω時(shí)的情況記為“○”。將表面電阻值的平均值不到1Ω但最大值在1Ω以上的情況記為“△”。當(dāng)表面電阻值的平均值和最大值均在1Ω以上的情況記為“X”。

表1

從表1得知，導(dǎo)電性膜中導(dǎo)電性接合劑層由含薄片狀導(dǎo)電性粒子的各向同性導(dǎo)電材料形成，且底部接合劑層由含樹(shù)枝狀導(dǎo)電性粒子的各向異性導(dǎo)電材料所形成的實(shí)施例獲得了良好的結(jié)果。例如，實(shí)施例2和比較例1中更換了層疊的順序，但實(shí)施例2的表面電阻值平均值不到比較例1的表面電阻值平均值的十分之一，說(shuō)明上述結(jié)構(gòu)能夠獲得良好的結(jié)果。

編號(hào)說(shuō)明

1 導(dǎo)電性接合膜

1a 區(qū)域

1b 凹部

2 電子元件

3 封裝材料

4 基板

10 導(dǎo)電性接合劑層

10a 導(dǎo)電性粒子

11 底部接合劑層

11a 導(dǎo)電性粒子

12 轉(zhuǎn)印膜

13 緩沖膜

20 環(huán)氧玻璃基板

20a 區(qū)域

20b 凹部

100 印刷布線板

300 電子設(shè)備