本發(fā)明涉及一種功率放大器，尤其涉及一種帶WIFI陷波器的功率放大器。

背景技術(shù)：

隨著科技的進步，人民生活水平質(zhì)量的提高，人們對手機通信的要求不僅僅局限于打電話，發(fā)短信，還要求支持各種各樣的多煤體娛樂功能。多煤體通信數(shù)據(jù)量大，僅由GSM通信來支撐多煤體業(yè)務(wù)，無論在通信速率上還是在質(zhì)量上都難以達到要求。而WIFI通信屬短離通信，通信帶寬遠大于GSM，很適合多煤體數(shù)據(jù)通信業(yè)務(wù)?，F(xiàn)代的智能手機都同時集成了GSM和WIFI通信功能。

手機GSM通信包括GSM，EGSM，DCS，PCS四個頻段。GSM頻段頻率覆蓋824-849MHz，EGSM頻段頻率覆蓋880MHz-915MHz，DCS頻段頻率覆蓋1710MHz-1785MHz，PCS頻段頻率覆蓋1850MHz-1910MHz。而WIFI頻段頻率覆蓋2400MHz-2500MHz。GSM/EGSM信號產(chǎn)生的三次諧波頻率落在WIFI頻段內(nèi)，DCS/PCS信號產(chǎn)生的旁瓣雜散也落在WIFI頻段內(nèi)，這些GSM產(chǎn)生的干擾信號極易混入到WIFI信號中，影響WIFI信號質(zhì)量。傳統(tǒng)的智能手機中的GSM功率放大器屬非線性放大器，極易產(chǎn)生大的諧波及雜散信號。這些信號在輸出前若能先通過WIFI陷波器，把落在WIFI頻段內(nèi)的干擾信號濾除后再發(fā)送出去，將實現(xiàn)GSM與WIFI同時通信并保證二者通信質(zhì)量。

如圖1所示，傳統(tǒng)功率放大器輸出端連接匹配電路的輸入端，匹配電路的輸出端通過綁線連接開關(guān)晶體管，最后由天線發(fā)出信號。

如圖2所示，傳統(tǒng)功率放大器的一種具體電路為：傳統(tǒng)放大器輸出端先串接 電感L1，再并接電容C1到地，再串接電感L2，再并接電容C2，再串接電感L3，再連接綁定節(jié)點A，再通過綁定線1連接開關(guān)晶體管的信號輸入端。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供了一種帶WIFI陷波器的功率放大器，其克服了背景技術(shù)中所述的現(xiàn)有技術(shù)的不足。

本發(fā)明解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是：

帶WIFI陷波器的功率放大器，包括放大器、匹配電路和開關(guān)晶片，信號由放大器的輸入端輸入，放大器的輸出端連接匹配電路的輸入端，在匹配電路的輸出端與開關(guān)晶片的輸入端之間連接WIFI陷波器，開關(guān)電路的輸出端連接天線將經(jīng)過WIFI陷波器過濾的信號發(fā)射出去。

一實施例之中：所述WIFI陷波器包括基板陷波器，該基板陷波器為至少一第一電容和至少一第一電感相并接構(gòu)成的電路，該匹配電路的輸出端連接基板陷波器，該基板陷波器輸出端的節(jié)點通過綁定線連接開關(guān)晶片的輸入端。

一實施例之中：所述WIFI陷波器還包括綁線陷波器，所述匹配電路的輸出端連接基板陷波器的輸入端，基板陷波器的輸出端連接開關(guān)晶片的輸入端，該綁線陷波器包括綁定線1、綁定線2和設(shè)于開關(guān)晶片上的片內(nèi)電容，該綁定線1和綁定線2的一端連接至基板陷波器輸出端的綁定節(jié)點，綁定線1的另一端連接開關(guān)晶片的輸入端，綁定線2的另一端經(jīng)連接該片內(nèi)電容后連接至開關(guān)晶片的輸入端，綁定線1和綁定線2形成間隔距離。

一實施例之中：所述WIFI陷波器包括綁線陷波器，該綁線陷波器包括綁定線1、綁定線2和設(shè)于開關(guān)晶片上的片內(nèi)電容，該綁定線1和綁定線2的一端連接至匹配電路輸出端的綁定節(jié)點，綁定線1的另一端連接開關(guān)晶片的輸入端，綁定線 2的另一端經(jīng)連接該片內(nèi)電容后連接至開關(guān)晶片的輸入端，綁定線1和綁定線2形成間隔距離。

一實施例之中：所述匹配電路包括至少一第二電容和至少一第二電感，該第二電感相對放大器的輸出端形成串接，該第二電容相對放大器的輸出端形成到地并接，且第二電感和第二電容形成間插串接和并接。

一實施例之中：所述放大器包括包括一級或多級功率放大器。

本技術(shù)方案與背景技術(shù)相比，它具有如下優(yōu)點：

傳統(tǒng)的智能手機中的GSM功率放大器屬非線性放大器，極易產(chǎn)生大的諧波及雜散信號，本發(fā)明通過在傳統(tǒng)功率放大器中增加WIFI陷波器，信號輸出前先通過WIFI陷波器，把落在WIFI頻段內(nèi)的干擾信號濾除后再發(fā)送出去，將實現(xiàn)GSM與WIFI同時通信并保證二者通信質(zhì)量。

附圖說明

下面結(jié)合附圖和實施例對本發(fā)明作進一步說明。

圖1繪示了背景技術(shù)中所述的傳統(tǒng)功率放大器的電路結(jié)構(gòu)框圖。

圖2繪示了背景技術(shù)中所述的傳統(tǒng)功率放大器的電路圖。

圖3繪示了本實施例所述的帶WIFI陷波器的功率放大器的電路結(jié)構(gòu)框圖。

圖4繪示了本實施例所述的帶WIFI陷波器的功率放大器的電路圖。

圖5繪示了本實施例所述的帶WIFI陷波器的功率放大器的一具體實例電路圖。

圖6繪示了本實施例所述的帶WIFI陷波器的功率放大器的另一具體實例電路圖。

圖7繪示了圖5和圖6所示的兩實例電路產(chǎn)生的結(jié)果對比圖。

具體實施方式

帶WIFI陷波器的功率放大器，包括放大器10、匹配電路20和開關(guān)晶片30，信號由放大器10的輸入端輸入，放大器10的輸出端連接匹配電路20的輸入端，在匹配電路20的輸出端與開關(guān)晶片30的輸入端之間連接WIFI陷波器，開關(guān)電路的輸出端連接天線將經(jīng)過WIFI陷波器過濾的信號發(fā)射出去。

一較佳實施方式中，所述WIFI陷波器只包括基板陷波器40，該基板陷波器40為至少一第一電容和至少一第一電感相并接構(gòu)成的電路，該匹配電路20的輸出端連接基板陷波器40，該基板陷波器40輸出端的節(jié)點通過綁定線連接開關(guān)晶片30的輸入端。所述基板陷波器40還可以由多個第二電容和第二電感以別的形式混接構(gòu)成，也包括增加電阻上去做復雜混接構(gòu)成。

又一較佳實施方式中：所述WIFI陷波器只包括綁線陷波器50，該綁線陷波器50包括綁定線1、綁定線2和設(shè)于開關(guān)晶片30上的片內(nèi)電容，該綁定線1和綁定線2的一端連接至匹配電路20輸出端的綁定節(jié)點，綁定線1的另一端連接開關(guān)晶片30的輸入端，綁定線2的另一端經(jīng)連接該片內(nèi)電容后連接至開關(guān)晶片30的輸入端，綁定線1和綁定線2形成間隔距離。

本實施例中，如圖3所示，所述WIFI陷波器包括基板陷波器40和綁線陷波器50，所述匹配電路20的輸出端連接基板陷波器40的輸入端，基板陷波器40的輸出端連接開關(guān)晶片30的輸入端，該綁線陷波器50包括綁定線1、綁定線2和設(shè)于開關(guān)晶片30上的片內(nèi)電容，該綁定線1和綁定線2的一端連接至基板陷波器40輸出端的綁定節(jié)點，綁定線1的另一端連接開關(guān)晶片30的輸入端，綁定線2的另一端經(jīng)連接該片內(nèi)電容后連接至開關(guān)晶片30的輸入端，綁定線1和綁定線2形成間隔距離。

本實施例中，所述匹配電路20包括至少一第二電容和至少一第二電感，該第 二電感相對放大器10的輸出端形成串接，該第二電容相對放大器10的輸出端形成到地并接，且第二電感和第二電容形成間插串接和并接。所述匹配電路20還可以由多個第二電容和第二電感以各種形式混接構(gòu)成，也包括增加電阻上去做復雜混接構(gòu)成。

所述放大器10包括一級或多級功率放大器，可以是共源共柵、共射共基結(jié)構(gòu)放大器、HBT工藝功率放大器、CMOS工藝功率放大器、BiCMOS工藝功率放大器、HEMT功率放大器燈。

所述第一電感和第二電感可以是基板繞線形成的電感、綁定線形成的電感、IPD上的電感，以及各種貼片電感。

所述第一電容和第二電容可以是基板上的兩層或多層金屬形成的電容、IPD上的電容，以及各種貼片電容。

所述片內(nèi)電容可以是PN結(jié)電容、MIM電容、以及開關(guān)晶片30上的各種寄生電容。

所述綁定線，綁定線1和綁定線2為采用金屬線，可以是黃金材質(zhì)綁定線、銅材質(zhì)綁定線、鋁材質(zhì)綁定線等。

所述開關(guān)晶片30可以是CMOS工藝開關(guān)、BiCMOS工藝開關(guān)、HBT工藝開關(guān)、HEMT工藝開關(guān)及IPD開關(guān)。

上述的基板包括兩層或多層基板，包括單種介質(zhì)材料壓合基板，也包括多種介質(zhì)材料混壓基板。

本實施例所述的帶WIFI陷波器的功率放大器的電路結(jié)構(gòu)如圖4所示，放大器10的輸出端先串接第二電感L1，再并接第二電容C1，再串接第二電感L2，再并接第二電容C2，再串接第二電感L3，再并接第二電容C3，再串接由第一電容C4與第一電感L4首尾并接組成的陷波器，再連接綁定節(jié)點A。綁定節(jié)點A再分兩路， 一路由綁定線1連接開關(guān)晶片30的信號輸入端，另一路通過綁定線2連接開關(guān)晶片30的片內(nèi)電容，片內(nèi)電容C5的另一端匯入到開關(guān)信號輸入端。其中電感L1/L2/L3與電容C1/C2/C3組成匹配電路20，第一電容C4與第一電感L4組成基板陷波器40。第一電容C4與第一電感L4產(chǎn)生并聯(lián)諧振并產(chǎn)生帶阻濾波功能，只要調(diào)節(jié)第一電容C4或第一電感L4的值便可使阻帶頻率落在WIFI頻段內(nèi)，濾除干擾信號。綁定線1、綁定線2和開關(guān)晶片30的片內(nèi)電容組成綁線陷波器50，適當調(diào)節(jié)綁定線1或綁定線2的長度或間隔高度，便可使諧振頻率落在WIFI頻段內(nèi)，濾除干擾信號。

通過使用本發(fā)明電路，使GSM功率放大器產(chǎn)生的干擾信號得到有效抑制，減小對WIFI信號的影響，提高通信質(zhì)量。

如圖5所示的電路，GSM信號經(jīng)過放大器放大后輸出先通過串接的0.3nH電感，再通過并接到地的9pF電容，再通過串接的0.6nH電感，再通過并接到地的4pF電容，再通過串接的1.9nH電感，再通過并接到地的1.5pF電容，再通過兩個首尾并接的1nH電感與4.4pF電容，后接到基板綁定節(jié)點A。綁定節(jié)點A又把信號分兩路，一路通過250um高的綁定線接到開關(guān)晶片的信號輸入端，另一路通過200um高的綁定線接到6.3pF開關(guān)片內(nèi)電容一端節(jié)點B，再由6.3pF開關(guān)片內(nèi)電容的另一端匯入到開關(guān)信號輸入端。

如圖6的電路例子所示，GSM信號經(jīng)過放大器放大后輸出先通過串接的0.3nH電感，再通過并接到地的9pF電容，再通過串接的0.6nH電感，再通過并接到地的4pF電容，再通過串接的1.9nH電感，再通過并接到地的1.5pF電容，再通過兩個首尾并接的0.5nH電感與8.8pF電容，后接到基板綁定節(jié)點A。綁定節(jié)點A又把信號分兩路，一路通過450um高的綁定線接到開關(guān)晶片的信號輸入端，另一路通過200um高的綁定線接到3pF開關(guān)片內(nèi)電容一端節(jié)點B，再由3pF開關(guān)片內(nèi) 電容的另一端匯入到開關(guān)信號輸入端。

圖5和圖6兩個例子中的電感L4和電容C2取值不同，但電感L4和電容C2的乘積是相等的。乘積相當保證了電感L4與電容C2組成的帶阻濾波器的中心頻率相同。同樣的，兩綁定線高度與開關(guān)片內(nèi)電容的取值也存在一定的比例關(guān)系。通過合理地調(diào)整綁定線高度及開關(guān)片內(nèi)電容取值，便可得到符合實際要求的結(jié)果。圖7中虛線是圖5電路運行結(jié)果，圖7中實線是圖6電路運行結(jié)果。兩個結(jié)果中心頻率相同，但帶寬和隔離度不同。在不同的情況下，可以通過改變電感L4與電容C2的組合值來實現(xiàn)不同的帶寬與隔離度要求。

以上所述，僅為本發(fā)明較佳實施例而已，故不能依此限定本發(fā)明實施的范圍，即依本發(fā)明專利范圍及說明書內(nèi)容所作的等效變化與修飾，皆應(yīng)仍屬本發(fā)明涵蓋的范圍內(nèi)。