技術(shù)總結(jié)
一種具有絕緣過孔的金屬基板(MSIV)具有金屬層，該金屬層具有通過金屬層的厚度限定的通孔；介電層，該介電層形成在金屬層的表面的一部分上，并且延伸以覆蓋通孔的內(nèi)壁；導(dǎo)電材料，該導(dǎo)電材料延伸通過絕緣通孔以形成絕緣過孔；以及電路，該電路以與導(dǎo)電過孔熱接觸和/或電接觸的方式形成介電層的一部分上。介電層是介電納米陶瓷層，該介電納米陶瓷層具有500納米或更小的平均晶粒大小的等軸晶體結(jié)構(gòu)、介于0.1與100微米之間的厚度、大于20KV?mm?1的介電強度以及大于3W/mK的導(dǎo)熱率。這樣的MSIV能夠用作支持諸如功率裝置、微波裝置、光電裝置、固態(tài)照明裝置和熱電等裝置的電子基板。

技術(shù)研發(fā)人員：帕維爾·沙什科夫;謝爾蓋·烏索夫;史蒂文·柯蒂斯;布雷特·W·基勒亨尼
受保護的技術(shù)使用者：康橋納諾塞姆有限公司;羅杰斯公司
文檔號碼：201480072811
技術(shù)研發(fā)日：2014.10.13
技術(shù)公布日：2016.11.16