X波段單片功率放大器的制造方法
【專(zhuān)利摘要】本實(shí)用新型公開(kāi)了一種X波段單片功率放大器，包括單芯片，單芯片上集成有輸入匹配電路、功率分配電路、三級(jí)PHEMT管放大器、功率合成電路和輸出匹配電路；輸入匹配電路的輸入端與單芯片的外部信號(hào)輸入端RF-IN相連接，用于接入外部信號(hào)輸入源；輸入匹配電路的輸出端與功率分配電路的輸入端相連接，功率分配電路的輸出端與三級(jí)PHEMT管放大器的輸入端相連接；三級(jí)PHEMT管放大器的輸出端與功率合成電路的輸入端相連接；功率合成電路的輸出端與輸出匹配電路的輸入端相連接；輸出匹配電路的輸出端與單芯片的外部輸出端RF-OUT相連接。本實(shí)用新型的X波段單片功率放大器，具有能夠提高寬帶性能、實(shí)現(xiàn)了功率放大器的寬帶高功率輸出、可靠性好等優(yōu)點(diǎn)。
【專(zhuān)利說(shuō)明】X波段單片功率放大器

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本實(shí)用新型涉及一種X波段單片功率放大器。

【背景技術(shù)】
[0002] 功率放大器是雷達(dá)通信、衛(wèi)星通信、微波通信等領(lǐng)域中高靈敏度發(fā)射與接收機(jī)中 的關(guān)鍵部件，通過(guò)功率放大器實(shí)現(xiàn)信號(hào)的放大和功率的輸出。
[0003] MMIC(Monolithic Microwave Integrated Circuit，單片微波集成電路)具有電路 損耗小、噪聲低、頻帶寬、動(dòng)態(tài)范圍大、功率大、附加效率高、抗電磁輻射能力強(qiáng)等特點(diǎn)，并可 縮小的電子設(shè)備體積、減輕重量、降低價(jià)格，成為設(shè)計(jì)制造微波毫米波頻段功率放大集成電 路的最佳選擇之一。采用MMIC工藝技術(shù)的X波段功率放大器在雷達(dá)、無(wú)線通信與微波成像 等軍民用途中有著廣泛的應(yīng)用。根據(jù)IEEE521-2002標(biāo)準(zhǔn)，X波段是指頻率在8-12GHZ的無(wú) 線電波波段，在電磁波譜中屬于微波。而在某些場(chǎng)合中，X波段的頻率范圍則為7-11. 2GHz。 通俗而言，X波段中的X即英語(yǔ)中的"extended"，表示"擴(kuò)展的"調(diào)幅廣播。
[0004] 穩(wěn)定性問(wèn)題是功率放大器設(shè)計(jì)中的一個(gè)重點(diǎn)和難點(diǎn)，因?yàn)樵谳^低頻段內(nèi)有很高的 增益和噪聲，容易引起低頻振蕩，從而使整個(gè)電路不能穩(wěn)定工作。為了降低低頻振蕩提高穩(wěn) 定性，通常在多級(jí)放大器的級(jí)與級(jí)之間加入匹配電路，一般常采用阻容耦合電路的匹配結(jié) 構(gòu)形式，該耦合電路采用較小的電阻和電容即可使電路達(dá)到穩(wěn)定，但其需占用較大的電路 面積，且該匹配電路屬于窄帶結(jié)構(gòu)，寬帶性能較差，很難滿足X波段功率放大器中對(duì)匹配電 路的寬帶特性要求，難以實(shí)現(xiàn)功率放大器的寬帶高功率輸出。 實(shí)用新型內(nèi)容
[0005] 本實(shí)用新型是為避免上述已有技術(shù)中存在的不足之處，提供一種X波段單片功率 放大器，以提高寬帶性能、實(shí)現(xiàn)功率放大器的寬帶高功率輸出。
[0006] 本實(shí)用新型為解決技術(shù)問(wèn)題采用以下技術(shù)方案。
[0007] X波段單片功率放大器，其結(jié)構(gòu)特點(diǎn)是，包括單芯片，所述單芯片上集成有輸入匹 配電路、功率分配電路、三級(jí)PHEMT管放大器（Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor，贗高電子遷移率晶體管)、功率合成電路和輸出匹配電路；所述輸入匹配電路 的輸入端與單芯片的外部信號(hào)輸入端RF-IN相連接，用于接入外部信號(hào)輸入源；所述輸入 匹配電路的輸出端與所述功率分配電路的輸入端相連接，所述功率分配電路的輸出端與三 級(jí)PHEMT管放大器的輸入端相連接；所述三級(jí)PHEMT管放大器的輸出端與所述功率合成電 路的輸入端相連接；所述所述功率合成電路的輸出端與所述輸出匹配電路的輸入端相連 接；所述輸出匹配電路的輸出端與單芯片的外部輸出端RF-0UT相連接，用于輸出放大后的 信號(hào)。
[0008] 本實(shí)用新型的X波段單片功率放大器的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)也在于：
[0009] 所述三級(jí)PHEMT管放大器包括第一級(jí)PHEMT管放大器、第二級(jí)PHEMT管放大器、第 三級(jí)PHEMT管放大器、第一中間級(jí)功率分配合成及匹配電路和第二中間級(jí)功率分配合成及 匹配電路；所述第一級(jí)PHEMT管放大器的輸入端與所述功率分配電路的輸出端相連接，所 述第一級(jí)PHEMT管放大器的輸出端與所述第一中間級(jí)功率分配合成及匹配電路的輸入端 相連接；所述第一中間級(jí)功率分配合成及匹配電路的輸出端與所述第二級(jí)PHEMT管放大器 的輸入端相連接，所述第二級(jí)PHEMT管放大器的輸出端與第二中間級(jí)功率分配合成及匹配 電路的輸入端相連接；所述第二中間級(jí)功率分配合成及匹配電路的輸出端與第三級(jí)PHEMT 管放大器的輸入端相連接，所述第三級(jí)PHEMT管放大器的輸出端與所述功率合成電路的輸 入端相連接。
[0010] 所述第一級(jí)PHEMT管放大器包括兩個(gè)相互并聯(lián)連接的PHEMT管和兩個(gè)三級(jí)濾波電 路；所述第二級(jí)PHEMT管放大器包括八個(gè)相互并聯(lián)連接的PHEMT管和兩個(gè)三級(jí)濾波電路； 所述第三級(jí)PHEMT管放大器包括十六個(gè)相互并聯(lián)連接的PHEMT管和兩個(gè)三級(jí)濾波電路；所 述PHEMT管的柵極和漏極通過(guò)三級(jí)濾波電路與直流供電端連接；PHEMT管為采用0. 25um柵 寬的贗電高電子遷移率晶體管PHEMT制作而成；
[0011] 所述第一級(jí)PHEMT管放大器、第二級(jí)PHEMT管放大器和第三級(jí)PHEMT管放大器的 相互并聯(lián)的PHEMT管的柵極之間連接有電阻，漏極之間也連接有電阻。
[0012] 所述電阻為用于降低和阻止奇模振蕩的奇模電阻。
[0013] 所述三級(jí)濾波電路為三級(jí)RC濾波電路。
[0014] 與已有技術(shù)相比，本實(shí)用新型有益效果體現(xiàn)在：
[0015] 本實(shí)用新型的X波段單片功率放大器，涉及微波毫米波集成電路設(shè)計(jì)、芯片制造 與流片封裝【技術(shù)領(lǐng)域】，特別涉及一種廣泛應(yīng)用于X波段各類(lèi)有源雷達(dá)組件或相控陣?yán)走_(dá)陣 列以及微波通信系統(tǒng)中的單芯片功率放大器的設(shè)計(jì)與制作。本實(shí)用新型的X波段單片功率 放大器，是在GaAs (砷化鎵)基材上，采用0. 25um柵寬的贗電高電子遷移率晶體管（PHEMT) 工藝進(jìn)行制造。X波段單片功率放大器由三級(jí)放大電路組成，第一級(jí)為小信號(hào)放大電路、 第二級(jí)為驅(qū)動(dòng)放大電路、第三級(jí)為功率放大電路，級(jí)間設(shè)有匹配電路，另輸入端口與輸出端 口匹配至50歐姆。本實(shí)用新型專(zhuān)利采用0. 25 μ m的T型柵工藝提供了較小的電阻和非 常好的可靠性，具有輸出功率高，效率高等優(yōu)點(diǎn)，可降低芯片面積減小損耗，其單片尺寸為 4. 4mmX 4. 1mm，廣泛的應(yīng)用于X波段雷達(dá)與微波通信系統(tǒng)中。
[0016] 本實(shí)用新型的X波段單片功率放大器，利用MMIC工藝制造，工作在X波段，具有能 夠提高寬帶性能、實(shí)現(xiàn)了功率放大器的寬帶高功率輸出、可降低芯片面積減小損耗且可靠 性好等優(yōu)點(diǎn)。

【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0017] 圖1為本實(shí)用新型所提出的X波段單片功率放大器系統(tǒng)的整體框圖。
[0018] 圖2為本實(shí)用新型所述X波段單片功率放大器的三級(jí)PHEMT管放大器的結(jié)構(gòu)框 圖。
[0019] 圖1和圖2中標(biāo)記：1單芯片，2輸入匹配與功率分配電路，3三級(jí)PHEMT管放大器， 3-1第一級(jí)PHEMT管放大器，3-2第二級(jí)PHEMT管放大器，3-3第三級(jí)PHEMT管放大器，4輸 出匹配及功率合成電路，5PHEMT管，6三級(jí)RC濾波電路，7第一中間級(jí)功率分配合成及匹配 電路，8奇模電阻，9第二中間級(jí)功率分配合成及匹配電路，10功率分配電路，11功率合成電 路。
[0020] 以下通過(guò)【具體實(shí)施方式】，并結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步說(shuō)明。

【具體實(shí)施方式】
[0021] 參見(jiàn)附圖1和圖2，X波段單片功率放大器，其包括單芯片1，所述單芯片1上集成 有輸入匹配電路2、功率分配電路10、三級(jí)PHEMT管放大器3、功率合成電路11和輸出匹配 電路4 ;所述輸入匹配電路2的輸入端與單芯片1的外部信號(hào)輸入端RF-IN相連接，用于 接入外部信號(hào)輸入源；所述輸入匹配電路2的輸出端與所述功率分配電路10的輸入端相 連接，所述功率分配電路10的輸出端與三級(jí)PHEMT管放大器3的輸入端相連接；所述三級(jí) PHEMT管放大器3的輸出端與所述功率合成電路11的輸入端相連接；所述所述功率合成電 路11的輸出端與所述輸出匹配電路4的輸入端相連接；所述輸出匹配電路4的輸出端與單 芯片1的外部輸出端RF-0UT相連接，用于輸出放大后的信號(hào)。
[0022] 所述三級(jí)PHEMT管放大器包括第一級(jí)PHEMT管放大器3-1、第二級(jí)PHEMT管放大器 3-2、第三級(jí)PHEMT管放大器3-3、第一中間級(jí)功率分配合成及匹配電路7和第二中間級(jí)功率 分配合成及匹配電路9 ;所述第一級(jí)PHEMT管放大器3-1的輸入端與所述功率分配電路的 輸出端相連接，所述第一級(jí)PHEMT管放大器3-1的輸出端與所述第一中間級(jí)功率分配合成 及匹配電路7的輸入端相連接；所述第一中間級(jí)功率分配合成及匹配電路7的輸出端與所 述第二級(jí)PHEMT管放大器3-2的輸入端相連接，所述第二級(jí)PHEMT管放大器3-2的輸出端 與第二中間級(jí)功率分配合成及匹配電路9的輸入端相連接；所述第二中間級(jí)功率分配合成 及匹配電路9的輸出端與第三級(jí)PHEMT管放大器3-3的輸入端相連接，所述第三級(jí)PHEMT 管放大器3-3的輸出端與所述功率合成電路11的輸入端相連接。
[0023] 所述第一級(jí)PHEMT管放大器3-1包括兩個(gè)相互并聯(lián)連接的PHEMT管5和兩個(gè)三級(jí) 濾波電路6 ;所述第二級(jí)PHEMT管放大器3-2包括八個(gè)相互并聯(lián)連接的PHEMT管5和兩個(gè) 三級(jí)濾波電路6 ;所述第三級(jí)PHEMT管放大器3-3包括十六個(gè)相互并聯(lián)連接的PHEMT管5 和兩個(gè)三級(jí)濾波電路6 ;所述PHEMT管的柵極和漏極通過(guò)三級(jí)濾波電路與直流供電端連接； PHEMT管5為采用0. 25um柵寬的贗電高電子遷移率晶體管PHEMT制作而成；
[0024] 所述第一級(jí)PHEMT管放大器3-1、第二級(jí)PHEMT管放大器3-2和第三級(jí)PHEMT管放 大器3-3的相互并聯(lián)的PHEMT管5的柵極之間連接有電阻，漏極之間也連接有電阻。
[0025] 所述電阻為用于降低和阻止奇模振蕩的奇模電阻8。
[0026] 所述三級(jí)濾波電路6為三級(jí)RC濾波電路。
[0027] 本實(shí)用新型的X波段單片功率放大器，是一種在GaAs單基片上集成有三級(jí)PHEMT 管放大電路，第一級(jí)PHEMT管放大器的輸入端接有輸入匹配電路與芯片的外部輸入端相 連，第三級(jí)PHEMT管放大器的輸出端接有輸出匹配電路與芯片的外部輸出端相連，第一級(jí) 與第二級(jí)、第二級(jí)與第三級(jí)PHEMT管放大器之間接有級(jí)間匹配電路。所述輸入匹配電路與 輸出匹配電路均匹配于外接50歐姆阻抗，第一級(jí)PHEMT管放大器由兩個(gè)并聯(lián)PHEMT管組 成，第二級(jí)PHEMT管放大器由八個(gè)并聯(lián)PHEMT管組成，第三級(jí)PHEMT管放大器由十六個(gè)并聯(lián) PHEMT管組成。各級(jí)放大電路分別包括多個(gè)PHEMT管、三級(jí)濾波電路。PHEMT管的柵極和漏 極通過(guò)三級(jí)濾波電路與直流供電端連接。所述第一級(jí)、第二級(jí)、第三級(jí)PHEMT管放大器之間 的匹配電路為一體化的兩個(gè)中間級(jí)功率分配與合成以及匹配電路。所述三級(jí)PHEMT管放大 器均采用〇. 25um柵寬的PHEMT管工藝在GaAs基材上進(jìn)行MMIC (單片微波集成電路)制造。 0. 25um的T型柵提供了較小的電阻和非常好的可靠性，具有輸出功率高，效率高等優(yōu)點(diǎn)。
[0028] 各級(jí)ΡΗΕΜΤ管放大器采用不同數(shù)量的ΡΗΕΜΤ管進(jìn)行放大，第一級(jí)與第二級(jí)、第二級(jí) 與第三級(jí)分別采用1:4和1:2的比例推動(dòng)，級(jí)間配有功率分配與合成電路和匹配電路，降低 芯片面積以減小損耗，實(shí)現(xiàn)芯片的高功率輸出。
[0029] 本實(shí)用新型所提供的X波段單片功率放大器，整晶圓的尺寸為6英寸，便于大批量 生產(chǎn)，晶圓厚度為70um，芯片背面減薄并電鍍熱沉以改善器件熱阻和燒結(jié)性能。在實(shí)際應(yīng)用 中與麗1C工藝完全兼容，單芯片中的三級(jí)ΡΗΕΜΤ管放大電路，通過(guò)外圍供電電路控制Vd和 Vg的電壓，各級(jí)ΡΗΕΜΤ管的柵極和漏極供電均采用三級(jí)RC濾波電路，分別針對(duì)各頻率進(jìn)行 逐級(jí)濾波，通過(guò)芯片外接電容可以有效抑制在X波段中的低頻振蕩，以確保芯片的全頻段 穩(wěn)定工作。
[0030] 本實(shí)用新型的X波段單片功率放大器，其工作頻段為8?11GHz，全頻段性能穩(wěn)定， 芯片尺寸為4. 4mmX 4. 1mm，降低芯片面積減小損耗，實(shí)現(xiàn)高功率輸出，可廣泛應(yīng)用于X波段 各類(lèi)有源雷達(dá)組件或相控陣?yán)走_(dá)陣列以及微波通信系統(tǒng)等領(lǐng)域。
[0031] 如附圖1和附圖2所示，本實(shí)用新型的單片功率放大器，在單芯片1上集成有輸入 匹配電路2,輸入匹配電路2的輸入端連接芯片外部信號(hào)輸入源。功率分配電路的輸出端 按順序依次串接三級(jí)ΡΗΕΜΤ管放大器。輸出匹配電路4后向外輸出連接芯片外部信號(hào)輸出 端。所述三級(jí)ΡΗΕΜΤ管放大器包括依次級(jí)聯(lián)的第一級(jí)ΡΗΕΜΤ管放大器3-1、第二級(jí)ΡΗΕΜΤ管 放大器3-2、第三級(jí)ΡΗΕΜΤ管放大器3-3,第一級(jí)ΡΗΕΜΤ管放大器3-1與第二級(jí)ΡΗΕΜΤ管放 大器3-2、第二級(jí)ΡΗΕΜΤ管放大器3-2與第三級(jí)ΡΗΕΜΤ管放大器3-3之間通過(guò)一體化的兩個(gè) 中間級(jí)功率分配合成與匹配電路進(jìn)行級(jí)聯(lián)，所述第一級(jí)ΡΗΕΜΤ管放大器3-1、第二級(jí)ΡΗΕΜΤ 管放大器3-2、第三級(jí)ΡΗΕΜΤ管放大器3-3分別包括ΡΗΕΜΤ管5、三級(jí)RC濾波電路6,所述 ΡΗΕΜΤ管5的柵極和漏極分別通過(guò)三級(jí)RC濾波電路6與供電端連接，所述第一級(jí)ΡΗΕΜΤ管 放大器3-1包括兩個(gè)ΡΗΕΜΤ管5、第二級(jí)ΡΗΕΜΤ管放大器3-2包括八個(gè)ΡΗΕΜΤ管5、第三級(jí) ΡΗΕΜΤ管放大器3-3包括十六個(gè)ΡΗΕΜΤ管5,所述第一級(jí)ΡΗΕΜΤ管放大器3-1、第二級(jí)ΡΗΕΜΤ 管放大器3-2、第三級(jí)ΡΗΕΜΤ管放大器3-3中并聯(lián)ΡΗΕΜΤ管5的柵極與漏極之間均連接有奇 模電阻8。
[0032] 本實(shí)施例采用MMIC工藝制造，X波段單片功率放大器實(shí)際應(yīng)用中與MMIC工藝完全 兼容，單芯片中的三級(jí)ΡΗΕΜΤ管放大器3,通過(guò)外圍供電電路控制電壓Vd、Vg，各級(jí)ΡΗΕΜΤ管 放大器的Vdl、Vd2、Vd3和Vgl、Vg2、Vg3供電均采用三級(jí)RC濾波電路6,分別對(duì)8?12GHz、 3?10GHz、1?5GHz進(jìn)行逐級(jí)濾波，再通過(guò)外接芯片外電容，提高X波段功率放大器的全 頻段穩(wěn)定性和寬帶性能。該芯片采用了三級(jí)ΡΗΕΜΤ管放大器，各級(jí)ΡΗΕΜΤ管放大器分別采 用了兩個(gè)、八個(gè)、十六個(gè)ΡΗΕΜΤ管，且各ΡΗΕΜΤ管直接連接有一體化功率分配合成與匹配電 路，使得輸出阻抗匹配與功率分配合成電路一體化實(shí)現(xiàn)，有效降低芯片面積以減小損耗，實(shí) 現(xiàn)芯片的高功率輸出。
[0033] 本實(shí)施例可廣泛應(yīng)用于X波段各類(lèi)有源雷達(dá)組件或相控陣?yán)走_(dá)陣列以及微波通 信系統(tǒng)等領(lǐng)域，其工作頻帶在8?11GHz內(nèi)性能穩(wěn)定，芯片尺寸為4. 4mmX4. 1mm。
[0034] 以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本實(shí)用新型，凡在本 實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型 的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1. x波段單片功率放大器，其特征是，包括單芯片（1)，所述單芯片（1)上集成有輸入匹 配電路（2)、功率分配電路（10)、三級(jí)PHEMT管放大器（3)、功率合成電路（11)和輸出匹配 電路（4);所述輸入匹配電路（2)的輸入端與單芯片（1)的外部信號(hào)輸入端RF-IN相連接， 用于接入外部信號(hào)輸入源；所述輸入匹配電路（2)的輸出端與所述功率分配電路（10)的 輸入端相連接，所述功率分配電路（10)的輸出端與三級(jí)PHEMT管放大器（3)的輸入端相連 接；所述三級(jí)PHEMT管放大器（3)的輸出端與所述功率合成電路（11)的輸入端相連接；所 述所述功率合成電路（11)的輸出端與所述輸出匹配電路（4)的輸入端相連接；所述輸出匹 配電路⑷的輸出端與單芯片⑴的外部輸出端RF-OUT相連接，用于輸出放大后的信號(hào)； 所述三級(jí)PHEMT管放大器均采用0. 25um柵寬的PHEMT管工藝在GaAs基材上進(jìn)行MMIC 制造；芯片尺寸為4. 4mmX4. 1謹(jǐn)。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的X波段單片功率放大器，其特征是，所述三級(jí)PHEMT管放大 器包括第一級(jí)PHEMT管放大器（3-1)、第二級(jí)PHEMT管放大器（3-2)、第三級(jí)PHEMT管放大 器（3-3)、第一中間級(jí)功率分配合成及匹配電路（7)和第二中間級(jí)功率分配合成及匹配電 路（9);所述第一級(jí)PHEMT管放大器（3-1)的輸入端與所述功率分配電路的輸出端相連接， 所述第一級(jí)PHEMT管放大器（3-1)的輸出端與所述第一中間級(jí)功率分配合成及匹配電路 (7)的輸入端相連接；所述第一中間級(jí)功率分配合成及匹配電路（7)的輸出端與所述第二 級(jí)PHEMT管放大器（3-2)的輸入端相連接，所述第二級(jí)PHEMT管放大器（3-2)的輸出端與第 二中間級(jí)功率分配合成及匹配電路（9)的輸入端相連接；所述第二中間級(jí)功率分配合成及 匹配電路（9)的輸出端與第三級(jí)PHEMT管放大器（3-3)的輸入端相連接，所述第三級(jí)PHEMT 管放大器（3-3)的輸出端與所述功率合成電路（11)的輸入端相連接。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的X波段單片功率放大器，其特征是，所述第一級(jí)PHEMT管放 大器（3-1)包括兩個(gè)相互并聯(lián)連接的PHEMT管（5)和兩個(gè)三級(jí)濾波電路（6);所述第二級(jí) PHEMT管放大器（3-2)包括八個(gè)相互并聯(lián)連接的PHEMT管（5)和兩個(gè)三級(jí)濾波電路（6);所 述第三級(jí)PHEMT管放大器（3-3)包括十六個(gè)相互并聯(lián)連接的PHEMT管（5)和兩個(gè)三級(jí)濾波 電路（6);所述PHEMT管的柵極和漏極通過(guò)三級(jí)濾波電路與直流供電端連接；PHEMT管（5) 為采用0. 25um柵寬的贗電高電子遷移率晶體管PHEMT制作而成； 所述第一級(jí)PHEMT管放大器（3-1)、第二級(jí)PHEMT管放大器（3-2)和第三級(jí)PHEMT管放 大器（3-3)的相互并聯(lián)的PHEMT管（5)的柵極之間連接有電阻，漏極之間也連接有電阻。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的X波段單片功率放大器，其特征是，所述電阻為用于降低和 阻止奇模振蕩的奇模電阻（8)。
5. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的X波段單片功率放大器，其特征是，所述三級(jí)濾波電路（6)為 三級(jí)RC濾波電路。
【文檔編號(hào)】H03F1/42GK203851103SQ201420053739
【公開(kāi)日】2014年9月24日 申請(qǐng)日期:2014年1月27日 優(yōu)先權(quán)日:2014年1月27日
【發(fā)明者】張忠祥, 陳明生, 魯世斌, 范程華, 張量, 水泉, 沈?yàn)I翼, 靳振龍, 許瑩瑩 申請(qǐng)人:合肥師范學(xué)院, 安徽易科技術(shù)有限公司