掉電記憶電路的制作方法
【專利摘要】本實用新型公開一種掉電記憶電路，包括：IC芯片、與IC芯片連接的電阻、與電阻串接并接地的電壓檢測電容、并聯(lián)在電阻兩端的截止二極管以及與IC芯片連接的用于在掉電記憶電路掉電時向IC芯片供電的供電電容。由于本實用新型掉電記憶電路在掉電時，供電電容向IC芯片供電，IC芯片向電壓檢測電容進(jìn)行供電并檢測電壓檢測電容的電壓，且IC芯片在電壓檢測電容的電壓低于低功耗電壓時切換為低功耗模式，IC芯片在切換為低功耗模式后電壓檢測電容的供電電壓高于激活電壓時切換為正常模式，從而可以在掉電記憶電路掉電時延長IC芯片保存工作參數(shù)的時間。
【專利說明】掉電記憶電路
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本實用新型涉及電路【技術(shù)領(lǐng)域】，具體涉及一種掉電記憶電路。
【背景技術(shù)】
[0002]家電產(chǎn)品分為帶電池和不帶電池兩種，帶電池的作用主要是為了家電產(chǎn)品在掉電時給芯片提供能量以記憶工作參數(shù)，而不帶電池的家電產(chǎn)品則無法長時間保存工作參數(shù)，只能依靠電容的殘存電量來維持芯片的運行，然而其維持時間非常短，而且還存在數(shù)據(jù)隨機丟失的風(fēng)險。
實用新型內(nèi)容
[0003]本實用新型的目的在于提供一種掉電記憶電路，旨在延長掉電記憶電路在掉電時保存工作參數(shù)的時間。
[0004]為了實現(xiàn)本實用新型的目的，本實用新型提供一種掉電記憶電路，包括:
[0005]IC 芯片；
[0006]與IC芯片連接的電阻；
[0007]與電阻串接并接地的電壓檢測電容；
[0008]并聯(lián)在電阻兩端的截止二極管；以及
[0009]與IC芯片連接的用于在掉電記憶電路掉電時向IC芯片供電的供電電容；
[0010]所述IC芯片在掉電記憶電路掉電時向電壓檢測電容進(jìn)行供電并檢測電壓檢測電容的電壓，且IC芯片在電壓檢測電容的電壓低于低功耗電壓時切換為低功耗模式，IC芯片在切換為低功耗模式后電壓檢測電容的供電電壓高于激活電壓時切換為正常模式。
[0011]優(yōu)選地，所述電阻連接IC芯片的AN引腳，所述供電電容連接IC芯片的VDD引腳和GND引腳。
[0012]優(yōu)選地，所述電壓檢測電容為瓷片電容，所述供電電容為電解電容。
[0013]本實用新型還提供一種掉電記憶電路，包括:
[0014]IC 芯片；
[0015]與IC芯片連接的電阻；
[0016]與電阻串接并接地的電壓檢測電容；
[0017]連接在電壓檢測電容和電壓源VDD之間的截止二極管；以及
[0018]與IC芯片連接的用于在掉電記憶電路掉電時向IC芯片供電的供電電容；
[0019]所述IC芯片在掉電記憶電路掉電時向電壓檢測電容進(jìn)行供電并檢測電壓檢測電容的電壓，且IC芯片在電壓檢測電容的電壓低于低功耗電壓時切換為低功耗模式，IC芯片在切換為低功耗模式后電壓檢測電容的供電電壓高于激活電壓時切換為正常模式。
[0020]由于本實用新型掉電記憶電路在掉電時，通過供電電容向IC芯片供電，通過電壓檢測電容檢測IC芯片電壓以使在低功耗模式和正常模式之間切換來延長供電電容的放電時間，從而可以在掉電記憶電路掉電時延長IC芯片保存工作參數(shù)的時間?！緦＠綀D】
【附圖說明】
[0021]圖1為應(yīng)用本實用新型方法的掉電記憶電路的第一實施例的電路圖；
[0022]圖2為圖1所示掉電記憶電路工作原理圖；
[0023]圖3為應(yīng)用本實用新型方法的掉電記憶電路的第二實施例的電路圖。
[0024]本實用新型目的的實現(xiàn)、功能特點及優(yōu)點將結(jié)合實施例，參照附圖做進(jìn)一步說明。
【具體實施方式】
[0025]應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實施例僅用以解釋本實用新型，并不用于限定本實用新型。
[0026]本實用新型提供一種掉電記憶電路，請參閱圖1，其揭示了本實用新型掉電記憶電路的第一實施例，在本實施例中，掉電記憶電路包括IC芯片110、與IC芯片110連接的電阻120、與電阻120串接并接地的電壓檢測電容130、并聯(lián)在電阻120兩端的截止二極管140以及與IC芯片110連接的供電電容150。所述電阻120連接IC芯片110的AN引腳。所述電壓檢測電容130是瓷片電容，其容量在pF級、放電快。所述供電電容150連接IC芯片110的VDD引腳和GND引腳，所述供電電容150是電解電容ECl，其容量大在uF級、放電慢。
[0027]請參閱圖2，本實施例掉電記憶電路的工作原理如下:
[0028]在掉電記憶電路接通電壓源VDD工作時，電壓源VDD向供電電容150供電；在掉電記憶電路掉電時，供電電容150向IC芯片110供電，以使IC芯片110保存工作參數(shù)；IC芯片110給電壓檢測電容130供電，且IC芯片110檢測電壓檢測電容130的電壓并將其與設(shè)定的低功耗電壓進(jìn)行比較，IC芯片110在檢測到電壓檢測電容130的電壓低于低功耗電壓時切換為低功耗模式；進(jìn)入低功耗模式后，IC芯片110消耗的電流迅速降低，供電電容150的放電時間延長；然后，IC芯片110檢測電壓檢測電容130的電壓并將其與設(shè)定的激活電壓進(jìn)行比較，IC芯片110在檢測到電壓檢測電容130的電壓大于激活電壓時重新切換為正常模式，此時IC芯片110判定為等同于與電壓源VDD連接的模式，IC芯片110對電壓檢測電容130和供電電容進(jìn)行充電，如此反復(fù)；若在IC芯片110從低功耗模式切換為正常模式時，IC芯片110檢測到電壓檢測電容130的電壓不高于激活電壓時，則IC芯片110仍處于低功耗模式直至電壓檢測電容130的供電電壓低于復(fù)位電壓時,IC芯片110因供電電壓過低而進(jìn)行復(fù)位。
[0029]由于本實施例掉電記憶電路在掉電時，通過IC芯片110檢測電壓檢測電容130的電壓，并通過IC芯片110在低功耗模式和正常模式之間切換以延長供電電容150的放電時間，從而可以延長掉電記憶電路保存工作參數(shù)的時間。
[0030]請參閱圖3，其揭示了實現(xiàn)本實用新型方法的掉電記憶電路的第二實施例，在本實施例中，掉電記憶電路包括IC芯片210、與IC芯片210連接的電阻220、與電阻220串接并接地的電壓檢測電容230、連接在電壓檢測電容230和電壓源VDD之間的截止二極管240以及與IC芯片210連接的供電電容250。所述電阻220連接IC芯片210的AN引腳。所述供電電容250連接IC芯片210的VDD引腳和GND引腳。
[0031]本實施例掉電記憶電路的工作原理與第一實施例掉電記憶電路的工作原理相似，不同之處在于:在掉電記憶電路接通電壓源VDD工作時，由電壓源VDD通過截止二極管240給電壓檢測電容230充電，在掉電記憶電路掉電時，IC芯片210通過電阻220給電壓檢測電容230供電，且IC芯片210檢測電壓檢測電容230的電壓并將其與設(shè)定的低功耗電壓進(jìn)行比較，此時截止二極管240截止以防止電壓檢測電容230給電壓源VDD供電。
[0032]由于本實施例掉電記憶電路在掉電時，通過IC芯片210檢測電壓檢測電容230的電壓，并通過IC芯片210在低功耗模式和正常模式之間切換以延長供電電容250的放電時間，從而可以延長掉電記憶電路保存工作參數(shù)的時間。
[0033]以上僅為本實用新型的優(yōu)選實施例，并非因此限制本實用新型的專利范圍，凡是利用本實用新型說明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運用在其他相關(guān)的【技術(shù)領(lǐng)域】，均同理包括在本實用新型的專利保護(hù)范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種掉電記憶電路，其特征在于，包括: IC芯片； 與IC芯片連接的電阻； 與電阻串接并接地的電壓檢測電容； 并聯(lián)在電阻兩端的截止二極管；以及 與IC芯片連接的用于在掉電記憶電路掉電時向IC芯片供電的供電電容； 所述IC芯片在掉電記憶電路掉電時向電壓檢測電容進(jìn)行供電并檢測電壓檢測電容的電壓，且IC芯片在電壓檢測電容的電壓低于低功耗電壓時切換為低功耗模式，IC芯片在切換為低功耗模式后電壓檢測電容的供電電壓高于激活電壓時切換為正常模式。
2.如權(quán)利要求1所述的掉電記憶電路，其特征在于，所述電阻連接IC芯片的AN引腳，所述供電電容連接IC芯片的VDD引腳和GND引腳。
3.如權(quán)利要求1所述的掉電記憶電路，其特征在于，所述電壓檢測電容為瓷片電容，所述供電電容為電解電容。
4.一種掉電記憶電路，其特征在于，包括: IC芯片； 與IC芯片連接的電阻； 與電阻串接并接地的電壓檢測電容； 連接在電壓檢測電容和電壓源VDD之間的截止二極管；以及 與IC芯片連接的用于在掉電記憶電路掉電時向IC芯片供電的供電電容； 所述IC芯片在掉電記憶電路掉電時向電壓檢測電容進(jìn)行供電并檢測電壓檢測電容的電壓，且IC芯片在電壓檢測電容的電壓低于低功耗電壓時切換為低功耗模式，IC芯片在切換為低功耗模式后電壓檢測電容的供電電壓高于激活電壓時切換為正常模式。
5.如權(quán)利要求4所述的掉電記憶電路，其特征在于，所述電阻連接IC芯片的AN引腳，所述供電電容連接IC芯片的VDD引腳和GND引腳。
6.如權(quán)利要求4所述的掉電記憶電路，其特征在于，所述電壓檢測電容為瓷片電容，所述供電電容為電解電容。
【文檔編號】H03K17/24GK203708208SQ201320885148
【公開日】2014年7月9日 申請日期:2013年12月30日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月30日
【發(fā)明者】李信合, 楊立萍, 黃庶鋒, 黃開平, 麻百忠, 雷俊, 董遠(yuǎn), 張永亮, 喬維君, 袁宏斌, 楊樂, 房振, 黃兵 申請人:美的集團股份有限公司, 佛山市順德區(qū)美的電熱電器制造有限公司