專利名稱：壓電模塊的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種壓電封裝(piezoelectric package)與電路組件封裝(circuitcomponent package)整體接合在一起的壓電模塊(piezoelectricmodule)。所述壓電封裝容納壓電諧振器，所述壓電諧振器包含壓電構(gòu)件(例如，晶體)。所述電路組件封裝包含集成電路(Integrated Circuit, IC)芯片,所述IC芯片集成了與壓電諧振器一起構(gòu)成振蕩器的電路、或構(gòu)成振蕩器的電路元件的一部分。明確地說，本發(fā)明涉及一種用于表面安裝的壓電模塊，其確保兩個(gè)封裝的接合強(qiáng)度、通過緊固地將封裝密封為裝置結(jié)構(gòu)而保證高可靠性、且實(shí)現(xiàn)低輪廓(low-profile)、尺寸小且價(jià)格低的裝置。
背景技術(shù)：
電路組件封裝與壓電諧振器一起構(gòu)成壓電模塊。壓電組件封裝包含:振蕩器電路；IC芯片，其集成具有溫度控制功能的振蕩器電路、或構(gòu)成振蕩器電路的離散組件(discretecomponent)的部分。具有集成振蕩器電路的IC芯片的電路組件封裝接合到壓電封裝的壓電模塊，形成:單獨(dú)輸出預(yù)定頻率的振蕩器。包含構(gòu)成振蕩器電路的離散組件的部分的電路組件封裝接合到壓電封裝的壓電模塊，形成:與制備在將應(yīng)用的電子設(shè)備側(cè)中的電路一起輸出預(yù)定頻率的振蕩器。以表面安裝式晶體控制振蕩器為代表的壓電模塊為:尺寸小且重量輕。例如，相對(duì)于外部空氣溫度的改變，溫度補(bǔ)償型壓電模塊具有高頻率穩(wěn)定性。因此，壓電模塊尤其作為頻率參考源或時(shí)間參考源，而嵌入在便攜式電子設(shè)備(例如，移動(dòng)電話)中。將描述晶體控制振蕩器，其為壓電振蕩器的典型裝置，其中振蕩器電路(IC芯片)安裝到電路組件封裝。應(yīng)注意，存在所謂的簡(jiǎn)單封裝型晶體控制振蕩器，其中電路組件封裝包含不具有溫度補(bǔ)償機(jī)制的IC芯片。具有溫度補(bǔ)償機(jī)制的壓電模塊(例如，晶體控制振蕩器)之一包含:壓電封裝(其在使用了晶體晶片(crystal wafer)的情況下被稱為晶體封裝)，其容納包含壓電片(例如，晶體晶片)的晶體單元；以及具有IC芯片的電路組件封裝(在此情況下，為IC芯片封裝)。壓電封裝在垂直方向上以雙層結(jié)構(gòu)接合到電路組件封裝。代替具有IC芯片的電路組件封裝堆疊且固定地緊固到上述壓電封裝的結(jié)構(gòu)，容納熱敏電阻或二極管的具有溫度傳感器的壓電模塊的結(jié)構(gòu)，也是類似地適用。此處，也在實(shí)施例中描述:作為晶體單元的壓電諧振器和作為晶體控制振蕩器的具有晶體單元的壓電模塊。然而，本發(fā)明不限于這些壓電模塊。本發(fā)明類似地適用于例如表面聲波(surface acoustic wave, SAW)濾波器的壓電相關(guān)裝置、包含連接結(jié)構(gòu)的各種電子裝置，所述連接結(jié)構(gòu)集成具有電路組件封裝的安裝板、與所述組件內(nèi)或外的電路組件。此處所述的示范性晶體控制振蕩器不限于包含便攜式設(shè)備的各件電子設(shè)備，而是還可嵌入到車輛電子設(shè)備或類似設(shè)備中。需要考慮堅(jiān)固連接結(jié)構(gòu)，以在發(fā)生沖擊且環(huán)境溫度顯著改變時(shí)，防止例如車輛電子設(shè)備的電子設(shè)備中的組件的板或主體產(chǎn)生焊點(diǎn)裂紋(solder crack)以及損壞。焊點(diǎn)裂紋或損壞是由因長(zhǎng)期改變或熱循環(huán)引起的熱膨脹的差異、或因外部力引起的應(yīng)力變化(例如，板翹曲)造成。如上所述，這種類型的振蕩器需要低輪廓的特征與韌性兩者。圖37A和圖37B是晶體控制振蕩器的一個(gè)例示性配置的示意圖，所述晶體控制振蕩器是壓電模塊的典型裝置。圖37A說明截面圖。圖37B說明在從晶體封裝側(cè)觀看構(gòu)成晶體控制振蕩器的IC芯片封裝的開口端面時(shí)的平面圖。如所說明，晶體控制振蕩器I包含:晶體封裝2和IC芯片封裝3。晶體封裝2容納:在平面圖中大致為長(zhǎng)方形的晶體單元24。IC芯片封裝3是電路組件封裝，且在平面圖中具有大致上與晶體封裝2相同的形狀，且包含IC芯片33。IC芯片33集成:與晶體單元24 —起構(gòu)成晶體控制振蕩器的電子電路。晶體封裝2包含由陶瓷板(也稱為生胚片(greensheet))或類似材料制成的容器主體。容器主體是由晶體封裝2的底部壁層(下文稱為第一底部壁層21)和晶體封裝2的框架壁層(下文稱為第一框架壁層22)形成。晶體單元24被安裝且容納在由容器主體20的第一框架壁層22圍繞的凹陷部分(晶體封裝的凹陷部分，下文稱為第一凹陷部分28)中。容器主體20在面向晶體封裝2的平面圖中具有大致上與晶體封裝2相同的長(zhǎng)方形形狀。通常，在晶體封裝2和IC芯片封裝3于垂直方向上堆疊、且接合為晶體控制振蕩器I的狀態(tài)中，晶體封裝2和IC芯片封裝3共享外側(cè)表面。晶體單元24在晶體的薄片(晶體晶片)的兩個(gè)表面上包含激勵(lì)電極(excitationelectrode)(未圖示)。從相應(yīng)激勵(lì)電極延伸到晶體晶片的一個(gè)末端邊緣的引出電極(extraction electrode)(類似地,未圖示)是:以導(dǎo)電粘合劑25而固定地緊固到一對(duì)晶體保持端子26(僅說明了一側(cè))。所述一對(duì)晶體保持端子26設(shè)置在第一凹陷部分28的內(nèi)部底表面(一個(gè)主表面)上。容納晶體單元24的第一凹陷部分28是由金屬板所形成的蓋體23氣密地密封，因此形成晶體封裝2。蓋體23和第一框架壁層22經(jīng)由采用與蓋體23相同的類型的材料的金屬膜(或金屬環(huán)，未圖示)，而通過縫焊(seamwelding)或類似方法來密封。一些蓋體23采用非金屬材料，例如，還料(blank)、陶瓷襯底(ceramic substrate)和硬樹脂板(hardresin plate)。第一底部壁層21具有外部底表面(另一主表面)，所述外部底表面上設(shè)置了外部端子27。外部端子27經(jīng)設(shè)置以經(jīng)由焊料層6而連接具有IC芯片33的IC芯片封裝3的連接端子36。外部端子27經(jīng)由穿過第一底部壁層21的通孔或通路孔30，而電連接到晶體保持端子26。具有IC芯片33的IC芯片封裝3采用層壓襯底，其由IC芯片封裝3的底部壁層(下文稱為第二底部壁層31)和IC芯片封裝3的框架壁層(下文稱為第二框架壁層32)形成，底部壁層和框架壁層是由陶瓷板制成。IC芯片封裝3可在第二底部壁層和第二框架壁層中采用多層結(jié)構(gòu)。IC芯片封裝3包含一個(gè)主表面(IC芯片安裝表面)，其為:由IC芯片封裝3的第二框架壁層32圍繞的IC芯片封裝3的凹陷部分38 (下文稱為第二凹陷部分)的內(nèi)部底表面。所述一個(gè)主表面包含接線圖案(wiring pattern)和多個(gè)電極墊(electrodepad) 35。第二框架壁層32在開口端面上包含連接端子36。連接端子36是被連接到晶體封裝2的外部端子27。IC芯片封裝3具有另一主表面(第二底部壁層31的外部底表面，設(shè)備安裝表面)，所述另一主表面上設(shè)置了多個(gè)安裝端子37 (在此實(shí)例中為四個(gè))以表面安裝將應(yīng)用的電子設(shè)備的電路板。IC芯片33通過超聲波熱壓接合或類似方法，經(jīng)由其安裝凸點(diǎn)(mountingbump)34(例如，焊料凸點(diǎn)或金凸點(diǎn))而固定地緊固到第二框架壁層32的一個(gè)主表面(內(nèi)部底表面)上的電極墊35。此外，被稱為底填料(underfill)(未圖示)的樹脂層(優(yōu)選為環(huán)氧樹脂)填充在IC芯片封裝3的IC芯片33與所述一個(gè)主表面之間，因此作為裝置來確保強(qiáng)度。IC芯片的安裝不限于使用凸點(diǎn)和電極墊而進(jìn)行的連接。還可采用導(dǎo)線。具有IC芯片33的IC芯片封裝3和晶體封裝2大體上如下所述而接合在一起。焊接材料(solder material)設(shè)置在連接端子36與晶體封裝2的外部端子27之間，連接端子36形成在IC芯片封裝3的第二框架壁層32的開口端面(面向晶體封裝2的外部底表面的表面)上。焊接材料通過回流工藝熔融且隨后硬化，因此，形成了焊料層6，且將兩個(gè)封裝接合在一起。焊料層6僅形成在由金屬材料制成的連接端子36的頂表面上。焊料層6可設(shè)置在晶體封裝2的外部端子27上，以進(jìn)行回流工藝。因此，環(huán)氧樹脂或類似者是被填充在:晶體封裝2的所述另一主表面(外部底表面)與IC芯片33之間以及第二框架壁層32的所述一個(gè)主表面與IC芯片33之間的凹陷部分中，而作為底填料層(未圖示)。這會(huì)提高裝置強(qiáng)度。日本未審查專利申請(qǐng)公開第2004-180012號(hào)和第2007-251766號(hào)，揭露此類型的振蕩器的現(xiàn)有技術(shù)。此類型的晶體控制振蕩器包含:以雙層堆疊且接合在一起的晶體封裝和IC芯片封裝。在此類型的晶體控制振蕩器中，設(shè)置在晶體封裝的外部底表面(圖37A中的第一底部壁層21的外部底表面)上的外部端子27、與設(shè)置在對(duì)應(yīng)于IC芯片封裝的凹陷部分的開口端面(圖37A中的第二凹陷部分38的開口端面)的部分中的連接端子36對(duì)齊。兩者使用將兩者彼此接合的焊料而電連接且機(jī)械連接。最近，隨著晶體控制振蕩器尺寸減小，IC芯片尺寸減小。具有IC芯片的IC芯片封裝也需要減小。有鑒于此，IC芯片封裝尺寸減小是必要的。因此，包含IC芯片的凹陷部分的開口的面積變小，因此限制了待安裝的IC芯片的尺寸。特別在需要具有溫度控制機(jī)制的IC芯片的高性能晶體控制振蕩器的情況下，限制了可安裝IC芯片的尺寸。用于移動(dòng)通信設(shè)備或車輛設(shè)備的晶體控制振蕩器是:在IC芯片安裝在凹陷部分的底表面上后，需要底填料填充工藝。底填料填充工藝堅(jiān)固地緊固IC芯片，且提高抗振性、抗沖擊性和抗塵性。然而，IC芯片封裝的凹陷部分極小，安裝了 IC芯片之后的凹陷部分空間變窄，且在IC芯片與凹陷部分的底表面或凹陷部分的內(nèi)壁表面之間形成的空間進(jìn)一步變窄。極難以將準(zhǔn)確量的樹脂填充到此小空間中。對(duì)于壓電模塊(例如，具有IC芯片33的IC芯片封裝3，以焊料層6或類似者接合到晶體封裝2的晶體控制振蕩器I)，重要的是，確保晶體封裝2的外部端子27與IC芯片封裝3(其為電路組件封裝)的連接端子36之間的充分接合強(qiáng)度。也重要的是，密封容納IC芯片的凹陷部分以防止?jié)駳夂突覊m侵入。凹陷部分未形成在構(gòu)成晶體封裝2的容器主體20的第一底部壁層21的外部底表面(另一主表面)上。這確保了外部端子27的大面積。然而，IC芯片封裝3的連接端子36設(shè)置在第二框架壁層32的開口端面上。為了確保與晶體封裝2的外部端子27的接合強(qiáng)度，形成了連接端子36的開口端面需要特定大面積。如果第二框架壁層32的開口端面變大，那么第二凹陷部分38的平面圖面積變得相對(duì)窄。因此，安裝在第二凹陷部分38上的IC芯片33的尺寸受到第二凹陷部分38的尺寸限制。可考慮以下配置。將形成連接端子36的開口端面的平面圖中的寬度形成得窄，連接端子36沿著開口端面?zhèn)刃纬傻瞄L(zhǎng)且窄，且晶體封裝2的外部端子27也具有對(duì)應(yīng)于此連接端子36的形狀。在此情況下，外部端子之間(連接端子之間)的空間變窄，且可能發(fā)生短路。因此，需要不易受上述缺點(diǎn)影響的壓電模塊。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明的方面，提供一種壓電模塊。所述壓電模塊包含壓電封裝和電路組件封裝。所述壓電封裝容納壓電諧振器。所述電路組件封裝容納電路組件，所述電路組件經(jīng)配置以基于所述壓電諧振器的振動(dòng)信號(hào)而以預(yù)定頻率產(chǎn)生振蕩信號(hào)。所述壓電封裝和所述電路組件封裝電接合且機(jī)械接合。所述壓電封裝包含第一凹陷部分、蓋體和多個(gè)外部端子。所述第一凹陷部分包含第一底部壁層和第一框架壁層。所述第一凹陷部分容納所述壓電諧振器。所述蓋體密封所述第一凹陷部分。所述多個(gè)外部端子經(jīng)配置以將所述壓電諧振器的所述振動(dòng)信號(hào)輸出到所述第一凹陷部分的外部底表面。所述電路組件封裝包含第二凹陷部分和多個(gè)連接端子。所述第二凹陷部分包含第二底部壁層和第二框架壁層。所述第二凹陷部分容納所述電路組件。所述多個(gè)連接端子處在所述第二凹陷部分的開口端面上。所述多個(gè)連接端子電連接到所述壓電封裝的所述外部底表面上的多個(gè)相應(yīng)外部端子。所述壓電模塊包含具有焊料顆粒的熱固性樹脂，其插入在包含所述電路組件封裝的所述多個(gè)連接端子的所述第二凹陷部分的所述開口端面的整個(gè)周邊與所述壓電封裝的所述第一凹陷部分的所述外部底表面之間。所述壓電封裝的所述多個(gè)外部端子和所述電路組件封裝的所述多個(gè)連接端子通過金屬接合而電連接。所述金屬接合采用構(gòu)成所述具有焊料顆粒的熱固性樹脂的焊料顆粒的熔融和硬化。所述電路組件封裝的所述第二凹陷部分的所述開口端面的所述整個(gè)周邊與所述壓電封裝的所述第一凹陷部分的所述外部底表面通過構(gòu)成所述具有焊料顆粒的熱固性樹脂的熱固性樹脂的熔融和硬化來接合。


本發(fā)明的前述和額外特征和特性，將從參考附圖而考慮的下文詳細(xì)描述變得更明顯。圖1A和圖1B為說明根據(jù)本發(fā)明的壓電模塊應(yīng)用于晶體控制振蕩器的實(shí)施例1的示意圖。圖2為說明根據(jù)本發(fā)明的壓電模塊應(yīng)用于晶體控制振蕩器的實(shí)施例2的截面圖。圖3為說明根據(jù)本發(fā)明的壓電模塊應(yīng)用于晶體控制振蕩器的實(shí)施例3的截面圖。圖4為說明根據(jù)本發(fā)明的壓電模塊應(yīng)用于晶體控制振蕩器的實(shí)施例4的截面圖。圖5A和圖5B為說明根據(jù)本發(fā)明的壓電模塊應(yīng)用于晶體控制振蕩器的實(shí)施例5的示意圖。圖6A和圖6B為說明根據(jù)本發(fā)明的壓電模塊應(yīng)用于晶體控制振蕩器的實(shí)施例6的示意圖。圖7A和圖7B為說明根據(jù)本發(fā)明的壓電模塊應(yīng)用于晶體控制振蕩器的實(shí)施例7的示意圖。圖8為說明根據(jù)本發(fā)明的壓電模塊應(yīng)用于晶體控制振蕩器的實(shí)施例8的示意性截面圖。圖9A至圖9C為說明根據(jù)本發(fā)明的壓電模塊應(yīng)用于晶體控制振蕩器的實(shí)施例9的外視圖。圖10為說明圖9A至圖9C所說明的晶體控制振蕩器的底表面的平面圖。圖1lA和圖1lB為圖9A至圖9C所說明的晶體控制振蕩器的IC芯片封裝的IC芯片容納部分的說明圖。圖12A至圖12C為說明根據(jù)本發(fā)明的壓電模塊應(yīng)用于晶體控制振蕩器的實(shí)施例10的晶體控制振蕩器的外視圖。圖13為說明圖12A至圖12C所說明的晶體控制振蕩器的底表面的平面圖。圖14A和圖14B為圖12A至圖12C所說明的晶體控制振蕩器的IC芯片封裝的IC芯片容納部分的說明圖。圖15A至圖15C為說明根據(jù)本發(fā)明的壓電模塊應(yīng)用于晶體控制振蕩器的實(shí)施例11的晶體控制振蕩器的外視圖。圖16為說明圖15A至圖15C所說明的晶體控制振蕩器的底表面的平面圖。圖17A和圖17B為圖15A至圖15C所說明的晶體控制振蕩器I的IC芯片封裝的IC芯片容納部分的說明圖。圖18A至圖18C為說明根據(jù)本發(fā)明的壓電模塊應(yīng)用于晶體控制振蕩器的實(shí)施例12的具有溫度傳感器的晶體單元的外視圖。圖19為說明圖18A至圖18C的具有溫度傳感器的晶體單元IA的底表面(外表面，將應(yīng)用的設(shè)備的安裝表面)的平面圖。圖20A至圖20C為說明圖18A至圖18C的具有溫度傳感器的晶體單元IA的IC芯片封裝的熱敏電阻或二極管的安裝部分的說明圖。圖21為作為實(shí)施例13的圖9A至圖9C所說明的晶體控制振蕩器的主要部分的截面圖，所述晶體控制振蕩器為本發(fā)明的一種示范性制造方法的目標(biāo)。圖22A至圖22E為說明根據(jù)本發(fā)明的圖9A至圖9C所說明的晶體控制振蕩器的一種示范性制造方法的晶體控制振蕩器的主要部分的制造工藝圖。圖23A至圖23C為說明根據(jù)本發(fā)明的壓電模塊應(yīng)用于晶體控制振蕩器的實(shí)施例14的外視圖。圖24為說明圖23A至圖23C所說明的晶體控制振蕩器的底表面的平面圖。圖25A和圖25B為圖23A至圖23C所說明的晶體控制振蕩器的IC芯片封裝的IC芯片容納部分的說明圖。圖26A至圖26C為說明根據(jù)本發(fā)明的壓電模塊應(yīng)用于晶體控制振蕩器的實(shí)施例15的晶體控制振蕩器的外視圖。圖27為說明圖26A至圖26C所說明的晶體控制振蕩器的底表面的平面圖。圖28A和圖28B為圖26A至圖26C所說明的晶體控制振蕩器的IC芯片封裝的IC芯片容納部分的說明圖。圖29A至圖29C為說明根據(jù)本發(fā)明的壓電模塊應(yīng)用于晶體控制振蕩器的實(shí)施例16的晶體控制振蕩器的外視圖。圖30為說明圖29A至圖29C所說明的晶體控制振蕩器的底表面的平面圖。圖31A和圖31B為圖29A至圖29C所說明的晶體控制振蕩器I的IC芯片封裝的IC芯片容納部分的說明圖。圖32A至圖32C為說明根據(jù)本發(fā)明的壓電模塊應(yīng)用于晶體控制振蕩器的實(shí)施例17的具有溫度傳感器的晶體單元的外視圖。圖33為說明圖32A至圖32C所說明的具有溫度傳感器的晶體單元IA的底表面的平面圖。圖34A至圖34C為圖32A至圖32C所說明的具有溫度傳感器的晶體單元IA的電路組件封裝的熱敏電阻或二極管的容納部分的說明圖。圖35為作為實(shí)施例18的圖23A至圖23C所說明的晶體控制振蕩器的主要部分的截面圖，所述晶體控制振蕩器為本發(fā)明的一種示范性制造方法的目標(biāo)。圖36A至圖36D為說明根據(jù)本發(fā)明的圖23A至圖23C所說明的晶體控制振蕩器的一種示范性制造方法的主要部分的制造工藝圖。圖37A和圖37B是常規(guī)晶體控制振蕩器的一個(gè)例示性配置的示意圖，所述晶體控制振蕩器是壓電模塊的典型裝置。
具體實(shí)施例方式將參考?jí)弘娔K應(yīng)用于晶體控制振蕩器、或具有溫度傳感器的晶體單元的實(shí)施例，來詳細(xì)描述根據(jù)本發(fā)明的壓電模塊的優(yōu)選實(shí)施例。實(shí)施例1圖1A和圖1B為說明根據(jù)本發(fā)明的壓電模塊應(yīng)用于晶體控制振蕩器的實(shí)施例1的說明圖。圖1A說明截面圖。圖1B為說明從晶體封裝側(cè)觀看的圖1A的IC芯片封裝中的凹陷部分的平面圖。根據(jù)實(shí)施例1的晶體控制振蕩器I包含:晶體封裝2和IC芯片封裝3。晶體封裝2包含晶體單元24，且在平面圖中具有長(zhǎng)方形形狀。IC芯片封裝3為容納IC芯片33的電路組件封裝。IC芯片33集成了電子電路，以與晶體封裝2 —起構(gòu)成晶體控制振蕩器。類似于圖37A所說明的晶體控制振蕩器，晶體封裝2包含:優(yōu)選為陶瓷板的底部壁層(第一底部壁層21)和框架壁層(第一框架壁層22)。晶體單元24被容納在由第一框架壁層22圍繞的凹陷部分(晶體封裝的凹陷部分，第一凹陷部分28)中。第一框架壁層22構(gòu)成容器主體20，其在平面圖中具有長(zhǎng)方形形狀。大體上，晶體封裝2和IC芯片封裝3在垂直方向上以雙層堆疊、且被接合為晶體控制振蕩器I。因此，晶體封裝2和IC芯片封裝3以扁平盒(flat box)的形式集成。晶體單元24在晶體薄片(晶體晶片)的兩個(gè)表面上包含一對(duì)激勵(lì)電極(未圖示)。所述一對(duì)激勵(lì)電極將晶體晶片夾在中間。引出電極(未圖示)從此對(duì)相應(yīng)激勵(lì)電極延伸到晶體晶片的一個(gè)末端邊緣。引出電極以導(dǎo)電粘合劑25固定地緊固到一對(duì)晶體保持端子26(僅顯示了一側(cè))。所述一對(duì)晶體保持端子26設(shè)置在第一凹陷部分28的內(nèi)部底表面(一個(gè)主表面)上。容納晶體單元24的第一凹陷部分28使用蓋體23來氣密地密封，以形成晶體封裝2。蓋體23是使用優(yōu)選為科伐合金(kovar)的金屬板而形成。與蓋體種類相同的金屬膜用于通過縫焊或類似方法，來密封蓋體23和第一框架壁層22。蓋體23可采用非金屬材料(例如，坯料、陶瓷襯底和硬樹脂板)以及金屬板，且以適當(dāng)粘合劑密封。在此情況下，優(yōu)選將金屬膜設(shè)置在蓋體的任何表面上。外部端子27設(shè)置在第一底部壁層21的外部底表面(另一主表面)上。外部端子27經(jīng)由具有焊料顆粒的熱固性樹脂4，而連接到容納IC芯片33的IC芯片封裝3的連接端子36。外部端子27經(jīng)由穿過第一底部壁層21的通孔或通路孔30，而電連接到晶體保持端子26。容納IC芯片33的IC芯片封裝3的結(jié)構(gòu)大致類似于圖37A和圖37B所說明的結(jié)構(gòu)。IC芯片封裝3包含層壓襯底(laminated substrate),其由底部壁層31 (第二底部壁層)和框架壁層32 (第二框架壁層)形成，底部壁層31和框架壁層32是由陶瓷板制成。多層薄板可形成:構(gòu)成IC芯片封裝3的第二底部壁層和第二框架壁層的一側(cè)或另一側(cè)。在此情況下，優(yōu)選的是，金屬膜或金屬板設(shè)置在多層薄板的內(nèi)層或外表面上，以提供屏蔽。接線圖案和多個(gè)電極墊35形成在IC芯片封裝3的一個(gè)主表面(IC芯片安裝表面)上。所述一個(gè)主表面為:由IC芯片封裝3的第二框架壁層32圍繞的IC芯片封裝的凹陷部分38(第二凹陷部分)的內(nèi)部底表面。連接到晶體封裝2的外部端子27的連接端子36是:形成在第二框架壁層32的開口端面處。多個(gè)安裝端子37 (在此實(shí)例中為四個(gè))設(shè)置在IC芯片封裝3的另一主表面(第二底部壁層31的外部底表面，設(shè)備安裝表面)上。多個(gè)安裝端子37是被表面安裝在將應(yīng)用的電子設(shè)備的電路板上。根據(jù)此實(shí)施例，構(gòu)成IC芯片封裝3的第二框架壁層32的寬度(當(dāng)在底部壁層方向上觀看時(shí)的寬度)是小(窄)的。此外，凹陷部分的面積(在平面圖中的尺寸)大于圖37A和圖37B所說明的現(xiàn)有技術(shù)的凹陷部分的面積、且大于第一凹陷部分28的面積。這允許將具有較大尺寸的IC芯片容納在第二凹陷部分38內(nèi)部，而不擴(kuò)大外部尺寸(晶體單元的外部尺寸保持相同)。IC芯片33通過超聲波熱壓接合或類似方法經(jīng)由其安裝凸點(diǎn)34 (例如，焊料凸點(diǎn)或金凸點(diǎn))，而固定地緊固到第二框架壁層32的一個(gè)主表面(內(nèi)部底表面)上的電極墊35。第二容器由構(gòu)成IC芯片封裝3的第二底部壁層31和第二框架壁層32形成。第二容器包含:處在第二凹陷部分38的開口端面(面向晶體封裝2的外部端子27的第二框架壁層32的表面)上的連接端子36。連接端子36面向晶體封裝2的外部端子27、且電連接到晶體封裝2的外部端子27。連接端子36經(jīng)由通孔或通路孔(其適當(dāng)?shù)卦O(shè)置在第二容器中)和接線(未圖示，其圖案化在第二凹陷部分38的第二底部壁層31的內(nèi)部底表面上)，而連接到IC芯片33的預(yù)定電路端子。第二底部壁層31包含外部底表面，所述外部底表面上設(shè)置了多個(gè)安裝端子37，以用于安裝目標(biāo)設(shè)備的電路板或類似者的表面安裝。操作電源從這些安裝端子37供應(yīng)，且預(yù)定頻率的振蕩信號(hào)供應(yīng)到安裝板的所需功能電路。晶體封裝2通過對(duì)具有焊料顆粒的熱固性樹脂4加熱和加壓、而連接到IC芯片封裝3，所述具有焊料顆粒的熱固性樹脂4插入在外部端子27的形成表面(晶體封裝2的外部底表面)與連接端子36的形成表面(凹陷部分的開口端面)之間。微小焊料顆粒4a分散在熱固性樹脂中的、具有焊料顆粒的熱固性樹脂4，其是通過圍繞在包含IC芯片封裝3的凹陷部分的開口端面上的連接端子36的整個(gè)表面周圍而涂覆。此涂覆可采用:使用分配器進(jìn)行的直接書寫、絲網(wǎng)印刷、使用噴墨噴嘴的涂覆方法、或附著膜狀樹脂的方法。通過對(duì)具有焊料顆粒的熱固性樹脂4加熱和加壓，上述外部端子27和連接端子36電連接在一起。這允許密封晶體封裝2和IC芯片封裝3，并機(jī)械地且固定地將晶體封裝2和IC芯片封裝3堅(jiān)固地緊固。具有焊料顆粒的熱固性樹脂4可涂覆在晶體封裝2的外部底表面?zhèn)壬?，或可涂覆在IC芯片封裝3的凹陷部分的開口端面與晶體封裝2的外部底表面兩者上，以堆疊所述封裝且接著進(jìn)行加熱和加壓。根據(jù)實(shí)施例1的此結(jié)構(gòu)，允許了:用于電連接到晶體封裝的外部端子的IC芯片封裝的凹陷部分的小開口端面。這允許第二凹陷部分的擴(kuò)大的面積，而不擴(kuò)大其外部尺寸，因此，允許了:容納具有大尺寸的IC芯片。特別在例如溫度補(bǔ)償式晶體控制振蕩器(Temperature compensated crystal control led oscillator ；TCX0)的高性能晶體控制振蕩器的情況下，與普通晶體控制振蕩器的電路相比，大型(large-scale)電路集成到IC芯片中。因此，可容納高性能且大型的IC芯片，而不擴(kuò)大IC芯片封裝的外部尺寸。在使用尺寸與常規(guī)IC芯片相同的IC芯片的情況下，減小了 IC芯片封裝的外部尺寸。這會(huì)導(dǎo)致整個(gè)晶體控制振蕩器的外部尺寸的減小，以及晶體封裝的外部尺寸的減小。在端子表面上直接涂覆具有焊料顆粒的熱固性樹脂，這允許去除焊料預(yù)涂布工藝。在通過焊料接合而將晶體封裝的外部端子與IC芯片封裝的連接端子連接在一起時(shí)，對(duì)端子的電極表面執(zhí)行預(yù)涂布工藝。此外，同時(shí)執(zhí)行晶體封裝的外部端子與IC芯片封裝的連接端子之間的電連接、和晶體封裝與IC芯片封裝之間的氣密密封。這確保了晶體控制振蕩器的顯著簡(jiǎn)化的制造工藝。實(shí)施例2類似于圖1A，圖2為說明根據(jù)本發(fā)明的壓電模塊應(yīng)用于晶體控制振蕩器的實(shí)施例2的截面圖。根據(jù)實(shí)施例2的晶體封裝2和IC芯片封裝3的整體構(gòu)造大致上類似于實(shí)施例1。除非另外需要，否則去除重復(fù)性解釋。此實(shí)施例與上述實(shí)施例不同之處主要在于:晶體封裝2和IC芯片封裝3的接合結(jié)構(gòu)的外圍。IC芯片封裝3的連接端子36僅需要具有:可從晶體封裝2的晶體單元24接收電壓信號(hào)的功能。只要確保了兩個(gè)端子之間的電連接，就不需要連接端子36的電極面積特別大。晶體封裝2的外部端子27也是如此。晶體封裝2包含第一底部壁層21，所述第一底部壁層21上設(shè)置了外部端子27。第一底部壁層21由陶瓷板制成，且大體上在整個(gè)表面上具有平坦表面。相比于IC芯片封裝3的凹陷部分的開口端面，第一底部壁層21具有足以形成端子的面積。晶體封裝2的外部端子27可具有大的電極面積(大體上，正方形形狀或接近正方形的長(zhǎng)方形形狀)。晶體封裝2的外部端子27以最大距離間隔開，以使得不會(huì)彼此發(fā)生短路。另一方面，IC芯片封裝3的連接端子36是從晶體封裝2的晶體單元24接收輸出電壓。連接端子36可僅需要足以電連接晶體封裝2的外部端子27的尺寸，且可小于外部端子27。此外，連接端子36可不必須為正方形和長(zhǎng)方形。連接端子36可具有除正方形或長(zhǎng)方形之外的形狀，例如，線形形狀、螺旋形形狀、圓形形狀和不規(guī)則形狀。下文將描述的每個(gè)實(shí)施例也是如此。根據(jù)實(shí)施例2，IC芯片封裝3的凹陷部分的開口端面上的連接端子36的寬度是:比晶體封裝2的外部端子27的寬度窄，如圖2的截面圖所說明。即，連接端子36朝向凹陷部分的開口端面的兩個(gè)末端邊緣的內(nèi)部而移位。晶體封裝2的外部端子27面向連接端子36，且包含延伸到晶體封裝2的外部底表面的內(nèi)部的部分。根據(jù)實(shí)施例2，將略過量的具有焊料顆粒的熱固性樹脂4涂覆在IC芯片封裝3的凹陷部分的開口端面上。顯然的，可沿著晶體封裝2的外部端子27涂覆具有焊料顆粒的熱固性樹脂4。對(duì)涂覆了具有焊料顆粒的熱固性樹脂4的兩個(gè)封裝進(jìn)行加熱和加壓。接著，設(shè)置在IC芯片封裝3的凹陷部分的開口端面的連接端子36與晶體封裝2的外部端子27之間的、具有焊料顆粒的熱固性樹脂4中所分散的焊料顆粒，被嚙合在連接端子36與外部端子27之間，因此執(zhí)行了金屬接合。同時(shí)，過量的熔融的具有焊料顆粒的熱固性樹脂4從兩個(gè)端子上的電極表面之間排除，且流動(dòng)并潤(rùn)濕兩個(gè)端子上的電極表面。過量的具有焊料顆粒的熱固性樹脂4的部分硬化。這因此會(huì)連接晶體封裝2的外部底表面和第二框架壁層32的內(nèi)壁，所述第二框架壁層32的內(nèi)壁形成IC芯片封裝3的凹陷部分的開口端面。具有焊料顆粒的熱固性樹脂4熔融，且在除晶體封裝2的外部端子27面向IC芯片封裝3的連接端子36的區(qū)域之外的整個(gè)周邊部分上硬化。因此，晶體封裝2的外部底表面和IC芯片封裝3的凹陷部分的開口端面被密封且接合。因此，即使IC芯片封裝的連接端子與晶體封裝的外部端子相比相對(duì)較小，但使用具有焊料顆粒的熱固性樹脂通過金屬接合來使兩個(gè)端子連接，會(huì)確保將晶體單元的振動(dòng)信號(hào)電壓供應(yīng)到包含IC芯片的振蕩器電路?；蛘?，具有焊料顆粒的熱固性樹脂涂覆在晶體封裝與IC芯片封裝的接合部分的整個(gè)周邊上。接著，對(duì)晶體封裝的外部端子和IC芯片封裝的連接端子加熱和加壓以執(zhí)行金屬接合。同時(shí)，通過使具有焊料顆粒的熱固性樹脂硬化，而緊固地接合兩個(gè)封裝。此實(shí)施例也允許晶體封裝和IC芯片封裝以具有焊料顆粒的熱固性樹脂密封且接合。這會(huì)防止雜質(zhì)粘合到IC芯片，且消除以底填料材料進(jìn)行填充而固定地緊固IC芯片的需要。實(shí)施例3類似于圖2，圖3為說明根據(jù)本發(fā)明的壓電模塊應(yīng)用于晶體控制振蕩器的實(shí)施例3的截面圖。圖3的晶體封裝2和IC芯片封裝3的構(gòu)造大致上類似于實(shí)施例2。除非另外需要，否則去除重復(fù)性解釋。此實(shí)施例與上述實(shí)施例不同之處主要在于:晶體封裝2和IC芯片封裝3的接合結(jié)構(gòu)的外圍。實(shí)施例3包含:類似于實(shí)施例2所述的外部端子27和連接端子36的外部端子27和連接端子36。具有焊料顆粒的熱固性樹脂4用于將晶體封裝2和IC芯片封裝3電接合和機(jī)械接合。具有焊料顆粒的熱固性樹脂4涂覆到容納于第二凹陷部分38中的IC芯片33的外圍(包含IC芯片封裝3的第二凹陷部分38的開口端面)處的間隙、和第二凹陷部分38的內(nèi)部底部的間隙的部分處。具有焊料顆粒的熱固性樹脂4以用于填充在這些區(qū)域與IC芯片33之間的量而涂覆。如上所述，類似于每個(gè)上述實(shí)施例，晶體封裝2以預(yù)定狀態(tài)定位到被涂覆具有焊料顆粒的熱固性樹脂4的IC芯片封裝3上。對(duì)兩個(gè)封裝進(jìn)行加熱和加壓。接著，設(shè)置在IC芯片封裝3的凹陷部分的開口端面上的連接端子36與晶體封裝2的外部端子27之間的焊料顆粒，通過金屬接合而將所述連接端子36與所述外部端子27連接在一起。同時(shí)，通過加熱而熔融的具有焊料顆粒的熱固性樹脂4，在兩個(gè)端子的電極表面上流動(dòng)且潤(rùn)濕所述電極表面。過量的具有焊料顆粒的熱固性樹脂4填充在兩個(gè)端子的電極表面之間到第二框架壁層32的內(nèi)壁，其形成晶體封裝2的外部底表面和IC芯片封裝3的凹陷部分的開口端面。樹脂的部分流動(dòng)到IC芯片33與第二凹陷部分38的內(nèi)部下表面之間，且隨后硬化。因此，具有焊料顆粒的熱固性樹脂4熔融，且在除晶體封裝2的外部端子27面向IC芯片封裝3的連接端子36的區(qū)域之外的整個(gè)周邊部分上硬化。晶體封裝2的外部底表面和IC芯片封裝3的凹陷部分的開口端面被密封且接合。即使IC芯片封裝3的連接端子36極小于晶體封裝2的外部端子27，但只要在兩個(gè)端子之間執(zhí)行以焊料顆粒進(jìn)行的金屬接合，晶體單元24的振動(dòng)信號(hào)電壓就會(huì)一定供應(yīng)到包含IC芯片33的振蕩器電路。此外，具有焊料顆粒的熱固性樹脂4流動(dòng)到晶體封裝2與IC芯片封裝3的接合部分的整個(gè)周邊上，且流動(dòng)到第二凹陷部分38的部分中，且具有焊料顆粒的熱固性樹脂4硬化。接著，對(duì)晶體封裝2的外部端子27和IC芯片封裝3的連接端子36加熱和加壓以執(zhí)行金屬接合和電連接。同時(shí)，兩個(gè)封裝堅(jiān)固地且整體地接合，而不存在間隙。此實(shí)施例也允許以具有焊料顆粒的熱固性樹脂，來堅(jiān)固地接合晶體封裝與IC芯片封裝，而不存在間隙。這會(huì)防止雜質(zhì)侵入且粘合到IC芯片，消除以底填料材料進(jìn)行填充而固定地緊固IC芯片的需要，且簡(jiǎn)化晶體控制振蕩器的制造工藝。實(shí)施例4類似于圖3，圖4為說明根據(jù)本發(fā)明的壓電模塊應(yīng)用于晶體控制振蕩器的實(shí)施例3的截面圖。圖4的晶體封裝2和IC芯片封裝3的構(gòu)造大致上類似于實(shí)施例3。除非另外需要，否則去除重復(fù)性解釋。此實(shí)施例與上述實(shí)施例不同之處主要在于:晶體封裝2和IC芯片封裝3的接合結(jié)構(gòu)的外圍。實(shí)施例4包含:類似于實(shí)施例3所述的外部端子27和連接端子36的外部端子27和連接端子36。涂覆將晶體封裝2和IC芯片封裝3電接合和機(jī)械接合在一起的具有焊料顆粒的熱固性樹脂4，以使得具有焊料顆粒的熱固性樹脂4填充在容納在第二凹陷部分38(其包含IC芯片封裝3的凹陷部分的開口端面)中的整個(gè)IC芯片中。在涂覆具有焊料顆粒的熱固性樹脂4之后，晶體封裝2以預(yù)定狀態(tài)定位到IC芯片封裝3。對(duì)兩個(gè)封裝加熱和加壓。接著，設(shè)置在IC芯片封裝3的凹陷部分的開口端面上的連接端子36與晶體封裝2的外部端子27之間的焊料顆粒，通過金屬接合而接合連接端子36與外部端子27。同時(shí)，通過加熱而熔融的具有焊料顆粒的熱固性樹脂4填充在晶體封裝2與IC芯片封裝3之間，且隨后硬化。具有焊料顆粒的熱固性樹脂4熔融，且在除晶體封裝2的外部端子27面向IC芯片封裝3的連接端子36的區(qū)域之外的整個(gè)周邊部分上硬化。因此，晶體封裝2的外部底表面、和IC芯片封裝3的凹陷部分的開口端面被密封且接合在一起。在此實(shí)施例中，即使IC芯片封裝3的連接端子36極小于晶體封裝2的外部端子27，但只要在兩個(gè)端子之間執(zhí)行以焊料顆粒進(jìn)行的金屬接合，晶體單元24的振動(dòng)信號(hào)電壓就會(huì)一定供應(yīng)到包含IC芯片33的振蕩器電路。此外，具有焊料顆粒的熱固性樹脂4填充到第二凹陷部分38中且隨后硬化。接著，對(duì)晶體封裝的外部端子和IC芯片封裝的連接端子加熱和加壓，以執(zhí)行金屬接合和電連接。同時(shí)，兩個(gè)封裝堅(jiān)固地且整體地接合，而不存在間隙。
此實(shí)施例也允許以具有焊料顆粒的熱固性樹脂，來密封且堅(jiān)固地接合晶體封裝與IC芯片封裝。這會(huì)防止雜質(zhì)侵入且粘合到IC芯片，消除以底填料材料進(jìn)行填充而固定地緊固IC芯片的需要，且簡(jiǎn)化晶體控制振蕩器的制造工藝。在上述實(shí)施例中，多個(gè)陶瓷板被層壓為:構(gòu)成晶體封裝和IC芯片封裝的容器主體的襯底。本發(fā)明不應(yīng)以限制性意義來解釋?？刹捎美缌硪活愃瓢鍫钜r底材料、坯料和玻璃板的絕緣材料。此外，IC芯片封裝和晶體封裝中的兩者或一者可形成為單個(gè)板(singlesheet)。可通過將例如金屬膜的導(dǎo)電材料提供到晶體封裝或構(gòu)成IC芯片封裝的板的容器主體的適當(dāng)部分、并將導(dǎo)電材料連接到接地，而實(shí)現(xiàn)電磁屏蔽效應(yīng)。上述解釋呈現(xiàn)多個(gè)裝置形成在:成為晶體封裝與IC芯片封裝兩者的基底材料的大型陶瓷板上、晶體封裝側(cè)與IC芯片封裝側(cè)接合在一起，且隨后個(gè)別分離的方法。因此，在每個(gè)實(shí)施例中，個(gè)別外側(cè)表面的接合部分成為線性的，如所說明。實(shí)施例5圖5A和圖5B為說明根據(jù)本發(fā)明的壓電模塊應(yīng)用于晶體控制振蕩器的實(shí)施例5的說明圖。圖5A說明截面圖。圖5B為說明在從晶體封裝側(cè)觀看圖5A的IC芯片封裝時(shí)的平面圖。根據(jù)實(shí)施例5的晶體控制振蕩器I包含:晶體封裝2和IC芯片封裝3，IC芯片封裝3為IC芯片襯底。根據(jù)實(shí)施例5的晶體封裝2包含:由通過蝕刻工藝形成的坯料制成的晶體晶片24c、頂側(cè)激勵(lì)電極24a、底側(cè)激勵(lì)電極24b和從這些電極接收振動(dòng)信號(hào)的引出電極24d 及 24e。晶體封裝2包含:具有框架部分22A的框架壁層22 (第一框架壁層)，在框架部分22A上，晶體晶片24c以連接部分9從框架部分22A的內(nèi)部支撐。框架部分22A由在平面圖中具有長(zhǎng)方形形狀的坯料制成。第一框架壁層22夾在類似地以坯料制成的底部壁層21(第一底部壁層)與蓋體23中間。此結(jié)構(gòu)形成容納晶體單元24的空間28 (第一凹陷部分)。第一框架壁層22、第一底部壁層21和蓋體23是以密封材料10 (例如，低熔點(diǎn)玻璃)密封且固定地緊固。對(duì)晶體封裝2的容器主體的第一底部壁層21的外部底表面29 (其面向IC芯片封裝3)執(zhí)行表面處理。此表面處理形成大量微小不均勻性或大量微孔29a。對(duì)外部底表面29的整個(gè)區(qū)域、或面向IC芯片封裝3的開口端面的周圍部分執(zhí)行表面處理。在IC芯片封裝3以具有焊料顆粒的熱固性樹脂接合到晶體封裝2的情況下，熔融的樹脂通過:在除外部底表面29上的外部端子形成部分的區(qū)域之外的晶體封裝的外部底表面29上所形成的微小不均勻性29a，且隨后硬化。構(gòu)成IC芯片封裝3的開口端面的框架壁層是由陶瓷板制成，且不規(guī)則不均勻性和微孔存在于:除連接電極部分之外的表面上。熔融的樹脂通過:構(gòu)成IC芯片封裝3的開口端面的框架壁層之間的不規(guī)則不均勻性和微孔，且隨后硬化。因此，在晶體封裝2的容器主體由坯料制成的情況下，微小不均勻性形成在其外部底壁上，且熔融的樹脂通過所述微小不均勻性且隨后硬化。這會(huì)產(chǎn)生錨固效應(yīng)(anchoreffeet)，從而以具有焊料顆粒的熱固性樹脂堅(jiān)固地接合兩個(gè)封裝。代替上述的具有焊料顆粒的熱固性樹脂，各向異性導(dǎo)電層(anisotropicconductive layer)可用于將IC芯片封裝3與晶體封裝2接合在一起。各向異性導(dǎo)電層的使用效果類似于具有焊料顆粒的熱固性樹脂的使用效果，不同之處在于:夕卜部端子與連接端子之間的連接形成(connection formation)。即使晶體封裝的容器主體由玻璃材料制成，但晶體控制振蕩器可由類似于此實(shí)施例的接合結(jié)構(gòu)構(gòu)成。引出電極24d及引出電極24e在晶體晶片24c的正面和背面處形成。引出電極24d及引出電極24e經(jīng)由連接電極11而延伸到第一底部壁層21的下表面(面向IC芯片封裝3的表面)，連接電極11處在第一框架壁層22的底表面(面向IC芯片襯底的表面)上。這會(huì)形成外部端子37，且外部端子27以具有焊料顆粒的熱固性樹脂4而固定地緊固到IC芯片封裝3的連接端子36。外部端子27和連接端子36通過以嚙合在兩個(gè)端子之間的焊料顆粒4a進(jìn)行金屬接合來固定地緊固。容納IC芯片33的IC芯片封裝3采用層壓襯底，其由底部壁層(IC芯片封裝3的底部壁層，第二底部壁層31)和框架壁層(IC芯片封裝3的框架壁層，第二框架壁層32)形成，底部壁層和框架壁層是由陶瓷板制成。多層板可形成第二底部壁層31和第二框架壁層32中的一個(gè)或另一個(gè)。第二底部壁層31和第二框架壁層32可由類似于晶體封裝的坯料或玻璃板制成。圖5A說明在第二底部壁層31以雙層陶瓷板形成、且變?yōu)槠帘坞姌O的金屬膜12形成于兩層之間的情況下的實(shí)例。IC芯片封裝3包含一個(gè)主表面(IC芯片安裝表面)，其為:由IC芯片封裝3的第二框架壁層32圍繞的IC芯片封裝3的凹陷部分38 (第二凹陷部分)的內(nèi)部底表面。所述一個(gè)主表面包含接線圖案和多個(gè)電極墊35。第二框架壁層32在開口端面上包含:被連接到晶體封裝2的外部端子27的連接端子36。IC芯片封裝3包含另一主表面(第二底部壁層31的外部底表面，目標(biāo)設(shè)備安裝表面)，所述另一主表面上設(shè)置了多個(gè)安裝端子37 (在此實(shí)例中為四個(gè))，用以表面安裝將應(yīng)用的電子設(shè)備的電路板。IC芯片33通過超聲波熱壓接合或類似方法經(jīng)由其安裝凸點(diǎn)34 (例如，焊料凸點(diǎn)或金凸點(diǎn))，而固定地緊固到第二框架壁層32的一個(gè)主表面(內(nèi)部底表面)上的電極墊35。圖5B為在從晶體封裝2側(cè)觀看IC芯片封裝3時(shí)的平面圖。IC芯片33容納在第二凹陷部分28中。第二容器是由構(gòu)成IC芯片封裝3的第二底部壁層31和第二框架壁層32形成。第二容器包含:處在第二凹陷部分38的開口端面(面向晶體封裝2的外部端子27的第二框架壁層32的表面)上的多個(gè)連接端子36。連接端子36面向晶體封裝2的外部端子27、且電連接到晶體封裝2的外部端子27。連接端子36經(jīng)由適當(dāng)通孔或通路孔30 (其設(shè)置在第二容器中)和接線(未圖示，其圖案化在第二凹陷部分38的第二底部壁層31的內(nèi)部底表面中)，而連接到IC芯片33的預(yù)定電路端子。晶體封裝2的晶體單元24的振動(dòng)信號(hào)經(jīng)由外部端子27、連接電極11和連接端子36而連接到振蕩器電路。振蕩器電路集成到容納在IC芯片封裝3中的IC芯片33中。實(shí)施例6圖6A和圖6B為說明根據(jù)本發(fā)明的壓電模塊應(yīng)用于晶體控制振蕩器的實(shí)施例6的說明圖。圖6A說明截面圖。圖6B為說明在從晶體封裝側(cè)觀看圖6A的IC芯片封裝時(shí)的平面圖。根據(jù)實(shí)施例6的晶體控制振蕩器I包含:晶體封裝2(其包含晶體單元24)和IC芯片封裝3 (其為襯底且容納IC芯片33)。晶體封裝2包含容器主體20，其由第一底部壁層21和第一框架壁層22形成。容器主體20包含:由第一框架壁層22圍繞的第一凹陷部分28且容納晶體單元24。在此實(shí)施例中，晶體單元24在其晶體薄片的正表面與背表面兩者上包含激勵(lì)電極(未圖示)。從相應(yīng)激勵(lì)電極延伸到一個(gè)末端邊緣的引出電極(類似地，未圖示)是，以導(dǎo)電粘合劑25固定地緊固到一對(duì)晶體保持端子26。所述一對(duì)晶體保持端子26設(shè)置在第一凹陷部分28的內(nèi)部底表面(一個(gè)主表面)上。容納晶體單元24的第一凹陷部分28是由金屬板所形成的蓋體23而氣密地密封，因此形成晶體封裝2。蓋體23也可采用陶瓷襯底、坯料和硬樹脂板或類似板。為將金屬板用作蓋體，蓋體23和第一框架壁層22經(jīng)由類似于蓋體23的金屬薄膜通過縫焊或類似方法而密封。第一底部壁層21具有外部底表面(另一主表面)，所述外部底表面上設(shè)置于了用于連接容納IC芯片33的IC芯片封裝3的端子27 (外部端子)。外部端子27經(jīng)由通孔或通路孔30而連接到晶體保持端子26。第一底部壁層21和第一框架壁層22中的一者或兩者可為多層襯底。此外，電磁屏蔽膜(或電極)可形成在適當(dāng)表面層上、或形成在晶體封裝2與IC芯片封裝3之間所設(shè)置的層之間。容納IC芯片33的IC芯片封裝3包含由陶瓷基底制成的第二底部壁層31和第二框架壁層32。在此實(shí)例中，第二底部壁層31為單層襯底，然而，也可采用多層襯底。此外，電磁屏蔽膜(或電極)可形成在適當(dāng)表面層上、或形成在IC芯片封裝3與IC芯片33之間所設(shè)置的層之間。IC芯片封裝3的一個(gè)主表面(IC芯片安裝表面，其為第二凹陷部分38的內(nèi)部底表面)包含多個(gè)接線圖案和電極墊35。多個(gè)連接端子36形成在第二凹陷部分38的開口端面的兩個(gè)末端邊緣上。多個(gè)連接端子36經(jīng)設(shè)置以經(jīng)由外部端子27而連接晶體封裝2。IC芯片封裝3的另一主表面(安裝表面)具有多個(gè)安裝端子37，以安裝在將應(yīng)用的電子設(shè)備上。在此實(shí)施例中，安裝端子37設(shè)置在第二凹陷部分38的開口端面的相應(yīng)四個(gè)角落上。IC芯片封裝3在面向晶體封裝2的部分中、于第二凹陷部分38的開口端面上包含各向異性導(dǎo)電層8。各向異性導(dǎo)電層8設(shè)置在:包含相應(yīng)四個(gè)角落處所設(shè)置的連接端子36的頂表面的整個(gè)周邊上。圖6B說明各向異性導(dǎo)電層8以比IC芯片封裝3的連接端子36的寬度窄的寬度圍繞，以展示與連接端子36的位置關(guān)系。然而，優(yōu)選的是，各向異性導(dǎo)電層8經(jīng)形成以使得第二凹陷部分38的開口端面的寬度的所有區(qū)域被覆蓋，以增大接合面積。在晶體封裝2和IC芯片封裝3的接合中，首先，膜狀各向異性導(dǎo)電層8附著到IC芯片封裝3的開口端面。各向異性導(dǎo)電材料可成型為膜以形成將附著的各向異性導(dǎo)電層8、被沖壓為框架形狀、且附著到開口端面。為了節(jié)省成本，優(yōu)選的是，帶狀或長(zhǎng)方形形狀的各向異性導(dǎo)電層8依序附著到開口端面。各向異性導(dǎo)電層8可設(shè)置在晶體封裝2的外部端子27側(cè)處。以下方法適用作形成各向異性導(dǎo)電層8的替代方法:通過絲網(wǎng)印刷來涂覆膏狀各向異性導(dǎo)電層材料的方法；以分配器來繪畫且涂覆相同膏狀各向異性導(dǎo)電層材料的方法；以及通過噴墨來涂覆的方法。晶體封裝2的第一底部壁層21的外表面附著到設(shè)置了各向異性導(dǎo)電層的IC芯片封裝3的開口端面，且隨后加壓。這允許分散在各向異性導(dǎo)電層8中的導(dǎo)電填料在按壓力方向上互相接觸，以便在外部端子27與連接端子36之間形成電橋，且將外部端子27與連接端子36電連接在一起。在此狀態(tài)中，外部端子27和連接端子36通過經(jīng)過加熱爐或放置在熱板上而加熱。接著，各向異性導(dǎo)電層8的樹脂熔融且隨后硬化。這會(huì)在IC芯片封裝3的開口端面的整個(gè)周邊上將晶體封裝2與IC芯片封裝3接合在一起，同時(shí)外部端子27與連接端子36電連接。接著，對(duì)容納IC芯片33的第二凹陷部分38進(jìn)行密封。
實(shí)施例6允許在尺寸與晶體封裝相同的IC芯片封裝中，容納大于常規(guī)IC芯片的IC芯片。晶體封裝的外部底表面以各向異性導(dǎo)電層是，在兩個(gè)端子處電接合到IC芯片封裝的第二凹陷部分的開口端面。IC芯片封裝的第二凹陷部分的開口端面的整個(gè)周邊是，以各向異性導(dǎo)電層固定地緊固到晶體單元的外部底表面。此外，晶體封裝與IC芯片封裝電連接，且機(jī)械地且堅(jiān)固地接合在IC芯片封裝的第二凹陷部分的開口端面的整個(gè)周邊上。接著，密封所容納的IC芯片。這會(huì)防止外部大氣進(jìn)入，且還防止灰塵和濕氣的侵入，并提高晶體控制振蕩器的操作的可靠性。實(shí)施例7圖7A和圖7B為說明根據(jù)本發(fā)明的壓電模塊應(yīng)用于晶體控制振蕩器的實(shí)施例7的說明圖。圖7A說明截面圖。圖7B為說明在從晶體封裝側(cè)觀看圖7A的IC芯片封裝時(shí)的平面圖。實(shí)施例7與實(shí)施例6的不同之處在于:IC芯片封裝3的IC芯片的安裝結(jié)構(gòu)。實(shí)施例7在其它方面大致上類似于實(shí)施例6。在根據(jù)實(shí)施例7的IC芯片封裝3中，容納在第二凹陷部分38中的IC芯片33通過如圖7B說明的導(dǎo)電接合方法，而連接到電路端子52。以這種方法，晶粒墊50 (die pad)以接合導(dǎo)線53，而連接到IC芯片封裝3的第二凹陷部分38的內(nèi)部底表面上的電路端子52。類似于實(shí)施例6，膜狀各向異性導(dǎo)電層8附著到IC芯片封裝3的開口端面。待附著的各向異性導(dǎo)電層8可沖壓為框架形狀、且附著到開口端面。為了節(jié)省成本，優(yōu)選的是，帶狀或長(zhǎng)方形形狀的各向異性導(dǎo)電層8依序附著到開口端面。各向異性導(dǎo)電層8可設(shè)置在晶體封裝2的外部端子27側(cè)上。以下方法適用作形成各向異性導(dǎo)電層8的替代方法:通過絲網(wǎng)印刷來涂覆膏狀各向異性導(dǎo)電層材料的方法；以分配器來繪畫且涂覆相同膏狀各向異性導(dǎo)電層材料的方法；以及通過噴墨來涂覆的方法。IC芯片33以粘合劑39固定地緊固到第二凹陷部分38的內(nèi)部底表面。或者，IC芯片33優(yōu)選如下而緊固地固定。整個(gè)IC芯片33以密封樹脂39a(底填料)模制在第二凹陷部分38中，所述密封樹脂39a將環(huán)氧樹脂用作基底劑(base agent)且優(yōu)選為液體可固化樹脂。粘合劑39和密封樹脂39a可由相同材料制成。將氧化硅或類似者添加到密封樹脂39a或類似者，會(huì)限制熱變形。在實(shí)施例7中，晶體封裝2的第一底部壁層21的外表面被附著到形成了各向異性導(dǎo)電層的IC芯片封裝3的開口端面，且兩個(gè)封裝類似于實(shí)施例6受到加壓。這允許分散在各向異性導(dǎo)電層8中的導(dǎo)電顆粒在按壓力方向上互相接觸，以便在外部端子27與連接端子36之間形成電橋，且將外部端子27與連接端子36電連接在一起。在此狀態(tài)中，外部端子27和連接端子36通過經(jīng)過加熱爐或放置在熱板上而加熱。接著，各向異性導(dǎo)電層8的樹脂熔融且隨后硬化。接著，晶體封裝2和IC芯片封裝3固定地緊固，同時(shí)外部端子27與連接端子36電連接。實(shí)施例7允許在尺寸與晶體封裝相同的IC芯片封裝中，容納大于常規(guī)IC芯片的IC芯片。晶體封裝以各向異性導(dǎo)電層是，在兩個(gè)端子處電接合到IC芯片封裝的第二凹陷部分的開口端面。此外，IC芯片封裝的第二凹陷部分的開口端面的整個(gè)周邊是，通過使構(gòu)成各向異性導(dǎo)電層的樹脂硬化而固定地緊固。因此，晶體封裝電連接到IC芯片封裝，且兩個(gè)封裝機(jī)械地且堅(jiān)固地連接在一起。此外，密封所容納的IC芯片。這會(huì)防止外部大氣進(jìn)入，且還提高晶體控制振蕩器的操作的可靠性。
實(shí)施例8圖8為說明根據(jù)本發(fā)明的壓電模塊應(yīng)用于晶體控制振蕩器的實(shí)施例8的結(jié)構(gòu)的示意性截面圖。在實(shí)施例8中，晶體封裝2包含:具有外表面的第一底部壁層21和另外的框架壁層，所述另外的框架壁層為第一額外框架壁層22a(first addition frame wall layer)。這些形成了第二額外凹陷部分38a，其形成IC芯片33的容納空間。外部端子21形成在第二額外凹陷部分38a的開口端面上。IC芯片33容納在IC芯片封裝3中。IC芯片33將其安裝凸點(diǎn)34連接到設(shè)置在IC芯片封裝3的一個(gè)主表面(面向晶體封裝2的表面)上的電極墊35。將IC芯片封裝3接合到晶體封裝2允許在第二額外凹陷部分38a中容納IC芯片33。連接端子36形成在IC芯片封裝3的四個(gè)角落處，且面向形成晶體封裝2的第二額外凹陷部分38a的開口端面。類似于實(shí)施例6和實(shí)施例7，各向異性導(dǎo)電層8經(jīng)設(shè)置以覆蓋連接端子36。各向異性導(dǎo)電層8可設(shè)置在晶體封裝2的外部端子27側(cè)上。IC芯片33可由粘合劑39而被固定地緊固到IC芯片封裝3的內(nèi)部底表面。IC芯片封裝3的連接端子36 (其上設(shè)置了各向異性導(dǎo)電層8)被附著到晶體封裝2的第二額外凹陷部分38a的開口端面且被加壓。這允許分散在各向異性導(dǎo)電層8中的導(dǎo)電顆粒在按壓力方向上互相接觸，以便在外部端子27與連接端子36之間形成電橋，且將外部端子27與連接端子36電連接在一起。在此狀態(tài)中，外部端子27和連接端子36通過經(jīng)過加熱爐或放置在熱板上而加熱。接著，各向異性導(dǎo)電層8的樹脂熔融且隨后硬化。晶體封裝2和IC芯片封裝3堅(jiān)固地緊固，同時(shí)外部端子27與連接端子36電連接在一起。實(shí)施例8允許在尺寸與晶體封裝相同的IC芯片封裝中，容納大于常規(guī)IC芯片的IC芯片且集成所述封裝。晶體封裝和芯片封裝的端子以各向異性導(dǎo)電層電接合。此外，形成在第一額外框架壁層22a上的第二額外凹陷部分38a的開口端面的整個(gè)周邊是，以各向異性導(dǎo)電層固定地緊固到IC芯片封裝3。因此，晶體封裝電性地、機(jī)械地且堅(jiān)固地固定到IC芯片封裝。此外，密封容納在IC芯片封裝中的IC芯片。這會(huì)防止外部大氣進(jìn)入，且還防止?jié)駳夂突覊m的侵入，并提高晶體控制振蕩器的可靠性。在實(shí)施例6和實(shí)施例8中，IC芯片33通過超聲波熱壓接合或類似方法經(jīng)由其安裝凸點(diǎn)34(例如，金凸點(diǎn))而固定地緊固到電極墊35。在實(shí)施例7中，IC芯片33通過導(dǎo)線接合而安裝在IC芯片封裝3上。然而，顯然地，根據(jù)本發(fā)明，其它已知安裝方法適用作將IC芯片33安裝到IC芯片封裝3的方法。根據(jù)本發(fā)明的晶體控制振蕩器的具體實(shí)例，將在下文參考圖9A至圖21描述為實(shí)施例9到實(shí)施例13。圖22A至圖22E說明示范性制造工藝。其它具體實(shí)例將在下文參考圖23A至圖35描述為實(shí)施例14到實(shí)施例18。圖36A至圖36D說明示范性制造工藝。實(shí)施例9圖9A至圖9C為根據(jù)本發(fā)明的說明實(shí)施例9的晶體控制振蕩器的外視圖。圖9A說明頂表面(平坦表面)。圖9B說明在較長(zhǎng)側(cè)方向上的側(cè)表面。圖9C說明在較短側(cè)方向上的側(cè)表面。根據(jù)此實(shí)施例的晶體控制振蕩器I大體上稱為“1612尺寸TCX0”，且為IC芯片封裝3接合到晶體封裝2的晶體控制振蕩器。此整個(gè)晶體控制振蕩器I以切割空間(dicingspace)的面積比晶體封裝2稍大，但仍為接合平面圖尺寸大致上等于晶體封裝2的IC芯片封裝3的低輪廓的產(chǎn)品。作為接合了 IC芯片封裝3的晶體控制振蕩器I的產(chǎn)品，IC芯片封裝3在較長(zhǎng)側(cè)方向上的尺寸為1.6毫米，且在較短側(cè)方向上的尺寸為1.2毫米。此晶體控制振蕩器I包含:以具有焊料顆粒的熱固性樹脂4在垂直方向上以雙層接合的晶體封裝2和IC芯片封裝3，因此，形成了集成電路組件。晶體封裝2可采用圖1至圖8所說明的晶體封裝中的任一者。此處，采用圖5A的晶體封裝2。圖10為說明圖9A至圖9C的晶體控制振蕩器I的底表面(外表面，將應(yīng)用的設(shè)備的安裝表面)的視圖。四個(gè)表面安裝型安裝端子37設(shè)置在底表面上。如圖10所說明，這些端子充當(dāng)接地端子(GND)、輸出端子(OUTPUT)、電源端子(Vcc)和E/D端子(啟用/停用)或AFC端子。圖1lA和圖1lB為圖9A至圖9C所說明的晶體控制振蕩器I的IC芯片封裝的IC芯片容納部分的說明圖。圖1lA說明從晶體封裝側(cè)觀看的平面圖。圖1lB為沿著圖1lA的線XIB-XIB截取的截面圖。圖1lB所說明的IC芯片33通過:將IC芯片的凸點(diǎn)(未圖示)連接到設(shè)置在IC芯片封裝3的第二凹陷部分38的內(nèi)部底部的接線圖案處的電極墊35，來進(jìn)行安裝。IC芯片33可通過導(dǎo)線接合來安裝。圖1lA中形成長(zhǎng)方形形狀的虛線為指示:待接合晶體封裝2的位置的假想線。IC芯片封裝3的外部尺寸僅稍大。實(shí)施例10圖12A至圖12C為說明根據(jù)本發(fā)明的壓電模塊應(yīng)用于晶體控制振蕩器的實(shí)施例10的晶體控制振蕩器的外視圖。圖12A說明頂表面(平坦表面)。圖12B說明在較長(zhǎng)側(cè)方向上的側(cè)表面。圖12C說明在較短側(cè)方向上的側(cè)表面。根據(jù)此實(shí)施例的晶體控制振蕩器I大體上稱為“2016尺寸TCX0”，且包含:尺寸與用于接合了 IC芯片封裝3的上述“1612尺寸TCX0”的晶體封裝2相同的晶體封裝2。此IC芯片封裝3比晶體封裝2稍大。晶體控制振蕩器I在較長(zhǎng)側(cè)方向上的尺寸為2.0毫米，且在較短側(cè)方向上的尺寸為1.6毫米。提供了充足的切割空間尺寸。類似于上述晶體控制振蕩器，此晶體控制振蕩器I包含:以具有焊料顆粒的熱固性樹脂4在垂直方向上以雙層接合的晶體封裝2和IC芯片封裝3，因此，形成了集成電路組件。圖13為說明圖12A至圖12C所說明的晶體控制振蕩器I的底表面(外表面，將應(yīng)用的設(shè)備的安裝表面)的視圖。四個(gè)表面安裝型安裝端子37設(shè)置在底表面上。如圖13所說明，這些端子充當(dāng)接地端子(GND)、輸出端子(OUTPUT)、電源端子(Vcc)和E/D端子(啟用/停用)或AFC端子。圖14A和圖14B為圖12A至圖12C所說明的晶體控制振蕩器I的IC芯片封裝的IC芯片容納部分的說明圖。圖14A說明從晶體封裝側(cè)觀看的平面圖。圖14B為沿著圖14A的線XIVB-XIVB截取的截面圖。IC芯片33通過:將IC芯片的凸點(diǎn)(未圖示)連接到設(shè)置在IC芯片封裝3的第二凹陷部分38的內(nèi)部底部的接線圖案處的電極墊35，來進(jìn)行安裝。IC芯片33可通過導(dǎo)線接合來安裝。圖14A中形成長(zhǎng)方形形狀的虛線為指示:待接合晶體封裝2的位置的假想線。實(shí)施例11圖15A至圖15C為根據(jù)本發(fā)明的說明實(shí)施例11的晶體控制振蕩器的外視圖。圖15A說明頂表面(平坦表面)。圖15B說明在較長(zhǎng)側(cè)方向上的側(cè)表面。圖15C說明在較短側(cè)方向上的側(cè)表面。根據(jù)此實(shí)施例的晶體控制振蕩器I大體上稱為“3215尺寸TCX0”，且包含:接合到IC芯片封裝3的晶體封裝2,所述晶體封裝2容納音叉型晶體單元(tuning-forktypecrystal unit)。晶體封裝2的容器主體由陶瓷板制成。然而，這不應(yīng)以限制性意義來解釋?？墒褂美缗髁虾筒ＡО宓慕^緣材料。晶體控制振蕩器I在較長(zhǎng)側(cè)方向上的尺寸為3.2毫米，且在較短側(cè)方向上的尺寸為1.5毫米。在此實(shí)施例中，IC芯片封裝3以切割空間的面積比晶體封裝2稍大?？刹捎昧硪淮笮虸C芯片封裝3。類似于上述晶體控制振蕩器，此晶體控制振蕩器I包含:以具有焊料顆粒的熱固性樹脂4在垂直方向上以雙層接合的晶體封裝2和IC芯片封裝3，因此，形成了集成電路組件。圖16為說明圖15A至圖15C的晶體控制振蕩器I的底表面(外表面，將應(yīng)用的設(shè)備的安裝表面)的視圖。四個(gè)表面安裝型安裝端子37設(shè)置在底表面上。如圖16所說明，這些端子充當(dāng)接地端子(GND)、輸出端子(OUTPUT)、電源或接地端子(Vcc或GND)和電源端子(Vcc)。圖17A和圖17B為圖15A至圖15C所說明的晶體控制振蕩器I的IC芯片封裝的IC芯片容納部分的說明圖。圖17A說明從晶體封裝側(cè)觀看的平面圖。圖17B為沿著圖17A的線XVIIB-XVIIB截取的截面圖。IC芯片33通過:將IC芯片的凸點(diǎn)(未圖示)連接到設(shè)置在IC芯片封裝3的第二凹陷部分38的內(nèi)部底部的接線圖案處的電極墊35，來進(jìn)行安裝。IC芯片33可通過導(dǎo)線接合來安裝。圖17A中形成長(zhǎng)方形形狀的虛線為指示:待接合晶體封裝2的位置的假想線。實(shí)施例12圖18A至圖18C為說明根據(jù)本發(fā)明的壓電模塊應(yīng)用于晶體控制振蕩器的實(shí)施例12的、具有溫度傳感器的晶體單元的外視圖。圖18A說明頂表面(平坦表面)。圖18B說明在較長(zhǎng)側(cè)方向上的側(cè)表面。圖18C說明在較短側(cè)方向上的側(cè)表面。根據(jù)此實(shí)施例的晶體單元大體上稱為“1612尺寸的具有溫度傳感器的晶體單元”，其嵌入了例如熱敏電阻的溫度傳感器。所述晶體單元大體上用作用于移動(dòng)電話的TCXO的替代。此具有溫度傳感器的晶體單元IA也是通過將IC芯片封裝3接合到晶體封裝2而構(gòu)成。IC芯片封裝3僅包含熱敏電阻或二極管。熱敏電阻或二極管可用作:用于構(gòu)成將應(yīng)用的電子設(shè)備側(cè)上的任何電路的元件。如上所述，為了便于解釋，IC芯片封裝3包含安裝了除IC之外的元件的IC芯片封裝。類似于圖9A至圖9C所說明的晶體控制振蕩器1，此整個(gè)具有溫度傳感器的晶體單元IA以切割空間的面積比晶體封裝2稍大，但仍為接合平面圖尺寸大致上等于晶體封裝2的IC芯片封裝3的低輪廓的產(chǎn)品。作為接合了 IC芯片封裝3的晶體控制振蕩器I的產(chǎn)品，IC芯片封裝3在較長(zhǎng)側(cè)方向上的尺寸為1.6毫米，且在較短側(cè)方向上的尺寸為1.2毫米。此具有溫度傳感器的晶體單元IA包含:以具有焊料顆粒的熱固性樹脂4在垂直方向上以雙層接合的晶體封裝2和IC芯片封裝3，因此，形成了集成電路組件。晶體封裝2可采用圖1至圖8所說明的晶體封裝中的任一者。此處，采用圖5A的晶體封裝2。作為溫度傳感器，例如，二極管與熱敏電阻一樣適用。圖19為說明圖18A至圖18C的具有溫度傳感器的晶體單元IA的底表面(外表面，將應(yīng)用的設(shè)備的安裝表面)的視圖。四個(gè)表面安裝型安裝端子37設(shè)置在底表面上。如圖19所說明，這些端子充當(dāng)具有溫度傳感器的晶體單元IA的輸出端子(Xtal OUT)、熱敏電阻或二極管的輸出端子(S/D OUT)、具有溫度傳感器的晶體單元IA的輸入端子(Xtal IN)和熱敏電阻或二極管的輸入端子(S/D IN)。圖20A至圖20C為圖18A至圖18C的具有溫度傳感器的晶體單元IA的IC芯片封裝的熱敏電阻或二極管的安裝部分的說明圖。圖20A說明從晶體封裝側(cè)觀看的平面圖。圖20B為沿著圖20A的線XXB-XXB截取且說明第二凹陷部分38上的熱敏電阻7的示范性安裝的截面圖。圖20C說明第二凹陷部分38上的二極管17的示范性安裝。熱敏電阻7或二極管17使用其溫度特性，且連接到設(shè)置在IC芯片封裝3的第二凹陷部分38的內(nèi)部底部上的接線圖案處的電極墊35以進(jìn)行安裝。圖20A中形成長(zhǎng)方形形狀的虛線為指示:待接合晶體封裝2的位置的假想線。IC芯片封裝3的外部尺寸比晶體封裝2的尺寸稍大。接著，將作為一個(gè)實(shí)施例(實(shí)施例13)來關(guān)于使用圖5A所說明的晶體封裝的圖9A至圖9C的晶體控制振蕩器，而描述根據(jù)本發(fā)明的壓電模塊的一種示范性制造方法。也可通過類似工藝來制造另一類型的使用晶體封裝和IC芯片封裝的晶體控制振蕩器。實(shí)施例13圖21為圖9A至圖9C所說明的晶體控制振蕩器的主要部分的截面圖。所述晶體控制振蕩器為本發(fā)明的一種示范性制造方法的目標(biāo)。此晶體控制振蕩器I包含:容納IC芯片33的IC芯片封裝3的第二凹陷部分38 (上述實(shí)施例的第二凹陷部分)。具有焊料顆粒的熱固性樹脂4涂覆在第二凹陷部分38的開口端面的整個(gè)周邊上。因此，IC芯片封裝3和晶體封裝2通過接合而集成，以使得開口由晶體封裝2的底表面覆蓋。圖22A至圖22E為說明晶體控制振蕩器的一種示范性制造方法的、根據(jù)本發(fā)明的晶體控制振蕩器的主要部分的制造工藝圖。在此制造方法中，通過執(zhí)行下文在圖22A至圖22E中遵循箭頭而描述的步驟來制造預(yù)定結(jié)構(gòu)的晶體控制振蕩器。下文描述每個(gè)步驟?？蓞⒖济總€(gè)上述實(shí)施例，來理解圖22A至圖22E的每個(gè)組件構(gòu)件。步驟A:制備由陶瓷板制成的母板3A，其中制造了大量IC芯片封裝。在接合個(gè)別晶體封裝之后，通過切割，將母板3A分離為個(gè)別晶體控制振蕩器。母板3A的底部壁層是由兩個(gè)層壓陶瓷板構(gòu)成。在內(nèi)層上形成充當(dāng)屏蔽層的金屬膜12 (屏蔽電極)，以覆蓋IC芯片33的容納區(qū)域。由框架壁層形成的第二凹陷部分38容納IC芯片33。在第二凹陷部分38的開口端面(構(gòu)成第二凹陷部分38的側(cè)壁層的頂表面)上形成連接端子36。步驟B:在第二凹陷部分38的開口端面(構(gòu)成第二凹陷部分38的側(cè)壁層的頂表面)上，形成一層具有焊料顆粒的熱固性樹脂4。在包含連接端子36的開口端面的整個(gè)周邊上，形成具有焊料顆粒的熱固性樹脂4(箭頭C)。為了形成具有焊料顆粒的熱固性樹脂4，以微量漿料進(jìn)行的已知圖案形成方法(例如，分配器涂覆、絲網(wǎng)印刷和噴墨涂布)是適用的。步驟C:將個(gè)別晶體封裝2 (在個(gè)別地分離晶體控制振蕩器晶體之前，稱為個(gè)別晶體封裝片)放置到、形成了具有焊料顆粒的熱固性樹脂4的個(gè)別第二凹陷部分38的每個(gè)開口端面。在此狀態(tài)中，對(duì)個(gè)別晶體封裝片和母板3A執(zhí)行加壓(箭頭P)和加熱(箭頭H)工藝。此時(shí)，具有焊料顆粒的熱固性樹脂4的焊料顆粒熔融、擴(kuò)散且潤(rùn)濕個(gè)別晶體封裝片的外部端子27和設(shè)置在母板3A的個(gè)別IC芯片封裝處的連接端子36。因此，具有焊料顆粒的熱固性樹脂4的熱固性樹脂也熔融。熔融的樹脂填充在包含連接端子36的開口端面(其面向個(gè)別晶體封裝片且設(shè)置在母板3A的個(gè)別IC芯片封裝上)的整個(gè)周邊與個(gè)別IC芯片封裝的外部端子27之間。步驟D:熔融的焊料顆粒在個(gè)別晶體封裝片的外部端子27、與母板3A的連接端子36之間充分?jǐn)U散且潤(rùn)濕。在熔融的樹脂充分填充在母板3A的開口端面與個(gè)別晶體封裝片之間所花費(fèi)的預(yù)定時(shí)間逝去之后，暫停加熱工藝，以去除熱量。接著，熔融的焊料凝固且通過金屬接合，而將晶體封裝2的外部端子與母板3A的連接端子接合在一起。熱固性樹脂在母板3A的開口端面與晶體封裝之間硬化。每個(gè)個(gè)別晶體封裝片電連接到母板3A，并機(jī)械地且堅(jiān)固地接合到母板3A。步驟E:在個(gè)別晶體封裝片的邊界處，切割接合了每個(gè)個(gè)別晶體封裝片的母板3A。這會(huì)獲得個(gè)別晶體控制振蕩器I (圖21)，所述個(gè)別晶體控制振蕩器I包含接合到晶體封裝2的IC芯片封裝3。在上述步驟中制造了圖21所說明的晶體控制振蕩器I。將進(jìn)一步描述晶體封裝2和IC芯片封裝3的接合結(jié)構(gòu)。與圖5A中說明的細(xì)節(jié)一樣，構(gòu)成圖21所說明的晶體控制振蕩器的晶體封裝2是由:都以坯料制成的第一底部壁層21、第一框架壁層22和蓋體23形成。另一方面，IC芯片封裝3由層壓陶瓷板形成。具有焊料顆粒的熱固性樹脂4中所包含的熱固性樹脂含有環(huán)氧樹脂作為基底劑。一般來說，接合表面的表面積越大，接合越堅(jiān)固。在本發(fā)明中，如圖5A所述，對(duì)于面向IC芯片封裝3的晶體封裝2的容器主體的第一底部壁層21的外部底表面29，執(zhí)行形成大量微小不均勻性29a的表面處理。對(duì)除外部端子27之外的外部底表面29的整個(gè)區(qū)域、或在面向IC芯片封裝3的開口端面的周圍部分處，執(zhí)行此表面處理。在IC芯片封裝3以具有焊料顆粒的熱固性樹脂接合到晶體封裝2的情況下，熔融的焊料和熔融的樹脂通過:在除外部端子形成部分之外的晶體封裝2的外部底表面29上形成的微小不均勻性29a，且隨后硬化。這會(huì)產(chǎn)生錨固效應(yīng)(在樹脂由錨緊固的狀態(tài)中)，因此，以具有焊料顆粒的熱固性樹脂堅(jiān)固地接合兩個(gè)封裝。各向異性導(dǎo)電層可代替具有焊料顆粒的熱固性樹脂。效果的不同之處在于:外部端子與連接端子之間的連接形成，但在其它方面類似于使用具有焊料顆粒的熱固性樹脂進(jìn)行的接合。如上所述，在晶體封裝的容器主體由玻璃材料制成的狀況下，晶體控制振蕩器可由類似于此實(shí)施例的接合結(jié)構(gòu)構(gòu)成。實(shí)施例14圖23A至圖23C為說明根據(jù)本發(fā)明的壓電模塊應(yīng)用于晶體控制振蕩器的實(shí)施例14的晶體控制振蕩器的外視圖。圖23A說明頂表面(平坦表面)。圖23B說明在較長(zhǎng)側(cè)方向上的側(cè)表面。圖23C說明在較短側(cè)方向上的側(cè)表面。類似于上述具體實(shí)例，根據(jù)此實(shí)施例的晶體控制振蕩器I大體上稱為“1612尺寸TCX0”，且為IC芯片封裝3接合到晶體封裝2的晶體控制振蕩器。此晶體控制振蕩器I為:將晶體封裝2接合到平面圖尺寸大致上等于晶體封裝2的平面圖尺寸的IC芯片封裝3的低輪廓的產(chǎn)品。作為接合了 IC芯片封裝3的晶體控制振蕩器I的產(chǎn)品，晶體控制振蕩器I在較長(zhǎng)側(cè)方向上的尺寸為1.6毫米，且在較短側(cè)方向上的尺寸為1.2毫米。
此晶體控制振蕩器I包含:以具有焊料顆粒的熱固性樹脂4在垂直方向上以雙層接合的晶體封裝2和IC芯片封裝3，因此，形成了集成電路組件。晶體封裝2可采用圖1至圖8所說明的晶體封裝中的任一者。此處，采用圖5A的晶體封裝2。凹口 5(城堡形結(jié)構(gòu)(castellation))在厚度方向上設(shè)置在:構(gòu)成晶體控制振蕩器I的IC芯片封裝3的四個(gè)角落處。凹口 5包含連接電極51。連接電極51將安裝端子37電連接到接線，所述接線從安裝在IC芯片封裝3內(nèi)部的IC芯片引出到側(cè)壁。圖24為說明圖23A至圖23C的晶體控制振蕩器I的底表面(外表面，將應(yīng)用的設(shè)備的安裝表面)的視圖。四個(gè)表面安裝型安裝端子37設(shè)置在底表面上。如所說明，這些端子充當(dāng)接地端子(GND)、輸出端子(OUTPUT)、電源端子(Vcc)和E/D端子(啟用/停用)或AFC端子。圖25A和25B為圖23A至圖23C的晶體控制振蕩器I的IC芯片封裝的IC芯片容納部分的說明圖。圖25A說明從晶體封裝側(cè)觀看的平面圖。圖25B為沿著圖25A的線XXVB-XXVB截取的截面圖。圖25B所說明的IC芯片33通過:將IC芯片的凸點(diǎn)(未圖示)連接到設(shè)置在IC芯片封裝3的第二凹陷部分38的內(nèi)部底部的接線圖案處的電極墊35，來進(jìn)行安裝。IC芯片33可通過導(dǎo)線接合來安裝。實(shí)施例15圖26A至圖26C為說明根據(jù)本發(fā)明的壓電模塊應(yīng)用于晶體控制振蕩器的實(shí)施例15的晶體控制振蕩器的外視圖。圖26A說明頂表面(平坦表面)。圖26B說明在較長(zhǎng)側(cè)方向上的側(cè)表面。圖26C說明在較短側(cè)方向上的側(cè)表面。根據(jù)此實(shí)施例的晶體控制振蕩器I大體上稱為“2016尺寸TCX0”，且包含:尺寸與用于接合了 IC芯片封裝3的上述“1612尺寸TCX0”的晶體封裝2相同的晶體封裝2。此IC芯片封裝3比晶體封裝2稍大。晶體控制振蕩器I在較長(zhǎng)側(cè)方向上的尺寸為2.0毫米，且在較短側(cè)方向上的尺寸為1.6毫米。凹口 5 (城堡形結(jié)構(gòu))在厚度方向上設(shè)置在:構(gòu)成晶體控制振蕩器I的IC芯片封裝3的四個(gè)角落處。凹口 5包含連接電極51。連接電極51將安裝端子37電連接到接線，所述接線從安裝在IC芯片封裝3內(nèi)部的IC芯片引出到側(cè)壁。類似于上述晶體控制振蕩器，此晶體控制振蕩器I包含:以具有焊料顆粒的熱固性樹脂4在垂直方向上以雙層接合的晶體封裝2和IC芯片封裝3，因此，形成了集成電路組件。圖27為說明圖26A至圖26C的晶體控制振蕩器I的底表面(外表面，將應(yīng)用的設(shè)備的安裝表面)的視圖。四個(gè)表面安裝型安裝端子37設(shè)置在底表面上。如圖27所說明，這些端子充當(dāng)接地端子(GND)、輸出端子(OUTPUT)、電源端子(Vcc)和E/D端子(啟用/停用)或AFC端子。每個(gè)安裝端子連接到接線(未圖示)，所述接線從IC芯片引出到凹口 5中的連接電極51處的側(cè)壁。圖28A和28B為圖26A至圖26C所說明的晶體控制振蕩器I的IC芯片封裝的IC芯片容納部分的說明圖。圖28A說明從晶體封裝側(cè)觀看的平面圖。圖28B為沿著圖28A的線XXVIIIB-XXVIIIB截取的截面圖。IC芯片33通過:將IC芯片的凸點(diǎn)(未圖示)連接到設(shè)置在IC芯片封裝3的第二凹陷部分38的內(nèi)部底部的接線圖案處的電極墊35，來進(jìn)行安裝。IC芯片33可通過導(dǎo)線接合來安裝。圖28A中形成長(zhǎng)方形形狀的虛線為指示:待接合晶體封裝2的位置的假想線。
實(shí)施例16圖29A至圖29C為說明根據(jù)本發(fā)明的壓電模塊應(yīng)用于晶體控制振蕩器的實(shí)施例16的晶體控制振蕩器的外視圖。圖29A說明頂表面(平坦表面)。圖29B說明在較長(zhǎng)側(cè)方向上的側(cè)表面。圖29C說明在較短側(cè)方向上的側(cè)表面。根據(jù)此實(shí)施例的晶體控制振蕩器I大體上稱為“3215尺寸TCX0”，且包含接合到IC芯片封裝3的晶體封裝2，所述晶體封裝2容納音叉型晶體單元。晶體封裝2的容器主體由陶瓷板制成。然而，這不應(yīng)以限制性意義來解釋?？墒褂美缗髁虾筒ＡО宓慕^緣材料。晶體控制振蕩器I在較長(zhǎng)側(cè)方向上的尺寸為3.2毫米，且在較短側(cè)方向上的尺寸為1.5毫米。根據(jù)此實(shí)施例，IC芯片封裝3比晶體封裝2稍大?？刹捎幂^大IC芯片封裝3。凹口 5 (城堡形結(jié)構(gòu))在厚度方向上設(shè)置在:IC芯片封裝3和晶體封裝2堆疊的晶體控制振蕩器I的四個(gè)角落處。安裝在晶體封裝2上的晶體單元的輸出端子引出到側(cè)壁，且電連接到連接電極52處的外部端子27 (參見圖5A)。IC芯片封裝3的連接電極51將接線電連接到安裝端子37，所述接線從IC芯片引出到側(cè)壁。類似于上述晶體控制振蕩器，此晶體控制振蕩器I包含:以具有焊料顆粒的熱固性樹脂4在垂直方向上以雙層接合的晶體封裝2和IC芯片封裝3，因此，形成了集成電路組件。圖30為說明圖29A至圖29C的晶體控制振蕩器I的底表面(外表面，將應(yīng)用的設(shè)備的安裝表面)的視圖。四個(gè)表面安裝型安裝端子37設(shè)置在底表面上。如所說明，這些端子充當(dāng)接地端子(GND)、輸出端子(OUTPUT)、電源或接地端子(Vcc或GND)和電源端子(Vcc)。圖31A和圖31B為圖29A至圖29C所說明的晶體控制振蕩器I的IC芯片封裝的IC芯片容納部分的說明圖。圖31A說明從晶體封裝側(cè)觀看的平面圖。圖31B為沿著圖31A的線XXXIB-XXXIB截取的截面圖。IC芯片33通過:將IC芯片的凸點(diǎn)(未圖示)連接到設(shè)置在IC芯片封裝3的第二凹陷部分38的內(nèi)部底部的接線圖案處的電極墊35，來進(jìn)行安裝。IC芯片33可通過導(dǎo)線接合來安裝。實(shí)施例17圖32A至圖32C為根據(jù)本發(fā)明的說明實(shí)施例17的具有溫度傳感器的晶體單元的外視圖。圖32A說明頂表面(平坦表面)。圖32B說明在較長(zhǎng)側(cè)方向上的側(cè)表面。圖32C說明在較短側(cè)方向上的側(cè)表面。根據(jù)此實(shí)施例的晶體單元大體上稱為“1612尺寸的具有溫度傳感器的晶體單元”，其嵌入了例如熱敏電阻的溫度傳感器。所述晶體單元大體上用作用于移動(dòng)電話的TCXO的替代。此具有溫度傳感器的晶體單元IA也是通過將IC芯片封裝3接合到晶體封裝2而構(gòu)成。IC芯片封裝3僅包含熱敏電阻或二極管。熱敏電阻或二極管可用作用于構(gòu)成將應(yīng)用的電子設(shè)備側(cè)上的任何電路的元件。如上所述，為了便于解釋，IC芯片封裝3包含安裝了除IC之外的元件的IC芯片封裝。類似于圖23A至圖23C的IC芯片封裝3和晶體封裝2，具有溫度傳感器的晶體單元IA為:接合在平面圖中具有大致上相等的尺寸的IC芯片封裝3和晶體封裝2的低輪廓的產(chǎn)品。作為接合了 IC芯片封裝3的具有溫度傳感器的晶體單元IA的產(chǎn)品，IC芯片封裝3在較長(zhǎng)側(cè)方向上的尺寸為1.6毫米，且在較短側(cè)方向上的尺寸為1.2毫米。凹口 5 (城堡形結(jié)構(gòu))在厚度方向上設(shè)置在:構(gòu)成具有溫度傳感器的晶體單元IA的IC芯片封裝3的四個(gè)角落處。凹口 5包含連接電極51。連接電極51將安裝端子37電連接到接線，所述接線從IC芯片封裝3的IC芯片引出到側(cè)壁。此具有溫度傳感器的晶體單元IA包含:以具有焊料顆粒的熱固性樹脂4在垂直方向上以雙層接合的晶體封裝2和IC芯片封裝3，因此，形成了集成電路組件。晶體封裝2可采用圖1至圖5所說明的晶體封裝中的任一者。此處，采用圖5A的晶體封裝2。作為溫度傳感器，例如，二極管與熱敏電阻一樣適用。圖33為說明圖32A至圖32C的具有溫度傳感器的晶體單元IA的底表面(外表面，將應(yīng)用的設(shè)備的安裝表面)的視圖。四個(gè)表面安裝型安裝端子37設(shè)置在底表面上。如圖33所說明，這些端子充當(dāng)具有溫度傳感器的晶體單元IA的輸出端子(Xtal OUT)、熱敏電阻或二極管的輸出端子(S/D OUT)、具有溫度傳感器的晶體單元IA的輸入端子(Xtal IN)和熱敏電阻或二極管的輸入端子(S/D IN)。圖34A至圖34C為圖32A至圖32C所說明的具有溫度傳感器的晶體單元IA的IC芯片封裝的熱敏電阻或二極管的安裝部分的說明圖。圖34A說明從晶體封裝側(cè)觀看的平面圖。圖34B為沿著圖34A的線XXXIVB-XXXIVB截取且說明第二凹陷部分38上的熱敏電阻7的示范性安裝的截面圖。圖34C為第二凹陷部分38上的二極管17的示范性安裝。熱敏電阻7或二極管17使用其溫度特性，且連接到設(shè)置在IC芯片封裝3的第二凹陷部分38的內(nèi)部底部上的接線圖案處的電極墊35以進(jìn)行安裝。接著，將作為一個(gè)實(shí)施例(實(shí)施例18)來關(guān)于使用圖5A所說明的晶體封裝的圖23A至圖23C的晶體控制振蕩器，而描述根據(jù)本發(fā)明的壓電模塊的另一種示范性制造方法。也可通過類似工藝來制造另一類型的使用晶體封裝和IC芯片封裝的晶體控制振蕩器。實(shí)施例18圖35為圖23A至圖23C所說明的在四個(gè)角落處包含凹口的晶體控制振蕩器的主要部分的截面圖。所述晶體控制振蕩器為本發(fā)明的另一種示范性制造方法的目標(biāo)。此晶體控制振蕩器I包含:容納IC芯片33的IC芯片封裝3的凹陷部分38 (第二凹陷部分)。具有焊料顆粒的熱固性樹脂4涂覆在第二凹陷部分38的開口端面的整個(gè)周邊上。因此，IC芯片封裝3和晶體封裝2通過接合而集成，以使得開口由晶體封裝2的底表面覆蓋。圖36A至圖36D為說明根據(jù)本發(fā)明的晶體控制振蕩器的一種示范性制造方法的晶體控制振蕩器的主要部分的制造工藝圖。在此制造方法中，通過執(zhí)行下文在圖36A至圖36D中遵循箭頭而描述的步驟，來制造預(yù)定結(jié)構(gòu)的晶體控制振蕩器。下文描述每個(gè)步驟?？蓞⒖济總€(gè)上述實(shí)施例來理解圖36A至圖36D的每個(gè)組件構(gòu)件。步驟A:制備大量IC芯片封裝3。圖36A至圖36D中的每一個(gè)僅說明兩個(gè)封裝。在接合個(gè)別晶體封裝之前，將相應(yīng)IC芯片封裝3分離為個(gè)別片。IC芯片封裝3的底部壁層是由兩個(gè)層壓陶瓷板構(gòu)成。在內(nèi)層上形成充當(dāng)屏蔽層的金屬膜12以覆蓋IC芯片33的容納區(qū)域。由框架壁層形成的第二凹陷部分38容納IC芯片33。在第二凹陷部分38的開口端面(構(gòu)成第二凹陷部分38的側(cè)壁層的頂表面)上形成連接端子36。步驟B:在第二凹陷部分38的開口端面(構(gòu)成第二凹陷部分38的側(cè)壁層的頂表面)上，形成一層具有焊料顆粒的熱固性樹脂4。在包含連接端子36的開口端面的整個(gè)周邊上，形成具有焊料顆粒的熱固性樹脂4(箭頭C)。為了形成具有焊料顆粒的熱固性樹脂4，以微量漿料進(jìn)行的已知圖案形成方法(例如，分配器涂覆、絲網(wǎng)印刷和噴墨涂布)是適用的。步驟C:在形成了具有焊料顆粒的熱固性樹脂4的個(gè)別第二凹陷部分38的每個(gè)開口端面處，放置晶體封裝2的個(gè)別片。在此狀態(tài)中，對(duì)個(gè)別晶體封裝片和IC芯片封裝3執(zhí)行加壓(箭頭P)和加熱(箭頭H)工藝。此時(shí)，具有焊料顆粒的熱固性樹脂4的焊料顆粒熔融、擴(kuò)散且潤(rùn)濕個(gè)別晶體封裝片的外部端子27和設(shè)置在IC芯片封裝3處的連接端子36。因此，具有焊料顆粒的熱固性樹脂4的熱固性樹脂也熔融。熔融的樹脂填充在包含連接端子36的開口端面(其面向個(gè)別晶體封裝片，且設(shè)置在IC芯片封裝3的個(gè)別IC芯片封裝上)的整個(gè)周邊與個(gè)別IC芯片封裝的外部端子27之間。步驟D:熔融的焊料顆粒在個(gè)別晶體封裝片的外部端子27與IC芯片封裝3的連接端子36之間充分?jǐn)U散且潤(rùn)濕。在熔融的樹脂充分填充在開口端面與個(gè)別晶體封裝片之間所花費(fèi)的預(yù)定時(shí)間逝去之后，暫停加熱工藝，以去除熱量。接著，熔融的焊料凝固且通過金屬接合，而將晶體封裝2的外部端子接合到IC芯片封裝3的連接端子。熱固性樹脂在IC芯片封裝3的開口端面與晶體封裝2之間硬化。晶體封裝電連接到IC芯片封裝3，并機(jī)械地且堅(jiān)固地接合到IC芯片封裝3。在上述步驟中制造了圖35所說明的晶體控制振蕩器I。各向異性導(dǎo)電層可代替具有焊料顆粒的熱固性樹脂。效果的不同之處在于:外部端子與連接端子之間的連接形成，但在其它方面類似于使用具有焊料顆粒的熱固性樹脂進(jìn)行的接合。如上所述，在晶體封裝的容器主體由玻璃材料制成的狀況下，晶體控制振蕩器可由類似于此實(shí)施例的接合結(jié)構(gòu)構(gòu)成。本發(fā)明不限于例如晶體控制振蕩器的壓電模塊，而是類似地適用于需要電連接和堅(jiān)固且機(jī)械的接合、而不存在間隙的兩個(gè)或兩個(gè)以上裝置組件構(gòu)件的接合。本發(fā)明的目標(biāo)為提供以晶體控制振蕩器為代表的以下壓電模塊。所述壓電模塊確保了將安裝例如IC芯片的電路組件的大的第二凹陷部分。所述壓電模塊具有安裝板的連接端子堅(jiān)固地接合到以晶體單元為代表的壓電諧振器的外部端子的結(jié)構(gòu)。所述壓電模塊可安裝大尺寸的IC芯片或類似構(gòu)件，而不擴(kuò)大外部尺寸。所述壓電模塊具有堅(jiān)固接合的結(jié)構(gòu)，且確保了晶體封裝通過簡(jiǎn)單的制造工藝堅(jiān)固地、電性地且機(jī)械地連接在IC芯片封裝的凹陷部分的開口端面上的密封結(jié)構(gòu)，所述IC芯片封裝包含連接端子以連接到晶體單元的外部端子。顯然地，本發(fā)明不限于晶體控制振蕩器，而是適用于具有以下壓電模塊的一般接合結(jié)構(gòu):包含使用了壓電材料(包含晶體)的壓電振蕩器的壓電模塊，和包含含有振蕩器的電路組件的部分的電路組件封裝的壓電模塊。下文中，這些壓電模塊有時(shí)稱為壓電振蕩器或類似者。用于描述根據(jù)本發(fā)明的壓電模塊的示范性晶體控制振蕩器包含晶體封裝和電路組件封裝(在電路組件為IC芯片的情況下為IC芯片封裝)。所述晶體封裝包含容納晶體單元且包含外部端子的絕緣容器。所述電路組件封裝包含例如IC芯片的電路組件和具有用于連接到外部端子的連接端子的容器。所述IC芯片集成用于與晶體單元一起構(gòu)成晶體控制振蕩器的電路。為了將晶體封裝和電路組件封裝電性地、機(jī)械地且堅(jiān)固地連接在一起，采用以下典型構(gòu)造。通過將以下“晶體”替換為“壓電”，從“晶體控制振蕩器”推斷出“壓電模塊”。(I) 一種晶體控制振蕩器包含晶體封裝和電路組件封裝。所述晶體封裝容納晶體單元。所述電路組件封裝容納電路組件，所述電路組件經(jīng)配置以基于所述晶體單元的振動(dòng)信號(hào)而以預(yù)定頻率產(chǎn)生振蕩信號(hào)。所述晶體封裝和所述電路組件封裝電接合且機(jī)械接合。所述晶體封裝包含第一凹陷部分、蓋體和多個(gè)外部端子。所述第一凹陷部分包含第一底部壁層和第一框架壁層。所述第一凹陷部分容納所述晶體單元。所述蓋體密封所述第一凹陷部分。所述多個(gè)外部端子經(jīng)配置以將所述晶體單元的所述振動(dòng)信號(hào)輸出到所述第一凹陷部分的外部底表面。所述電路組件封裝包含第二凹陷部分和多個(gè)連接端子。所述第二凹陷部分包含第二底部壁層和第二框架壁層。所述第二凹陷部分容納所述電路組件。所述多個(gè)連接端子處在所述第二凹陷部分的開口端面上。所述多個(gè)連接端子電連接到所述晶體封裝的所述外部底表面上的多個(gè)相應(yīng)外部端子。所述晶體控制振蕩器包含具有焊料顆粒的熱固性樹脂，其插入在包含所述電路組件封裝的所述多個(gè)連接端子的所述第二凹陷部分的所述開口端面的整個(gè)周邊與所述晶體封裝的所述第一凹陷部分的所述外部底表面之間。所述晶體封裝的所述多個(gè)外部端子和所述電路組件封裝的所述多個(gè)連接端子通過金屬接合而電連接。所述金屬接合采用構(gòu)成所述具有焊料顆粒的熱固性樹脂的焊料顆粒的熔融和硬化。所述電路組件封裝的所述第二凹陷部分的所述開口端面的所述整個(gè)周邊與所述晶體封裝的所述第一凹陷部分的所述外部底表面通過構(gòu)成所述具有焊料顆粒的熱固性樹脂的熱固性樹脂的熔融和硬化來接合。(2)根據(jù)描述(I)，構(gòu)成所述晶體封裝的所述第一凹陷部分的所述第一底部壁層和所述第一框架壁層由陶瓷板制成。構(gòu)成所述電路組件封裝的所述第二凹陷部分的所述第二底部壁層和所述第二框架壁層由陶瓷板制成。(3)根據(jù)描述(I)，構(gòu)成所述晶體封裝的所述第一凹陷部分的所述第一底部壁層、所述第一框架壁層和所述蓋體由坯料制成。構(gòu)成所述電路組件封裝的所述第二凹陷部分的所述第二底部壁層和所述第二框架壁層由陶瓷板制成。(4)根據(jù)描述(3)，粗糙表面處理是對(duì)所述電路組件封裝的所述第二凹陷部分的開口端面的至少整個(gè)周邊所面向的所述第一底部壁層的所述外部底表面執(zhí)行。所述熔融的焊料顆粒和所述熔融的熱固性樹脂堅(jiān)固地接合在所述晶體封裝的所述第一底部壁層的所述外部底表面上。(5)根據(jù)描述(4)，所述粗糙表面處理形成大量不均勻性和大量微孔中的一者或兩者，其通過錨固在所述熔融的焊料顆粒和所述熔融的熱固性樹脂收納且硬化在所述晶體封裝的所述第一底部壁層的所述外部底表面上的狀態(tài)中而堅(jiān)固地接合。(6)根據(jù)描述(I)，用于接合所述晶體封裝與所述IC芯片封裝的具有焊料顆粒的熱固性樹脂從形成在所述晶體封裝的所述外部底表面上的所述外部端子沿著所述外部底表面在內(nèi)部延伸。所述外部底表面經(jīng)設(shè)置以覆蓋所述IC芯片封裝的所述凹陷部分的開口。根據(jù)描述(I)，用于接合所述晶體單元與所述IC芯片封裝的具有焊料顆粒的熱固性樹脂從包含頂表面的部分的所述IC芯片的側(cè)表面填充到安裝所述IC芯片的所述IC芯片封裝的內(nèi)部底表面的部分。(8) 一種晶體控制振蕩器包含晶體封裝和電路組件封裝。所述晶體封裝容納晶體單元。所述電路組件封裝容納電路組件，所述電路組件經(jīng)配置以基于所述晶體單元的振動(dòng)信號(hào)而以預(yù)定頻率產(chǎn)生振蕩信號(hào)。所述晶體封裝和所述電路組件封裝電接合且機(jī)械接合。所述晶體封裝包含第一凹陷部分、蓋體和多個(gè)外部端子。所述第一凹陷部分包含第一底部壁層和第一框架壁層。所述第一凹陷部分容納所述晶體單元。所述蓋體密封所述第一凹陷部分。所述多個(gè)外部端子經(jīng)配置以將所述晶體單元的所述振動(dòng)信號(hào)輸出到所述第一凹陷部分的外部底表面。所述電路組件封裝包含第二凹陷部分和多個(gè)連接端子。所述第二凹陷部分包含第二底部壁層和第二框架壁層。所述第二凹陷部分容納所述電路組件。所述多個(gè)連接端子處在所述第二凹陷部分的開口端面上。所述多個(gè)連接端子電連接到所述晶體封裝的所述外部底表面上的多個(gè)相應(yīng)外部端子。所述晶體控制振蕩器包含各向異性導(dǎo)電層，其插入在包含所述電路組件封裝的所述多個(gè)連接端子的所述第二凹陷部分的所述開口端面的整個(gè)周邊與所述晶體封裝的所述第一凹陷部分的所述外部底表面之間。所述晶體封裝的所述多個(gè)外部端子和所述電路組件封裝的所述多個(gè)連接端子通過接合而電連接。所述接合通過在制造時(shí)加熱和加壓而插入構(gòu)成所述各向異性導(dǎo)電層的導(dǎo)電填料來形成電橋。所述電路組件封裝的所述第二凹陷部分的所述開口端面的所述整個(gè)周邊與所述晶體封裝的所述第一凹陷部分的所述外部底表面通過構(gòu)成所述各向異性導(dǎo)電層的熱固性樹脂的熔融和硬化來接合。(9)根據(jù)描述(8)，構(gòu)成所述晶體封裝的所述第一凹陷部分的所述第一底部壁層和所述第一框架壁層由陶瓷板制成。構(gòu)成所述電路組件封裝的所述第二凹陷部分的所述第二底部壁層和所述第二框架壁層由陶瓷板制成。(10)根據(jù)描述(8)，構(gòu)成所述晶體封裝的所述第一凹陷部分的所述第一底部壁層、所述第一框架壁層和所述蓋體由坯料制成。構(gòu)成所述電路組件封裝的所述第二凹陷部分的所述第二底部壁層和所述第二框架壁層由陶瓷板制成。(11)根據(jù)描述(10)，粗糙表面處理是對(duì)所述電路組件封裝的所述第二凹陷部分的所述開口端面的至少整個(gè)周邊所面向的所述第一底部壁層的外部底表面執(zhí)行。所述熔融的導(dǎo)電填料和所述熔融的熱固性樹脂堅(jiān)固地接合在所述晶體封裝的所述第一底部壁層的所述外部底表面上。(12)根據(jù)描述(11)，所述粗糙表面處理形成大量不均勻性和大量微孔中的一者或兩者，其通過錨固在所述熔融的熱固性樹脂收納且硬化在所述晶體封裝的所述第一底部壁層的所述外部底表面上的狀態(tài)中而堅(jiān)固地接合。(13)根據(jù)描述⑶至(12)中任一項(xiàng)，用于接合所述晶體封裝與所述IC芯片封裝的所述各向異性導(dǎo)電膜從形成在所述晶體封裝的所述外部底表面上的所述外部端子沿著所述外部底表面在內(nèi)部延伸。所述外部底表面經(jīng)設(shè)置以覆蓋所述IC芯片封裝的所述凹陷部分的開口。(14)根據(jù)描述⑶至(12)中任一項(xiàng)，用于接合所述晶體封裝與所述IC芯片封裝的所述各向異性導(dǎo)電膜從包含頂表面的部分的所述IC芯片的側(cè)表面填充到安裝了所述IC芯片的所述IC芯片封裝的內(nèi)部底表面的部分。下文進(jìn)一步描述本發(fā)明的詳細(xì)結(jié)構(gòu)。(15) 一種晶體封裝在由底部壁層和框架壁層形成的容器主體的凹陷部分中容納晶體單元。所述底部壁層和所述框架壁層由例如陶瓷板、坯料和玻璃的絕緣材料制成。所述凹陷部分由例如金屬、坯料和玻璃的絕緣材料所制成的蓋體密封。所述底部壁層具有外部底表面，所述外部底表面上設(shè)置了電連接到稍后描述的IC芯片封裝的外部端子。所述外部端子連接到所述晶體單元的激勵(lì)電極。(16)類似地，所述IC芯片封裝在由底部壁層和框架壁層形成的容器的凹陷部分中容納IC芯片。所述底部壁層和所述框架壁層由例如陶瓷板、坯料和玻璃的絕緣材料制成。形成所述凹陷部分的所述框架壁層的寬度(在底部壁層方向上觀看的平面圖中的寬度)制造得小(窄)以便在所述凹陷部分中形成大于圖37A和圖37B所說明的常規(guī)實(shí)例的面積的面積。這允許安裝較大尺寸的IC芯片和電子組件，而不擴(kuò)大外部尺寸。(17)所述IC芯片封裝在由所述底部壁層和所述框架壁層形成的所述容器中包含所述凹陷部分的開口端面(所述框架壁層的表面)。所述開口端面包含連接端子，所述連接端子面向所述晶體封裝的所述外部端子且電連接到所述晶體封裝的所述外部端子。所述連接端子連接到所述IC芯片的電路。所述底部壁層在所述底表面上形成安裝端子。所述安裝端子用于表面安裝在安裝目標(biāo)設(shè)備的襯底或類似者上。操作電源從這些端子供應(yīng)，且振蕩信號(hào)供應(yīng)到安裝板的所需功能電路。(18)所述晶體封裝和所述IC芯片封裝通過以下方法而連接在一起。將具有焊料顆粒的熱固性樹脂插入在外部端子的形成表面與連接端子的形成表面之間的整個(gè)周邊上，且接著加熱和加壓。或者，形成導(dǎo)電材料顆粒分散在熱固性樹脂中的各向異性導(dǎo)電層，且接著加熱和加壓。(19)在使用具有焊料顆粒的熱固性樹脂的情況下，通過圍繞在包含面向所述晶體封裝的所述外部底表面的所有表面周圍而涂覆所述具有焊料顆粒的熱固性樹脂。所有表面處在所述IC芯片封裝的所述凹陷部分的所述開口端面上，且包含所述連接端子。對(duì)所述具有焊料顆粒的熱固性樹脂加熱和加壓而將上述外部端子和連接端子通過金屬接合電連接在一起?；蛘撸ㄟ^所述熱固性樹脂的熔融和硬化來接合而將所述晶體封裝堅(jiān)固地機(jī)械地且固定地緊固到所述IC芯片封裝，而不存在間隙?？稍谒鼍w封裝的外部底表面?zhèn)忍幫扛菜鼍哂泻噶项w粒的熱固性樹脂，或可在所述IC芯片封裝的所述凹陷部分的開口端面與所述晶體封裝的外部底表面兩者上涂覆所述具有焊料顆粒的熱固性樹脂。(20)在使用各向異性導(dǎo)電層的情況下，在包含所述外部端子的形成表面與所述連接端子的形成表面之間的整個(gè)周邊上形成所述各向異性導(dǎo)電層。在所述晶體封裝與所述IC芯片封裝之間加壓和加熱，且導(dǎo)電填料在所述連接端子與所述外部端子之間電形成電橋以連接所述連接端子與所述外部端子。所述晶體封裝包含構(gòu)成所述容器主體的所述第一底部壁層的所述外部底表面。所述IC芯片封裝包含所述第二凹陷部分的所述開口端面。在所述外部底表面與所述開口端面之間，通過所述熱固性樹脂的硬化和接合來密封，且接著兩者機(jī)械地緊固。涂金樹脂或類似材料的顆粒適用于導(dǎo)電填料。(21)所述IC芯片封裝的連接端子僅需要從所述晶體封裝接收電壓信號(hào)。因此，其電極面積不需要大。所述IC芯片封裝的連接端子可僅需要尺寸足以緊固地連接所述晶體封裝的外部端子的面積。所述連接端子可具有任何形狀，只要設(shè)置在所述IC芯片封裝的凹陷部分的開口端面上的連接端子面向上述晶體封裝的外部端子且具有足以嚙合具有焊料顆粒的熱固性樹脂中的焊料顆粒且執(zhí)行金屬接合的尺寸。采用各向異性導(dǎo)電層的情況也是如此。(22)所述晶體封裝包含容器主體，其具有形成了外部端子的底部壁層。所述底部壁層在所有表面上為平坦的。外部端子可變?yōu)橥獠慷俗?7以最大距離間隔開以使得不會(huì)彼此發(fā)生短路的具有大面積的電極。另一方面，相比所述晶體封裝的外部端子(大體上，正方形形狀或接近正方形的長(zhǎng)方形形狀)，所述IC芯片封裝的連接端子可相對(duì)小。較小連接端子實(shí)現(xiàn)所述IC芯片封裝的凹陷部分的開口端面尺寸減小，從而導(dǎo)致凹陷部分面積的擴(kuò)大。這允許在包含兩個(gè)封裝的電極部分的外圍的接合部分的整個(gè)周邊上無縫地形成具有焊料顆粒的熱固性樹脂或各向異性導(dǎo)電層。這確保兩個(gè)封裝的緊固密封和堅(jiān)固接合。(23)所述IC芯片可通過所謂的倒裝晶片接合、導(dǎo)線接合、焊料凸點(diǎn)接合和以具有焊料顆粒的熱固性樹脂進(jìn)行的接合中任一方法，而安裝在由陶瓷板制成的底部壁層和框架壁層形成的凹陷部分上。(24)將所述晶體封裝和所述IC芯片封裝接合在一起的具有焊料顆粒的熱固性樹脂或各向異性導(dǎo)電層經(jīng)設(shè)置以使得所述IC芯片封裝的凹陷部分的開口被覆蓋。具有焊料顆粒的熱固性樹脂或各向異性導(dǎo)電層從形成在所述晶體封裝的所述外部底表面上的所述外部端子沿著所述外部底表面在內(nèi)部延伸。這更增強(qiáng)了兩個(gè)封裝的接合。此外，所述具有焊料顆粒的熱固性樹脂從包含頂表面(所述芯片的背表面:凹陷部分的開口側(cè))的部分的所述IC芯片的側(cè)表面填充到具有所述IC芯片的所述IC芯片封裝的內(nèi)部底表面的部分。這提高了所述IC芯片封裝的剛性，從而更增強(qiáng)了兩個(gè)封裝的接合。(25)代替晶體封裝堆疊且固定地緊固到具有IC芯片的IC芯片封裝的結(jié)構(gòu)，容納熱敏電阻或二極管的具有溫度傳感器的壓電模塊的結(jié)構(gòu)類似地適用。在此情況下，IC芯片未安裝到所述IC芯片封裝。然而，在本發(fā)明中，所述IC芯片為類似于熱敏電阻或二極管的電子組件中的一者。為便于解釋，容納例如包含IC芯片的熱敏電阻或二極管的離散電路組件的封裝統(tǒng)稱為電路組件封裝。(26)如果包含晶體封裝的蓋體的容器主體由坯料制成，那么容器主體的底部壁層也由石英晶體材料形成。因此，相比使用陶瓷材料的接合強(qiáng)度，以熱固性樹脂實(shí)現(xiàn)的接合強(qiáng)度低。根據(jù)本發(fā)明，大量微小不均勻性和微孔形成在由坯料制成的容器主體的底部壁層的表面(外表面)上。接著，熔融的樹脂的部分通過所述微小不均勻性和微孔且錨固，從而增強(qiáng)與IC芯片封裝的接合。包含晶體封裝的蓋體的容器主體可由玻璃材料制成?？赏ㄟ^對(duì)由坯料制成的外部壁層執(zhí)行類似于上述表面處理的表面處理來增強(qiáng)此容器主體的接合強(qiáng)度。(27)構(gòu)成晶體封裝和IC芯片封裝中的一者或兩者的底部壁層可為多個(gè)層。金屬膜可設(shè)置在內(nèi)層處且連接到接地。這提供了電磁屏蔽。金屬膜或金屬層可設(shè)置在避免構(gòu)成晶體封裝和IC芯片封裝中的一者或兩者的底部壁層上的外部端子或連接端子的部分處。在由除金屬板之外的絕緣體形成晶體封裝的蓋體的情況下，金屬膜或金屬層可設(shè)置在封裝的內(nèi)表面或外表面上且連接到接地。因此，即使在IC芯片封裝的連接端子與晶體封裝的外部端子相比相對(duì)較小時(shí)，使用具有焊料顆粒的熱固性樹脂或各向異性導(dǎo)電層通過接合來使兩個(gè)端子連接會(huì)確保向包含IC芯片的振蕩器電路供應(yīng)安裝到晶體封裝的晶體單元的振動(dòng)信號(hào)電壓。或者，具有焊料顆粒的熱固性樹脂或各向異性導(dǎo)電層形成在所述晶體封裝和所述IC芯片封裝的接合部分的整個(gè)周邊上，所述接合部分為所述晶體封裝與所述IC芯片封裝接合在一起的部分。接著，對(duì)晶體封裝的外部端子和IC芯片封裝的連接端子加熱和加壓，以在導(dǎo)電顆粒之間執(zhí)行金屬接合或使用金屬涂布層而實(shí)現(xiàn)的導(dǎo)電接合。同時(shí)，通過具有焊料顆粒的熱固性樹脂或具有導(dǎo)電顆粒的熱固性樹脂的硬化來機(jī)械地且堅(jiān)固地接合兩個(gè)封裝，因此氣密地密封所述IC芯片封裝的凹陷部分。所述晶體封裝和所述IC芯片封裝以具有焊料顆粒的熱固性樹脂或各向異性導(dǎo)電層來密封。這會(huì)防止雜質(zhì)粘合到IC芯片和濕氣侵入到IC芯片，且消除對(duì)填充底填料材料以固定地緊固IC芯片的需要。為進(jìn)一步堅(jiān)固地緊固所述IC芯片，具有焊料顆粒的熱固性樹脂過量地涂覆，達(dá)到具有焊料顆粒的熱固性樹脂在所述IC芯片封裝的凹陷部分內(nèi)溢出的程度。這更增強(qiáng)了接合。設(shè)置在IC芯片封裝的凹陷部分的開口端面上以電連接到晶體封裝的外部端子的連接端子尺寸減小。因此，所述IC芯片封裝的框架壁層的厚度可為薄的。因此，凹陷部分的面積可擴(kuò)大，因此允許容納且安裝大尺寸的IC芯片。特別是，例如溫度補(bǔ)償式晶體控制振蕩器(TCXO)的高性能振蕩器與不具有溫度控制功能的晶體控制振蕩器(SPXO)的電路相比包含集成到IC芯片中的大型電路。因此，可容納且安裝高性能且大型的IC芯片，而不擴(kuò)大IC芯片封裝的外部尺寸。在使用尺寸與常規(guī)IC芯片相同的IC芯片的情況下，減小了 IC芯片封裝和晶體封裝的外部尺寸。這導(dǎo)致整個(gè)晶體控制振蕩器的外部尺寸減小。在使用具有焊料顆粒的熱固性樹脂的情況下，按照常規(guī)使用焊料來對(duì)晶體封裝的外部端子和IC芯片封裝的連接端子的電極表面執(zhí)行以連接所述端子的焊料預(yù)涂布為不必要的，因此簡(jiǎn)化了制造工藝。在此情況下，可同時(shí)執(zhí)行外部端子與連接端子之間的電連接和晶體封裝與IC芯片封裝之間的接合。這也會(huì)簡(jiǎn)化制造工藝。在所述晶體封裝的容器主體由石英晶體材料或玻璃材料制成且所述晶體封裝以具有焊料顆粒的熱固性樹脂或各向異性導(dǎo)電層接合到IC芯片封裝的情況下，對(duì)晶體封裝的外部底表面執(zhí)行粗糙表面處理，或形成大量微小不均勻性。因此，可通過將熔融且硬化的樹脂的錨固效應(yīng)來改進(jìn)接合強(qiáng)度。顯然地，可進(jìn)行各種修改，而不偏離隨附權(quán)利要求書的技術(shù)范圍。可按其它不同形式來實(shí)施并實(shí)踐本發(fā)明，而不偏離本發(fā)明的精神和基本特性。已在前述說明書中描述了本發(fā)明的原理、優(yōu)選實(shí)施例和操作模式。然而，希望受到保護(hù)的本發(fā)明不應(yīng)解釋為限于所揭露的特定實(shí)施例。此外，本文所描述的實(shí)施例應(yīng)被視為說明性的而非限制性的。可由他人進(jìn)行各種變化和改變，采用均等物，而不偏離本發(fā)明的精神。因此，明確希望特此涵蓋落入如權(quán)利要求書界定的本發(fā)明的精神和范疇內(nèi)的所有這些變化、改變和均等物。
權(quán)利要求
1.一種壓電模塊，其特征在于，包括: 壓電封裝，所述壓電封裝容納壓電諧振器；以及 電路組件封裝，所述電路組件封裝容納電路組件，所述電路組件經(jīng)配置以基于所述壓電諧振器的振動(dòng)信號(hào)而以預(yù)定頻率產(chǎn)生振蕩信號(hào)，其中， 所述壓電封裝和所述電路組件封裝為電接合且機(jī)械接合，其中， 所述壓電封裝包含: 第一凹陷部分，包含:第一底部壁層和第一框架壁層，所述第一凹陷部分容納所述壓電諧振器； 蓋體，密封所述第一凹陷部分；以及 多個(gè)外部端子，經(jīng)配置以將所述壓電諧振器的所述振動(dòng)信號(hào)輸出到所述第一凹陷部分的外部底表面，其中， 所述電路組件封裝包含: 第二凹陷部分，包含:第二底部壁層和第二框架壁層，所述第二凹陷部分容納所述電路組件；以及 多個(gè)連接端子，位在所述第二凹陷部分的開口端面上，所述多個(gè)連接端子電連接到所述壓電封裝的所述外部底表面上的多個(gè)相應(yīng)外部端子，其中， 所述壓電模塊包括:具有焊料顆粒的 熱固性樹脂，被插入在:包含所述電路組件封裝的所述多個(gè)連接端子的所述第二凹陷部分的所述開口端面的整個(gè)周邊、與所述壓電封裝的所述第一凹陷部分的所述外部底表面之間，其中， 所述壓電封裝的所述多個(gè)外部端子和所述電路組件封裝的所述多個(gè)連接端子通過金屬接合而電連接， 所述金屬接合采用:構(gòu)成所述具有焊料顆粒的熱固性樹脂的焊料顆粒的熔融和硬化，且 所述電路組件封裝的所述第二凹陷部分的所述開口端面的所述整個(gè)周邊、與所述壓電封裝的所述第一凹陷部分的所述外部底表面是:通過構(gòu)成所述具有焊料顆粒的熱固性樹脂的所述熱固性樹脂的熔融和硬化，來進(jìn)行接合。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的壓電模塊，其特征在于: 構(gòu)成所述壓電封裝的所述第一凹陷部分的所述第一底部壁層和所述第一框架壁層是由陶瓷板制成，且 構(gòu)成所述電路組件封裝的所述第二凹陷部分的所述第二底部壁層和所述第二框架壁層是由陶瓷板制成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的壓電模塊，其特征在于: 構(gòu)成所述壓電封裝的所述第一凹陷部分的所述第一底部壁層、所述第一框架壁層和所述蓋體是由還料制成。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的壓電模塊，其特征在于: 對(duì)所述電路組件封裝的所述第二凹陷部分的開口端面的至少整個(gè)周邊所面向的所述第一底部壁層的所述外部底表面，執(zhí)行粗糙表面處理，且 所述熔融的焊料顆粒和所述熔融的熱固性樹脂堅(jiān)固地接合在所述壓電封裝的所述第一底部壁層的所述外部底表面上。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的壓電模塊，其特征在于: 所述執(zhí)行了粗糙表面處理的表面具有多個(gè)微小不均勻性， 所述表面通過錨固，在所述熔融的焊料顆粒和所述熔融的熱固性樹脂收納且硬化在所述壓電封裝的所述第一底部壁層的所述外部底表面上的狀態(tài)中，而進(jìn)行堅(jiān)固地接合。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的壓電模塊，其特征在于: 用于接合所述壓電諧振器與所述IC芯片封裝的、所述具有焊料顆粒的熱固性樹脂是:從形成在所述壓電諧振器的所述外部底表面上的所述外部端子沿著所述外部底表面在內(nèi)部延伸，且 所述外部底表面經(jīng)設(shè)置以覆蓋所述IC芯片封裝的所述凹陷部分的開口。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的壓電模塊，其特征在于: 用于接合所述壓電諧振器與所述IC芯片封裝的、所述具有焊料顆粒的熱固性樹脂是:從包含頂表面的部分的所述IC芯片的側(cè)表面填充到容納所述IC芯片的所述IC芯片封裝的內(nèi)部底表面的部分。
8.—種壓電模塊,其特征在于,包括: 壓電封裝，所述壓電封裝容納壓電諧振器；以及 電路組件封裝，所述電路組件封裝容納電路組件，所述電路組件經(jīng)配置以基于所述壓電諧振器的振動(dòng)信號(hào)而以預(yù)定頻率產(chǎn)生振蕩信號(hào)，其中， 所述壓電封裝和所述電路 組件封裝為電接合且機(jī)械接合，其中， 所述壓電封裝包含: 第一凹陷部分，包含:第一底部壁層和第一框架壁層，所述第一凹陷部分容納所述壓電諧振器； 蓋體，密封所述第一凹陷部分；以及 多個(gè)外部端子，經(jīng)配置以將所述壓電諧振器的所述振動(dòng)信號(hào)輸出到所述第一凹陷部分的外部底表面，其中， 所述電路組件封裝包含: 第二凹陷部分，包含:第二底部壁層和第二框架壁層，所述第二凹陷部分容納所述電路組件；以及 多個(gè)連接端子，位在所述第二凹陷部分的開口端面上，所述多個(gè)連接端子電連接到所述壓電封裝的所述外部底表面上的多個(gè)相應(yīng)外部端子，其中， 所述壓電模塊包括:各向異性導(dǎo)電層，被插入在:包含所述電路組件封裝的所述多個(gè)連接端子的所述第二凹陷部分的所述開口端面的整個(gè)周邊、與所述壓電封裝的所述第一凹陷部分的所述外部底表面之間，其中， 所述壓電封裝的所述多個(gè)外部端子和所述電路組件封裝的所述多個(gè)連接端子通過接合而電連接， 所述接合通過在制造時(shí)加熱和加壓，而插入構(gòu)成所述各向異性導(dǎo)電層的導(dǎo)電填料來形成電橋，且 所述電路組件封裝的所述第二凹陷部分的所述開口端面的所述整個(gè)周邊、與所述壓電封裝的所述第一凹陷部分的所述外部底表面是:通過構(gòu)成所述各向異性導(dǎo)電層的所述熱固性樹脂的熔融和硬化，來進(jìn)行接合。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的壓電模塊，其特征在于: 構(gòu)成所述壓電封裝的所述第一凹陷部分的所述第一底部壁層和所述第一框架壁層是由陶瓷板制成，且 構(gòu)成所述電路組件封裝的所述第二凹陷部分的所述第二底部壁層和所述第二框架壁層是由陶瓷板制成。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的壓電模塊，其特征在于: 構(gòu)成所述壓電封裝的所述第一凹陷部分的所述第一底部壁層、所述第一框架壁層和所述蓋體是由坯料制成，且 構(gòu)成所述電路組件封裝的所述第二凹陷部分的所述第二底部壁層和所述第二框架壁層是由陶瓷板制成。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的壓電模塊，其特征在于: 對(duì)所述電路組件封裝的所述第二凹陷部分的開口端面的至少整個(gè)周邊所面向的所述第一底部壁層的所述外部底表面，執(zhí)行粗糙表面處理，且 所述熔融的導(dǎo)電填料和所述熔融的熱固性樹脂堅(jiān)固地接合在所述壓電封裝的所述第一底部壁層的所述外部底表面上。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的壓電模塊，其特征在于: 所述執(zhí)行了粗糙表面處理的表面具有多個(gè)微小不均勻性， 所述表面通過錨固，在所述熔融的熱固性樹脂收納且硬化在所述壓電封裝的所述第一底部壁層的所述外部底 表面上的狀態(tài)中，而進(jìn)行堅(jiān)固地接合。
13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的壓電模塊，其特征在于: 用于接合所述壓電諧振器與所述IC芯片封裝的、所述各向異性導(dǎo)電層是:從形成在所述壓電諧振器的所述外部底表面上的所述外部端子沿著所述外部底表面在內(nèi)部延伸，且 所述外部底表面經(jīng)設(shè)置以覆蓋所述IC芯片封裝的所述凹陷部分的開口。
14.根據(jù)權(quán)利要求8所述的壓電模塊，其特征在于: 用于接合所述壓電諧振器與所述IC芯片封裝的、所述各向異性導(dǎo)電層是:從包含頂表面的部分的所述IC芯片的側(cè)表面填充到容納所述IC芯片的所述IC芯片封裝的內(nèi)部底表面的部分。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的壓電模塊，還包括: 凹口，設(shè)置在所述IC芯片封裝的四個(gè)角落中的每一者，且 引線，位在所述IC芯片封裝中，以用于安裝在所述IC芯片封裝中的所述電路組件； 安裝電極，設(shè)置在所述IC芯片封裝的所述底表面上；以及 連接端子，處于所述凹口中，將所述安裝電極連接到所述弓I線。
全文摘要
本發(fā)明提供一種壓電模塊，包含壓電封裝和電路組件封裝。所述壓電模塊包含具有焊料顆粒的熱固性樹脂，其插入在包含所述電路組件封裝的所述多個(gè)連接端子的所述第二凹陷部分的所述開口端面的整個(gè)周邊、與所述壓電封裝的所述第一凹陷部分的所述外部底表面之間。所述壓電封裝的所述多個(gè)外部端子和所述電路組件封裝的所述多個(gè)連接端子通過金屬接合而電連接。所述電路組件封裝的所述第二凹陷部分的所述開口端面的所述整個(gè)周邊、與所述壓電封裝的所述第一凹陷部分的所述外部底表面是通過構(gòu)成所述具有焊料顆粒的熱固性樹脂的熔融和硬化來接合。
文檔編號(hào)H03H9/10GK103219967SQ201310023808
公開日2013年7月24日 申請(qǐng)日期2013年1月22日 優(yōu)先權(quán)日2012年1月23日
發(fā)明者播磨秀典, 淺村文雄 申請(qǐng)人:日本電波工業(yè)株式會(huì)社