專利名稱：應(yīng)用于線性模式功率放大器的動態(tài)偏置控制電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及功率放大器領(lǐng)域，具體地說，是涉及一種應(yīng)用于線性模式功率放大器的動態(tài)偏置控制電路。
背景技術(shù)：
在現(xiàn)代無線通信系統(tǒng)中，射頻功率放大器是實現(xiàn)射頻信號無線傳輸?shù)年P(guān)鍵部件。射頻功率放大器的主要功能是將已調(diào)制的射頻信號放大到所需的功率值，傳輸至天線發(fā)射，保證在一定區(qū)域的接收機可以接收到信號。作為射頻部分的關(guān)鍵部件，射頻功率放大器的性能對通信質(zhì)量產(chǎn)生直接的影響，尤其在越來越廣泛被采用的數(shù)字通信系統(tǒng)中，例如TD-SCDMA (Time Division-SynchronousCode Division Multiple Access,時分同步碼分多址)，WCDMA (Wideband CodeDivision Multiple Access,寬帶碼分多址)，CDMA (CodeDivision MultipleAccess)又稱碼分多址)等標(biāo)準(zhǔn)。 由于這些系統(tǒng)對信號的幅度和相位同時進(jìn)行調(diào)制，其對射頻功率放大器的線性度性能要求較高，所以線性度是衡量射頻功率放大器性能的重要指標(biāo)。射頻功率放大器的線性度與其工作狀態(tài)有很大關(guān)系，而射頻功率放大器的工作狀態(tài)又主要由偏置電路提供的偏置電流決定，所以現(xiàn)有技術(shù)一般是采用提高射頻功率放大器的偏置電流的方法，使得射頻功率放大器工作在AB類偏A類的工作狀態(tài)，從而改善射頻功率放大器的線性度，但這樣會增加電流損耗，降低效率。目前在數(shù)字通信系統(tǒng)中，射頻功率放大器的輸入發(fā)射信號會在35dB的范圍內(nèi)成線性變化，從而完成系統(tǒng)的功率控制。采用這種輸入發(fā)射信號的功率控制方法，射頻功率放大器不僅需要在輸入發(fā)射信號整個線性變化范圍內(nèi)盡量無失真的放大發(fā)射信號，還要在輸入發(fā)射信號整個線性變化范圍內(nèi)保持固定的増益。這必然會要求偏置電路必須在輸入發(fā)射信號的變化范圍內(nèi)為射頻功率放大器提供適當(dāng)?shù)钠秒娏?，從而使射頻功率放大器在整個輸入發(fā)射信號范圍內(nèi)工作在適當(dāng)?shù)墓ぷ鳡顟B(tài)，達(dá)到較好的線性度指標(biāo)，即偏置電路要同時滿足射頻功率放大器小信號和大信號工作狀態(tài)要求。然而，對于采用不同ェ藝技術(shù)設(shè)計的射頻功率放大器，其本身有ー些固有的特性，這些特性導(dǎo)致射頻功率放大器工作在不同的工作狀態(tài)時對偏置電流的要求是不相同的。例如采用galliumarsenide (GaAs,神化鎵)heterojunction bipolar transistor (HBT,異質(zhì)結(jié)雙極型晶體管)エ藝技術(shù)設(shè)計的射頻功率放大器，其增益隨輸入發(fā)射信號的變化的特性與偏置電路為其提供的偏置電流有直接關(guān)系。例如偏置電路提供的偏置電流較大時，射頻功率放大器工作在大信號的狀態(tài)下，其增益隨輸入發(fā)射信號的增加逐漸的壓縮如圖l_a，而增益一旦被壓縮，射頻功率放大器的線性度就會變差；當(dāng)偏置電路提供的偏置電流較小時，射頻功率放大器工作在大信號的狀態(tài)下，其增益隨輸入發(fā)射信號的増加在壓縮前會有個補償?shù)臓顟B(tài)如圖l_b，這樣可以延遲射頻功率放大器的增益壓縮，從而增大射頻功率放大器的最大線性輸出功率(重要指標(biāo))。雖然當(dāng)偏置電路提供的偏置電流較小時，射頻功率放大器工作在大信號的狀態(tài)下其最大線性輸出功率得到改善，但是這種工作狀態(tài)實際上是處于AB類偏B類的工作狀態(tài)，這種狀態(tài)使得射頻功率放大器工作在小信號時線性度對比工作在AB類偏A類的工作狀態(tài)時線性度變差。圖2所示為射頻功率放大器分別在高偏置電流驅(qū)動狀態(tài)下和低偏置電流驅(qū)動狀態(tài)下，三階交調(diào)功率隨輸入的雙音發(fā)射信號功率變化示意圖。因此，如何設(shè)計ー種線性射頻功率放大器偏置控制電路，既能降低功率損耗又能夠在較寬的輸入發(fā)射信號范圍內(nèi)優(yōu)化射頻功率放大器的線性度，從而使系統(tǒng)指標(biāo)得到更大程度的優(yōu)化，便成為亟待解決的技術(shù)問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種應(yīng)用于線性模式功率放大器的動態(tài)偏置控制電路，以解決現(xiàn)有的線性射頻功率放大器偏置控制電路功率損耗高、無法在較寬的輸入發(fā)射信號范圍內(nèi)對射頻功率放大器的線性度進(jìn)行優(yōu)化以及無法優(yōu)化系統(tǒng)指標(biāo)的問題。 為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種應(yīng)用于線性模式功率放大器的動態(tài)偏置控制電路，該動態(tài)偏置控制電路與功率放大電路52相耦接，其特征在于，該動態(tài)偏置控制電路包括模式切換電路50和動態(tài)偏置電路51，所述模式切換電路50與所述動態(tài)偏置電路51相耦接，所述動態(tài)偏置電路51與所述功率放大電路52相耦接，其中，當(dāng)所述功率放大器52的射頻輸入功率較小時，所述模式切換電路50控制所述動態(tài)偏置電路51為所述功率放大器52提供高偏置電壓；當(dāng)所述功率放大器52的射頻輸入功率較大時，所述模式切換電路50控制所述動態(tài)偏置電路51為所述功率放大器52提供低偏置電壓。進(jìn)ー步地，其中，所述模式切換電路50，包括4個晶體管501、503、504、506，3個電阻502、505、507 ;其中，所述晶體管501的基極、集電極相連，并且與外部的控制電壓相連，所述晶體管501發(fā)射極與所述電阻502的一端相連，該電阻502的另一端與所述晶體管503的基極相連，該晶體管503的發(fā)射極接地，所述晶體管503的集電極與晶體管504的發(fā)射極相連，該晶體管504的基極、集電極相連，并且與所述電阻505的一端相連，該電阻505的另一端與外部的偏置電壓相連，所述晶體管506的基極與晶體管503的集電極相連，所述晶體管506的發(fā)射極接地，該晶體管506的集電極與所述電阻507的一端相連，該電阻507的另一端與動態(tài)偏置電路51中的一端相連。進(jìn)ー步地，其中，所述動態(tài)偏置電路51，包括3個晶體管511、512、513，3個電阻514、515、516 ;其中，所述晶體管511的集電極與外部的偏置電路供電電源電壓相連,所述晶體管511的基極與所述晶體管512的集電極相連，所述晶體管511的發(fā)射極與所述晶體管512的基極相連，所述晶體管513的集電極與外部的偏置電路供電電源電壓相連，所述晶體管513的基極與所述晶體管511的基極相連，所述晶體管513的發(fā)射極與所述電阻516的一端相聯(lián)，所述電阻516的另一端接地，所述電阻515的一端與所述晶體管512的基極相連，所述電阻515的另一端接地，所述電阻514的一端與所述晶體管511的基極相連，所述電阻514的另一端與外部的偏置電壓相連。進(jìn)ー步地，其中，所述功率放大電路52進(jìn)ー步為線性射頻功率放大器。進(jìn)ー步地，其中，所述功率放大電路52，包括放大晶體管521、振流電阻522、電感523、輸入隔直電容524和輸出隔直電容525 ;其中,所述輸入隔直電容524的一端與外部的輸入射頻信號連接，所述輸入隔直電容524的另一端與所述放大晶體管521的基極相連，該放大晶體管521的發(fā)射極接地，所述放大晶體管521的集電極與所述輸出隔直電容525的一端相連，所述輸出隔直電容525的另一端與外部的輸出射頻信號連接,所述電感523的一端與所述放大晶體管521的集電極相連，所述電感523的另一端接供電電壓，所述振流電阻522的一端與所述放大晶體管521的基極相連，該振流電阻522的另一端與所述動態(tài)偏置電路51相連接。進(jìn)一步地，其中，所述外部的控制電壓進(jìn)一步為模式控制電壓VMode。進(jìn)一步地，其中，所述外部的偏置電壓進(jìn)一步為偏置電壓VBias。進(jìn)一步地，其中，所述外部的偏置電路供電電源電壓進(jìn)一步為VCB電源電壓。進(jìn)一步地，其中，所述電感進(jìn)一步為CHOKE電感。進(jìn)一步地，其中，所述偏置電壓VBias為3V高電平。 與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明所述的一種應(yīng)用于線性模式功率放大器的動態(tài)偏置控制電路，達(dá)到了如下效果I)本發(fā)明所述的一種應(yīng)用于線性模式功率放大器的動態(tài)偏置控制電路，通過模式切換，可以控制偏置電路對射頻功率放大器提供不同的偏置電流，使其工作在最佳的工作狀態(tài)，降低了功率損耗；2)本發(fā)明所述的一種應(yīng)用于線性模式功率放大器的動態(tài)偏置控制電路有效的提高了線性功率放大器的最大線性輸出功率，提高了線性模式功率放大器中高功率效率，并改善了線性模式功率放大器中的中低功率的線性度，極大優(yōu)化了線性功率放大器的性能。


圖l_a是現(xiàn)有技術(shù)中射頻功率放大器中的增益壓縮隨輸入發(fā)射信號變化的特性示意圖。圖l_b是現(xiàn)有技術(shù)中射頻功率放大器中的增益壓縮隨輸入發(fā)射信號變化中在壓縮前補償?shù)奶匦允疽鈭D。圖2是現(xiàn)有技術(shù)中射頻功率放大器分別在高偏置電流驅(qū)動狀態(tài)下和低偏置電流驅(qū)動狀態(tài)下時，三階交調(diào)功率隨輸入的雙音發(fā)射信號功率的變化示意圖。圖3是本發(fā)明實施例所述的一種應(yīng)用于線性模式功率放大器的動態(tài)偏置控制電路與功率放大電路的連接結(jié)構(gòu)框圖。圖4是本發(fā)明實施例所述的一種應(yīng)用于線性模式功率放大器的動態(tài)偏置控制電路與功率放大電路的相連接的具體結(jié)構(gòu)電路圖。圖5是采用圖4所示的本發(fā)明所述的動態(tài)偏置控制電路，應(yīng)用于兩級射頻功率放大電路100中的電路連接結(jié)構(gòu)框圖。圖6是采用圖5所示的電路中以兩級射頻功率放大電路100的三階交調(diào)功率隨輸入的雙音發(fā)射信號功率的變化示意圖。
具體實施例方式如在說明書及權(quán)利要求當(dāng)中使用了某些詞匯來指稱特定組件。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)可理解，硬件制造商可能會用不同名詞來稱呼同一個組件。本說明書及權(quán)利要求并不以名稱的差異來作為區(qū)分組件的方式，而是以組件在功能上的差異來作為區(qū)分的準(zhǔn)則。如在通篇說明書及權(quán)利要求當(dāng)中所提及的“包含”為一開放式用語，故應(yīng)解釋成“包含但不限定于”?！按笾隆笔侵冈诳山邮艿恼`差范圍內(nèi)，本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠在一定誤差范圍內(nèi)解決所述技術(shù)問題，基本達(dá)到所述技術(shù)效果。此外，“耦接”一詞在此包含任何直接及間接的電性耦接手段。因此，若文中描述一第一裝置耦接于一第二裝置，則代表所述第一裝置可直接電性耦接于所述第二裝置，或通過其他裝置或耦接手段間接地電性耦接至所述第二裝置。說明書后續(xù)描述為實施本發(fā)明的較佳實施方式，然所述描述乃以說明本發(fā)明的一般原則為目的，并非用以限定本發(fā)明的范圍。本發(fā)明的保護范圍當(dāng)視所附權(quán)利要求所界定者為準(zhǔn)。以下結(jié)合附圖對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)說明，但不作為對本發(fā)明的限定。如圖3和4所示，為本發(fā)明實施例所述的應(yīng)用于線性模式功率放大器的動態(tài)偏置控制電路，該動態(tài)偏置控制電路與功率放大電路52相耦接，其中，該動態(tài)偏置控制電路包括模式切換電路50和動態(tài)偏置電路51，所述模式切換電路50與所述動態(tài)偏置電路51相 耦接，所述動態(tài)偏置電路51與所述功率放大電路52相耦接，其中，當(dāng)所述功率放大器52的射頻輸入功率較小時，所述模式切換電路50控制所述動態(tài)偏置電路51為所述功率放大器52提供高偏置電壓；當(dāng)所述功率放大器52的射頻輸入功率較大時，所述模式切換電路50控制所述動態(tài)偏置電路51為所述功率放大器52提供低偏置電壓。其中，如圖4所示，所述模式切換電路50，包括4個晶體管501、503、504、506，3個電阻502、505、507 ;其中，所述晶體管501的基極、集電極相連，并且與外部的控制電壓(在本實施例中為模式控制電壓(VMode)，但不做具體限定)相連，所述晶體管501發(fā)射極與所述電阻502的一端相連，該電阻502的另一端與所述晶體管503的基極相連，該晶體管503的發(fā)射極接地，所述晶體管503的集電極與晶體管504的發(fā)射極相連，該晶體管504的基極、集電極相連，并且與所述電阻505的一端相連，該電阻505的另一端與外部的偏置電壓(在本實施例中為偏置電壓(VBias))相連，所述晶體管506的基極與晶體管503的集電極相連，所述晶體管506的發(fā)射極接地，該晶體管506的集電極與所述電阻507的一端相連，該電阻507的另一端與動態(tài)偏置電路51中的一端相連(如下文所述實際上是與所述晶體管512的基極相連)。其中，如圖4所示，所述動態(tài)偏置電路51，包括3個晶體管511、512、513，3個電阻514、515、516 ;其中，所述晶體管511的集電極與外部的偏置電路供電VCB(電源電壓)相連，所述晶體管511的基極與所述晶體管512的集電極相連，所述晶體管511的發(fā)射極與所述晶體管512的基極相連，所述晶體管513的集電極與外部的偏置電路供電VCB (電源電壓)相連，所述晶體管513的基極與所述晶體管511的基極相連，所述晶體管513的發(fā)射極與所述電阻516的一端相聯(lián)(目的是為功率放大電路52提供偏置電壓(Von))，所述電阻516的另一端接地，所述電阻515的一端與所述晶體管512的基極相連，所述電阻515的另一端接地，所述電阻514的一端與所述晶體管511的基極相連，所述電阻514的另一端與外部的偏置電壓(VBias)相連。其中，如圖4所示，上述的功率放大電路52在本實施例中進(jìn)一步可以為線性射頻功率放大器。該功率放大電路52，包括放大晶體管521、振流電阻522、電感(具體在本實施例中為CHOKE電感)523、輸入隔直電容524和輸出隔直電容525 ;其中，所述輸入隔直電容524的一端與外部的輸入射頻信號(RFIN)連接，所述輸入隔直電容524的另一端與所述放大晶體管521的基極相連，該放大晶體管521的發(fā)射極接地，所述放大晶體管521的集電極與所述輸出隔直電容525的一端相連,所述輸出隔直電容525的另一端與外部的輸出射頻信號(RFOUT)連接，所述電感523的一端與所述放大晶體管521的集電極相連，所述電感523的另一端接供電電壓(具體在本實施例中為電源電壓)，所述振流電阻522的一端與所述放大晶體管521的基極相連，該振流電阻522的另一端與所述動態(tài)偏置電路51相連接(具體是與所述動態(tài)偏置電路51提供的偏置電壓(Von)相連)。根據(jù)上述連接結(jié)構(gòu)關(guān)系，所述的應(yīng)用于線性模式功率放大器的動態(tài)偏置控制電路在運行過程中當(dāng)功率放大電路52的RFIN端口輸入小信號時，模式切換電路50的模式控制電壓VMode接收到低電平，晶體管501的基極、集電極為低電平，晶體管501關(guān)斷，導(dǎo)致晶體管503的基極為低電平，晶體管503關(guān)斷，晶體管504的基極、集電極通過電阻505與偏置電壓VBias相連(VBias電平一般為3V高電平)，晶體管504的基極、集電極為高電平，晶體管504導(dǎo)通，由于晶體管503關(guān)斷，晶體管504的發(fā)射極與晶體管506的基極的節(jié)點電壓為VBias-VPN>VPN，所以晶體管506導(dǎo)通，此時電阻507與電阻515并聯(lián)接地，導(dǎo)致晶體管512的基極與電阻515—端節(jié)點的電壓降低，從而導(dǎo)致晶體管512的集電極到發(fā)射極電流減小， 此時電阻514的壓降較小，晶體管513的基極電壓升高，Von升高，從而使功率放大電路52工作在AB類偏A類的工作狀態(tài)，小信號線性性能較好；當(dāng)功率放大電路52的RFIN端口輸入大信號時，模式切換電路50的模式控制電壓VMode接收到高電平，晶體管501的基極、集電極為高電平，晶體管501導(dǎo)通，晶體管503基極電平為VMode-VPN>VPN，晶體管503導(dǎo)通，導(dǎo)致晶體管503的集電極與晶體管506的基極節(jié)點電壓為低電平，所以晶體管506關(guān)斷，此時電阻507不起作用，電阻515單獨接地，導(dǎo)致晶體管512的基極與電阻515 —端節(jié)點的電壓升高，從而導(dǎo)致晶體管512的集電極到發(fā)射極電流增大，此時電阻514的壓降較大，晶體管513的基極電壓降低，Von降低，從而使功率放大電路52工作在AB類偏B類的工作狀態(tài)，射頻功率放大器的增益隨輸入發(fā)射信號的增加在壓縮前會有個補償?shù)臓顟B(tài)，這樣可以延遲射頻功率放大器的增益壓縮，從而增大射頻功率放大器的最大線性輸出功率并提高效率。如圖5和6所示，下面以一個具體應(yīng)用實施例進(jìn)行說明本實施例以兩級射頻功率放大電路100為例，包括兩級功率放大電路101、102，輸入匹配電路103，級間匹配電路104，輸出匹配電路105，兩級應(yīng)用于線性模式功率放大器的動態(tài)偏置電路106、107，一個模式切換電路108，功率檢測電路109和比較器110。工作原理是當(dāng)射頻輸入信號較小時，功率檢測電路109從射頻輸出端口檢測到的功率較小，功率檢測電路109輸出一個較低的電平VPD，VPD〈Vref，比較器110輸出VMode為低電平，模式切換電路108控制動態(tài)偏置電路106、107為功率放大電路101，102提供高偏置電壓，使其工作在AB類偏A類的工作狀態(tài)，保證射頻功率放大器在小信號工作狀態(tài)下有好的線性度；當(dāng)射頻輸入信號較大時，功率檢測電路109從射頻輸出端口檢測到的功率較大，功率檢測電路109輸出一個較高的電平VPD，VPD>Vref,比較器110輸出VMode為高電平，模式切換電路108控制動態(tài)偏置電路106、107為功率放大電路101，102提供低偏置電壓，使其工作在AB類偏B類的工作狀態(tài)，由于當(dāng)偏置電路在射頻功率放大器工作在大信號的狀態(tài)下，為其提供的偏置電流較小時，射頻功率放大器的增益隨輸入發(fā)射信號的增加在壓縮前會有個補償?shù)臓顟B(tài)，這樣可以延遲射頻功率放大器的增益壓縮，從而增大射頻功率放大器的最大線性輸出功率，并提高效率。如圖6所示，兩級射頻功率放大電路100通過模式切換電路108切換動態(tài)偏置電路106、107工作狀態(tài)，使得動態(tài)偏置電路106、107在不同射頻輸入信號條件下為功率放大電路101、102提供不同輸入電流，兩級射頻功率放大電路100的三階交調(diào)功率隨輸入的雙音發(fā)射信號功率進(jìn)行變化(如圖6所示)。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明所述的一種應(yīng)用于線性模式功率放大器的動態(tài)偏置控制電路，達(dá)到了如下效果I)本發(fā)明所述的一種應(yīng)用于線性模式功率放大器的動態(tài)偏置控制電路，通過模式切換，可以控制偏置電路對射頻功率放大器提供不同的偏置電流，使其工作在最佳的工作狀態(tài)，降低了功率損耗；
2)本發(fā)明所述的一種應(yīng)用于線性模式功率放大器的動態(tài)偏置控制電路有效的提高了線性功率放大器的最大線性輸出功率，提高了功率效率，并改善了線性模式功率放大器中低功率的線性度，極大優(yōu)化了線性功率放大器的性能。上述說明示出并描述了本發(fā)明的若干優(yōu)選實施例，但如前所述，應(yīng)當(dāng)理解本發(fā)明并非局限于本文所披露的形式，不應(yīng)看作是對其他實施例的排除，而可用于各種其他組合、修改和環(huán)境，并能夠在本文所述發(fā)明構(gòu)想范圍內(nèi)，通過上述教導(dǎo)或相關(guān)領(lǐng)域的技術(shù)或知識進(jìn)行改動。而本領(lǐng)域人員所進(jìn)行的改動和變化不脫離本發(fā)明的精神和范圍，則都應(yīng)在本發(fā)明所附權(quán)利要求的保護范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種應(yīng)用于線性模式功率放大器的動態(tài)偏置控制電路，該動態(tài)偏置控制電路與功率放大電路52相耦接，其特征在于，該動態(tài)偏置控制電路包括模式切換電路50和動態(tài)偏置電路51，所述模式切換電路50與所述動態(tài)偏置電路51相耦接，所述動態(tài)偏置電路51與所述功率放大電路52相耦接，其中， 當(dāng)所述功率放大器52的射頻輸入功率較小時，所述模式切換電路50控制所述動態(tài)偏置電路51為所述功率放大器52提供高偏置電壓； 當(dāng)所述功率放大器52的射頻輸入功率較大時，所述模式切換電路50控制所述動態(tài)偏置電路51為所述功率放大器52提供低偏置電壓。
2.如權(quán)利要求I所述應(yīng)用于線性模式功率放大器的動態(tài)偏置控制電路，其特征在于，所述模式切換電路50，包括4個晶體管501、503、504、506，3個電阻502、505、507 ;其中，所述晶體管501的基極、集電極相連，并且與外部的控制電壓相連，所述晶體管501發(fā)射極與所述電阻502的一端相連，該電阻502的另一端與所述晶體管503的基極相連，該晶體管503的發(fā)射極接地，所述晶體管503的集電極與晶體管504的發(fā)射極相連，該晶體管504的基極、集電極相連，并且與所述電阻505的一端相連，該電阻505的另一端與外部的偏置電壓相連，所述晶體管506的基極與晶體管503的集電極相連，所述晶體管506的發(fā)射極接地，該晶體管506的集電極與所述電阻507的一端相連，該電阻507的另一端與動態(tài)偏置電路51中的一端相連。
3.如權(quán)利要求I所述應(yīng)用于線性模式功率放大器的動態(tài)偏置控制電路，其特征在于，所述動態(tài)偏置電路51，包括3個晶體管511、512、513，3個電阻514、515、516 ;其中，所述晶體管511的集電極與外部的偏置電路供電電源電壓相連，所述晶體管511的基極與所述晶體管512的集電極相連，所述晶體管511的發(fā)射極與所述晶體管512的基極相連，所述晶體管513的集電極與外部的偏置電路供電電源電壓相連，所述晶體管513的基極與所述晶體管511的基極相連，所述晶體管513的發(fā)射極與所述電阻516的一端相聯(lián)，所述電阻516的另一端接地，所述電阻515的一端與所述晶體管512的基極相連，所述電阻515的另一端接地，所述電阻514的一端與所述晶體管511的基極相連，所述電阻514的另一端與外部的偏置電壓相連。
4.如權(quán)利要求I所述應(yīng)用于線性模式功率放大器的動態(tài)偏置控制電路，其特征在于，所述功率放大電路52進(jìn)一步為線性射頻功率放大器。
5.如權(quán)利要求I所述應(yīng)用于線性模式功率放大器的動態(tài)偏置控制電路，其特征在于，所述功率放大電路52，包括放大晶體管521、振流電阻522、電感523、輸入隔直電容524和輸出隔直電容525 ;其中,所述輸入隔直電容524的一端與外部的輸入射頻信號連接,所述輸入隔直電容524的另一端與所述放大晶體管521的基極相連,該放大晶體管521的發(fā)射極接地，所述放大晶體管521的集電極與所述輸出隔直電容525的一端相連，所述輸出隔直電容525的另一端與外部的輸出射頻信號連接，所述電感523的一端與所述放大晶體管521的集電極相連，所述電感523的另一端接供電電壓，所述振流電阻522的一端與所述放大晶體管521的基極相連，該振流電阻522的另一端與所述動態(tài)偏置電路51相連接。
6.如權(quán)利要求2所述應(yīng)用于線性模式功率放大器的動態(tài)偏置控制電路，其特征在于，所述外部的控制電壓進(jìn)一步為模式控制電壓VMode。
7.如權(quán)利要求2或3所述應(yīng)用于線性模式功率放大器的動態(tài)偏置控制電路，其特征在于，所述外部的偏置電壓進(jìn)一步為偏置電壓VBias。
8.如權(quán)利要求3所述應(yīng)用于線性模式功率放大器的動態(tài)偏置控制電路，其特征在于，所述外部的偏置電路供電電源電壓進(jìn)一步為VCB電源電壓。
9.如權(quán)利要求4所述應(yīng)用于線性模式功率放大器的動態(tài)偏置控制電路，其特征在于，所述電感進(jìn)一步為CHOKE電感。
10.如權(quán)利要求7所述應(yīng)用于線性模式功率放大器的動態(tài)偏置控制電路，其特征在于，所述偏置電壓VBias為3V高電平。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種應(yīng)用于線性模式功率放大器的動態(tài)偏置控制電路，該動態(tài)偏置控制電路與功率放大電路相耦接，其特征在于，該動態(tài)偏置控制電路包括模式切換電路和動態(tài)偏置電路，模式切換電路與動態(tài)偏置電路相耦接，動態(tài)偏置電路與功率放大電路相耦接，其中，當(dāng)功率放大器的射頻輸入功率較小時，模式切換電路控制動態(tài)偏置電路為功率放大器提供高偏置電壓；當(dāng)功率放大器的射頻輸入功率較大時，模式切換電路控制動態(tài)偏置電路為功率放大器提供低偏置電壓。本發(fā)明解決了現(xiàn)有的線性射頻功率放大器偏置控制電路功率損耗高、無法在較寬的輸入發(fā)射信號范圍內(nèi)對射頻功率放大器的線性度進(jìn)行優(yōu)化以及無法優(yōu)化系統(tǒng)指標(biāo)的問題。
文檔編號H03G3/20GK102969995SQ20121048481
公開日2013年3月13日 申請日期2012年11月23日 優(yōu)先權(quán)日2012年11月23日
發(fā)明者劉磊, 路寧, 黃清華, 陳高鵬 申請人:銳迪科創(chuàng)微電子(北京)有限公司