專利名稱：高頻放大器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的實(shí)施方式整體上涉及一種高頻放大器。
背景技術(shù)：
在高頻放大器中，隨著構(gòu)成FET單元(晶胞)的場效應(yīng)晶體管(以下稱為“FET”)的高性能化，奇數(shù)模(Odd Mode)的環(huán)振蕩的頻率變高，其環(huán)變小，結(jié)果，就會(huì)在構(gòu)成高頻放大器的多個(gè)FET單元之間產(chǎn)生環(huán)振蕩。為了抑制這種在FET單元之間產(chǎn)生的振蕩，而應(yīng)用了在FET單元之間的適當(dāng)位置上配置電阻(單元間電阻)的技術(shù)、在FET的柵極端子和接地之間配置電阻(分流電阻)的技術(shù)等。在FET單元之間配置電阻的情況下，對于在由鄰接的FET單元形成的環(huán)中產(chǎn)生的振蕩的抑制是有效的，但是對于在由遠(yuǎn)離的FET單元形成的環(huán)中產(chǎn)生的振蕩的抑制可能沒有效果。在FET的柵極端子和接地之間配置電阻的情況下，為了防止高頻特性的劣化(高頻信號的流出)，而需要設(shè)置較大的電感器。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實(shí)施方式提供一種高頻放大器，能夠有效地抑制在多個(gè)FET單元中形成的環(huán)振蕩。根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式，提供一種高頻放大器，具有分配電路、FET單元、穩(wěn)定電路以及合成電路。分配電路將所輸入的輸入信號分配為多個(gè)信號。FET單兀放大由上述分配電路分配的上述信號。上述穩(wěn)定電路具有RC并聯(lián)電路，該RC并聯(lián)電路分別串聯(lián)連接在上述分配電路和上述FET單元的柵極端子之間，該RC并聯(lián)電路分別由電容器和電阻構(gòu)成。上述合成電路對由上述FET單元放大的信號進(jìn)行合成。通過上述構(gòu)成，能夠有效地抑制在多個(gè)FET單元中形成的環(huán)振蕩。


圖1是表示第一實(shí)施方式的高頻放大器的示意平面圖形的圖。圖2是表示第一實(shí)施方式的高頻放大器的電路構(gòu)成的圖。圖3是表示沿著圖1的IV -1V線的截面的示意放大圖。圖4是表示沿著圖1的V - V線的截面的示意放大圖。圖5是表示沿著圖1的V1-VI線的截面的示意放大圖。圖6是將圖1的部分J放大表示的平面圖。
圖7是表示沿著圖6的III-III線的截面的示意放大圖。圖8是表示鄰接的FET單元之間的環(huán)的圖。圖9是表示不鄰接的FET單元之間的環(huán)的圖。圖10是比較例的具有穩(wěn)定電路的聞?lì)l放大器的概略電路圖。圖11是第一實(shí)施方式的具有穩(wěn)定電路的高頻放大器的概略電路圖。圖12是用于對比較例中的穩(wěn)定電路和第一實(shí)施方式中的穩(wěn)定電路各自的穩(wěn)定系數(shù)進(jìn)行比較的圖。圖13是用于對比較例中的穩(wěn)定電路和第一實(shí)施方式中的穩(wěn)定電路各自的增益進(jìn)行比較的圖。圖14是表示第二實(shí)施方式的高頻放大器的示意平面圖形的圖。圖15是表示第二實(shí)施方式的高頻放大器的電路的圖。圖16是表示沿著圖14的I-I線的截面的示意放大圖。圖17是表示沿著圖14的II-II線的截面的示意放大圖。
具體實(shí)施例方式以下，參照附圖對實(shí)施方式進(jìn)行說明。在附圖中，相同的符號表示相同或類似的部分。參照圖1和圖2對第一實(shí)施方式進(jìn)行說明。圖1是表示第一實(shí)施方式的高頻放大器的示意平面圖形的圖。圖2表示圖1所示的高頻放大器的電路。第一實(shí)施方式的高頻放大器是功率放大器。如圖1和圖2所不,第一實(shí)施方式的聞?lì)l放大器具備輸入電路基板20、匹配電路電容器基板22、半導(dǎo)體基板24以及輸出電路基板26。在輸入電路基板20上形成有對輸入信號進(jìn)行分配的分配電路7。在匹配電路電容器基板22上形成有穩(wěn)定電路基板21，該穩(wěn)定電路基板21形成了對在FET單元(晶胞)之間產(chǎn)生的環(huán)振蕩進(jìn)行抑制的RC并聯(lián)電路9。在半導(dǎo)體基板24上形成有4個(gè)放大元件(FET)Q Γ04,該4個(gè)放大元件(FET) Qf Q4構(gòu)成對由分配電路7分配的輸入信號進(jìn)行放大的FET單元(晶胞)。放大元件Qf Q4是所謂的分立半導(dǎo)體器件(分立式半導(dǎo)體器件)。在輸出電路基板26上形成有對來自多個(gè)放大元件Qf Q4的輸出進(jìn)行合成的合成電路8。輸入電路基板20、匹配電路電容器基板22以及輸出電路基板26是介質(zhì)基板。在輸入電路基板20上設(shè)置有輸入端子Pi。上述分配電路7由分配線路SL1、SL2構(gòu)成。RC并聯(lián)電路9分別具備并聯(lián)連接的電容器C和電阻R。在輸出電路基板26上配置有輸出端子Po。上述合成電路8由合成線路SL4、SL5構(gòu)成。分配線路SL2和匹配電路電容器基板22的電極21a，分別通過接合線BWl來連接。穩(wěn)定電路基板21的電極21c和放大元件Qf Q4的柵極端子電極G，分別通過接合線BW2來連接。放大元件Qf Q4的漏極端子電極D和合成線路SL4，分別通過接合線BW3來連接。如上所述，RC并聯(lián)電路9未被配置在半導(dǎo)體基板24上，而是被配置在與半導(dǎo)體基板24不同的匹配電路電容器基板22上。第一實(shí)施方式的高頻放大器為了得到大功率而具備四個(gè)FET單元、即放大元件Qf Q4。根據(jù)FET單元的數(shù)量，由分配線路SL1、SL2來分配輸入信號，并在由構(gòu)成FET單元的4個(gè)放大元件Qf Q4放大了所分配的信號之后，由合成線路SL4、SL5來合成所放大的輸入信號并輸出。更具體地，高頻的輸入信號被從輸入端子Pi輸入，分配線路SLl將從輸入端子Pi輸入的信號分配為兩個(gè)。分配線路SL2將分配線路SLl分配的各個(gè)信號進(jìn)一步分配為兩個(gè)。分配線路SL2分配的各信號，分別輸入到對應(yīng)的放大元件Qf Q4的柵極端子電極G，而被功率放大。與放大元件QfQ4的漏極端子電極D連接的合成線路SL4，將各放大元件進(jìn)行了功率放大的兩組信號合成為一組，合成線路SL5將合成線路SL4合成的信號進(jìn)一步合成為一個(gè)信號。輸出端子Po將合成線路SL5合成的信號輸出到外部。如上述那樣，在本實(shí)施方式中，配置有與每個(gè)FET單元對應(yīng)的、構(gòu)成穩(wěn)定電路的RC并聯(lián)電路9。RC并聯(lián)電路9分別串聯(lián)連接在分配線路SL2和柵極端子電極G之間。如后所述那樣，RC并聯(lián)電路9抑制在由鄰接的FET單元形成的環(huán)中產(chǎn)生的振蕩、以及在由遠(yuǎn)離的FET單元形成的環(huán)中產(chǎn)生的振蕩。圖:T圖5表示第一實(shí)施方式中的匹配電路電容器基板22以及穩(wěn)定電路基板21的截面構(gòu)造。圖3是表示沿著圖1的IV-1V線的截面的示意放大圖。圖4是表示沿著圖1的V - V線的截面的示意放大圖。圖5是表示沿著圖1的V1-VI線的截面的示意放大圖。在匹配電路電容器基板(第一介質(zhì)基板)22的表面上形成有電極21a，在與上述表面相反側(cè)的匹配電路電容器基板22的表面上形成有接地電極22a。圖2所示的匹配電路電容器Cl由電極21a、電極22a以及匹配電路電容器基板(第一介質(zhì)基板)22構(gòu)成。在上述電極2Ia上層疊有形成RC并聯(lián)電路9的穩(wěn)定電路基板(第二介質(zhì)基板)21。在穩(wěn)定電路基板21上形成有:構(gòu)成上述RC并聯(lián)電路9的上述電阻R、即電阻層(電阻器)18 ;以及電極 21c，被配置為與上述電阻層18的一端電連接。在穩(wěn)定電路基板21上形成有通孔TH。上述電阻層18的另一端和電極21a，經(jīng)由形成在通孔TH中的通孔電極21b而電連接。構(gòu)成上述RC并聯(lián)電路9的上述電容器C，由電極21a、電極21c以及穩(wěn)定電路基板(第二介質(zhì)基板)21構(gòu)成。作為匹配電路電容器基板22，例如能夠選擇K=140的高介質(zhì)材料，并能夠?qū)⑵浜穸刃纬蔀榇蠹s0.1mm左右。作為介質(zhì)層21，例如能夠選擇K=IO的氧化鋁，并能夠?qū)⑵浜穸刃纬蔀榇蠹s0.1mm左右。作為電阻器18，例如能夠分別使用薄膜電阻為50 Ω / □的鎳鉻合金(NiCr)，并能夠使其形狀成為寬度大約50 μ mX長度大約30 μ m左右。作為電容器C,例如使用電容值為大約0.5 大約1.0pF左右的電容器。表I表不用于實(shí)現(xiàn)這種電容器C的介質(zhì)層21的具體例。為了得到電容C=0.85pF，而使介質(zhì)層21的材質(zhì)為氧化招，使其厚度為大約100 μ m,使其邊的長度為大約ImmX大約Imm左右。表權(quán)利要求
1.一種聞?lì)l放大器，具備: 分配電路，將所輸入的輸入信號分配為多個(gè)信號； FET單元，放大由上述分配電路分配的上述信號； 穩(wěn)定電路，具有RC并聯(lián)電路，該RC并聯(lián)電路分別串聯(lián)連接在上述分配電路和上述FET單元的柵極端子之間，該RC并聯(lián)電路分別由電容器和電阻構(gòu)成；以及合成電路，合成由上述FET單兀放大的信號。
2.如權(quán)利要求1所述的高頻放大器，其中， 上述FET單元和上述RC并聯(lián)電路分別通過導(dǎo)線連接。
3.如權(quán)利要求1所述的高頻放大器，其中， 上述穩(wěn)定電路配置在與上述FET單元所配置的半導(dǎo)體基板不同的基板上。
4.如權(quán)利要求1所述的高頻放大器，其中， 上述分配電路、上述穩(wěn)定電路以及上述合成電路分別配置在與上述FET單元所配置的半導(dǎo)體基板不同的基板上。
5.如權(quán)利要求4所述的高頻放大器，其中， 上述分配電路和上述穩(wěn)定電路，配置在與上述FET單元所配置的半導(dǎo)體基板不同的同一基板上。
6.如權(quán)利要求4所述的高頻放大器，其中， 上述穩(wěn)定電路具備: 介質(zhì)的電路基板； 第一電極，形成在該電路基板上； 介質(zhì)層，形成在該第一電極上，在該介質(zhì)層上分別形成有上述電阻； 第二電極，形成在上述介質(zhì)層上，與上述第一電極和上述介質(zhì)層一起，分別構(gòu)成上述電容器；以及 第三電極，形成在上述介質(zhì)層上所形成的通孔上，將上述電阻和上述第一電極電連接。
7.如權(quán)利要求5所述的高頻放大器，其中， 上述穩(wěn)定電路具備: 介質(zhì)的電路基板； 電阻器，形成在該電路基板上； 電容器，形成在上述電路基板上，該電容器由第一電極、形成在該第一電極上的絕緣層以及形成在該介質(zhì)層上的第二電極構(gòu)成； 將上述電阻器的一端和上述第一電極電連接的線路；以及 將上述電阻器的另一端和上述第二電極電連接的線路。
8.如權(quán)利要求3所述的高頻放大器，其中， 與上述半導(dǎo)體基板不同的上述基板是介質(zhì)基板。
9.如權(quán)利要求4所述的高頻放大器，其中， 與上述半導(dǎo)體基板不同的上述基板是介質(zhì)基板。
10.如權(quán)利要求5所述的高頻放大器，其中， 與上述半導(dǎo)體基板不同的上述基板是介質(zhì)基板。
全文摘要
根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式，提供一種高頻放大器，具有分配電路、FET單元、穩(wěn)定電路以及合成電路。分配電路將所輸入的輸入信號分配為多個(gè)信號。FET單元放大由上述分配電路分配的上述信號。上述穩(wěn)定電路具有RC并聯(lián)電路，該RC并聯(lián)電路分別串聯(lián)連接在上述分配電路和上述FET單元的柵極端子之間，該RC并聯(lián)電路分別由電容器和電阻構(gòu)成。上述合成電路合成由上述FET單元放大的信號。
文檔編號H03F3/189GK103117716SQ20121028075
公開日2013年5月22日 申請日期2012年8月8日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月16日
發(fā)明者高木一考 申請人:株式會(huì)社東芝