專利名稱：一種聲表面波反射柵的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電子信息技術(shù)領(lǐng)域中無源電子標簽，特別是涉及一種超高頻小尺寸聲表面波反射柵。
背景技術(shù)：
現(xiàn)代通信的發(fā)展，要求提供低損耗的聲表面波(surface acoustic wave, SAW)器件。相對于傳統(tǒng)的聲表面波器件，低損耗SAW器件的主要原理是利用柵條的反射，實現(xiàn)聲波的單向傳播。為了能在設(shè)計的過程中把柵條的反射考慮進去，必須對原有的設(shè)計方法進行必要的改進。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種能夠工作在2. 4GHz下，可以降低聲表面波的傳輸損耗， 并且提高反射柵的反射能力的聲表面波反射柵。本發(fā)明的技術(shù)方案如下一種聲表面波反射柵，包括多個反射柵電極，反射柵電極厚度為0. 06 μ m，寬度為 0. 1 μ m。作為優(yōu)選實施方式，所述的聲表面波反射柵，所述反射柵電極的長度為155μπι，電極與電極的間距為0. 1 μ m。本發(fā)明提供的反射柵具有很強的反射能力和較低傳輸損耗，能很好的解決2. 4GHz 聲表面波標簽中反射柵的反射系數(shù)和傳輸損耗問題，提高標簽的識別效率與精準度。


圖1本發(fā)明的反射柵尺寸結(jié)構(gòu)示意圖。圖2本發(fā)明的反射柵尺寸結(jié)構(gòu)剖面圖。圖3(a)和(b)分別為反射柵電極的S11和S12曲線。圖4反射系數(shù)與反射柵電極數(shù)量的關(guān)系曲線。圖5傳輸損耗與反射柵電極數(shù)量的關(guān)系曲線。
具體實施例方式下面結(jié)合附圖和實施例，對本發(fā)明做進一步說明。反射柵是聲表面波器件中最基本的器件結(jié)構(gòu)，本發(fā)明采用的是開路反射柵模型， 附圖1和附圖2為一組反射柵的尺寸結(jié)構(gòu)圖，圖中，1為基板，2為反射柵的一個電極。反射柵的反射系數(shù)主要與反射柵的結(jié)構(gòu)、電極的數(shù)量、厚度等參數(shù)有關(guān)，隨著電極厚度的減小， 聲表面波的衰減系數(shù)會隨之減小，另一方面，由于電極厚度的減小，開路柵的反射能力也隨之減小，為了兼顧聲表面波標簽的衰減特性與反射特性，最終選取電極厚度為0. 06μπι，通過附圖3所示的回波損耗S11曲線和傳輸損耗S21曲線，可知反射柵適用于頻率為2. 4GHz的聲表面波。柵電極的數(shù)量也是影響反射系數(shù)的重要因素，隨著反射柵電極數(shù)量的增加，反射系數(shù)會增大，但聲表面波的損耗也會加大，如附圖4、附圖5所示。通過一系列優(yōu)化，聲表面波反射柵的柵電極的長、寬及厚度分別為155 μ m、0. 1 μ m和0. 06 μ m,如附圖1和2所示，并且6個反射柵電極構(gòu)成一組反射柵，此時，反射柵具有很強的反射能力和較低傳輸損耗，可以很好的應(yīng)用于超高頻聲表面波標簽中。 通過對反射器結(jié)構(gòu)的優(yōu)化，可以有效解決聲表面波標簽的反射能力和傳輸損耗問題，通過仿真優(yōu)化最終確定聲表面波反射器的柵電極的長、寬及厚度分別為155μπι、0. Ιμπι 和0. 06 μ m,電極與電極的間距為0. 1 μ m，并且每6個反射柵電極構(gòu)成一組反射柵，此時，反射柵具有很強的反射能力和較低傳輸損耗，可以很好的應(yīng)用于2. 4GHz聲表面波標簽中。
權(quán)利要求
1.一種聲表面波反射柵，包括多個反射柵電極，其特征在于，反射柵電極厚度為 0. 06 μ m，寬度為 0· Ιμ ο
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聲表面波反射柵，其特征在于，所述反射柵電極的長度為 155 μ m，電極與電極的間距為0. Iym0
全文摘要
本發(fā)明屬于電子信息技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種聲表面波反射柵，包括多個反射柵電極，其特征在于，反射柵電極厚度為0.06μm，寬度為0.1μm。本發(fā)明提供的反射柵具有很強的反射能力和較低傳輸損耗，能很好的解決2.4GHz聲表面波標簽中反射柵的反射系數(shù)和傳輸損耗問題，提高標簽的識別效率與精準度。
文檔編號H03H9/25GK102571028SQ20121005678
公開日2012年7月11日 申請日期2012年3月6日 優(yōu)先權(quán)日2012年3月6日
發(fā)明者常志剛, 肖夏 申請人:天津大學