專利名稱：靜電放電電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電子電路，且更具體地說，涉及用于保護(hù)免受靜電放電(ESD)的電路。
背景技術(shù)：
處理電子裝置的危害之一是由靜電放電(ESD)引起的。ESD是在來自靜電場的不同電勢處的兩點(diǎn)之間的電流的驟增。兩點(diǎn)之間的接觸可為電場提供放電路徑。由于兩點(diǎn)之間的電勢差可能會非常大，所以由ESD產(chǎn)生的電流也可能會非常大。半導(dǎo)體裝置(諸如集成電路)特別容易受到ESD的損壞。在制造過程中，且在產(chǎn)業(yè)后期，半導(dǎo)體裝置和/或組件的處理可能導(dǎo)致ESD事件。這種ESD事件可能損壞或破壞半導(dǎo)體裝置。處理電子裝置和組件的人員可采取預(yù)防措施，諸如使用接地帶或穿著接地鞋，以便防止ESD損壞處理的組件。然而，這些預(yù)防措施可能并不總是足夠的。因此，許多現(xiàn)代電 子裝置被設(shè)計為帶有內(nèi)置的ESD保護(hù)。一類ESD電路被稱為ESD鉗位。ESD鉗位可包括耦合在電源節(jié)點(diǎn)和接地節(jié)點(diǎn)之間的RC (電阻-電容)電路，和具有耦合至RC電路的電阻器和電容器的接頭的閘極端子的相對大的晶體管。當(dāng)發(fā)生ESD事件時，RC電路的接頭處的電壓可啟動晶體管，從而為來自放電的電流提供放電路徑。

發(fā)明內(nèi)容
公開了一種集成電路(1C)。在一個實施例中，IC包括第一全局電壓節(jié)點(diǎn)和第二全局電壓節(jié)點(diǎn)。IC還包括其中各耦合至第一全局電壓節(jié)點(diǎn)的兩個或更多個電源域。兩個或更多個電源域中的每個電源域都包括功能單元和耦合至功能單元的局部電壓節(jié)點(diǎn)。所述多個電源域中的每個電源域還包括耦合在局部電壓節(jié)點(diǎn)和第二全局電壓節(jié)點(diǎn)之間的晶體管和被配置來檢測ESD事件的發(fā)生并進(jìn)一步被配置來響應(yīng)于檢測到ESD事件而使晶體管啟動的ESD (靜電放電)電路。在一個實施例中，一種方法包括ESD (靜電放電)電路檢測ESD事件。ESD電路與集成電路(IC)的多個電源域中的一個電源域相關(guān)聯(lián)，其中多個電源域中的每個電源域都與多個ESD電路中的相應(yīng)一個ESD電路相關(guān)聯(lián),并稱合在第一全局電壓節(jié)點(diǎn)和第二全局電壓節(jié)點(diǎn)之間。所述方法還包括響應(yīng)于檢測到ESD事件在第二全局電壓節(jié)點(diǎn)和多個電源域中的所述一個電源域的局部電壓節(jié)點(diǎn)之間提供放電路徑。


在閱讀了下面的詳細(xì)描述并參考附圖后，本發(fā)明的其它方面將變得顯而易見，其中圖I是示出具有各利用電源門控晶體管來提供ESD放電路徑的多個電源域的集成電路(IC)的一個實施例的圖；圖2是示出IC中的ESD電路的一個實施例的圖；圖3是示出具有各利用電源門控晶體管來提供ESD放電路徑的多個電源域的IC的另一個實施例的圖；圖4是示出IC中的ESD電路的另一個實施例的圖；圖5是示出具有各利用電源門控晶體管來提供ESD放電路徑的多個電源域的IC的另一個實施例的圖；圖6是示出用于在IC中提供ESD放電路徑的方法的一個實施例的流程圖；圖7是存儲代表IC的實施例的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)的載體介質(zhì)的一個實施例的框圖。雖然本發(fā)明很容易有各種修改和替代形式，但是其具體實施例在附圖中是舉例示 出，并且將在本文中詳細(xì)描述。然而，應(yīng)理解，附圖和對其的描述并不旨在將本發(fā)明限制于所公開的特定形式，而正相反，本發(fā)明將涵蓋落入如所附的權(quán)利要求所限定的本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)的所有修改、等同物和替換。
具體實施例方式本公開涉及具有出于節(jié)省功率的目的而可選擇性且獨(dú)立地通電或斷電的多個電源域的集成電路(IC)的ESD (靜電放電)保護(hù)。在每個電源域中，可實現(xiàn)ESD檢測電路，以便檢測ESD事件。當(dāng)檢測到ESD事件后，ESD檢測電路可產(chǎn)生信號以啟動電源門控晶體管，由此可完成ESD事件所產(chǎn)生的電流的放電路徑。每個電源域的ESD檢測電路也可耦合至IC的電源控制單元。響應(yīng)于電源控制單元對其各自ESD檢測電路提供第一指示而可使所選擇的電源域通電，從而啟動電源門控晶體管。同樣地，可響應(yīng)于電源控制單元對ESD檢測電路提供第二指示而使所選擇的電源域斷電，其可繼而撤銷啟動電源門控晶體管。因此，除了從相應(yīng)電源域施加或移除電源的功能之外，電源門控晶體管還可用于ESD保護(hù)的目的。這可繼而避免需要專門為了 ESD保護(hù)的目的而提供額外的晶體管，從而導(dǎo)致IC晶片上的面積節(jié)省?，F(xiàn)在將進(jìn)一步詳細(xì)地討論這種IC的各種實施例。出于本公開的目的，ESD事件可被定義為由靜電場產(chǎn)生的不同電勢處的兩點(diǎn)之間的電流的任何驟增。當(dāng)在電子電路中(例如,在IC中)發(fā)生這樣的ESD事件時，其可能會在沒有放電路徑的情況下對其中的電路造成損壞。出于本公開的目的，可將全局電壓節(jié)點(diǎn)定義為任何電壓節(jié)點(diǎn)(例如，電壓供應(yīng)節(jié)點(diǎn)、接地節(jié)點(diǎn))，其耦合至IC或其中的電路可獨(dú)立于其它電源域中的電路通電或斷電的其它類型電子系統(tǒng)的兩個或更多個電源域。用于本公開的目的的局部電壓節(jié)點(diǎn)可被定義為對于特定電源域的電路是局部的并因此不耦合至其它電源域中的電路的電壓節(jié)點(diǎn)。因此，出于本公開的目的，對特定的電源域施加電源可包括將該電源域的局部電壓節(jié)點(diǎn)耦合至相應(yīng)全局電壓節(jié)點(diǎn)(例如，將局部電壓電源節(jié)點(diǎn)耦合至全局電壓供應(yīng)節(jié)點(diǎn))。IC和ESD保護(hù)電路實施例圖I是示出具有各利用電源門控晶體管來提供ESD放電路徑的多個電源域的IC的一個實施例的圖。在所示的實施例中，IC 10包括第一電源域21和第二電源域22。給定實施例中的電源域的確切數(shù)目可能會有所不同，因此這里所示的實例并不旨在限制。所示實施例中的電源域21和22中的每個電源域都被耦合來接收來自全局電壓供應(yīng)節(jié)點(diǎn)Vdd的電壓。此外，IC 10包括用作全局返回電壓節(jié)點(diǎn)的第二電壓節(jié)點(diǎn)Vss。解耦電容27可提供在全局電壓供應(yīng)節(jié)點(diǎn)和全局電壓返回節(jié)點(diǎn)之間。解耦電容27可使用一個或多個電容器來實現(xiàn)，并且可以被分布成跨越IC 10。電源噪聲可通過解耦電容27被分流到返回節(jié)點(diǎn)，從而使全局電壓供應(yīng)節(jié)點(diǎn)和全局電壓返回節(jié)點(diǎn)之間的電壓差保持在基本恒定值下。所示實施例中的電源域21和22中的每個電源域都分別包括局部返回節(jié)點(diǎn)，Vss-Local I和Vss-Local 2。由一個或多個電容器組成的局部解I禹電容23可以提供在電源域21和22中的每個電源域中。如將要在下面進(jìn)一步詳細(xì)描述，這些電容器可提供與上述全局解耦電容27的功能類似的功能，并且還可以為ESD事件產(chǎn)生的電流提供一部分放電路徑。各自電源門控晶體管25耦合在電源域21和22的局部返回節(jié)點(diǎn)和全局返回節(jié)點(diǎn)Vss之間。電源域21和22中的特定一個電源域可通過啟動其相應(yīng)的電源門控晶體管25來通電，這可將其局部返回節(jié)點(diǎn)有效地耦合至全局返回節(jié)點(diǎn)Vss。應(yīng)注意，電源域21和22可彼此獨(dú)立地通電和斷電。IC 10可以是許多不同類型IC中的一種，其包括可彼此獨(dú)立地通電和斷電的多個 電源域。例如，在一個實施例中，IC 10可以是帶有包括組成核心的電路的每個功能單元24的多核處理器。在另一個實施例中，IC 10可以是旨在用于其中保存電池電量是關(guān)鍵的便攜式裝置中的1C，其中每個電源域都包括在不用時可以斷電的相應(yīng)功能單元24。應(yīng)注意，在IC 10的一些實施例中，功能單元24可以是相同的，而在其它實施例中，功能單元24可以是彼此不同的。一般而言，IC 10可以是任何類型的1C，其包括可獨(dú)立于其它部分通電或斷電的部分(例如，電源域)。同樣地，功能單元24可以是任何類型的功能電路，其執(zhí)行IC 10的一個或多個預(yù)期功能。所示的實施例中的電源域21和22中的每個電源域都可通過啟動其相應(yīng)電源門控晶體管25來通電。在所示的實施例中，每個電源門控晶體管25都具有耦合至各自ESD檢測電路26的閘極端子。每個ESD檢測電路26都被耦合來接收來自電源控制單元28的各自信號。當(dāng)ESD檢測電路26接收到各自通電(power on)信號(例如,對電源域21的PowerOn I、對電源域22的Power On 2)時，這可通過斷言在該電源域的電源門控晶體管25的閘極端子上接收的信號(‘Detect/On’)來響應(yīng)。這些信號可響應(yīng)由電源控制單元28對信號的各自電源進(jìn)行撤銷斷言而由其各自ESD檢測電路26撤銷斷言。因此，電源控制單元28可有效地控制在IC 10的正常操作期間是否將電源提供至電源域21和22。電源門控晶體管25的閘極端子上的‘Detect/On’信號的斷言可接著啟動該晶體管，從而有效地將其局部返回電壓節(jié)點(diǎn)耦合至全局返回電壓節(jié)點(diǎn)。例如，如果電源域21的電源門控晶體管25被啟動，那么Vss-Local I可有效地耦合至Vss-Global，由此使得電源能夠被提供至功能單元24。相反，撤銷斷言電源門控晶體管25的閘極端子上的信號可移除其中的電源。例如，如果提供至電源域21中的電源門控晶體管25的閘極端子的信號被撤銷斷言，那么Vss-Locall被有效地從Vss-Global中解耦，因此可從該電源域中移除電源。除了上述的電源門控功能之外，電源門控晶體管25也可以用于完成在ESD事件期間產(chǎn)生的電流的放電路徑。每個ESD檢測電路26可被配置來檢測否則將可能對電源域21和22中的每個電源域中的電路有潛在性破壞的ESD事件。響應(yīng)于對ESD事件的檢測，ESD檢測電路26可斷言其相應(yīng)的‘Detect/On’信號，從而啟動其各自電源域的電源門控晶體管25。當(dāng)電源域21和22的電源門控晶體管25活動時，可提供電流的放電路徑通過電容23至局部電壓返回節(jié)點(diǎn)(例如，Vss-Locall)并通過有源電源門控晶體管25。因此，除了其執(zhí)行先前描述的電源門控功能之外，所示實施例中的電源門控晶體管25還可提供提供ESD放電路徑的功能。使用電源門控晶體管來以所描述的方式提供ESD放電路徑可避免對提供單獨(dú)晶體管來執(zhí)行此功能的需要。因此，這能夠提供諸如IC 10的IC的ESD保護(hù)，同時也節(jié)省了否則可能會被單獨(dú)的ESD晶體管(其可以是相對較大)占用的電路面積。圖2是示出IC 10的ESD電路26的一個實施例的圖。為了便于說明，在圖2展示附加元件以充分地說明ESD檢測電路26與這些其它元件的關(guān)系，此處為了方便起見如圖I般對這些元件編號。在所示的實施例中，ESD檢測電路26包括串聯(lián)耦合的電容器32和電阻器33。電容器32和電阻器33的接點(diǎn)，即標(biāo)記為“事件(Event )”的節(jié)點(diǎn)，用作至或門31的輸入。所示的實施例中的電容器32耦合在事件節(jié)點(diǎn)和全局電源電壓節(jié)點(diǎn)之間。電阻器33耦合在事件節(jié)點(diǎn)和全局返回電壓節(jié)點(diǎn)之間。在沒有ESD事件的情況下，事件節(jié)點(diǎn)可通過電容器32從存在于全局電壓供應(yīng)節(jié)點(diǎn)Vdd上的電壓中解耦。因此，事件節(jié)點(diǎn)可通過電阻器33被拉向存在于全局電壓返回節(jié)點(diǎn)Vss-Global上的電壓。此外，如果電源控制單元28不斷言PowerOn1，那么在沒有ESD事件的情況下，或門31的輸出可以是低的。因此當(dāng)不斷言Power On I時，在沒有ESD事件的情況下，電源門控晶體管25的閘極端子(其耦合至或門31的輸出)是低的。在本實施例中，電源門控晶體管25是NMOS (η-溝道金屬氧化物半導(dǎo)體)晶體管，其可響應(yīng)于它的閘極端子上的邏輯高電壓啟動。因此，當(dāng)或門31的輸出低時，電源門控晶體管25因此處于非活動狀態(tài)。當(dāng)發(fā)生ESD事件時,Vdd和Vss-Global之間的電壓差可能會迅速增加。由于電容器兩端的電壓無法瞬時變化，所以響應(yīng)于ESD事件，流經(jīng)電阻器33的電流量可能會迅速增加。流經(jīng)電阻器33的電流的這種驟增因此可增加事件節(jié)點(diǎn)和Vss-Global之間的相應(yīng)電壓降。如果電壓降足夠，那么或門31可將事件節(jié)點(diǎn)上出現(xiàn)的電壓解譯為邏輯I。響應(yīng)于此，或門31可斷言邏輯I (即在這種情況下為邏輯高電壓)，從而使電源門控晶體管25啟動。如前文所述，啟動電源門控晶體管25可有效地將局部電壓返回節(jié)點(diǎn)(在這個實例中為Vss-Locall)耦合至Vss-Global。因此，響應(yīng)于對ESD事件的檢測而啟動電源門控晶體管25可因此通過電源域(在這個實例中為電源域21)而完成Vdd和Vss-Global之間的放電路徑。當(dāng)電源域21以另外方式處于非活動時提供通過電源域21的放電路徑因此可防止ESD損壞其中所包含的電路(例如，功能單元24 )。圖3是示出具有其中各利用電源門控晶體管來提供ESD放電路徑的多個電源域的IC的另一個實施例的圖。在這個特定實施例中，IC 40包括電源域41和42。電源域41和42中的每個電源域都包括相應(yīng)功能單元24、相應(yīng)局部解耦電容器23、相應(yīng)電源門控晶體管45和相應(yīng)ESD檢測電路46。所示的實施例中的電源控制單元28和解耦電容27類似于圖I和圖2中所示的類似編號的元件。在所示的實施例中，IC 40包括全局電壓供應(yīng)節(jié)點(diǎn)，Vdd-Global和全局電壓返回節(jié)點(diǎn)、Vss-Global0電源域41和42各分別包括局部電壓供應(yīng)節(jié)點(diǎn)、Vdd-Locall和Vdd-Local20相應(yīng)電源門控晶體管45耦合在其各自局部電壓供應(yīng)節(jié)點(diǎn)和全局供應(yīng)電壓節(jié)點(diǎn)Vdd之間。與圖I和圖2中所示的實施例相反，電源門控晶體管是PMOS (P-溝道金屬氧化物半導(dǎo)體)晶體管。此外，參照一下圖4，ESD檢測電路46利用或非門57，而不是如圖I和圖2的ESD檢測電路26所利用的或門31。因此，當(dāng)發(fā)生ESD事件時，在事件節(jié)點(diǎn)上檢測到的邏輯I可使或非門57驅(qū)動其輸出為低，并因此啟動耦合于此的相應(yīng)電源門控晶體管45。當(dāng)電源門控晶體管45在電源域41和42之一中被啟動時，相應(yīng)局部電壓供應(yīng)節(jié)點(diǎn)可有效地耦合至全局電壓供應(yīng)節(jié)點(diǎn)。因此，可提供來自ESD事件的電流的放電路徑通過有源電源門控晶體管45和相應(yīng)局部解耦電容器23，該放電路徑耦合在該特定電源域的Vss-Global和局部電壓供應(yīng)節(jié)點(diǎn)之間。響應(yīng)于ESD檢測電路45接收到來自電源控制單元28的相應(yīng)信號(例如，對電源域41的ESD檢測電路46的通電1)，電源域41和42中的每個電源域的電源門控晶體管45也可被啟動。因此，對電源域41的ESD檢測電路46提供通電I信號的斷言可使或非門57來驅(qū)動其輸出為低，并因此啟動相應(yīng)電源門控晶體管45?；诮邮諄碜噪娫纯刂茊卧?8的斷言的通電2信號的ESD電路46的操作可以是相同的。圖5是示出具有各利用多個電源門控晶體管來提供ESD放電路徑的多個電源域的IC的另一實施例的圖。在所示的實施例中的IC 50類似于圖I中所示的IC 10，其中類似編號的元件執(zhí)行相同功能。然而，IC 50中的電源域21和22各包括電源門控晶體管25的·多個實例，而不是IC 10的電源域的單個電源門控晶體管25。在一些實施例中，實施電源門控晶體管的多個實例可允許這些晶體管小于其中僅使用單個電源門控晶體管的實施例中的晶體管。在所示實施例中，電源域21和22各包括與解耦電容器23并聯(lián)耦合的附加晶體管55。晶體管55的每個實例都包括耦合至其各自ESD電路26的閘極端子。更具體地，每個晶體管55的閘極端子都可耦合至圖2的實施例中所示的相應(yīng)ESD電路26的事件節(jié)點(diǎn)。因此，在所示的實施例中的晶體管55被配置為僅響應(yīng)于ESD事件而被啟動，與晶體管25相反，除了響應(yīng)于ESD事件被啟動之外，晶體管25也可被啟動來對其各自電源域提供電源。當(dāng)活動時，晶體管55的給定實例可在Vdd和各自Vss-Local節(jié)點(diǎn)之間提供額外放電路徑，與相應(yīng)電容器23并聯(lián)。一般而言，可按照上面的討論實現(xiàn)IC的各種實施例，其中電源門控晶體管作為ESD保護(hù)裝置的功能可增加一倍。這樣的電源門控晶體管可耦合在全局電壓供應(yīng)節(jié)點(diǎn)和局部電壓供應(yīng)節(jié)點(diǎn)、全局地面節(jié)點(diǎn)和局部接地節(jié)點(diǎn)，和/或其它局部和全局電壓節(jié)點(diǎn)之間。ESD電路可耦合至這樣的電源門控晶體管，并可響應(yīng)于ESD事件使其啟動以提供放電路徑，并因此防止對其各自電源域的損壞。電源門控晶體管也可用于獨(dú)立地對其相應(yīng)電源域施加電源或從其相應(yīng)電源域中移除電源。方法流稈圖6是示出用于在IC中提供ESD放電路徑的方法的一個實施例的流程圖。在所示的實施例中，方法60開始于ESD事件的檢測(框62)。響應(yīng)于ESD事件的檢測，由一個或多個ESD檢測電路生成指示(框64)，其中每個ESD檢測電路都可與特定電源域相關(guān)聯(lián)。每個ESD檢測電路可耦合至特定電源域的相應(yīng)電源門控晶體管。對于給定的電源域，如果在檢測到ESD事件時其各自電源門控晶體管沒有被啟動(框66)，那么該電源門控晶體管可被啟動(塊68)，以便提供由ESD事件產(chǎn)生的電流的放電路徑。如果在ESD事件發(fā)生(框66，是)時與相應(yīng)電源域關(guān)聯(lián)的一些或所有電源門控晶體管已經(jīng)是活動的，那么不需要針對這些電源域采取進(jìn)一步的動作，因為已經(jīng)提供了通過有源電源門控晶體管且通過相應(yīng)解耦電容的放電路徑。應(yīng)注意，由于每個域的電源門控晶體管可獨(dú)立于與其它電源域相關(guān)聯(lián)的那些電源門控晶體管被啟動或去啟動，所以可在其它電源門控晶體管非活動的同時在給定的時間啟動一些電源門控晶體管。因此，有時，當(dāng)其它電源門控晶體管已經(jīng)活動的同時而發(fā)生ESD事件時，否則須瞬間啟動另外非活動的電源門控晶體管。計算機(jī)可訪問存儲介質(zhì):下面轉(zhuǎn)向圖7，展示一種包括代表如上面所討論的IC的10、40或50中任何一個(或所有)的數(shù)據(jù)庫的計算機(jī)可訪問存儲介質(zhì)300的框圖。一般而言，計算機(jī)可訪問存儲介質(zhì)可包括在使用期間由計算機(jī)訪問的任何非臨時存儲介質(zhì)，用于對計算機(jī)提供指令和/或數(shù)據(jù)。例如，計算機(jī)可訪問存儲介質(zhì)可包括存儲介質(zhì)，諸如磁或光介質(zhì)，例如，磁盤(固定的或可抽換的)、磁帶、CD-ROM 或 DVD-ROM、CD-R、CD-RW、DVD-R、DVD-RW 或藍(lán)光光碟(Blu-Ray )。存儲介質(zhì)可進(jìn)一步包括可通過諸如通用串行總線(USB)接口等的外圍接口訪問的易失性或非易失性存儲介質(zhì)，諸如RAM (例如，同步動態(tài)RAM (SDRAM)、雙倍數(shù)據(jù)速率(DDR、DDR2、DDR3等)SDRAM、低功耗 DDR (LPDDR2 等)SDRAM、Rambus DRAM (RDRAM)、靜態(tài) RAM (SRAM)等)、·ROM、閃存、非易失性存儲器(例如，閃存)。存儲介質(zhì)可包括微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)，以及通過諸如網(wǎng)絡(luò)和/或無線鏈路的通信介質(zhì)訪問的存儲介質(zhì)。一般情況下，代表在計算機(jī)可訪問存儲介質(zhì)300上進(jìn)行的IC 10、40和/或50的數(shù)據(jù)庫或其它類型的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)可以是可通過程序讀取和直接或間接地用來制作包括所描述的IC的硬件的數(shù)據(jù)庫。例如，數(shù)據(jù)庫可以是以諸如Verilog或VHDL的高級設(shè)計語言(HDL)的硬件功能的行為級描述或寄存器傳輸級(RTL)描述。該描述可以被綜合工具讀取，該綜合工具可綜合描述以產(chǎn)生包括來自綜合庫的門或其它電路的列表的網(wǎng)絡(luò)列表。網(wǎng)絡(luò)列表包括還表示包括所描述的IC的硬件的功能的一組門和其它電路。網(wǎng)絡(luò)列表然后可以被放置并定路徑，以產(chǎn)生描述要應(yīng)用至掩模的幾何形狀的數(shù)據(jù)集。掩模然后可用于各種半導(dǎo)體制造步驟中，以產(chǎn)生對應(yīng)于半導(dǎo)體電路或所描述的IC的電路。或者，根據(jù)需要，計算機(jī)可訪問存儲介質(zhì)300上的數(shù)據(jù)庫可以是網(wǎng)絡(luò)列表(帶或不帶綜合庫)或數(shù)據(jù)集。雖然計算機(jī)可訪問存儲介質(zhì)300進(jìn)行IC 10、40和/或50中的一個或多個的表示，但是其它實施例可根據(jù)需要進(jìn)行這些IC的任何部分的表示，包括任何組中間電路(例如，ESD電路26、電源控制單元28、功能單元24等)、中間電路的部分(例如，或門31)等等。雖然已經(jīng)參照特定實施例描述了本發(fā)明，但是應(yīng)理解實施例是說明性的，且本發(fā)明范圍并不局限于此。對所描述的實施例的任何變化、修改、添加和改進(jìn)都是可能的。這些變化、修改、增加和改進(jìn)可落入如以下權(quán)利要求書中詳述的本發(fā)明的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種集成電路，其包括 第一全局電壓節(jié)點(diǎn)和第二全局電壓節(jié)點(diǎn)； 各耦合至所述第一全局電壓節(jié)點(diǎn)的兩個或更多個電源域，其中所述兩個或更多個電源域中的每個電源域都包括 局部電壓節(jié)點(diǎn)； 第一晶體管，其耦合在所述局部電壓節(jié)點(diǎn)和所述第二全局電壓節(jié)點(diǎn)之間；以及 ESD (靜電放電)電路，其被配置來檢測ESD事件的發(fā)生并進(jìn)一步被配置來響應(yīng)于檢測到所述ESD事件而使所述第一晶體管啟動。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的集成電路，其中所述電源域中的每個電源域都包括耦合在所述第一全局電壓節(jié)點(diǎn)和其各自局部電壓節(jié)點(diǎn)之間的功能單元，并且其中所述電源域中的每個電源域的所述ESD電路進(jìn)一步被配置來響應(yīng)于接收到來自所述集成電路的電源控制單元的第一指示而通過啟動所述第一晶體管來對所述多個電源域中的其各自一個電源域的功能單元提供電源。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的集成電路，其中，在沒有ESD事件的情況下，所述第一晶體管被配置來響應(yīng)于所述ESD電路接收到來自所述電源控制單元的第二指示而為非活動。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的集成電路，其中所述電源控制單元被進(jìn)一步配置來彼此獨(dú)立地控制對所述多個電源域的通電和斷電，其中對所述多個電源域中的特定一個電源域通電包括對所述多個電源域中的該電源域的ESD電路提供所述第一指示，且其中從所述多個電源域中的所述特定一個電源域中移除電源包括對所述多個電源域中的該電源域的ESD電路提供第二指示。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的集成電路，其中所述ESD電路包括 RC (電阻-電容)電路，其具有串聯(lián)耦合在所述第一全局電壓節(jié)點(diǎn)和所述第二全局電壓節(jié)點(diǎn)之間的電阻器和電容器；以及 邏輯門，其具有耦合至所述電阻器和所述電容器的接點(diǎn)的第一輸入。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的集成電路，其中所述邏輯門還包括被耦合以接收來自所述電源控制單元的所述第一指示的第二輸入。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的集成電路，其中所述第一全局電壓節(jié)點(diǎn)是電源供應(yīng)節(jié)點(diǎn)，其中所述第二全局電壓節(jié)點(diǎn)是返回節(jié)點(diǎn)。
8.根據(jù)權(quán)利要求I所述的集成電路，其中所述第一全局電壓節(jié)點(diǎn)是返回節(jié)點(diǎn)且其中所述第二全局電壓節(jié)點(diǎn)是電壓供應(yīng)節(jié)點(diǎn)。
9.根據(jù)權(quán)利要求I所述的集成電路，其中所述多個電源域中的每個電源域都包括耦合在所述第一電壓節(jié)點(diǎn)和其各自局部電壓節(jié)點(diǎn)之間的一個或多個解耦電容器。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的集成電路，其中所述多個電源域中的每個電源域都包括耦合在所述第一電壓節(jié)點(diǎn)和其各自局部電壓節(jié)點(diǎn)之間的第二晶體管，其中所述ESD電路被配置來響應(yīng)于檢測到所述ESD事件而啟動所述第二晶體管。
11.根據(jù)權(quán)利要求I所述的集成電路，其中所述兩個或更多個電源域中的每個電源域都包括耦合在其各自局部電壓節(jié)點(diǎn)和所述第二全局電壓節(jié)點(diǎn)之間的兩個或更多個晶體管，其中所述兩個或更多個晶體管中的每個晶體管都耦合至其各自ESD電路，且其中所述各自ESD電路被配置來響應(yīng)于檢測到所述ESD事件或響應(yīng)于接收到來自電源控制單元的相應(yīng)指示而啟動所述兩個或更多個晶體管。
12.—種方法,其包括 ESD (靜電放電)電路檢測ESD事件，其中所述ESD電路與集成電路(IC)的多個電源域中的一個電源域相關(guān)聯(lián)，其中所述多個電源域中的每個電源域都與多個ESD電路中的相應(yīng)一個ESD電路相關(guān)聯(lián)，并耦合在第一全局電壓節(jié)點(diǎn)和第二全局電壓節(jié)點(diǎn)之間；以及 響應(yīng)于檢測到所述ESD事件在所述第二全局電壓節(jié)點(diǎn)和所述多個電源域中的所述一個電源域的局部電壓節(jié)點(diǎn)之間提供放電路徑。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中所述提供所述放電路徑包括所述ESD電路啟動耦合在所述局部電壓節(jié)點(diǎn)和所述第二全局電壓節(jié)點(diǎn)之間的一個或多個晶體管。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其還包括所述ESD電路響應(yīng)于接收到來自電源控制單元的第一指示而啟動耦合在所述局部電壓節(jié)點(diǎn)和所述第二全局電壓節(jié)點(diǎn)之間的所述一個或多個晶體管。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其還包括所述電源控制單元彼此獨(dú)立地對所述多個電源域中的特定一個電源域通電，且還包括所述電源控制單元通過對所述多個電源域中的所述特定一個電源域提供第二指示彼此獨(dú)立地對所述多個電源域中的所述特定一個電源域斷電。
16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中啟動所述一個或多個晶體管包括將全局供應(yīng)電壓節(jié)點(diǎn)耦合至局部供應(yīng)電壓節(jié)點(diǎn)，其中所述第二全局電壓節(jié)點(diǎn)是所述全局供應(yīng)電壓節(jié)點(diǎn)，且其中所述第一全局電壓節(jié)點(diǎn)是返回電壓節(jié)點(diǎn)。
17.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中啟動所述一個或多個晶體管包括將全局返回電壓節(jié)點(diǎn)耦合至局部返回電壓節(jié)點(diǎn)，其中所述第二全局電壓節(jié)點(diǎn)是所述全局返回電壓節(jié)點(diǎn)，且其中所述第一全局電壓節(jié)點(diǎn)是供應(yīng)電壓節(jié)點(diǎn)。
18.一種存儲由在計算機(jī)系統(tǒng)上可執(zhí)行的程序操作的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)的非瞬時性計算機(jī)可讀介質(zhì)，所述程序?qū)λ鰯?shù)據(jù)結(jié)構(gòu)進(jìn)行操作以執(zhí)行制造包括由所述數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)描述的電路的集成電路的過程的一部分，在所述數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)中描述的所述電路包括 集成電路(1C)，其具有第一全局電壓節(jié)點(diǎn)和第二全局電壓節(jié)點(diǎn)； 各耦合至所述第一全局電壓節(jié)點(diǎn)的兩個或更多個電源域，其中所述兩個或更多個電源域中的每個電源域都包括 局部電壓節(jié)點(diǎn)； 晶體管，其耦合在所述局部電壓節(jié)點(diǎn)和所述第二全局電壓節(jié)點(diǎn)之間；以及 ESD (靜電放電)電路，其被配置來檢測ESD事件的發(fā)生并進(jìn)一步被配置來響應(yīng)于檢測到所述ESD事件而使所述晶體管啟動。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的計算機(jī)可讀介質(zhì)，其中在所述數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)中描述的所述ESD電路進(jìn)一步被配置來響應(yīng)于接收到來自所述集成電路的電源控制單元的第一指示而通過啟動所述晶體管來對所述多個電源域中的其各自一個電源域的功能單元提供電源，其中所述電源域中的每個電源域的所述功能單元耦合在所述第一全局電壓節(jié)點(diǎn)和其各自局部電壓節(jié)點(diǎn)之間。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的計算機(jī)可讀介質(zhì)，其中在所述數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)中描述的所述電源控制單元進(jìn)一步被配置來彼此獨(dú)立地對所述多個電源域中的每個電源域通電，其中對所述多個電源域中的特定一個電源域通電包括對所述多個電源域中的該電源域的ESD電路提供所述第一指示，且其中從所述多個電源域中的所述特定一個電源域中移除電源包括對所述多個電源域中的該電源域的ESD電路提供第二指示。
21.根據(jù)權(quán)利要求18所述的計算機(jī)可讀介質(zhì)，其中在所述數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)中描述的所述IC的所述兩個或更多個電源域中的每個電源域都包括耦合在其各自局部電壓節(jié)點(diǎn)和所述第二全局電壓節(jié)點(diǎn)之間的兩個或更多個晶體管，其中所述兩個或更多個晶體管中的每個晶體管都耦合至其各自ESD電路，且其中所述各自ESD電路被配置來響應(yīng)于檢測到所述ESD事件或響應(yīng)于接收到來自電源控制單元的相應(yīng)指示而啟動所述兩 個或更多個晶體管。
22.根據(jù)權(quán)利要求18所述的計算機(jī)可讀介質(zhì)，其中所述數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)包括以下類型數(shù)據(jù)中的一個或多個 HDL (高級設(shè)計語言)數(shù)據(jù)； RTL (寄存器傳輸級)數(shù)據(jù)； 圖形數(shù)據(jù)系統(tǒng)(⑶S) II數(shù)據(jù)。
全文摘要
公開了一種集成電路(IC)。所述IC包括第一全局電壓節(jié)點(diǎn)和第二全局電壓節(jié)點(diǎn)。所述IC還包括各耦合至所述第一全局電壓節(jié)點(diǎn)的兩個或更多個電源域(21、22)。所述兩個或更多個電源域(21、22)中的每個電源域都包括功能單元(24)和耦合至所述功能單元(24)的局部電壓節(jié)點(diǎn)。所述多個電源域(21、22)中的每個電源域還包括耦合在所述局部電壓節(jié)點(diǎn)和所述第二全局電壓節(jié)點(diǎn)之間的電源門控晶體管(25)和被配置來檢測ESD事件的發(fā)生并進(jìn)一步被配置來響應(yīng)于檢測到所述ESD事件而使所述晶體管(25)啟動的ESD(靜電放電)電路(26)。
文檔編號H03K19/003GK102959865SQ201180032659
公開日2013年3月6日 申請日期2011年6月29日 優(yōu)先權(quán)日2010年6月30日
發(fā)明者斯蒂芬·V·科索諾奇, 沃倫·R·安德森 申請人:超威半導(dǎo)體公司