專利名稱：自耗小電流晶體管耦合電路的制作方法
技術領域：
自耗小電流晶體管耦合電路
技術領域：
本實用新型涉及晶體管耦合電路，更具體地說，涉及一種用于鋰離子電池組中各保護電路芯片輸出控制端與被控制的功率MODFET的耦合的晶體管耦合電路。
背景技術：
目前，公知的多串保護電路，各保護IC的控制端與充電放電開關MOSFET的耦合方式有MOSFET耦合，光電耦合，比較器耦合。但是這幾種耦合方式都存在一些缺陷，自耗電流大到l_2mA不利于荷電存放時間較長場合，保護電路對各節(jié)電池的消耗差別很大，使電池組中個電池電量不均勻。耐電壓沖擊能力差。所述現(xiàn)有技術的缺陷值得改進。

實用新型內(nèi)容本實用新型的目的在于針對上述技術缺陷，提供一種自耗小電流晶體管耦合電路，該一種晶體管耦合電路結構簡單，且自耗電流小。本實用新型的技術方案如下所述一種晶體管耦合電路，其特征在于三極管Ql 的發(fā)射極是外接端P并作為電源正極；三極管Ql的基極連接電阻R1，電阻Rl的另一端是外界輸入控制端A，三極管Ql的集電極連接電阻R2，電阻R2的另一端連接三級管Q3的基極和電阻R4，電阻R4另一端連接三極管Q2的集電極；三極管Q3的集電極連接電阻R5并作為外接輸出端Y ；電阻R5另一端連接三極管Q2的發(fā)射極并作為外接電源中間端Q ；三極管Q2的基極連接電阻R3，電阻R3的另一端作為外接輸入控制端B ；三極管Q3的發(fā)射極作為外接電源負極端R，在輸入端A和Ql的基極之間接入晶體管反相極，在輸出端B和Q2的基極之間接入晶體管反相極。根據(jù)上述結構的本實用新型，其有益效果在于，本實用新型電路簡單，自耗電流小，適用范圍大。

附圖1為本實用新型一實施例電路圖；附圖2為本實用新型另一實施例電路圖。
具體實施方式
以下結合附圖以及實施方式對本實用新型進行進一步的描述如附圖1、附圖2所示，一種自耗小電流晶體管耦合電路，其特征在于，三極管Ql的發(fā)射極是外接端P并作為電源正極；三極管Ql的基極連接電阻R1，電阻Rl的另一端是外界輸入控制端A，三極管Ql的集電極連接電阻R2，電阻R2的另一端連接三級管Q3的基極和電阻R4，電阻R4另一端連接三極管Q2的集電極；三極管Q3的集電極連接電阻R5并作為外接輸出端Y ；電阻R5另一端連接三極管Q2的發(fā)射極并作為外接電源中間端Q ；三極管 Q2的基極連接電阻R3，電阻R3的另一端作為外接輸入控制端B ；三極管Q3的發(fā)射極作為外接電源負極端R，在輸入端A和Ql的基極之間接入晶體管反相極，在輸出端B和Q2的基極之間接入晶體管反相極。
權利要求1. 一種自耗小電流晶體管耦合電路，其特征在于三極管Ql的發(fā)射極是外接端P并作為電源正極；三極管Ql的基極連接電阻R1，電阻Rl的另一端是外界輸入控制端A，三極管 Ql的集電極連接電阻R2，電阻R2的另一端連接三級管Q3的基極和電阻R4，電阻R4另一端連接三極管Q2的集電極；三極管Q3的集電極連接電阻R5并作為外接輸出端Y ；電阻R5 另一端連接三極管Q2的發(fā)射極并作為外接電源中間端Q ；三極管Q2的基極連接電阻R3，電阻R3的另一端作為外接輸入控制端B ；三極管Q3的發(fā)射極作為外接電源負極端R，在輸入端A和Ql的基極之間接入晶體管反相極，在輸出端B和Q2的基極之間接入晶體管反相極。
專利摘要本實用新型公開了一種自耗小電流晶體管耦合電路，三極管Q1的發(fā)射極是外接端P并作為電源正極；三極管Q1的基極連接電阻R1，電阻R1的另一端是外界輸入控制端A，三極管Q1的集電極連接電阻R2，電阻R2的另一端連接三級管Q3的基極和電阻R4，電阻R4另一端連接三極管Q2的集電極；三極管Q3的集電極連接電阻R5并作為外接輸出端Y；電阻R5另一端連接三極管Q2的發(fā)射極并作為外接電源中間端Q；三極管Q2的基極連接電阻R3，電阻R3的另一端作為外接輸入控制端B；三極管Q3的發(fā)射極作為外接電源負極端R，在輸入端A和Q1的基極之間接入晶體管反相極，在輸出端B和Q2的基極之間接入晶體管反相極，本實用新型電路簡單，自耗電流小。
文檔編號H03K19/14GK202221991SQ20112031715
公開日2012年5月16日 申請日期2011年8月29日 優(yōu)先權日2011年8月29日
發(fā)明者余國偉 申請人:余國偉