專利名稱：有源且可調整以適合多種規(guī)格的濾波裝置的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種濾波裝置，尤指一種有源且可調整以適合多種規(guī)格的濾波裝置。
背景技術：
一般接收機(receiver)的結構可分為單轉換中頻輸出(Single Conversion withIF)、單轉換低中頻輸出(Single Conversion with Low IF)、單轉換零中頻輸出(SingleConversion with Zero IF)、雙轉換中頻輸出(Dual Conversion with IF)、雙轉換低中頻輸出(Dual Conversion with Low IF)、及雙轉換零中頻輸出(Dual Conversion with ZeroIF)。其中，在單轉換中頻輸出及雙轉換中頻輸出及雙轉換低中頻輸出結構中，中頻濾波器執(zhí)行頻率選擇及濾波的功能。由于表面聲波濾波器(SAW Filter)具有高品質因子(qualityfactor, Q)、低頻率漂移及不耗電的優(yōu)點，且表面聲波濾波器需有特殊制造方法，難以集成至單一晶片中，因此接收機常外接一表面聲波濾波器。 圖I是一使用表面聲波濾波器的接收機的示意圖，其將一射頻信號轉成中頻信號，其中，SAW濾波器110在調諧器120的外部。表面聲波濾波器具有極高品質因子Q值，有較佳的頻率選擇性。然而其卻需要較高的價格，導致整個調諧器的成本居高不下。同時，為了驅動低阻抗的外接式表面聲波濾波器，表面聲波濾波器驅動器(SAW filter driver) 121就需要耗費數百毫瓦(mW)的耗電，再者表面聲波濾波器本身有極高的信號損耗(loss)，損耗即代表信號噪聲比(SNR)的降低。為了取代SAW濾波器并集成至單一晶片中，中頻濾波器的設計方法有很多種，其中有電阻-電容濾波器(resistor-capacitor filter, RC filter)、切換電容濾波器(switch-capacitor filter, SC filter)、及跨導電容濾波器(Gm-C filter)等技術。RC濾波器因運算放大器受限于頻寬的原因，僅適用于KHz級濾波器的應用。SC濾波器其電路參數是依據電容的比例而設定，在CMOS制造方法中，電容的比例是可以被控制的很精確。SC濾波器雖然利用電容比率決定濾波器特性，不易受制造方法影響，但因為耗電及同樣有運算放大器頻寬的原因，不適用于IOMHz以上濾波器的應用。Gm-C濾波器則是利用一跨導放大器及電容模擬出電阻及電感效應。圖2是一跨
I
導放大器模擬電阻效應的示意圖。其中，模擬的電阻值為「Gm為跨導放大器210的
vjIn ,
跨導值。圖3是二個跨導放大器及一電容模擬電感效應的示意圖，其中，模擬的電感值為 C
C為電容310的電容值，G1、G2分別為跨導放大器320、330的跨導值。當設計Gm-C濾波器時，需先設計出電阻、電感、電容(RLC)濾波器的電路，如圖4所示，其為一現有的RLC濾波器的電路圖。再將RLC濾波器的電路圖中的電阻及電感分別以圖2及圖3中的電路取代。因此，當中頻濾波器使用Gm-C濾波器設計時容易造成面積過大的問題。同時，因為Gm-C濾波器其系數是由兩種不同元件的乘積，例如，模擬的電感值為電容310的電容值除上為跨導放大器320、330的跨導值的乘積。前述的SC電容濾波器其系數可以準確到百分之零點一，然而Gm-C濾波器其系數在初始值僅能有百分之三十的準確。因此，現有的中頻濾波器仍有改善之處。

發(fā)明內容
本發(fā)明的主要目的在于提供一種有源且可調整適合多種規(guī)格的濾波裝置，其應用于一調諧器中，從而無需使用SAW濾波器，以節(jié)省成本，且容易集成至單晶片中，且有著較小的面積，同時濾波裝置具有可調整的增益、中心頻率、及頻寬，再者因無損耗且有增益即代表信號噪聲比(SNR)的提高。依據本發(fā)明的特色，本發(fā)明提出一種有源且可調整適合多種規(guī)格的濾波裝置，包括一第一濾波器、一第二濾波器、及一第三濾波器。該第一濾波器具有一第一品質因子，以定義該濾波裝置的頻寬及中心頻率。該第二濾波器連接至該第一濾波器，具有一第二品質因子，該第一濾波器及該第二濾波器的頻譜以定義該濾波裝置的頻寬中的低頻處的頻率及 該頻寬中的低頻處的銳利度。該第三濾波器連接至該第二濾波器，具有一第三品質因子，該第一濾波器及該第三濾波器的頻譜以定義該濾波裝置的頻寬中的高頻處的頻率及該頻寬中的高頻處的銳利度。其中，該第一品質因子的值為可調整且范圍在5 15之間，該第二品質因子及該第三品質因子的值為可調整且范圍在15以上。


圖I是一使用表面聲波濾波器的調諧器的示意圖。圖2是一跨導放大器模擬電阻效應的示意圖。圖3是二個跨導放大器及一電容模擬電感效應的示意圖。圖4是一現有的RLC濾波器的電路圖。圖5是本發(fā)明有源且可調整適合多種規(guī)格的濾波裝置的示意圖。圖6是本發(fā)明濾波裝置、第一濾波器、第二濾波器、及第三濾波器的頻譜的示意圖。圖7是本發(fā)明第一濾波器、第二濾波器、及第三濾波器的電路圖。圖8是本發(fā)明電容器組的電路圖。圖9是本發(fā)明濾波裝置頻譜模擬的示意圖。圖10是本發(fā)明第一濾波器、第二濾波器、及一第三濾波器頻譜的示意圖。主要元件符號說明SAW濾波器110調諧器120表面聲波濾波器驅動器121跨導放大器210電容310跨導放大器320、330有源且可調整適合多種規(guī)格的濾波裝置500濾波器510第一濾波器510,1第二濾波器510，2第三濾波器510，3濾波裝置的頻譜600第一濾波器的頻譜610
第二濾波器的頻譜620第三濾波器的頻譜630第一 PMOS晶體管705第二 PMOS晶體管710第一電感715第一可變電容720第一可變電阻725第二可變電阻730第三可變電阻735第一 NMOS晶體管740第二 NMOS晶體管745第三NMOS晶體管750電容選擇裝置810電容820切換裝置830電容器組控制器840。
具體實施例方式本發(fā)明是關于一種有源且可調整適合多種規(guī)格的濾波裝置，其應用于一接收機或模擬數字轉換器中使用。圖5是本發(fā)明一優(yōu)選實施例關于有源且可調整適合多種規(guī)格的濾波裝置500的示意圖。其是由奇數個濾波器510串接而成，例如為3個、5個、7個濾波器510串接而成。為方便說明，本實施例僅以串接3個濾波器510說明，本領域技術人員應能基于本發(fā)明的技術輕易推廣至奇數個濾波器510串接而成的情形。該有源且可調整適合多種規(guī)格的濾波裝置500包括一第一濾波器I、一第二濾波器2、及一第三濾波器3。該第一濾波器I具有一相對較低值的第一品質因子(quality factor)Ql,以粗略定義該濾波裝置500的頻寬(BW)及中心頻率fc。該第二濾波器2連接至該第一濾波器1，具有一相對較高值的第二品質因子Q2，該第一濾波器I及該第二濾波器2的頻譜以準確定義該濾波裝置500的頻寬中的低頻處4的頻率及該頻寬中的低頻處的銳利度(sharpness)。該第三濾波器3連接至該第二濾波器2，具有一相對較高值的第三品質因子Q3，以準確定義該濾波裝置500的頻寬中的高頻處的頻率fH及該頻寬中的高頻處的銳利度。其中，該第一品質因子Ql的值為5 15，該第二品質因子Q2及該第三品質因子Q3的值為15以上。圖6是本發(fā)明濾波裝置500、第一濾波器I、第二濾波器2、及第三濾波器3的頻譜的示意圖。如圖6所示，線610為該第一濾波器I的頻譜，其第一品質因子Ql的值較低，約為5 15,因此其頻寬較大。由于該第一濾波器510,1可為對稱設計,故該第一濾波器51的中心頻率fcl可作為濾波裝置500的中心頻率fc。線620為該第二濾波器2的頻譜。線630為該第三濾波器3的頻譜。線600為該濾波裝置500的頻譜。該第二濾波器2的中心頻率小于該第一濾波器I的中心頻率，該第一濾波器I的中心頻率小于該第三濾波器3的中心頻率。且由于該第二品質因子Q2及該第三品質因子Q3的值為15以上，因此其頻寬較小。由圖6所示，該第一濾波器I的頻譜及該第二濾波器2可以定義該濾波裝置500的頻寬中的低頻處的頻率4及該頻寬中的低頻處的銳利度，如圖6圓圈A所示。同樣地，該第一濾波器I的頻譜及該第三濾波器3可以定義該濾波裝置500的頻寬中的高頻處的頻率fH及該頻寬中的高頻處的銳利度，如圖6圓圈B所示。圖7是本發(fā)明每一該第一濾波器I、第二濾波器2、及第三濾波器3的電路圖。由電路圖可知，第一濾波器I、第二濾波器2、及第三濾波器3的中心頻率及增益均為可調整。如圖7所示，每一該第一濾波器I、該第二濾波器2、及該第三濾波器3是由一第一 PMOS晶體管705、一第二 PMOS晶體管710、一第一電感715、一第一可變電容720、一第一可變電阻725、一第二可變電阻730、一第三可變電阻735、一第一 NMOS晶體管740、一第二NMOS晶體管745及一第三NMOS晶體管750所組成。該第一 PMOS晶體管705及該第二 PMOS晶體管的源極710連接至一高電位Vdd。該第一 PMOS晶體管705及該第二 PMOS晶體管710的柵極連接至一第一偏壓電位Vbiasl。該第一 PMOS晶體管705的漏極連接至該第一電感715的一端、該第一可變電容720的一端、該第一可變電阻725的一端、及該第一 NMOS晶體管740的漏極。該第二 PMOS晶體管710的漏極連接至該第一電感715的另一端、該第一可變電容720的另一端、該第一可變電阻725的另一端、及該第二 NMOS晶體管745的漏極。該第一 NMOS晶體管740及該第二 NMOS晶體管745的柵極接收一差動電壓Vinp，Vinn,該第一 NMOS晶體管740的源極連接至該第二可變電阻730的一端，該第二 NMOS晶體管745的源極連接至該第三可變電阻735的一端，該第二可變電阻730的另一端連接至該第三可變電阻735的另一端、及該第三NMOS晶體管750的漏極，該第三NMOS晶體管750的 柵極連接至一第二偏壓電壓Vbias2，該第三NMOS晶體管750的源極連接至一低電位Vss。于每一該第一濾波器I、該第二濾波器2、及該第三濾波器3中，該第一 PMOS晶體管705、第二 PMOS晶體管710、第一可變電容720、第一可變電阻725、第二可變電阻730、第三可變電阻735、第一 NMOS晶體管740、第二 NMOS晶體管745及第三NMOS晶體管750集成在同一個集成電路中。該第一濾波器I、該第二濾波器2、及該第三濾波器3的第一電感715則可外掛于該集成電路之外，或者集成在晶片中，但須注意電感制造方法變異性。需注意的是，本案中該第一濾波器I、該第二濾波器2、及該第三濾波器3的結構相同，但每一個濾波器內的第一可變電容720、第一可變電阻725、第二可變電阻730、第三可變電阻735的值并不相同。同樣的，但每一個濾波器對應的該第一電感715其電感值亦可互異，由此可調整該第一濾波器I、該第二濾波器2、及該第三濾波器3的增益、中心頻率及頻寬。當要調整該濾波裝置500的增益時，可同時將每一濾波器的第二可變電阻730、第三可變電阻735的值一起調整變大，則該濾波裝置500的整體增益變小，反之則該濾波裝置500的整體增益變大。當要調整該濾波裝置500的中心頻率且頻寬不改變時，可將每一個濾波器內的第一可變電容720 —起調整，則濾波裝置500的中心頻率也跟著調整。亦即，當將每一個濾波器1、2、3內的第一可變電容720調整變小，如此該濾波裝置500的中心頻率fc即往高頻移動。反之，當將每一個濾波器1、2、3內的第一可變電容720調整變大，如此該濾波裝置500的中心頻率fc即往低頻移動。當要調整該濾波裝置500的頻寬且中心頻率不改變時，可將第二濾波器2中的第一可變電容720調整變小，如此第二濾波器2的中心頻率fc2即往高頻移動，將第三濾波器3中的第一可變電容720調整變大，如此第三濾波器3的中心頻率fc3即往低頻移動，其所產生的整體效果則是該濾波裝置500的頻寬變小且中心頻率不改變。反之，將第二濾波器2中的第一可變電容720調整變大，如此第二濾波器2的中心頻率fc2即往低頻移動，將第三濾波器3中的第一可變電容720調整變小，如此第三濾波器3的中心頻率fc3即往高頻移動，其所產生的整體效果則是該濾波裝置500的頻寬變大且中心頻率不改變。
如圖7所示，于每一該第一濾波器I、該第二濾波器2、及該第三濾波器3中，由于為對稱設計，故該第二可變電阻730的阻值與該第三可變電阻735的阻值相同。該第一濾波器I、該第二濾波器2、及該第三濾波器3的結構可視為源極退化(source degeneration),因此,該第一濾波器I的增益為該第一濾波器I的第一可變電阻725的阻值比上該第一濾波器I的第二可變電阻730的阻值，該第二濾波器2的增益為該第二濾波器2的第一可變電阻725的阻值比上該第二濾波器2的第二可變電阻730的阻值，該第三濾波器3的增益)為該第三濾波器3的第一可變電阻725的阻值比上該第三濾波器3的第二可變電阻730的阻值。該第一濾波器I的頻寬(BWl)及中心頻率(Fcl)是由該第一濾波器I的第一電感715、第一可變電容720、及第一可變電阻725所決定，該第二濾波器2的頻寬(BW2)及中心頻率(Fc2)是由該第二濾波器2的第一電感715、第一可變電容720、及第一可變電阻725所決定，該第三濾波器3的頻寬(BW3)及中心頻率(Fc3)是由該第三濾波器3的第一電感 715、第一可變電容720、及第一可變電阻725所決定。 每一該第一濾波器I、該第二濾波器2、及該第三濾波器3的第一可變電容720是一電容器組(capacitor bank)。每一該第一濾波器I、該第二濾波器2、及該第三濾波器3的第一可變電阻725、第二可變電阻730、及第三可變電阻735為一電阻器組(resistorbank)。圖8是本發(fā)明電容器組的電路圖。如圖8所示，該電容器組包含多組電容選擇裝置810及一電容器組控制器840，每一組電容選擇裝置810包含N個電容820及N個切換裝置 830。該每一組電容選擇裝置810的N個切換裝置830為NMOS晶體管，且其柵極連接至該電容器組控制器840。于本實施例中，該每一組電容選擇裝置810中的電容可為基極-射極結電容(base-emitter junction capacitor)、金氧半場效晶體管電容(M0SFET capacitor)、多晶-多晶電容(poly-poly capacitor)。于其他實施例中，該每一組電容選擇裝置810中的電容頁可為金屬-絕緣層-金屬形式電容(metal-insulator-metal capacitor,MIM cap)。如圖8所示，該電容器組的電容可以下列公式表示CParacitic+B[l] XCb1+B[2] XCB2+B[3] XCbs+B[4] XCb4+B[5] XCb5,當中，Cparacdti。代表電路中的寄生電容，CB1、CB2、CB3、CB4、CB5為該多組電容選擇裝置810中的電容，B [I]，B [2]，B [3]，B [4]，B [5]為該電容器組控制器840輸出至該電容器組的控制信號，可以B [i]表示，Cb5為與控制信號B [5]對應的電容選擇裝置810中的電容，Cb4為與控制信號B [4]對應的電容選擇裝置810中的電容，依序類推。其中當B[i]為O時，使對應的NMOS晶體管不導通，電容則可視為懸浮(floating)，而不具有電容的功效。當B[i]為I時，使對應的NMOS晶體管導通，電容則可視為接地，而產生電容的功效。本發(fā)明通過該電容器組控制器840輸出的控制信號，即可調整第一可變電容725的電容值?；诒景l(fā)明圖8，同樣地，該第一可變電阻725、第二可變電阻730、及第三可變電阻735亦為本領域技術人員依據本發(fā)明的技術所能輕易完成。圖9是本發(fā)明濾波裝置500頻譜模擬的示意圖。該濾波裝置500是由三個濾波器所組成?，F有SAW濾波器的頻譜中，在截止頻帶(stop band)處，其增益即不再下降，此會讓在截止頻帶處具有較高振幅噪聲而干擾欲接收的信號。反觀本發(fā)明，如圖9所示，在圓圈C、D處，雖然為截止頻帶，其增益仍在下降，此可避免截止頻帶的噪聲干擾欲接收的信號。圖10是本發(fā)明第一濾波器、第二濾波器、及一第三濾波器頻譜的示意圖。如圖10所示，虛線部分為該第一濾波器I的頻譜，其具有較大的頻寬，厚實線部分則為該第一濾波器I加上該第二濾波器2的頻譜，而實線部分則為該第一濾波器I加上該第二濾波器2在加上該第二濾波器3的頻譜。由于各濾波器均可調整增益，故由第一濾波器I、一第二濾波器2、及一第三濾波器3組成的濾波裝置500在頻率36MHz處其增益為20dB，在頻率40MHz處其增益為_5dB，在頻率32MHz處其增益仍有-12dB。由前述說明可知，本發(fā)明有源且可調整適合多種規(guī)格的濾波裝置500的 優(yōu)點為I.沒有插入損耗(Insertion loss)及在低噪聲下的可調整增益。2.濾波裝置500的參數為可調整可調整的增益；可調整的頻寬；可調整的中心頻率。3.容易集成至單晶片中，且較現有Gm-C濾波器有著較小的面積。4.無需使用SAW濾波器，以節(jié)省成本。由于本發(fā)明具有前述優(yōu)點，其適合應用于數字電視廣播系統(tǒng)(DVB-T)、模擬音效系統(tǒng)(analog audio)、及模擬影像系統(tǒng)(analog video)。由上述可知，本發(fā)明無論就目的、手段及功效，均顯示其迥異于現有技術的特征，極具實用價值。但是應注意的是，上述諸多實施例僅為了便于說明而舉例而已，本發(fā)明所主張的權利范圍自應以權利要求書所述為準，而非僅限于上述實施例。
權利要求
1.一種有源且可調整以適合多種規(guī)格的濾波裝置，包括 一第一濾波器，具有一第一品質因子，以定義該濾波裝置的頻寬及中心頻率； 一第二濾波器，連接至該第一濾波器，具有一第二品質因子，該第一濾波器及該第二濾波器的頻譜以定義該濾波裝置的頻寬中的低頻處的頻率及該頻寬中的低頻處的銳利度；以及 一第三濾波器，連接至該第二濾波器，具有一第三品質因子，該第一濾波器及該第三濾波器的頻譜以定義該濾波裝置的頻寬中的高頻處的頻率及該頻寬中的高頻處的銳利度； 其中，該第一品質因子的值為5 15，該第二品質因子及該第三品質因子的值為15以上。
2.根據權利要求I所述的有源且可調整以適合多種規(guī)格的濾波裝置，其中，每一該第一濾波器、該第二濾波器、及該第三濾波器是由一第一 PMOS晶體管、一第二 PMOS晶體管、一第一電感、一第一可變電容、一第一可變電阻、一第二可變電阻、一第三可變電阻、一第一NMOS晶體管、一第二 NMOS晶體管及一第三NMOS晶體管所組成。
3.根據權利要求2所述的有源且可調整以適合多種規(guī)格的濾波裝置，其中，于每一該第一濾波器、該第二濾波器、及該第三濾波器中，該第一 PMOS晶體管及該第二 PMOS晶體管的源極連接至一高電位，該第一 PMOS晶體管及該第二 PMOS晶體管的柵極連接至一第一偏壓電位，該第一 PMOS晶體管的漏極連接至該第一電感的一端、該第一可變電容的一端、該第一可變電阻的一端、及該第一 NMOS晶體管的漏極，該第二 PMOS晶體管的漏極連接至該第一電感的另一端、該第一可變電容的另一端、該第一可變電阻的另一端、及該第二 NMOS晶體管的漏極，該第一NMOS晶體管及該第二NMOS晶體管的柵極接收一差動電壓，該第一NMOS晶體管的源極連接至該第二可變電阻的一端，該第二 NMOS晶體管的源極連接至該第三可變電阻的一端，該第二可變電阻的另一端連接至該第三可變電阻的另一端、及該第三NMOS晶體管的漏極，該第三NMOS晶體管的柵極連接至一第二偏壓電壓，該第三NMOS晶體管的源極連接至一低電位。
4.根據權利要求3所述的有源且可調整以適合多種規(guī)格的濾波裝置，其中，于每一該第一濾波器、該第二濾波器、及該第三濾波器中，該第一濾波器、該第二濾波器、及該第三濾波器的第一 PMOS晶體管、第二 PMOS晶體管、第一可變電容、第一可變電阻、第二可變電阻、第三可變電阻、第一 NMOS晶體管、第二 NMOS晶體管及第三NMOS晶體管集成在同一個集成電路中。
5.根據權利要求4所述的有源且可調整以適合多種規(guī)格的濾波裝置，其中，于每一該第一濾波器、該第二濾波器、及該第三濾波器中，該第二可變電阻的阻值與該第三可變電阻的阻值相同。
6.根據權利要求5所述的有源且可調整以適合多種規(guī)格的濾波裝置，其中，該第一濾波器的增益為該第一濾波器的第一可變電阻的阻值比上該第一濾波器的第二可變電阻的阻值，該第二濾波器的增益為該第二濾波器的第一可變電阻的阻值比上該第二濾波器的第二可變電阻的阻值，該第三濾波器的增益為該第三濾波器的第一可變電阻的阻值比上該第三濾波器的第二可變電阻的阻值。
7.根據權利要求6所述的有源且可調整以適合多種規(guī)格的濾波裝置，其中，該第一濾波器的頻寬及中心頻率是由該第一濾波器的第一電感、第一可變電容、及第一可變電阻所決定，該第二濾波器的頻寬及中心頻率是由該第二濾波器的第一電感、第一可變電容、及第一可變電阻所決定，該第三濾波器的頻寬及中心頻率是由該第三濾波器的第一電感、第一可變電容、及第一可變電阻所決定。
8.根據權利要求7所述的有源且可調整以適合多種規(guī)格的濾波裝置，其中，該第二濾波器的中心頻率小于該第一濾波器的中心頻率，該第一濾波器的中心頻率小于該第三濾波器的中心頻率。
9.根據權利要求8所述的有源且可調整以適合多種規(guī)格的濾波裝置，其中，每一該第一濾波器、該第二濾波器、及該第三濾波器的第一可變電容為一電容器組。
10.根據權利要求9所述的有源且可調整以適合多種規(guī)格的濾波裝置，其中，每一該第一濾波器、該第二濾波器、及該第三濾波器的第一可變電阻、第二可變電阻、及第三可變電阻為電阻器組。
11.根據權利要求10所述的有源且可調整以適合多種規(guī)格的濾波裝置，其中，每一該第一濾波器、該第二濾波器、及該第三濾波器的電容器組均包含多組電容選擇裝置，該多組電容選擇裝置均包含N個電容及N個切換裝置。
12.根據權利要求11所述的有源且可調整以適合多種規(guī)格的濾波裝置，其中，前述N個切換裝置為NMOS晶體管。
13.根據權利要求12所述的有源且可調整以適合多種規(guī)格的濾波裝置，其中，該多組電容選擇裝置中的電容均為金屬-絕緣層-金屬形式電容。
14.根據權利要求13所述的有源且可調整以適合多種規(guī)格的濾波裝置，其中，該電容器組的電容可以公式表示為CparacitiC+B[I] XCb1+B[2] XCB2+B[3] XCbs+B[4] XCb4+B[5] XCb5, 其中，Cparacitic代表電路中寄生電容及雜散電容，Cbi、CB2、CB3、CB4、Cb5為該多組電容選擇裝置中的電容，B[l], B[2], B[3], B[4], B[5]為一電容器組控制器輸出至該電容器組的控制信號。
全文摘要
本發(fā)明提供一種有源且可調整以適合多種規(guī)格的濾波裝置。一第一濾波器具有一第一品質因子，以定義該濾波裝置的頻寬及中心頻率。一第二濾波器連接至該第一濾波器，具有一第二品質因子，該第一濾波器及該第二濾波器的頻譜以定義該濾波裝置的頻寬中的低頻處的頻率及該頻寬中的低頻處的銳利度。一第三濾波器連接至該第二濾波器，具有一第三品質因子，該第一濾波器及該第三濾波器的頻譜以定義該濾波裝置的頻寬中的高頻處的頻率及該頻寬中的高頻處的銳利度。其中，該第一品質因子的值為可調整且范圍在5～15之間，該第二品質因子及該第三品質因子的值為可調整且范圍在15以上。
文檔編號H03H11/36GK102811033SQ201110154358
公開日2012年12月5日 申請日期2011年6月2日 優(yōu)先權日2011年6月2日
發(fā)明者陳俊亮, 徐慧君 申請人:凌陽科技股份有限公司