專利名稱：電壓控制振蕩器和電子部件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及使用電感元件和可變電容元件構(gòu)成諧振部 的技術(shù)、及使用該諧振部的 電壓控制振蕩器(VC0:Voltage Control Oscillator)和電子部件。
背景技術(shù)：
電壓控制振蕩器(VCO =Voltage Control Oscillator)例如如圖19所示，具備 諧振部11，該諧振部11包含靜電容量根據(jù)控制電壓發(fā)生變化的變?nèi)荻O管VD(variCap diode)及電感元件；作為放大部的晶體管21 ；和包括兩個電容器Cl、C2的反饋部2。在該 例中，利用諧振部11，頻率信號由晶體管21放大，并經(jīng)由反饋部2反饋至串聯(lián)諧振電路，由 此構(gòu)成振蕩環(huán)路。另外，圖19中31表示將頻率信號放大后向外部輸入的緩沖放大器。另 夕卜，16、T3及L分別是輸入端子、輸出端子部及電感元件。該VCO省略圖示，被配置在由例 如以氧化鋁(Al2O3)為主要成分的LTCC(Low Temperature Co-fired Ceramics 低溫共燒 陶瓷)等陶瓷構(gòu)成的基板上。但是，當要提高VCO的振蕩頻率，例如在數(shù)GHz或數(shù)十GHz的高頻帶使用時，存在 下面的問題。即，在高頻帶，在頻率特性中包含于峰部分的頻帶寬度(帶寬)的絕對頻率大， 因此與低頻帶相比，需要保持高的Q值。這樣，為了得到高的Q值，要求諧振部11的電感元 件為低損失、且具有大的電感值。在此，在作為電感元件使用形成于基板上的帶狀線的情況中，因LTCC的損耗因數(shù) (dissipation factor) (tan δ )大，所以對于損耗因數(shù)的倒數(shù)即諧振部1的Q值得不到理想 的特性。另外，在使用氟樹脂作為基底基板的情況下，因氟樹脂的損耗因數(shù)為0. 001左右， 所以Q值只能為1000左右。因此，不能得到理想的相位噪音特性，難以將電力消耗(耗電 量)抑制得很小。另外，在利用低損失的電介質(zhì)構(gòu)成基板的情況下，雖然得到低損失且高的 Q值，但為大型。此外，對于搭載在輸出頻率極高的電信號例如GHz帶(微波)的電信號的無線通 信設(shè)備上的VCO而言，也可考慮(a)使VCO的輸出信號為數(shù)倍，其中，該VCO輸出比該頻帶 低的頻率的信號，(b)將GaAs (砷化鎵化合物)等用作基底基板，或(c)使用空腔諧振器。 但是，在(a)的情況下，由于使用成倍(遁倍)電路，相位噪聲會增大。另外，在(b)的情況 下，附近的相位噪聲劣化，在(c)的情況下，難以進行小型化。專利文獻1中對上述VCO等器件進行了記載，但對于上述的問題沒有研究。另外， 專利文獻2中記載有使用作為壓電基板的石英(晶體)產(chǎn)生彈性波，用作振蕩頻率例如為 數(shù)MHz帶的振蕩器的技術(shù)，但不能解決上述的課題。專利文獻1 日本特開平10-209714專利文獻2 日本特開2007-20177
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于上述問題而完成的，其目的在于，提供一種電壓控制振蕩器，該電壓控制振蕩器小型且在寬的頻率的頻帶得到理想的相位噪音特性。另外，本發(fā)明的另一個目 的在于提供一種電子部件，該電子部件包括電感元件和電容元件，作為諧振部得到高的Q 值。本發(fā)明的電壓控制振蕩器的特征在于，具備諧振部，其包括靜電容量根據(jù)從外部輸入的頻率控制用的控制電壓發(fā)生變化的可 變電容元件和電感元件，串聯(lián)諧振頻率根據(jù)所述靜電容量被調(diào)節(jié)；和反饋部，其將來自該諧振部的頻率信號放大后反饋至該諧振部，所述諧振部的電感元件是形成于石英基板上的導(dǎo)電線路。優(yōu)選所述諧振部包括所述可變電容元件和電容不因電壓而發(fā)生變化的電容元件， 該電容元件設(shè)置在所述石英基板上，包括彼此隔開間隔地交叉的成對的梳齒形的導(dǎo)電通路 (也稱為導(dǎo)電路)。優(yōu)選所述石英基板設(shè)置在由電介質(zhì)形成的基底基板上，在該基底基板上設(shè)置有所 述可變電容元件、反饋部和周邊部件。優(yōu)選所述串聯(lián)諧振頻率例如為5GHz以上。本發(fā)明的電子部件的特征在于，具備石英基板和由形成于該石英基板上的導(dǎo)電線路構(gòu)成的電感元件。也可以代替所述石英基板，使用由鉭酸鋰、鈮酸鋰、硅或藍寶石形成的基板。發(fā)明的效果根據(jù)本發(fā)明，在損耗因數(shù)(tan δ = 1/Q)為0. 00008左右這樣小的石英基板上形 成由導(dǎo)電線路構(gòu)成的電感元件，通過該電感元件和電容元件構(gòu)成諧振部，因此得到高的Q 值。另外，石英基板由于能夠利用光刻形成微細的金屬膜的圖形，所以能夠制作小型的諧振 部。因此，通過使用該諧振部構(gòu)成電子部件例如電壓控制振蕩器，能夠?qū)崿F(xiàn)小型化且從后述 的數(shù)據(jù)所證明的那樣得到款的頻帶的低的相位噪音特性。


圖1是表示本發(fā)明的電路的實施方式的一例的VCO的電路圖。圖2是表示上述的VCO的外觀的立體圖。圖3是表示上述的VCO的平面圖(俯視圖)。圖4是表示上述的VCO的側(cè)面圖(側(cè)視圖)。圖5是表示上述的VCO的放大平面圖。圖6是表示裝載于上述VCO上的石英基板的平面圖。圖7是表示上述的石英基板的側(cè)面圖。圖8是表示上述的石英基板的平面圖。圖9是表示由上述的VCO得到的特性的特性例圖。圖10是表示由上述的VCO得到的特性的特性例圖。圖11是表示上述的石英基板的其它構(gòu)成例的平面圖。圖12是表示上述的VCO的制作方法的一例的流程圖。圖13是表示上述的VCO的制作方法的一例的流程圖。圖14是表示上述的VCO的制作方法的一例的工序圖。
圖15是表示上述的VCO的制作方法的一例的工序圖。圖16是表示上述的VCO的制作方法的一例的工序圖。圖17是表示根據(jù)上述的流程制作的VCO的概略圖。圖18是表示根據(jù)上述的流程制作的VCO的概略圖。圖19是表示現(xiàn)有的VCO的結(jié)構(gòu)的電路例圖。附圖標記的說明1 諧振部 2 反饋部3 電路部5 基底基板10 石英基板11 電感元件12 電容器13 變?nèi)荻O管14 變?nèi)荻O管15 電容器
具體實施例方式對于本發(fā)明的電壓控制振蕩器(VCO :Voltage Control Oscillator)的實施方式， 在說明結(jié)構(gòu)前，對電路構(gòu)成參照圖1進行敘述。圖1中，諧振部1如后所述，具備由導(dǎo)電線 路48構(gòu)成的電感元件11和作為電容元件的電容器12的串聯(lián)諧振用的串聯(lián)電路。包括第 一變?nèi)荻O管13、第二變?nèi)荻O管14和作為電容元件的電容器15的串聯(lián)電路與電感元件 11并聯(lián)連接，構(gòu)成并聯(lián)諧振用的并聯(lián)電路。即，該諧振部1具有上述串聯(lián)電路的串聯(lián)諧振頻 率(諧振點)和上述并聯(lián)電路的并聯(lián)諧振頻率(反諧振點)，根據(jù)諧振點的頻率確定振蕩頻 率。在該例中，以使得諧振點比反諧振點大的方式設(shè)定各電路要素的常數(shù)，這樣，因具有反 諧振點，所以諧振點附近的頻率特性變得陡峭(急劇)。另外，圖1中，16表示控制電壓用的輸入端子，根據(jù)通過該輸入端子16供給的控制 電壓，調(diào)節(jié)第一變?nèi)荻O管13及第二變?nèi)荻O管14的電容值，由此，上述并聯(lián)電路的反諧 振點移動，其結(jié)果是，諧振點也移動，振蕩頻率被調(diào)節(jié)。除了使用第一變?nèi)荻O管13之外還 使用第二變?nèi)荻O管14的理由是，為了增大頻率的調(diào)節(jié)幅度(寬度)。17表示電壓穩(wěn)定化 用的電容器，18、19表示偏壓用的電感器。另外，在諧振部1的后級側(cè)設(shè)置有反饋部2，該反饋部2具備形成為基極與上述 電容器12連接的放大部的NPN型晶體管21 ；及在電容器12和晶體管21的基極的連接點、 與地(線)之間連接的成為反饋電容元件的電容器22、23的串聯(lián)電路。晶體管21的發(fā)射 極與電容器22、23的連接點連接，另外，經(jīng)由電感24及電阻25接地。晶體管21設(shè)置在用 虛線表示的IC電路部(LSI)3的芯片內(nèi)，經(jīng)該芯片的端子部(電極)T1、T2，晶體管21的基 極及發(fā)射極各自與電容器22的兩端連接。在這種電路中，當控制電壓從外部被輸入至輸入端子16時，通過包括諧振部1及 反饋部2的振蕩環(huán)路在上述諧振點的頻率例如IOGHz發(fā)生振蕩。
在IC電路部3內(nèi)設(shè)置有例如與晶體管21的集電極相互并聯(lián)連接的二個緩沖放大器31、32，經(jīng)端子部T3從一個緩沖放大器31取出(輸出)振蕩輸出(振蕩頻率的信號)， 另外，經(jīng)分頻電路33和端子部T4從另一個緩沖放大器32取出振蕩輸出，以上述方式構(gòu)成。另外，諧振部1也可以是串聯(lián)地連接變?nèi)荻O管和電感元件11，根據(jù)該串聯(lián)電路 的串聯(lián)諧振頻率確定振蕩頻率的電路結(jié)構(gòu)，在此情況下，可變二極管兼用作發(fā)明內(nèi)容中的 電容元件。下面，對該VCO的具體的概況及上述的諧振部1和電路部3的布局(lay out) 參照圖2 圖5進行說明。VCO形成于例如由以氧化鋁(Al2O3)為主成分的LTCC(Low Temperature Co-fired Ceramics 低溫共燒陶瓷)等陶瓷形成的基底基板5上，在該基底 基板5上配置有構(gòu)成諧振部1、反饋部2、電路部3及周邊部件等的電子部件。在該基底基 板5上，如圖5所示，形成有包括接地電極51和用于將上述的電子部件在基底基板5上分 別電連接的導(dǎo)電線路6的共面線路，該共面線路例如通過將Cr (鉻)和Cu (銅)從下側(cè)起 以該順序?qū)盈B金屬膜而形成，并且該接地電極51和導(dǎo)電線路6分開地配置。另外，在圖5 中，將基底基板5上的一部分區(qū)域切開進行放大表示，并且對接地電極51標注陰影線(剖 面線)。另外，在圖5中，對與電路部3的多個連接端子8中的已述的晶體管21的基極、發(fā) 射極及集電極的連接端子8分別連接的導(dǎo)電線路6，分別記載為B、E及C。上述的電子部件如圖4所示，分別通過例如焊錫球等連接部7固定在基底基板5 上，將各個連接端子8與導(dǎo)電線路6電連接。而且，在圖2等中省略記載，通過引繞配置在 基底基板5上的上述導(dǎo)電線路6，這些電子部件經(jīng)基底基板5被連接，如已述的圖1所示構(gòu) 成電路。圖3中20是用于確定振蕩級晶體管21的動作的、與未圖示的電容器及電阻組合 的偏壓電路元件部，該偏壓電路元件部20的一部分接地。另外，圖2、圖4中省略導(dǎo)電線路 6的描繪，另外，圖3、圖5中只描繪一部分導(dǎo)電線路6。上述的揩振部1的電感元件11、電容器12、15及反饋部2的電容器22、23如圖6 及圖7所示，形成于例如數(shù)mm見方程度的尺寸的石英基板10上，如后所述，利用光刻法制 作。而且，使在該石英基板10中形成有電路要素(電容器12、15、22、23及電感元件11)的 面朝向基底基板5側(cè)并與其抵接，由此，如已述，連接端子8和導(dǎo)電線路6經(jīng)連接部7連接。 該石英基板10例如是AT切型石英板，相對介電常數(shù)ε為4.0左右，電能損失(損耗因數(shù) tan δ )為0. 00008左右。因此，該石英基板10的Q值為12500 (= 1/0. 00008)左右。另 夕卜，上述的電容器12、15、22、23在圖6中簡單地描繪，但實際如圖8所示，例如由梳齒電極 (梳齒形電極)構(gòu)成，該梳齒電極具備以相互平行的方式形成的一對共用電極部60 ；和以 從這些共用電極部60呈梳齒形地相互交叉的方式伸出的電極指(導(dǎo)電通路)61組，各共用 電極部60與連接端子8及電感元件11連接。該電感元件11如圖6所示，由作為導(dǎo)電線路 的帶狀線構(gòu)成。另外，圖7表示在圖6的A-A線切斷石英基板10時的圖。另外，圖8是將 圖6所示的石英基板10的一部分放大表示的圖。在該VCO中，向輸入端子16施加控制用的電壓(控制電壓)時，如已述，通過包括 諧振部1及反饋部2的振蕩環(huán)路在上述諧振點的頻率例如IOGHz產(chǎn)生振蕩，與該振蕩頻率 對應(yīng)的頻率信號及該頻率信號的分頻輸出分別從端子部Τ3及端子部Τ4取出。這時，石英 基板10的損耗因數(shù)如已述極小，通過該石英基板10上的導(dǎo)電線路構(gòu)成電感元件11，因此可 以得到高的Q值，因此，與現(xiàn)有的由氟樹脂形成的基板(Q值=1000)比較，在寬的頻帶能夠?qū)⑾辔辉胍粢种频脴O低。即，得到低相位噪音特性的頻率的可變幅度(寬度)大。圖9及 圖10表示對該VCO進行的模擬結(jié)果，能夠根據(jù)控制電壓在GHz帶的頻帶調(diào)節(jié)(調(diào)整)輸出 頻率，另外，與現(xiàn)有的特性相比，可知能夠在寬的頻帶區(qū)域得到良好的相位噪音特性。另外， 圖10表示從振蕩頻率偏離(偏移，錯開)10kHz的位置的相位噪聲。另外，在該圖10中，作 為參考，例如一并記載Al2O3 (HTCC) (tan δ = 0.001、Q值=10000)的特性。另外，該圖10 表示計算無負載(在基底基板5未安裝電感元件11、電容器12、15、22、23的狀態(tài))時的特 性的結(jié)果。另外，在諧振時，已述的諧振部1為感應(yīng)性。根據(jù)上述的實施方式，因為使用與在現(xiàn)有技術(shù)中作為電感元件11和電容器12的 基板被使用的氟樹脂、LTCC等相比具有更良好的特性(tan δ )、且能夠利用光刻法形成微 細的金屬膜的圖形的石英作為石英基板10，因此，能夠在寬的頻帶得到良好的相位噪音特 性(低相位噪音特性)，另外，利用光刻法能夠?qū)㈦姼性?1、電容器12、15、22、23單芯片 化，因此能夠廉價地得到小型且耐物理的沖擊的諧振部1和VC0。另外，如上所述，通過使用光刻法利用梳齒電極構(gòu)成電容器12、15、22、23，能夠使 電極指61、61彼此的相對區(qū)域(電荷存儲區(qū)域)較長，因此，能夠簡便地得到小型且低損失 的電容器。另外，因為能夠直接在石英基板10上形成電感元件11及電容器12、15、22、23， 所以例如與裝載與這些電感元件11及電容器12、15、22、23對應(yīng)的電子部件的情況相比，可 以縮短電極(導(dǎo)電通路)的引繞，因此能夠抑制電信號的損失。對于本發(fā)明的VC0，確認實際動作所需要的電力值，包括分頻器，電壓為3. 5V、電 流為75mV左右。另一方面，同樣地確認將現(xiàn)有的GaAs用作基底基板5的VCO的特性，電壓 為5V、電流為300mA左右。因此可知，本發(fā)明的VCO與現(xiàn)有的VCO比較，能夠降低消耗電力 (耗電量)。在此，目前石英作為利用彈性波的壓電元件的器件被使用，但本發(fā)明著眼于石英 的優(yōu)異的物理屬性(tan δ及相對介電常數(shù)O及能夠利用光刻法在表面形成金屬膜的微 細的圖形等方面，在石英基板10上形成構(gòu)成諧振部1的電感元件11。作為上述的電容器12、15、22、23，也可以代替梳齒電極，例如使兩根電極線相對， 在這些線之間存儲電荷，或也可以使用層疊陶瓷電容器。在使用層疊陶瓷電容器的情況下， 也可以將由該層疊陶瓷電容器形成的芯片配置在石英基板10上，或也可以在基底基板5上 設(shè)置芯片，經(jīng)導(dǎo)電線路6連接該芯片和石英基板10 (連接端子8、電感元件11)。因此，為了 得到上述的實施方式的效果，在石英基板10上只要至少形成有諧振部1的電感元件11即 可。對于電感元件11之外的其它元件，也可以形成于石英基板10以外的基板(例如，基底 基板5或在該基底基板5上形成的石英基板10之外的基板)上。另外，作為石英基板10上的導(dǎo)電線路48的布局，例如如圖11所示，也可以在該石 英基板10上引繞設(shè)置電感元件11。作為形成上述電感元件11的基板，也可以代替石英基板10，例如使用由 LiTaO3(鉭酸鋰)、LiNbO3(鈮酸鋰)、Si (硅)及藍寶石等形成的基板。對于這些材質(zhì)，因 tan δ小，所以作為電感元件11的基板使用是有效的。另外，作為構(gòu)成石英基板10上的導(dǎo) 電線路6、電容器12、15、22、23及電感元件11的材質(zhì)，除鋁以外，例如也可以使用Cu(銅)、 Au(金)、Cr(鉻)、Ni(鎳)、Ti(鈦)、W(鎢)、V(釩)、Ta(鉭)、Μο(鉬)、Ag(銀)、Pd(鈀)、 In(銦)及Sn(錫)的至少一種。
另外，在上述例子中，配置了兩個變?nèi)荻O管13、14，但也可以配置一個，另外，如 已述的圖19所示，也可以使這些可變電容二極管13、14中的一方起到電容器12的作用。另外，在上述的例子中對VCO進行了說明，但是包括電感元件及電容元件的電路 即濾波電路也存在如下問題當使用頻帶為GHz帶的高頻帶時，在諧振部1的Q值小的情況 下，存在不能得到良好的濾波特性這種問題。因此，本發(fā)明對于包括電感元件的電子部件是 有效的。下面，對制造上述的VCO的方法的一例進行說明。首先，對該制造方法的整體概略 進行說明，如圖12所示，例如在直徑為IOcm的石英晶片40上，作為電容器(capacitor) 12、 15、22、23，按照如上所述的圖6所示的布局形成多個上述的梳齒電極(步驟Sll)，接著，在 石英晶片40上配置導(dǎo)電線路48，形成諧振器(resonator)(電感元件11)的電路圖形及接 地電極51(步驟S12)。接著，例如通過切割(dicing)等切斷石英晶片40，將上述的石英基 板10單片化(芯片化)(步驟S13)，例如，通過在晶片狀的基底基板5上印刷形成的焊錫 (連接部7)將這些石英基板10、晶體管21等部件裝載在該基底基板5上(步驟S14)。之 后，使基底基板5單片化后，以覆蓋基底基板5上的各部件的方式安裝未圖示的蓋(步驟 S15)。這樣形成上述的VC0。下面，對上述步驟Sll及步驟S12的諧振部1的形成方法，參照圖13 圖18具體 地進行說明。首先，洗凈上述的石英晶片40后，如圖14(a)所示，在該石英晶片40上從下 側(cè)起例如依次層疊鋁等金屬膜41和正性的第一抗蝕劑(resist)膜42，通過曝光處理和顯 影處理在第一抗蝕劑膜42形成用于形成梳齒電極(電容器12、15、22、23)的圖形。而且， 通過使用例如C12氣體等蝕刻氣體的干蝕刻，對金屬膜41進行蝕刻而轉(zhuǎn)印第一抗蝕劑膜42 的圖形后，如圖17所示，剝離第一抗蝕劑膜42 (步驟S21)。另外，雖然省略圖示，但在上述 的第一抗蝕劑膜42的圖形，與電容12、15、22、23的圖形一起，形成有用于進行石英晶片40 的定位的對準標記、進行曝光處理時使用的定向平面(orientation flat)標記及劃分各石 英基板10的后述的切割線47，在石英晶片40上配置電容器12、15、22、23以及包含這些圖 形的電極膜。另外，在圖14 圖16中，示意地表示電容器12、15、22、23。下面，如圖14(b)所示，使用負性的樹脂(聚酰亞胺)膜等，在石英晶片40上形 成保護膜43，該保護膜43用于保護電容器12、15、22、23等的電極膜不受到后述的種子層 (Seed Layer，或稱為種晶層)44的蝕刻的影響。而且，以在上述的電容器12、15、22、23等的 電極膜的上方殘留保護膜43的方式，通過未圖示的掩膜進行曝光處理。另外，針對電容器 12、15、22、23以及上述的每個對準標記、定向平面標記，分別使用不同的掩膜進行上述的曝 光處理。接著，如圖14(c)所示，進行曝光處理，除去多余的保護膜43 (步驟S22)。而且， 例如通過熱處理使保護膜43固化后，例如利用O2氣的等離子體除去石英晶片40上的浮渣 (保護膜43的殘渣)。接著，雖然省略圖示，但通過進行抗蝕劑膜的形成、曝光處理及顯影 處理，在已述的各標記上形成樹脂膜。另外，雖然省略詳細的說明，但將上述的保護膜43設(shè) 定為規(guī)定的尺寸，使得電容器12、15、22、23等的電極膜不會因進行種子層44的蝕刻時的蝕 刻液而被浸蝕(腐蝕)。而且，例如通過蒸鍍處理，如圖15(a)所示，將Cr (鉻)膜和Cu (銅)膜從下側(cè)按 順序?qū)盈B而形成種子層44，并且使用剝離(Lift-off)裝置(例如剝離用的液體等)，將上述的標記上的樹脂膜以及該樹脂膜上的種子層44剝離，使該標記露出(步驟S2!3)。之后， 使用上記標記進行對位，并且如圖15(b)所示，在種子層44上形成負性的第二抗蝕劑膜45， 接著，以使得形成導(dǎo)電線路48 (電感元件11和接地電極51)的區(qū)域中的第二抗蝕劑膜45 被除去的方式進行曝光處理和顯影處理，形成凹部46(步驟S24)。另外，在剝離上述的種 子層44使上述的標記露出時，也可以在標記與種子層44之間不形成樹脂膜，在形成種子層 44后，通過抗蝕劑膜的涂敷處理、曝光處理、顯影處理及蝕刻處理，剝離標記的上方的種子 層44。
接著，如圖15(c)所示，例如通過電鍍將與接地電極51及電感元件11對應(yīng)的導(dǎo)電 線路48埋入第二抗蝕劑膜45的凹部46 (步驟S25)，如圖15 (d)所示，剝離第二抗蝕劑膜 45。然后，如圖16 (a)所示，剝離種子層44和保護膜43 (步驟S26)。在進行種子層44的剝 離(蝕刻)時，由于蝕刻液難以流入(繞入)導(dǎo)電線路48的下方，因此殘留種子層44，因 此，電容器12(15、22、23)和導(dǎo)電線路48經(jīng)種子層44電連接。
這樣，在石英晶片40上，如圖18所示，形成電容器12、15、22、23、電感元件11、接 地電極51及劃分各石英基板10的切割線47等。接著，如圖16(b)、(c)所示，通過進行樹 脂膜49的涂敷處理、曝光處理、顯影處理及熱處理(固化處理)，以覆蓋上述的導(dǎo)電線路48 的側(cè)面?zhèn)燃吧隙嗣娴闹芫壊康姆绞叫纬筛采w膜49a (步驟S27)。其后，在該導(dǎo)電線路48上 形成連接端子8后，進行上述的切割工序(步驟S13)，使石英基板10單片化。
權(quán)利要求
1.一種電壓控制振蕩器，其特征在于，包括諧振部，其包括靜電容量根據(jù)從外部輸入的頻率控制用的控制電壓發(fā)生變化的可變電 容元件和電感元件，并且其串聯(lián)諧振頻率根據(jù)所述靜電容量進行調(diào)節(jié)；和 反饋部，其將來自該諧振部的頻率信號放大后反饋至該諧振部， 所述諧振部的電感元件是形成于石英基板上的導(dǎo)電線路。
2.如權(quán)利要求1所述的電壓控制振蕩器，其特征在于所述諧振部包括所述可變電容元件和電容量不因電壓而發(fā)生變化的電容元件，該電容 元件包括設(shè)置在所述石英基板上的相互隔開間隔地交叉成對的梳齒形的導(dǎo)電通路。
3.如權(quán)利要求1所述的電壓控制振蕩器，其特征在于所述石英基板設(shè)置在由電介質(zhì)形成的基底基板上，在該基底基板上設(shè)置有所述可變電 容元件、反饋部和周邊部件。
4.如權(quán)利要求1所述電壓控制振蕩器，其特征在于 所述串聯(lián)諧振頻率為5GHz以上。
5.一種電子部件，其特征在于，包括 石英基板；和由形成在該石英基板的導(dǎo)電線路構(gòu)成的電感元件。
6.如權(quán)利要求1所述的電壓控制振蕩器，其特征在于代替所述石英基板，使用由鉭酸鋰、鈮酸鋰、硅或藍寶石形成的基板。
7.如權(quán)利要求5所述的電子部件，其特征在于代替所述石英基板，使用由鉭酸鋰、鈮酸鋰、硅或藍寶石形成的基板。
全文摘要
本發(fā)明提供一種電壓控制振蕩器和電子部件，其為小型且在寬的頻率的調(diào)節(jié)幅度內(nèi)得到低相位噪音特性。作為石英基板(10)，使用與在現(xiàn)有技術(shù)中作為諧振部(1)的基板被使用的氟樹脂、LTCC等相比具有更良好的特性(損耗因數(shù)tanδ)、且能夠利用光刻法形成微細的金屬膜的圖形的石英，在該石英基板(10)上形成導(dǎo)電線路，構(gòu)成諧振部(1)的電感元件(11)。由此，能夠構(gòu)成Q值高的諧振部(1)，因此能夠得到小型且在寬的頻帶為低損失的電壓控制振蕩器。
文檔編號H03B5/04GK102035465SQ20101050081
公開日2011年4月27日 申請日期2010年9月30日 優(yōu)先權(quán)日2009年10月5日
發(fā)明者吉元進, 山川純一郎, 山本泰司, 恩塚辰典, 津田稔正, 赤池和男, 高野三樹男 申請人:日本電波工業(yè)株式會社