專利名稱：具有負載切換的高線性低噪聲接收器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明大體來說涉及電子設(shè)備，且更明確地說涉及一種用于無線通信的接收器。
背景技術(shù)：
接收器廣泛用于各種無線通信系統(tǒng)中以調(diào)節(jié)(例如，放大、濾波及下變頻轉(zhuǎn)換) 射頻(RF)接收信號并提供基帶信號。通常需要接收器滿足各種線性及噪聲要求，對于一 些無線通信系統(tǒng)來說所述線性及噪聲要求可能較為嚴(yán)格?？墒褂迷S多無功組件(reactive component)(例如，電感器)及使用高偏壓電流來設(shè)計接收器，以便在最壞情況操作條件下 滿足嚴(yán)格的線性及噪聲要求。所述無功組件可能會增大接收器的尺寸及成本，且高偏壓電 流可能會增大功率消耗，這些都是不合意的。

發(fā)明內(nèi)容
本文中描述一種具有良好的線性及噪聲性能的接收器。在一種設(shè)計中，所述接收 器包括一低噪聲放大器(LNA)及輸出端耦合在一起的多對混頻器。LNA接收并放大LNA輸 入信號且提供至少一個LNA輸出信號。每一對混頻器包括一個用于同相(I)分量的混頻器 及另一個用于正交(Q)分量的混頻器。所述多對混頻器可使用相同或不同尺寸的晶體管來 實施，使用相同或不同電流量來加偏壓，使用相同或不同偏壓電壓來加偏壓，且使用具有相 同或不同信號電平的本機振蕩器(LO)信號來驅(qū)動。每一對混頻器在被啟用時對所述至少 一個LNA輸出信號中的一者進行下變頻轉(zhuǎn)換。每一對混頻器可(例如)基于選自多個模式 當(dāng)中的一模式被選擇性地啟用或停用。在一種設(shè)計中，所述多個模式包括高線性模式，當(dāng)檢測到大干擾信號時，可選擇 所述高線性模式；及低線性模式，當(dāng)未檢測到大干擾信號時，可選擇所述低線性模式。針對 高線性模式，可啟用第一對混頻器及第二對混頻器。針對低線性模式，可啟用第一對混頻器 且可停用第二對混頻器。在一種設(shè)計中，LNA包括輸入級及輸出級且可使用單端或差動設(shè)計來實施。輸入 級接收并放大LNA輸入信號且提供經(jīng)放大的信號，所述經(jīng)放大的信號可為電壓或電流。輸 出級緩沖所述經(jīng)放大的信號并提供至少一個LNA輸出信號。輸出級包括并聯(lián)耦合的多個負 載部分。每一負載部分可(例如)基于所選模式被選擇性地啟用或停用。每一負載部分可 包含耦合到一對N溝道金屬氧化物半導(dǎo)體(匪OS)晶體管的一對P溝道金屬氧化物半導(dǎo)體 (PMOS)晶體管且/或可包含電阻器。所述多個負載部分可使用相同或不同尺寸的晶體管來 實施且可使用相同或不同電流量來加偏壓。在一種設(shè)計中，LNA提供多個LNA輸出信號，且每一對混頻器在被啟用時對不同的 LNA輸出信號進行下變頻轉(zhuǎn)換。在一種設(shè)計中，LNA包括(i)第一負載部分，其為第一對混 頻器提供第一 LNA輸出信號；及(ii)第二負載部分，其為第二對混頻器提供第二 LNA輸出 信號。針對高線性模式，可啟用兩個負載部分及兩對混頻器。針對低線性模式，可啟用第一 負載部分及第一對混頻器且可停用第二負載部分及第二對混頻器。
大體來說，LNA可包括任何數(shù)目的負載部分，且正交下變頻轉(zhuǎn)換器可包括任何數(shù)目 對混頻器。當(dāng)需要高線性時，可選擇更多負載部分、更多對混頻器及/或具有較大晶體管的 負載部分與混頻器。當(dāng)不需要高線性時，可選擇更少負載部分、更少對混頻器及/或具有較 小晶體管的負載部分與混頻器，以便改善噪聲性能。下文進一步詳細描述本發(fā)明的各種方面及特征。


圖1展示無線裝置的框圖。圖2A展示LNA輸入信號頻譜。圖2B展示LNA輸出信號頻譜。圖3展示LNA的所要信號電流及失真電流對由混頻器呈現(xiàn)的負載的曲線。圖4展示LNA及多對混頻器的框圖。圖5展示LNA的一種設(shè)計的示意圖。圖6展示LNA及多對混頻器的另一框圖。圖7展示LNA的另一種設(shè)計的示意圖。圖8A及圖8B展示混頻器的兩種設(shè)計的示意圖。圖9展示用于操作接收器的過程。
具體實施例方式本文中所描述的接收器可用于各種通信系統(tǒng)，例如碼分多址(CDMA)系統(tǒng)、時分多 址(TDMA)系統(tǒng)、頻分多址(FDMA)系統(tǒng)、正交FDMA (OFDMA)系統(tǒng)、單載波FDMA (SC-FDMA)系 統(tǒng)、無線局域網(wǎng)絡(luò)(WLAN)、廣播系統(tǒng)、衛(wèi)星定位系統(tǒng)等。為了清晰起見，下文針對CDMA系統(tǒng) 來描述接收器的某些方面。圖1展示無線裝置100的設(shè)計的框圖，所述無線裝置100包括接收器120及發(fā)射 器122。大體來說，無線裝置100可針對任何數(shù)目的通信系統(tǒng)及任何數(shù)目的頻帶而包括任何 數(shù)目的發(fā)射器及任何數(shù)目的接收器?？墒褂贸獠罴軜?gòu)或直接轉(zhuǎn)換架構(gòu)來實施發(fā)射器或接收器。在超外差架構(gòu)中，在 多個級中在RF與基帶之間對信號進行頻率轉(zhuǎn)換，例如，在一個級中從RF轉(zhuǎn)換成中頻(IF)， 且接著在接收器的另一個級中從IF轉(zhuǎn)換成基帶。在也被稱作零IF架構(gòu)的直接轉(zhuǎn)換架構(gòu)中， 在一個級中在RF與基帶之間對信號進行頻率轉(zhuǎn)換。超外差架構(gòu)及直接轉(zhuǎn)換架構(gòu)可使用不 同電路塊及/或具有不同要求。在圖1中所示的設(shè)計中，使用直接轉(zhuǎn)換架構(gòu)來實施接收器 120。在接收路徑上，天線110從基站、衛(wèi)星及/或其它發(fā)射器站接收下行鏈路信號，并 將RF接收信號提供到雙工器112。在圖1所示的設(shè)計中，雙工器112將單端RF接收信號轉(zhuǎn) 換成差動信號，并將差動LNA輸入信號提供到LNA 130。LNA 130放大所述差動LNA輸入信 號，并將差動LNA輸出信號提供到I下變頻轉(zhuǎn)換器140及Q下變頻轉(zhuǎn)換器150。下變頻轉(zhuǎn)換 器140對差動LNA輸出信號與來自LO產(chǎn)生器160的差動I LO信號進行下變頻轉(zhuǎn)換，并提 供差動I下變頻轉(zhuǎn)換信號。低通濾波器142對所述差動I下變頻轉(zhuǎn)換信號進行濾波，并將 差動I基帶信號abb)提供到數(shù)據(jù)處理器170。同樣，下變頻轉(zhuǎn)換器150對差動LNA輸出信號與來自LO產(chǎn)生器160的差動Q LO信號進行下變頻轉(zhuǎn)換，并提供差動Q下變頻轉(zhuǎn)換信號。 低通濾波器152對所述差動Q下變頻轉(zhuǎn)換信號進行濾波，并將差動Q基帶信號(Qbb)提供 到數(shù)據(jù)處理器170。LO產(chǎn)生器160產(chǎn)生用于下變頻轉(zhuǎn)換器140的I LO信號及用于下變頻轉(zhuǎn)換器150 的Q LO信號。LO產(chǎn)生器160可包括一個或一個以上壓控振蕩器(VC0)、鎖相環(huán)路(PLL)、參 考振蕩器、分頻器、緩沖器等。圖1展示實例接收器設(shè)計。大體來說，接收器中的信號的調(diào)節(jié)可由一個或一個以 上放大器、濾波器、下變頻轉(zhuǎn)換器等執(zhí)行。這些電路塊可對單端信號或差動信號進行操作。 這些電路塊還可用不同于圖1中所示的配置來布置。此外，可使用圖1中未展示的其它電 路塊來調(diào)節(jié)接收器中的信號?？蓪⒔邮掌鞯娜炕蛞徊糠謱嵤┯谝粋€或一個以上RF集成 電路(RFIC)、模擬IC、混頻信號IC等上。舉例來說，可在RFIC上實施LNA 130及下變頻轉(zhuǎn) 換器140與150。在發(fā)射路徑上，數(shù)據(jù)處理器170處理待發(fā)射的數(shù)據(jù)，并將模擬I信號及模擬Q信號 提供到發(fā)射器122。發(fā)射器122處理(例如，放大、濾波及上變頻轉(zhuǎn)換)模擬I信號及模擬 Q信號以產(chǎn)生RF發(fā)射信號。所述RF發(fā)射信號經(jīng)由雙工器112路由并經(jīng)由天線110發(fā)射。數(shù)據(jù)處理器170可包括用于數(shù)據(jù)發(fā)射及接收以及其它功能的各種處理單元。舉例 來說，數(shù)據(jù)處理器170可包括模一數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)、數(shù)一模轉(zhuǎn)換器(DAC)、數(shù)字信號處理器 (DSP)、精簡指令集計算機(RISC)處理器、中央處理單元(CPU)等?？刂破?處理器180可 控制無線裝置100處的操作。存儲器182可存儲用于無線裝置100的程序代碼及數(shù)據(jù)?？?在一個或一個以上專用集成電路(ASIC)及/或其它IC上實施數(shù)據(jù)處理器170、控制器/處 理器180及/或存儲器182。圖2A展示被提供到LNA 130的LNA輸入信號的頻譜。如圖2A中所示，LNA輸入 信號可包括處于接收頻率fKX的所要信號212、處于頻率的干擾信號214及處于發(fā)射頻率 fTX的TX泄漏信號216。干擾信號是頻率接近于所要信號的具有大振幅的不當(dāng)信號。干擾 信號可來自在同一區(qū)域中操作的另一通信系統(tǒng)。所要信號及干擾信號可包括于由天線110 提供的RF接收信號中。TX泄漏信號是RF發(fā)射信號的經(jīng)由雙工器112從發(fā)射器122耦合或 泄漏到LNA 130的部分。TX泄漏的量視雙工器112的發(fā)射端口與接收端口之間的隔離量而 定。RF發(fā)射信號可比RF接收信號大得多。即使在雙工器112的發(fā)射端口與接收端口之間 具有良好隔離的情況下，TX泄漏信號由此仍可能會比所要信號大得多。圖2B展示由LNA 130提供的LNA輸出信號的頻譜。LNA 130的非線性可引起對 TX泄漏信號216的調(diào)制被轉(zhuǎn)移到窄帶干擾信號214，此接著在干擾信號周圍產(chǎn)生變寬的頻 譜218。將此頻譜變寬稱作互調(diào)制或交叉調(diào)制。如圖2B中所示，變寬的頻譜218的一部分 220屬于所要信號頻帶。部分220(其用陰影展示)充當(dāng)使無線裝置的性能降級的額外噪 聲。此噪聲還使接收器敏感性降級，使得可由接收器可靠地檢測的最小所要信號將需要具 有更大的振幅?？赏ㄟ^使互調(diào)制(IM)失真保持為低來獲得良好的接收器性能。高線性(very linear)接收器可通過使用許多芯片上電感器來實現(xiàn)低IM失真。然而，芯片上電感器占據(jù) 的硅面積較大，這于是會增加裸片成本。因此，需要盡量減少使用芯片上電感器。LNA 130 可用晶體管替代芯片上電感器作為負載。然而，負載晶體管可能會產(chǎn)生過多IM失真，這可能使得難以滿足CDMA及其它高性能系統(tǒng)的嚴(yán)格的線性要求。在一方面中，可基于操作條件來使呈現(xiàn)給LNA 130的外部負載變化以便實現(xiàn)良好 性能。LNA 130可將PMOS晶體管用作內(nèi)部負載，且可使用低電源電壓(例如，1.3伏)來操 作。所述PMOS晶體管可由于裸片面積更小而比芯片上電感器更優(yōu)選，且可由于低供電余量 而比電阻器更優(yōu)選。為了滿足嚴(yán)格的線性要求，可通過改變外部負載來對抗PMOS晶體管引 起的失真。失真可與LNA 130的負載以及LNA 130的輸入級相關(guān)。由LNA負載產(chǎn)生的失真可 能起因于(例如)PMOS晶體管，且可如下將來自LNA 130的輸出電流表示為輸出電壓的函 數(shù)L, = S1-Vout+ g2-v02ul+ g3 ·ν 1,+...,方程式⑴其中V。ut是由LNA 130提供的輸出電壓，iout是由LNA 130提供的輸出電流，且gl、g2及而是定義LNA 130的線性的系數(shù)?？墒褂貌煌趃l、g2及而的系數(shù)將方程式(1)重寫為LNA 130的輸入電壓Vin的 函數(shù)?？蓪NA輸出電壓表示為Vout = Vdesired · cos (ω desiredt) +Vtx · (cos (ω TX1t) +cos (ω TX2t)) +Vj · cos (ω Tt)，方
程式⑵其中Vdesired是處于頻率codesired(以弧度/秒為單位)的所要信號電壓，Vtx是處于頻率ω τχι及ω τχ2的TX泄漏信號電壓，且\是處于頻率ω j的干擾信號電壓。處于ωτχι及ωτχ2的TX泄漏分量可表示經(jīng)調(diào)制的TX泄漏。LNA輸出電流包括所要電流以及處于頻率ωτχι-ωτχ2+α^的互調(diào)制或交叉調(diào)制失 真(CMD)電流。在此主要關(guān)注交叉調(diào)制失真(CMD)，因為當(dāng)考慮經(jīng)調(diào)制的TX泄漏時其包 括圖2Β中的變寬的頻譜218?？蓪MD的電流(其也被稱作三次差拍電流(triple beat current))表示為ι =Ig .V2 -V =-s -(i Z · (i Z ) = -8 a2-I3-Z3 ,方程式
」tCMO- ^ 63 yTX V JK1TX 乙 mixer) J ^mixer > Λ 6 3 w 1J ^mixer > yJ 1 工 >、
2 2 2
(3)其中iTX是TX泄漏信號電流，Ij是干擾信號電流，icm是CMD電流，α = τχ/ τ是 由用于LNA 130的無線通信標(biāo)準(zhǔn)所規(guī)定的固定比率，且Zmixw是由LNA 130的輸出端觀測到 的外部負載。在圖1中所示的設(shè)計中，LNA 130的外部負載等于下變頻轉(zhuǎn)換器140及150的輸 入阻抗。因此，術(shù)語“外部負載”與“混頻器輸入阻抗”在本文中可互換使用。方程式C3)假定外部負載支配LNA 130的內(nèi)部負載。對于級聯(lián)配置來說，常常為此 情況。舉例來說，混頻器輸入阻抗可小于100歐姆，而LNA內(nèi)部負載可為1千歐姆或更多。如方程式(3)中所示，CMD電流的量視干擾信號電流的量以及混頻器輸入阻抗Zmixer而定。此夕卜，CMD電流與ZmixCT的三次冪成比例。因此，如果ZmixCT減小兩倍，則CMD電 流減小八倍?？捎纱送ㄟ^使ZmixCT變化而控制CMD電流的量。圖3展示所要信號電流idesired的曲線310及CMD電流Iaffi的曲線312對混頻器輸 入阻抗ZmixCT。垂直軸以對數(shù)標(biāo)度展示電流，且水平軸以線性標(biāo)度展示ZmixCT。所要信號電流 具有1 1斜率且在ZmixCT減小兩倍時降低6dB。CMD電流具有3 1斜率且在ZmixCT減小 兩倍時降低18dB。因此，當(dāng)Zmixw減小時，CMD電流的下降速率比所要信號電流快得多。圖4展示下變頻轉(zhuǎn)換器140a與150a及LO產(chǎn)生器160的設(shè)計的框圖。下變頻轉(zhuǎn) 換器140a與150a具有可變輸入阻抗且分別為圖1中的下變頻轉(zhuǎn)換器140與150的一種設(shè) 計。在圖4中所示的設(shè)計中，下變頻轉(zhuǎn)換器140a包括與第二 I混頻器442并聯(lián)耦合的 第一 I混頻器440。下變頻轉(zhuǎn)換器150a包括與第二 Q混頻器452并聯(lián)耦合的第一 Q混頻器 450。LO產(chǎn)生器160包括一 LO信號產(chǎn)生器458及四個緩沖器460、462、470及472。產(chǎn)生器 458產(chǎn)生I LO信號及Q LO信號。緩沖器460及462接收并緩沖I LO信號，且將第一 I LO 信號及第二 I LO信號分別提供到混頻器440及442。緩沖器470及472接收并緩沖Q LO 信號，且將第一 Q LO信號及第二 Q LO信號分別提供到混頻器450及452。當(dāng)被啟用時，混頻器440對LNA輸出信號與來自緩沖器460的第一 I LO信號進行 下變頻轉(zhuǎn)換，并提供第一 I下變頻轉(zhuǎn)換信號。當(dāng)被啟用時，混頻器442對LNA輸出信號與來 自緩沖器462的第二 I LO信號進行下變頻轉(zhuǎn)換，并提供第二 I下變頻轉(zhuǎn)換信號。對第一 I 下變頻轉(zhuǎn)換信號及第二 I下變頻轉(zhuǎn)換信號進行求和并將其提供到濾波器142。當(dāng)被啟用時， 混頻器450對LNA輸出信號與來自緩沖器470的第一 Q LO信號進行下變頻轉(zhuǎn)換，并提供第
一Q下變頻轉(zhuǎn)換信號。當(dāng)被啟用時，混頻器452對LNA輸出信號與來自緩沖器472的第二 Q LO信號進行下變頻轉(zhuǎn)換，并提供第二 Q下變頻轉(zhuǎn)換信號。對第一 Q下變頻轉(zhuǎn)換信號及第
二Q下變頻轉(zhuǎn)換信號進行求和并將其提供到濾波器152?；祛l器440及442可分別通過控 制其偏壓電流Bias_11及Bias_I2而被啟用或停用?；祛l器450及452可分別通過控制其 偏壓電流Bias_Ql及Bias_Q2而被啟用或停用。在一種設(shè)計中，使用相同尺寸的晶體管來實施混頻器440及442。在另一種設(shè)計 中，使用不同尺寸的晶體管來實施混頻器440及442。舉例來說，可使用較小晶體管來實施 混頻器440，且可使用較大晶體管來實施混頻器442。在一種設(shè)計中，當(dāng)混頻器440及442 被啟用時，使用相同電流量及/或相同偏壓電壓來加偏壓于混頻器440及442。在另一種設(shè) 計中，當(dāng)混頻器440及442被啟用時，使用不同電流量及/或不同偏壓電壓來加偏壓于混頻 器440及442。舉例來說，當(dāng)混頻器440被啟用時，可使用較小電流或較低偏壓電壓來加偏 壓于混頻器440，且當(dāng)混頻器442被啟用時，可使用較大電流或較高偏壓電壓來加偏壓于混 頻器442。在一種設(shè)計中，使用具有類似信號電平的LO信號來驅(qū)動混頻器440及442。在 另一種設(shè)計中，使用具有不同信號電平的LO信號來驅(qū)動混頻器440及442。舉例來說，可使 用較小LO信號來驅(qū)動混頻器440，且可使用較大LO信號來驅(qū)動混頻器442。類似地，混頻 器450及452可使用相同或不同尺寸的晶體管來實施，當(dāng)被啟用時使用相同或不同電流量 及使用相同或不同偏壓電壓來加偏壓，且使用具有類似或不同信號電平的LO信號來驅(qū)動。 可分別根據(jù)混頻器440、442、450及452的晶體管尺寸來按比例縮放LO緩沖器460、462、470 及 472。
可用若干方式使混頻器輸入阻抗ZmixCT變化。在一種設(shè)計中，可通過將混頻器440 或混頻器442或者混頻器440與442兩者選擇用于I路徑來使Zmixe,變化?？赏ㄟ^啟用更 多混頻器、通過選擇具有較大晶體管的一個或一個以上混頻器等來獲得較低ZmixCT。在另一 種設(shè)計中，可通過調(diào)整所述所選混頻器的偏壓條件來使ZmixCT變化。可使用較高偏壓電壓來 獲得較低ZmixCT。在又一種設(shè)計中，可通過調(diào)整LO信號的信號電平來使ZmixCT變化。此操作 可通過改變LO緩沖器460及462(例如，通過啟用緩沖器460及462中的更多級)、通過改 變緩沖器460及462的Vdd電源電壓等來實現(xiàn)?？墒褂幂^大LO信號電平來獲得較低ZmixCT。在一種設(shè)計中，可支持高線性模式及低線性模式。當(dāng)檢測到大干擾信號及/或高 TX泄漏時，可選擇高線性模式。在高線性模式中，下變頻轉(zhuǎn)換器140及150可如表1中所示 來操作以獲得LNA 130的低ZmixCT。此可減小LNA輸出端處的信號擺動，使得PMOS晶體管負 載的失真得以減小。當(dāng)未檢測到大干擾信號及/或高TX泄漏時，可選擇低線性模式。在低 線性模式中，下變頻轉(zhuǎn)換器140及150可如表1中所示來操作以獲得LNA 130的較高Zmixe,。 此做法可減小由LNA 130所呈現(xiàn)的寄生電容，這樣可改善接收器的總噪聲指數(shù)。表 權(quán)利要求
1.一種設(shè)備，其包含低噪聲放大器(LNA)，其經(jīng)配置以接收LNA輸入信號并提供至少一個LNA輸出信號；以及耦合到所述LNA的多對混頻器，每一對混頻器經(jīng)配置以在被啟用時對所述至少一個 LNA輸出信號中的一者進行下變頻轉(zhuǎn)換，每一對混頻器被選擇性地啟用或停用。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述多對混頻器包含使用不同尺寸的晶體管實施 的第一對混頻器及第二對混頻器。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述多對混頻器包含使用不同電流量或不同偏壓 電壓來加偏壓的第一對混頻器及第二對混頻器。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述多對混頻器包含使用具有不同信號電平的本 機振蕩器(LO)信號來驅(qū)動的第一對混頻器及第二對混頻器。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述多對混頻器的輸出端耦合在一起并提供經(jīng)下 變頻轉(zhuǎn)換的信號。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中每一對混頻器基于選自多個模式中的一模式而被 啟用或停用，每一模式與一不同組的至少一對混頻器相關(guān)聯(lián)，且其中與所述所選模式相關(guān) 聯(lián)的所述至少一對混頻器被啟用，且在存在剩余對混頻器的情況下，所有所述剩余對混頻 器被停用。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述多對混頻器包含第一對混頻器及第二對混頻 器，其中針對高線性模式，所述第一對混頻器及第二對混頻器被啟用，且其中針對低線性模 式，所述第一對混頻器被啟用且所述第二對混頻器被停用。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的設(shè)備，其中當(dāng)檢測到大干擾信號時，選擇所述高線性模式，且 當(dāng)未檢測到大干擾信號時，選擇所述低線性模式。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述LNA經(jīng)配置以提供單個LNA輸出信號，且其中 每一對混頻器經(jīng)配置以在被啟用時對所述LNA輸出信號進行下變頻轉(zhuǎn)換。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述LNA經(jīng)配置以提供多個LNA輸出信號，每一 對混頻器有一個LNA輸出信號，且其中每一對混頻器經(jīng)配置以在被啟用時對相應(yīng)LNA輸出 信號進行下變頻轉(zhuǎn)換。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述多對混頻器包含第一對混頻器及第二對混 頻器，其中所述LNA經(jīng)配置以提供第一 LNA輸出信號及第二 LNA輸出信號，其中所述第一對 混頻器經(jīng)配置以在被啟用時對所述第一 LNA輸出信號進行下變頻轉(zhuǎn)換，且其中所述第二對 混頻器經(jīng)配置以在被啟用時對所述第二 LNA輸出信號進行下變頻轉(zhuǎn)換。
12.—種設(shè)備，其包含低噪聲放大器(LNA)，其包含輸入級及輸出級，所述輸入級接收LNA輸入信號并提供經(jīng) 放大的信號，所述輸出級緩沖所述經(jīng)放大的信號并提供至少一個LNA輸出信號，所述輸出 級包含并聯(lián)耦合的多個負載部分，每一負載部分被選擇性地啟用或停用。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的設(shè)備，其中所述多個負載部分中的每一者包含耦合到一對 N溝道金屬氧化物半導(dǎo)體(NMOQ晶體管的一對P溝道金屬氧化物半導(dǎo)體(PM0Q晶體管。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的設(shè)備，其中所述多個負載部分是使用不同尺寸的晶體管來 實施。
15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的設(shè)備，其中所述多個負載部分是使用不同電流量或不同偏 壓電壓來加偏壓。
16.根據(jù)權(quán)利要求12所述的設(shè)備，其中所述多個負載部分經(jīng)配置以提供多個LNA輸出 信號，每一負載部分有一個LNA輸出信號。
17.根據(jù)權(quán)利要求12所述的設(shè)備，其中所述多個負載部分包含第一負載部分及第二負 載部分，其中針對高線性模式，所述第一負載部分及第二負載部分被啟用，且其中針對低線 性模式，所述第一負載部分被啟用且所述第二負載部分被停用。
18.一種設(shè)備，其包含低噪聲放大器(LNA)，其經(jīng)配置以接收LNA輸入信號并提供多個LNA輸出信號；以及耦合到所述LNA的多對混頻器，每一對混頻器經(jīng)配置以在被啟用時對所述多個LNA輸 出信號中的一個不同LNA輸出信號進行下變頻轉(zhuǎn)換。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的設(shè)備，其中每一對混頻器基于選自多個模式當(dāng)中的一模式 而被啟用或停用。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的設(shè)備，其中所述LNA包含經(jīng)配置以提供所述多個LNA輸出 信號的多個負載部分，每一負載部分基于所述所選模式而被啟用或停用。
21.根據(jù)權(quán)利要求18所述的設(shè)備，其中所述多對混頻器包含第一對混頻器及第二對混 頻器，且其中所述LNA包含第一負載部分及第二負載部分，所述第一負載部分及第二負載 部分經(jīng)配置以分別為所述第一對混頻器及第二對混頻器提供第一 LNA輸出信號及第二 LNA 輸出信號。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的設(shè)備，其中針對高線性模式，所述第一負載部分及第二負 載部分以及所述第一對混頻器及第二對混頻器被啟用，且其中針對低線性模式，所述第一 負載部分及所述第一對混頻器被啟用，且所述第二負載部分及所述第二對混頻器被停用。
23.一種集成電路，其包含低噪聲放大器(LNA)，其經(jīng)配置以接收LNA輸入信號并提供至少一個LNA輸出信號；以及耦合到所述LNA的多對混頻器，每一對混頻器經(jīng)配置以在被啟用時對所述至少一個 LNA輸出信號中的一者進行下變頻轉(zhuǎn)換，每一對混頻器被選擇性地啟用或停用。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的集成電路，其中所述多對混頻器包含第一對混頻器及第二 對混頻器，其中針對高線性模式，所述第一對混頻器及第二對混頻器被啟用，且其中針對低 線性模式，所述第一對混頻器被啟用且所述第二對混頻器被停用。
25.根據(jù)權(quán)利要求23所述的集成電路，其中所述LNA包含并聯(lián)耦合的多個負載部分，每 一負載部分被選擇性地啟用或停用。
26.根據(jù)權(quán)利要求25所述的集成電路，其中所述多個負載部分包含第一負載部分及第 二負載部分，其中針對高線性模式，所述第一負載部分及第二負載部分被啟用，且其中針對 低線性模式，所述第一負載部分被啟用且所述第二負載部分被停用。
27.根據(jù)權(quán)利要求25所述的集成電路，其中所述多對混頻器包含第一對混頻器及第二 對混頻器，其中所述多個負載部分包含第一負載部分及第二負載部分，其中針對高線性模 式，所述第一負載部分及第二負載部分以及所述第一對混頻器及第二對混頻器被啟用，且 其中針對低線性模式，所述第一負載部分及所述第一對混頻器被啟用，且所述第二負載部分及所述第二對混頻器被停用。
28.一種操作接收器的方法，其包含基于所檢測到的操作條件而從多個模式當(dāng)中選擇一模式； 基于所述所選模式來啟用多對混頻器當(dāng)中的至少一對混頻器；以及 在所述多對混頻器中存在剩余對混頻器的情況下，基于所述所選模式停用所述剩余對 混頻器。
29.根據(jù)權(quán)利要求觀所述的方法，其中所述多對混頻器包含第一對混頻器及第二對 混頻器，且其中所述啟用至少一對混頻器及所述停用所述多對混頻器中的剩余對混頻器包 含如果選擇高線性模式，則啟用所述第一對混頻器及第二對混頻器；以及 如果選擇低線性模式，則啟用所述第一對混頻器并停用所述第二對混頻器。
30.根據(jù)權(quán)利要求觀所述的方法，其進一步包含基于所述所選模式來啟用低噪聲放大器(LNA)的多個負載部分當(dāng)中的至少一個負載 部分；以及在所述多個負載部分中存在剩余負載部分的情況下，基于所述所選模式停用所述剩余 負載部分。
31.根據(jù)權(quán)利要求30所述的方法，其中所述多個負載部分包含第一負載部分及第二負 載部分，且其中所述啟用至少一個負載部分及所述停用所述多個負載部分中的剩余負載部 分包含如果選擇高線性模式，則啟用所述第一負載部分及第二負載部分；以及 如果選擇低線性模式，則啟用所述第一負載部分并停用所述第二負載部分。
32.根據(jù)權(quán)利要求觀所述的方法，其中所述選擇模式包含 檢測尋找大干擾信號；如果檢測到大干擾信號，則選擇高線性模式；以及 如果未檢測到大干擾信號，則選擇低線性模式。
33.一種設(shè)備，其包含用于基于所檢測到的操作條件而從多個模式當(dāng)中選擇一模式的裝置； 用于基于所述所選模式來啟用多對混頻器當(dāng)中的至少一對混頻器的裝置；以及 用于在所述多對混頻器中存在剩余對混頻器的情況下基于所述所選模式停用所述剩 余對混頻器的裝置。
34.根據(jù)權(quán)利要求33所述的設(shè)備，其中所述多對混頻器包含第一對混頻器及第二對混 頻器，且其中所述用于啟用至少一對混頻器的裝置及所述用于停用所述多對混頻器中的剩 余對混頻器的裝置包含用于在選擇高線性模式的情況下啟用所述第一對混頻器及第二對混頻器的裝置；以及 用于在選擇低線性模式的情況下啟用所述第一對混頻器并停用所述第二對混頻器的裝置。
35.根據(jù)權(quán)利要求33所述的設(shè)備，其進一步包含用于基于所述所選模式來啟用低噪聲放大器(LNA)的多個負載部分當(dāng)中的至少一個 負載部分的裝置；以及用于在所述多個負載部分中存在剩余負載部分的情況下基于所述所選模式停用所述 剩余負載部分的裝置。
36.根據(jù)權(quán)利要求35所述的設(shè)備，其中所述多個負載部分包含第一負載部分及第二負 載部分，且其中所述用于啟用至少一個負載部分的裝置及所述用于停用所述多個負載部分 中的剩余負載部分的裝置包含用于在選擇高線性模式的情況下啟用所述第一負載部分及第二負載部分的裝置；以及 用于在選擇低線性模式的情況下啟用所述第一負載部分并停用所述第二負載部分的直ο
37.根據(jù)權(quán)利要求33所述的設(shè)備，其中所述用于選擇模式的裝置包含 用于檢測尋找大干擾信號的裝置；用于在檢測到大干擾信號的情況下選擇高線性模式的裝置；以及 用于在未檢測到大干擾信號的情況下選擇低線性模式的裝置。
38.一種計算機程序產(chǎn)品，其包含 計算機可讀媒體，其包含用于使至少一個計算機基于所檢測到的操作條件而從多個模式當(dāng)中選擇一模式的代碼；用于使所述至少一個計算機基于所述所選模式來啟用多對混頻器當(dāng)中的至少一對混 頻器的代碼；以及用于使所述至少一個計算機在所述多對混頻器中存在剩余對混頻器的情況下基于所 述所選模式停用所述剩余對混頻器的代碼。
39.根據(jù)權(quán)利要求38所述的計算機程序產(chǎn)品，所述計算機可讀媒體進一步包含 用于使所述至少一個計算機基于所述所選模式來啟用低噪聲放大器(LNA)的多個負載部分當(dāng)中的至少一個負載部分的代碼；以及用于使所述至少一個計算機在所述多個負載部分中存在剩余負載部分的情況下基于 所述所選模式停用所述剩余負載部分的代碼。
全文摘要
本發(fā)明提供一種接收器，其包括低噪聲放大器(LNA)及多對混頻器。所述LNA接收并放大LNA輸入信號且提供至少一個LNA輸出信號。每一對混頻器在被啟用時對所述至少一個LNA輸出信號中的一者進行下變頻轉(zhuǎn)換。可(例如)基于選自多個模式當(dāng)中的一模式而選擇性地啟用或停用每一對混頻器。在一種設(shè)計中，所述LNA包括并聯(lián)耦合的多個負載部分?？?例如)基于所述所選模式而選擇性地啟用或停用每一負載部分。在一種設(shè)計中，針對高線性模式，可啟用第一對混頻器及第二對混頻器以及第一負載部分及第二負載部分。針對低線性模式，可啟用所述第一對混頻器及所述第一負載部分，且可停用所述第二對混頻器及所述第二負載部分。
文檔編號H03F1/56GK102124646SQ200980132398
公開日2011年7月13日 申請日期2009年8月18日 優(yōu)先權(quán)日2008年8月18日
發(fā)明者劉里, 普拉薩德·S·古德姆 申請人:高通股份有限公司