專利名稱：壓控振蕩器、以及使用其的鎖相環(huán)電路和無(wú)線通信設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于無(wú)線通信設(shè)備的本振信號(hào)(Local oscillator signals)的生成等的壓控振蕩器、以及使用其的鎖相環(huán)(以下稱PLL)電路和 無(wú)線通信設(shè)備。
背景技術(shù)：
壓控振蕩器作為一種生成無(wú)線通信設(shè)備的本振信號(hào)的手段，得到了廣 泛的應(yīng)用。在該壓控振蕩器被制造成高頻IC的場(chǎng)合，為了消除半導(dǎo)體制造 工藝中所產(chǎn)生的構(gòu)成元件的偏差，需要擴(kuò)大振蕩頻率的范圍。另外，近年 來(lái)為了對(duì)應(yīng)使用不同頻帶的通信系統(tǒng)，需要能夠在較廣的頻率范圍調(diào)整壓 控振蕩器的振蕩頻率。
圖13是表示擴(kuò)大了振蕩頻率的范圍的現(xiàn)有技術(shù)(例如，專利文獻(xiàn)l) 的壓控振蕩器ld的結(jié)構(gòu)例的圖。在圖13中，現(xiàn)有技術(shù)的壓控振蕩器ld 包括由電感器3構(gòu)成的電感電路、由可變電容元件4構(gòu)成的第1可變電 容電路、由可變電容元件5構(gòu)成的第2可變電容電路、由可變電容元件6 構(gòu)成的第3可變電容電路、由晶體管9構(gòu)成的負(fù)電阻電路、偏置電路16、 及開(kāi)關(guān)54和55。電感電路、第1 第3可變電容電路及負(fù)電阻電路相互并 聯(lián)連接而構(gòu)成振蕩電路。
該現(xiàn)有技術(shù)的壓控振蕩器ld，在并聯(lián)設(shè)置的2個(gè)可變電容元件5和6 之中，至少一方的電容值控制端子的連接對(duì)象由開(kāi)關(guān)54或55進(jìn)行切換。 由此，根據(jù)切換到的連接對(duì)象而覆蓋不同的振蕩頻率范圍，從而得到將頻 率靈敏度抑制得較低的多個(gè)種類的振蕩頻率特性，其中，頻率靈敏度表示振 蕩頻率相對(duì)于頻率控制電位的變化率。
然而，上迷現(xiàn)有技術(shù)的壓控振蕩器ld，為了覆蓋較廣的振蕩頻率范圍 而將開(kāi)關(guān)54及55進(jìn)行切換來(lái)控制的對(duì)象全都是可變電容元件5及6。因 此，存在以下問(wèn)題。第1，在將可變電容元件作為固定電容來(lái)使用的情況下，即便是使施加
到可變電容元件5及6的電壓成為OV或Vdd,也會(huì)因共振側(cè)的振蕩振幅 而使可變電容元件的兩端電位差到達(dá)電容產(chǎn)生變化的區(qū)域。因此，若電源 電壓、控制電位中加進(jìn)了噪音，則會(huì)出現(xiàn)相位噪音特性惡化這樣的問(wèn)題。 因而，最好是盡可能地減少作為固定電容來(lái)使用的可變電容元件的數(shù)目。
第2，如圖14所示那樣，使用了金屬氧化物半導(dǎo)體(以下稱MOS)晶體 管的可變電容元件(圖中的虛線)與電容開(kāi)關(guān)電路(圖中的實(shí)線)相比， 電容的變化比較小。因此，全部使用了可變電容元件的壓控振蕩器與包含 有電容開(kāi)關(guān)電路的壓控振蕩器相比，存在頻率可變范圍變窄這樣的問(wèn)題。 因而，較為理想的是有效地使用電容開(kāi)關(guān)電路。
專利文獻(xiàn)1日本特開(kāi)2007 — 104152號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
故而，本發(fā)明的目的在于，提供一種既能抑制相位噪音特性的惡化， 又能在保持較低的頻率靈敏度的情況下，在較廣的范圍對(duì)振蕩頻率進(jìn)行可 變控制的壓控振蕩器、以及使用了該壓控振蕩器的PLL電路和無(wú)線通信設(shè) 備。
本發(fā)明針對(duì)壓控振蕩器、以及使用了該壓控振蕩器的PLL電路和無(wú)線 通信設(shè)備。為了達(dá)到上迷目的，本發(fā)明的壓控振蕩器包括具有電感器的 電感電路、分別具有可變電容元件的多個(gè)可變電容電路、至少1個(gè)電容開(kāi) 關(guān)電路、負(fù)電阻電路、以及對(duì)多個(gè)可變電容電路和至少1個(gè)電容開(kāi)關(guān)電路 施加控制電位及控制信號(hào)的頻率靈敏度控制單元。該電感電路、多個(gè)可變 電容電路、至少1個(gè)電容開(kāi)關(guān)電路及負(fù)電阻電路并耳關(guān)連接。頻率靈敏度控 制單元，將用于對(duì)振蕩頻率進(jìn)行反饋控制的控制電位固定地施加到多個(gè)可 變電容電路中的至少1個(gè)，并基于對(duì)至少1個(gè)電容開(kāi)關(guān)電路所施加的至少1 個(gè)控制信號(hào)，來(lái)切換控制電位及控制信號(hào)中的任1個(gè)，以施加到多個(gè)可變 電容電路中的其他的至少l個(gè)。
較佳的是，在該結(jié)構(gòu)中，頻率靈敏度控制單元，在至少1個(gè)電容開(kāi)關(guān) 電路全都被施加不能使開(kāi)關(guān)接通的低電平的控制信號(hào)的情況下，對(duì)多個(gè)可 變電容電路中的其他的至少1個(gè)施加控制信號(hào)。另外，較佳的是，頻率靈敏度控制單元，在至少1個(gè)電容開(kāi)關(guān)電路全都被施加能使開(kāi)關(guān)接通的高電 平的控制信號(hào)的情況下，對(duì)所有多個(gè)可變電容電路施加控制電位。其中， 對(duì)多個(gè)可變電容電路中的其他至少1個(gè)所施加的控制信號(hào)，是低電平和高
電平這兩種電位。并且，較佳的是，n個(gè)可變電容電路的可變電容元件中的 至少1個(gè)由反轉(zhuǎn)型(Inversion)MOS或積累(Accumulation)型MOS構(gòu)成。 發(fā)明效杲根據(jù)本發(fā)明，既能抑制相位噪音特性的惡^>,又能在4呆持 較低的頻率靈敏度的情況下，在較廣的范圍對(duì)振蕩頻率進(jìn)行可變控制。


圖1是表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式所涉及的壓控振蕩器101的結(jié)構(gòu)例 的圖。
圖2A是說(shuō)明現(xiàn)有技術(shù)的壓控振蕩器的頻率特性的圖。
圖2B是說(shuō)明現(xiàn)有技術(shù)的壓控振蕩器的頻率炅敏度特性的圖。
圖3A是說(shuō)明第一實(shí)施方式的壓控振蕩器101的頻率特性的圖。
圖3B是說(shuō)明第一實(shí)施方式的壓控振蕩器101的頻率炅敏度特性的圖。
圖4是表示第一實(shí)施方式中的頻率靈敏度控制單元180的詳細(xì)結(jié)構(gòu)的圖。
圖5是表示本發(fā)明的第二實(shí)施方式所涉及的壓控振蕩器102的結(jié)構(gòu)例 的圖。
圖6A是說(shuō)明第二實(shí)施方式的壓控振蕩器102的頻率特性的圖。
圖6B是說(shuō)明第二實(shí)施方式的壓控振蕩器102的頻率靈敏度特性的圖。
圖7是表示第二實(shí)施方式中的頻率靈敏度控制單元180的詳細(xì)結(jié)構(gòu)的圖。
圖8A是表示本發(fā)明的第三實(shí)施方式所涉及的壓控振蕩器103的結(jié)構(gòu) 的圖。
圖8B是表示圖8A的頻率靈敏度控制單元180內(nèi)部的詳細(xì)連接的圖。 圖8C是表示圖8A的頻率靈敏度控制單元180內(nèi)部的其他詳細(xì)連接的圖。
圖9A是說(shuō)明第三實(shí)施方式的壓控振蕩器103的頻率特性的圖。
圖9B是說(shuō)明第三實(shí)施方式的壓控振蕩器103的頻率炅敏度特性的圖。圖10A呆說(shuō)明能夠用于本發(fā)明的壓控振蕩器的其他可變電容電路的圖。
圖10B是說(shuō)明能夠用于本發(fā)明的壓控振蕩器的其他可變電容電路的圖。
圖10C是說(shuō)明能夠用于本發(fā)明的壓控振蕩器的其他可變電容電路的圖。
圖10D是說(shuō)明能夠用于本發(fā)明的壓控振蕩器的其他可變電容電路的圖。
圖10E是說(shuō)明能夠用于本發(fā)明的壓控振蕩器的其他電容開(kāi)關(guān)電路的圖。
圖11是表示使用了本發(fā)明的壓控振蕩器的PLL電路300的結(jié)構(gòu)的圖。 圖12是表示使用了圖11的PLL電路的無(wú)線通信設(shè)備的結(jié)構(gòu)的圖。 圖13是表示現(xiàn)有技術(shù)的壓控振蕩器ld的結(jié)構(gòu)的圖。 圖14是用于說(shuō)明現(xiàn)有技術(shù)的壓控振蕩器ld所存在的問(wèn)題的圖。
附圖標(biāo)記J兌明
101 103、 303 壓控振蕩器 110 電感電路 111、 112 電感器
120、 130、 135 可變電容電路
121、 122、 131、 132、 136、 137 可變電容元件
140、 150 電容開(kāi)關(guān)電路
141、 142、 151、 152 電容 143、 153、 161、 162 晶體管 160 負(fù)電阻電路
170 電流源
180頻率靈敏度控制單元
300 PLL電路
301 相位比較器
302 環(huán)路濾波器304分頻器
400無(wú)線通信設(shè)備
401天線
402功率放大器
403調(diào)制器
404開(kāi)關(guān)
4054氐p喿音^:大器
406解調(diào)器
具體實(shí)施例方式
(第一實(shí)施方式)
圖1是表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式所涉及的壓控振蕩器101的結(jié)構(gòu)例的 圖。其中省略了偏置電路(Biasingcircuit)等。在圖1中，第一實(shí)施方式的 壓控振蕩器101包括電感電路IIO、第1可變電容電路120、第2可變電容 電路130、第1電容開(kāi)關(guān)電路140、第2電容開(kāi)關(guān)電路150、負(fù)電阻電路160 、電流源170、及頻率靈敏度控制單元180。電感電路IIO、第l可變電容電 路120、第2可變電容電路130、第1電容開(kāi)關(guān)電路140、第2電容開(kāi)關(guān)電路150 及負(fù)電阻電路160相互并聯(lián)連接而構(gòu)成振蕩電路。
電感電路110由串聯(lián)連接著的電感器111和112構(gòu)成，電源電位Vdd被施 加到電感器111與電感器112之間的連接點(diǎn)。負(fù)電阻電路160由2個(gè)晶體管 161和162相互交叉耦合(Cross coupling)而構(gòu)成。MOS晶體管或雙極型晶 體管適合用作該晶體管161和162。
第1可變電容電路120由串聯(lián)連接著的可變電容元件121和122構(gòu)成，用 于對(duì)振蕩頻率進(jìn)行反饋控制的控制電位Vt被施加到可變電容元件121與可 變電容元件122之間的連接點(diǎn)A。第2可變電容電路130由串聯(lián)連接著的可變 電容元件131和132構(gòu)成，控制電位Vt或控制信號(hào)Fsell經(jīng)由頻率炅敏度控 制單元180被施加到可變電容元件131與可變電容元件132之間的連接點(diǎn)B。 可變電容元件121、 122、 131及132是利用了CMOS (互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo) 體)工藝中所使用的柵電容的可變電容元件。
第1電容開(kāi)關(guān)電路140由MOS晶體管143、 MOS晶體管143的漏極及源極上分別連接的電容141及142構(gòu)成，MOS晶體管143的柵極上被施加了控 制信號(hào)Fsel2。第2電容開(kāi)關(guān)電路150由MOS晶體管153、 MOS晶體管153 的漏極及源極上分別連接的電容151及152構(gòu)成，MOS晶體管153的柵極上 被施加了控制信號(hào)Fse13。第1及第2電容開(kāi)關(guān)電路140及150構(gòu)成頻帶切換 電路。
下面，進(jìn)一步用圖2A 圖9B來(lái)說(shuō)明如上所迷那樣構(gòu)成的第一實(shí)施方式 所涉及的壓控振蕩器101的具體動(dòng)作的一例。
首先，考慮對(duì)第1可變電容電路120的連接點(diǎn)A和第2可變電容電路130 的連接點(diǎn)B的兩方都固定地施加控制電位Vt的情況。此時(shí)，壓控振蕩器101 的頻率可變范圍，根據(jù)將施加到第l電容開(kāi)關(guān)電路140的控制信號(hào)Fsel2的高 電平(邏輯值l) *低電平(邏輯值O)與施加到第2電容開(kāi)關(guān)電路150的控制 信號(hào)Fsel3的高電平(邏輯值l) *低電平(邏輯值0)進(jìn)行組合而得到的4個(gè) 頻率范圍a (邏輯值OO)、 b (邏輯值Ol)、 c (邏輯值IO)及d (邏輯值ll) 來(lái)決定(圖2A)。適合用電源電壓(=Vdd)和接地電壓(=0V)來(lái)作為 該高電平和4氐電平。
然而，在此情況下，會(huì)出現(xiàn)壓控振蕩器101的頻率靈敏度在低頻范圍靈 敏度變低，而在高頻范圍炅敏度變高這樣的技術(shù)問(wèn)題(圖2B)。也就是說(shuō)， 壓控振蕩器101的振蕩頻率(f)，可用電感電路110的電感值L、可變電容電 路120及130的可變電容值Cv、電容開(kāi)關(guān)電路140及150的電容、負(fù)電阻電 路160等所產(chǎn)生的寄生電容(Parmsiticcapacity)的固定電容值Cc，由下 式來(lái)表示。
<formula>formula see original document page 9</formula>
在此，電感值L為一定值。此外，固定電容值Cc在4個(gè)頻率范圍a d中各自不同，在振蕩頻率最高的頻率范圍a為最小，在振蕩頻率最低的 頻率范圍d為最大。另外，若控制電位Vt為一定，則即使頻率范圍a d發(fā)生 變化，可變電容值Cv也全都為相同的值。因此，上式中，在振蕩頻率(f)最 低的頻率范圍d，可變電容值Cv與總電容值(Cc + Cv)之間的電容值比率Cv / (Cc + Cv)成為最小，而使頻率靈敏度降低。另一方面，在振蕩頻率(f) 最高的頻率范圍a,電容值比率Cv/ (Cc + Cv)成為最大，而使頻率靈敏度升高。
于是，本發(fā)明通過(guò)頻率炅敏度控制單元180，在第1及第2電容開(kāi)關(guān)電路 140及150所選擇的頻率范圍較高時(shí)，將施加到第2可變電容電路130的連接 點(diǎn)B的控制電位Vt切換為控制信號(hào)Fsell，即，使第2可變電容電路130作為 固定電容電路來(lái)發(fā)揮作用，從而將第2可變電容電路130作為頻帶切換電路 來(lái)使用。
在控制信號(hào)Fsel2及Fsel3都成為低電平的高頻范圍a的情況下，頻率靈 敏度控制單元180將控制信號(hào)Fsell施加到第2可變電容電路130的連接點(diǎn)B ，以進(jìn)行高電平與低電平的切換。通過(guò)該控制，高頻的可變范圍a被分離為 以上方頻率為基準(zhǔn)的可變范圍ah (邏輯值OOO)和以下方頻率為基準(zhǔn)的可變 范圍al (邏輯值OOl)的兩個(gè)部分(圖3A)。由此，能夠不使高頻的可變范 圍a變窄而抑制頻率靈敏度(圖3B)。用于實(shí)現(xiàn)該實(shí)施例的頻率靈敏度控制 單元180的具體電路例如圖4所示。其中，圖3A及圖4中標(biāo)記的"*"表示 邏輯值可為1或0中任一。
(第二實(shí)施方式)
圖5是表示本發(fā)明的第二實(shí)施方式所涉及的壓控振蕩器102的結(jié)構(gòu)例的 圖。其中省略了偏置電路等。在圖5中，第二實(shí)施方式的壓控振蕩器102， 是在上迷第一實(shí)施方式的壓控振蕩器101中增加了第3可變電容電路135而
構(gòu)成的o
第3可變電容電路135由串聯(lián)連接著的可變電容元件136及137構(gòu)成，控 制電位Vt或控制信號(hào)Fsell經(jīng)由頻率靈敏度控制單元180被施加到可變電容 元件136與可變電容元件137之間的連接點(diǎn)C。該第二實(shí)施方式通過(guò)頻率炅 敏度控制單元180，將控制電位Vt或控制信號(hào)Fsell施加到第3可變電容電路 135的連接點(diǎn)C,從而使第3可變電容電路135不僅作為可變電容電路，而且 還可以作為頻帶切換電路來(lái)使用。
在控制信號(hào)Fsel2及Fsel3都成為低電平的高頻范圍a的情況下，頻率靈 敏度控制單元180將控制信號(hào)Fsell施加到第2可變電容電路130的連接點(diǎn)B ，以進(jìn)行高電平與低電平的切換。此時(shí)，第3可變電容電路135的連接點(diǎn)C 被施加控制信號(hào)Fsell。另外，在控制信號(hào)Fsel2成為高電平且Fsel3成為低
10電平的高頻范圍b的情況下，頻率靈敏度控制單元180將控制信號(hào)Fsell施加 到第3可變電容電路135的連接點(diǎn)C，以進(jìn)行高電平與低電平的切換。此時(shí) ，第2可變電容電路130的連接點(diǎn)B被施加控制電位Vt。通過(guò)該控制，頻率 可變范圍a被分離為以上方頻率為基準(zhǔn)的可變范圍ah (邏輯值OOO)和以下 方頻率為基準(zhǔn)的可變范圍al (邏輯值OOl)的兩個(gè)部分，并且頻率可變范圍 b被分離為以上方頻率為基準(zhǔn)的可變范圍bh (邏輯值OIO)和以下方頻率為 基準(zhǔn)的可變范圍bl (邏輯值Oll)的兩個(gè)部分(圖6A)。由此，能夠不使高 頻的可變范圍a及b變窄而抑制頻率靈敏度(圖6B)。用于實(shí)現(xiàn)該實(shí)施例的頻 率靈敏度控制單元180的具體電路例如圖7所示。其中，圖6A及圖7中標(biāo)記 的"*"表示邏輯值可為1或0中任一。
(第三實(shí)施方式)
在此，圖1和圖5所示的壓控振蕩器101和102的結(jié)構(gòu)只不過(guò)是一個(gè)例子 而已。本發(fā)明的壓控振蕩器只要是包括兩個(gè)以上的可變電容電路和至少l個(gè) 電容開(kāi)關(guān)電路的結(jié)構(gòu)即可，例如，若采用圖8A 圖8C所示的結(jié)構(gòu)，則還能 實(shí)現(xiàn)以下控制。
在使用l個(gè)壓控振蕩器來(lái)輸出不同頻率(高頻帶、低頻帶)的信號(hào)的場(chǎng) 合，通常是將從壓控振蕩器輸出的高頻帶信號(hào)經(jīng)由l / n分頻器而變換成4氐 頻帶信號(hào)。此時(shí)，較佳的是使從l/n分頻器輸出的低頻帶信號(hào)的頻率靈敏 度與從壓控振蕩器輸出的高頻帶信號(hào)的頻率靈敏度相一致。為此，對(duì)于低 頻帶信號(hào)，有必要在其從壓控振蕩器輸出的時(shí)刻，便使頻率炅敏度成為高 頻帶信號(hào)的n倍。
n^2時(shí)的具體的壓控振蕩器103的結(jié)構(gòu)例如圖8A所示，頻率靈敏度控 制單元180內(nèi)部的具體連接如圖8B及圖8C所示。如這些圖所示那樣，將7 個(gè)可變電容電路mosv0 mosv6與l個(gè)電容開(kāi)關(guān)電路sw組合，便可將高頻帶 分為6個(gè)頻率范圍，將低頻帶分為3個(gè)頻率范圍，并使高頻帶的頻率靈敏度 成為低頻帶的約1/2 (圖9A及圖9B)。
另外，本發(fā)明的壓控振蕩器的可變電容電路除了圖l等所示的結(jié)構(gòu)之外 ,還可以采用使用了反轉(zhuǎn)(Inversion)型、積累(Accuumulation)型的MOS 晶體管、C耦合的結(jié)構(gòu)(圖10A 圖10D)。此外，本發(fā)明的壓控振蕩器的電容開(kāi)關(guān)電路也是除了圖l等所示的結(jié)構(gòu)之外，還可以采用圖10E所示的結(jié) 構(gòu)。
(使用了壓控振蕩器的結(jié)構(gòu)例)
圖ll是表示使用了本發(fā)明的第一 第三實(shí)施方式所涉及的壓控振蕩器 101 103的PLL電路300的結(jié)構(gòu)例的圖。在圖11中，PLL電路300包括相位 比較器301、環(huán)路濾波器302、本發(fā)明的壓控振蕩器303、及分頻器304。
相位比較器301，將所輸入的參考信號(hào)與用分頻器304將壓控振蕩器 303的輸出信號(hào)分頻后的信號(hào)進(jìn)行比較。從相位比較器301輸出的信號(hào)，經(jīng) 由環(huán)路濾波器302，作為控制電位Vt輸入到壓控振蕩器303。壓控振蕩器303 基于控制電位Vt來(lái)輸出所期頻率的信號(hào)。通過(guò)該結(jié)構(gòu)，PLL電路300將所期 的頻率固定(鎖定)。其中，可用混頻器來(lái)代替分頻器304，也可以將分頻 器304與混頻器并用。
此外，圖12是表示使用了上述PLL電路300的無(wú)線通信設(shè)備400的結(jié)構(gòu) 例的圖。在圖12中，無(wú)線通信設(shè)備400包括天線401、功率放大器402、調(diào) 制器403、開(kāi)關(guān)404、低噪音放大器405、解調(diào)器406及PLL電路300。
在發(fā)送無(wú)線信號(hào)時(shí)，調(diào)制器403將從PLL電路300輸出的所期的高頻信 號(hào)用基帶調(diào)制信號(hào)進(jìn)行調(diào)制后輸出。從調(diào)制器403輸出的高頻調(diào)制信號(hào)，由 功率放大器402放大，并經(jīng)由開(kāi)關(guān)404而從天線401發(fā)射出去。在接收無(wú)線 信號(hào)時(shí)，從天線401接收到的高頻調(diào)制信號(hào)經(jīng)由開(kāi)關(guān)404被輸入到低噪音放 大器405，經(jīng)放大后被輸入到解調(diào)器406。解調(diào)器406通過(guò)從PLL電路300 輸出的高頻信號(hào)，將所輸入的高頻調(diào)制信號(hào)解調(diào)為基帶調(diào)制信號(hào)。另外， 也可以在發(fā)送側(cè)及接收側(cè)分別使用PLL電路300。此外，PLL電路300也可 以兼具調(diào)制器的功能。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明的壓控振蕩器、以及使用了該壓控振蕩器的PLL 電路和無(wú)線通信設(shè)備，既能抑制相位噪音特性的惡化，又能在保持較低的 頻率靈敏度的情況下，在較廣的范圍對(duì)振蕩頻率進(jìn)行可變控制。
工業(yè)實(shí)用性
本發(fā)明的壓拉振蕩器，能夠應(yīng)用于無(wú)線通信設(shè)備的本振信號(hào)的生成等，特別是有效于既要抑制相位噪音特性的惡化，又要在 保持較低的頻率靈敏度的情況下，在較廣的范圍對(duì)振蕩頻率進(jìn)行 可變控制的場(chǎng)合等。
權(quán)利要求
1.一種壓控振蕩器，其特征在于，包括電感電路，具有電感器；多個(gè)可變電容電路，分別具有可變電容元件；至少1個(gè)電容開(kāi)關(guān)電路；負(fù)電阻電路；以及頻率靈敏度控制單元，對(duì)所述多個(gè)可變電容電路及所述至少1個(gè)電容開(kāi)關(guān)電路施加控制電位及控制信號(hào)，所述電感電路、所述多個(gè)可變電容電路、所述至少1個(gè)電容開(kāi)關(guān)電路及所述負(fù)電阻電路并聯(lián)連接，所述頻率靈敏度控制單元，將用于對(duì)振蕩頻率進(jìn)行反饋控制的控制電位固定地施加到所述多個(gè)可變電容電路中的至少1個(gè)；并基于對(duì)所述至少1個(gè)電容開(kāi)關(guān)電路所施加的至少1個(gè)控制信號(hào)，來(lái)切換所述控制電位及控制信號(hào)中的任1個(gè)，以施加到所述多個(gè)可變電容電路中的其他的至少1個(gè)。
2. 如權(quán)利要求1所述的壓控振蕩器，其特征在于，所述頻率靈敏度 控制單元，在所述至少1個(gè)電容開(kāi)關(guān)電路全都被施加不能使開(kāi)關(guān)接通的低 電平的控制信號(hào)的情況下，對(duì)所迷多個(gè)可變電容電路中的其他的至少l個(gè) 施加所述控制信號(hào)。
3. 如權(quán)利要求1所述的壓控振蕩器，其特征在于，所述頻率靈敏度 控制單元，在所述至少l個(gè)電容開(kāi)關(guān)電路全都被施加能使開(kāi)關(guān)接通的高電 平的控制信號(hào)的情況下，對(duì)所有所述多個(gè)可變電容電路施加所述控制電 位。
4. 如權(quán)利要求2所述的壓控振蕩器，其特征在于，對(duì)所述多個(gè)可變 電容電路中的其他的至少l個(gè)施加的所述控制信號(hào)，是低電平和高電平這 兩種電4立。
5. 如權(quán)利要求1所述的壓控振蕩器，其特征在于，所述多個(gè)可變電 容電路的可變電容元件中的至少l個(gè)由反轉(zhuǎn)型金屬氧化物半導(dǎo)體或積累型 金屬氧化物半導(dǎo)體構(gòu)成。
6. —種具備權(quán)利要求1所述的壓控振蕩器的鎖相環(huán)電路。
7. —種具備權(quán)利要求1所述的壓控振蕩器的無(wú)線通信設(shè)備。
全文摘要
包括第1可變電容電路120和第2可變電容電路130、以及第1電容開(kāi)關(guān)電路140和第2電容開(kāi)關(guān)電路150；第1可變電容電路120被固定地施加控制電位Vt，第1電容開(kāi)關(guān)電路140被固定地施加控制信號(hào)Fsel2，第2電容開(kāi)關(guān)電路150被固定地施加控制信號(hào)Fsel3；第2可變電容電路130，在控制信號(hào)Fsel2及Fsel3都為低電平的情況下被施加控制信號(hào)Fsel1，在此外的情況下被施加控制電位Vt；通過(guò)該控制，高頻的可變范圍被分離為以上方頻率為基準(zhǔn)的可變范圍和以下方頻率為基準(zhǔn)的可變范圍這兩個(gè)部分，從而能夠不使高頻的可變范圍變窄而抑制頻率靈敏度。
文檔編號(hào)H03B5/12GK101682293SQ200980000389
公開(kāi)日2010年3月24日 申請(qǐng)日期2009年3月17日 優(yōu)先權(quán)日2008年3月28日
發(fā)明者築澤貴行 申請(qǐng)人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社