專利名稱：可控硅關(guān)斷負(fù)載的電路及方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及燈光控制領(lǐng)域，特別涉及一種在可控硅控制關(guān)斷負(fù)載的電路及方法。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有的燈光控制中， 一般都使用可控硅來控制燈光的亮、滅及其亮度?？墒窃诳刂?霓虹燈及LED燈等負(fù)載時，經(jīng)常會出現(xiàn)無法關(guān)閉的問題。因為在可控硅關(guān)斷后，可控硅及附 屬電路的漏電流足以驅(qū)動負(fù)載。 為了解決此問題，急切需要一種在可控硅關(guān)斷后能吸收關(guān)斷后產(chǎn)生的漏電流的電 路。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的發(fā)明目的是提供一種可控硅關(guān)斷負(fù)載的電路，旨在使得可控硅輸出電源 關(guān)斷，關(guān)斷負(fù)載的驅(qū)動。
該可控硅關(guān)斷負(fù)載的電路，與可控硅輸出電源連接。其中，可包括
電壓檢測電路，可檢測可控硅輸出電源的電壓，獲得檢測電壓； 比較控制電路，與電壓檢測電路連接，可比較檢測電壓與預(yù)設(shè)電壓，并根據(jù)比較結(jié) 果產(chǎn)生驅(qū)動電壓； 開關(guān)電路，與比較控制電路連接，可根據(jù)比較控制電路的驅(qū)動電壓處于導(dǎo)通或截 止?fàn)顟B(tài)； 功率消耗電路，分別與可控硅輸出電源及負(fù)載連接，可根據(jù)開關(guān)電路的導(dǎo)通或截 止?fàn)顟B(tài)，斷開或接通可控硅輸出電源與負(fù)載的連接。 優(yōu)選地，上述比較控制電路可包括第一開關(guān)器件及與第一開關(guān)器件連接的預(yù)設(shè)電 壓產(chǎn)生電路，該預(yù)設(shè)電壓產(chǎn)生電路還與可控硅的輸出電源連接，產(chǎn)生上述預(yù)設(shè)電壓；第一開 關(guān)器件的基極與預(yù)設(shè)電壓產(chǎn)生電路連接，集電極分別與電壓檢測電路及開關(guān)電路連接，發(fā) 射極接地；第一開關(guān)器件可根據(jù)預(yù)設(shè)電壓及檢測電壓的比較結(jié)果處于導(dǎo)通或截止?fàn)顟B(tài)，并 產(chǎn)生驅(qū)動電壓。 優(yōu)選地，上述開關(guān)電路可包括第二開關(guān)器件，該第二開關(guān)器件的基極與第一開關(guān) 器件連接，另外兩端分別與功率消耗電路及地連接；第二開關(guān)器件設(shè)有門檻電壓，根據(jù)驅(qū)動 電壓及門檻電壓的比較結(jié)果處于導(dǎo)通或截止?fàn)顟B(tài)，接通或斷開可控硅輸出電源與負(fù)載的連 接。 優(yōu)選地，上述功率消耗電路可包括至少一功率電阻，該功率電阻與可控硅輸出電 源及第二開關(guān)器件連接。 優(yōu)選地，上述預(yù)設(shè)電壓大于或等于可控硅處于關(guān)斷后、第二開關(guān)器件處于導(dǎo)通狀 態(tài)時功率電阻的壓降電壓。 優(yōu)選地，上述可控硅關(guān)斷負(fù)載的電路還可包括整流電路及與整流電路連接的濾波 電路，其中整流電路與可控硅輸出電源連接，將交流電源轉(zhuǎn)換為直流電源；濾波電路用于濾除整流電路產(chǎn)生的直流電源中多余的交流成分。 本發(fā)明還提供了一種可控硅關(guān)斷負(fù)載的方法，旨在使得可控硅輸出電源關(guān)斷，關(guān) 斷負(fù)載的驅(qū)動。
該可控硅關(guān)斷負(fù)載的方法可包括以下步驟 檢測可控硅輸出電源的電壓，可獲得檢測電壓； 比較檢測電壓與預(yù)設(shè)電壓，并可根據(jù)比較結(jié)果產(chǎn)生驅(qū)動電壓； 根據(jù)驅(qū)動電壓產(chǎn)生控制信號，可控制可控硅輸出電源與負(fù)載的連接。 優(yōu)選地，上述比較檢測電壓與預(yù)設(shè)電壓，并根據(jù)比較結(jié)果產(chǎn)生驅(qū)動電壓的步驟可
包括 獲取預(yù)設(shè)電壓； 比較預(yù)設(shè)電壓及檢測電壓，并可產(chǎn)生驅(qū)動電壓。 優(yōu)選地，上述根據(jù)驅(qū)動電壓產(chǎn)生控制信號，控制可控硅輸出電源與負(fù)載的連接的 步驟可包括 判斷驅(qū)動電壓是否大于門檻電壓，當(dāng)驅(qū)動電壓大于或等于門檻電壓時，控制可控 硅輸出電源接通與負(fù)載的連接；當(dāng)驅(qū)動電壓小于門檻電壓時，控制可控硅輸出電源斷開與 負(fù)載的連接。 優(yōu)選地，上述檢測可控硅輸出電源的電壓，獲得檢測電壓的步驟之前還可包括
將可控硅輸出的交流電源進(jìn)行整流濾波，可得到脈動直流電源。
本發(fā)明可控硅關(guān)斷負(fù)載的電路及方法通過獲取可控硅輸出電源的檢測電壓，并將 該檢測電壓與預(yù)設(shè)電壓進(jìn)行比較，從而控制可控硅輸出電源與負(fù)載的連接。在可控硅輸出 電源關(guān)斷后，使得可控硅關(guān)斷負(fù)載的電路處于低阻狀態(tài)，防止了該可控硅及附屬電路產(chǎn)生 的漏電流驅(qū)動負(fù)載工作的情況發(fā)生。而功率消耗電路中的功率電阻產(chǎn)生的功耗很小，在可 控硅輸出電源處于閉合狀態(tài)時，并不會增大整個電路的功耗，而且在可控硅輸出電源的電 壓過高時，還能及時地斷開可控硅輸出電源對負(fù)載的驅(qū)動。


圖1是本發(fā)明第一實施例中可控硅關(guān)斷負(fù)載的電路的結(jié)構(gòu)框圖； 圖2是上述實施例的實施方式中可控硅關(guān)斷負(fù)載的電路的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖3是本發(fā)明第二實施例中可控硅關(guān)斷負(fù)載的方法的流程示意圖； 圖4是上述實施例的一實施方式中可控硅關(guān)斷負(fù)載的方法的流程示意圖； 圖5是本發(fā)明第三實施例中可控硅關(guān)斷負(fù)載的方法的流程示意圖。 本發(fā)明目的的實現(xiàn)、功能特點及優(yōu)點將結(jié)合實施例，參照附圖做進(jìn)一步說明。
具體實施例方式
應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。
參照圖l，提出了一種可控硅關(guān)斷負(fù)載的電路。該可控硅關(guān)斷負(fù)載的電路1與可控 硅輸出電源2連接，包括電壓檢測電路10、比較控制電路20及開關(guān)電路30及功率消耗電路 40。電壓檢測電路10可以檢測可控硅輸出電源2的電壓，獲得檢測電壓V1。比較控制電 路20與電壓檢測電路10連接，可以比較檢測電壓與預(yù)設(shè)電壓，并根據(jù)比較結(jié)果產(chǎn)生驅(qū)動電壓。開關(guān)電路30與比較控制電路20連接，可以根據(jù)比較控制電路20的驅(qū)動電壓處于導(dǎo)通 或截止?fàn)顟B(tài)。功率消耗電路40分別與可控硅輸出電源2及負(fù)載連接，根據(jù)開關(guān)電路30的 截止處于懸空狀態(tài)，因此整個可控硅關(guān)斷負(fù)載的電路1處于高阻態(tài)，斷開可控硅輸出電源2 與負(fù)載的連接；根據(jù)開關(guān)電路30的導(dǎo)通，因此整個可控硅關(guān)斷負(fù)載的電路1處于低阻態(tài)，接 通可控硅輸出電源2與負(fù)載的連接。 參照圖2，上述比較控制電路20包括第一開關(guān)器件Ql及與第一開關(guān)器件Ql連接 的預(yù)設(shè)電壓產(chǎn)生電路21。預(yù)設(shè)電壓產(chǎn)生電路21還與可控硅輸出電源2連接，可以產(chǎn)生預(yù)設(shè) 電壓V2。第一開關(guān)器件Q1的發(fā)射極接地，基極與預(yù)設(shè)電壓產(chǎn)生電路21連接，集電極與電壓 檢測電路10連接。該第一開關(guān)器件Ql可以根據(jù)檢測電壓VI及預(yù)設(shè)電壓V2的比較導(dǎo)通或 截止，從而第一開關(guān)器件Q1的集電極端形成上述驅(qū)動電壓V3。第一開關(guān)器件Q1的集電極 還與上述開關(guān)電路30連接，集電極端產(chǎn)生的驅(qū)動電壓V3用于驅(qū)動開關(guān)電路30的導(dǎo)通或截 止。當(dāng)檢測電壓VI小于預(yù)設(shè)電壓V2時，第一開關(guān)器件Ql截止，驅(qū)動電壓V3等于檢測電壓 VI 。當(dāng)檢測電壓VI大于預(yù)設(shè)電壓V2時，第一開關(guān)器件Ql導(dǎo)通，驅(qū)動電壓V3等于第一開關(guān) 器件Q1上的壓降電壓。 上述開關(guān)電路30包括第二開關(guān)器件Q2，該第二開關(guān)器件Q2的基極分別與上述第 一開關(guān)器件Ql及電壓檢測電路10連接，另外兩端分別與功率消耗電路40及地連接。該第 二開關(guān)器件Q2設(shè)有一個門極驅(qū)動電壓，即門檻電壓V。當(dāng)驅(qū)動電壓V3大于門檻電壓V時， 第二開關(guān)器件Q2導(dǎo)通；反之則截止。 上述功率消耗電路40包括至少一功率電阻R1。該功率電阻R1與可控硅輸出電源 2及第二開關(guān)器件Q2連接。 本實施例的可控硅關(guān)斷負(fù)載的電路可以用于可控硅控制負(fù)載的電路上，該可控硅 關(guān)斷負(fù)載的電路串接在可控硅輸出電源及負(fù)載之間，其工作原理如下
(1)、當(dāng)可控硅輸出電源關(guān)斷后 1、如果檢測電壓V1小于預(yù)設(shè)電壓V2時，第一開關(guān)器件Q1截止。此時，驅(qū)動電壓 V3等于檢測電壓VI。驅(qū)動電壓V3小于第二開關(guān)器件Q2的門檻電壓V時，使得第二開關(guān)器 件Q2處于截止?fàn)顟B(tài)，因此整個可控硅關(guān)斷負(fù)載的電路處于高阻狀態(tài)，斷開可控硅輸出電源 2與負(fù)載的連接，使得負(fù)載停止工作；驅(qū)動電壓V3大于或等于第二開關(guān)器件Q2的門檻電壓 V時，使得第二開關(guān)器件Q2處于導(dǎo)通狀態(tài)，因此整個可控硅關(guān)斷負(fù)載的電路處于低阻狀態(tài)， 接通可控硅輸出電源2與負(fù)載的連接。但是，可控硅輸出電源2的電壓經(jīng)過功率消耗電路 40的消耗，無法再驅(qū)動負(fù)載，使得負(fù)載停止工作。應(yīng)當(dāng)說明的是，此處的可控硅輸出電源2 的電壓是由可控硅及附屬的漏電流產(chǎn)生的。 2、如果檢測電壓V1大于或等于預(yù)設(shè)電壓V2時，第一開關(guān)器件Q1導(dǎo)通。此時，驅(qū) 動電壓V3等于第一開關(guān)器件Q1上的壓降電壓，而該第一開關(guān)器件Q1上的壓降電壓小于第 二開關(guān)器件Q2的門檻電壓V，使得第二開關(guān)器件Q2處于截止?fàn)顟B(tài)，因此整個可控硅關(guān)斷負(fù) 載的電路處于高阻狀態(tài)，斷開可控硅輸出電源2與負(fù)載的連接，使得負(fù)載停止工作。
(2)、當(dāng)可控硅輸出電源閉合后 1、如果檢測電壓V1小于預(yù)設(shè)電壓V2時，第一開關(guān)器件Q1截止。此時，驅(qū)動電壓 V3等于檢測電壓VI。該驅(qū)動電壓V3大于或等于第二開關(guān)器件Q2的門檻電壓V，使得第二 開關(guān)器件Q2處于導(dǎo)通狀態(tài)，因此整個可控硅關(guān)斷負(fù)載的電路處于低阻狀態(tài)，接通可控硅輸
6出電源2與負(fù)載的連接，使得負(fù)載啟動開始工作。 2、如果檢測電壓V1大于或等于預(yù)設(shè)電壓V2時，第一開關(guān)器件Q1導(dǎo)通。此時，驅(qū) 動電壓V3等于第一開關(guān)器件Q1上的壓降電壓，而該第一開關(guān)器件Q1上的壓降電壓小于第 二開關(guān)器件Q2的門檻電壓V，使得第二開關(guān)器件Q2處于截止?fàn)顟B(tài)，因此整個可控硅關(guān)斷負(fù) 載的電路處于高阻狀態(tài)，斷開可控硅輸出電源2與負(fù)載的連接，使得負(fù)載停止工作，從而防 止了負(fù)載因可控硅輸出電源2的電壓過高而燒壞。 由上所述，當(dāng)可控硅輸出電源處于關(guān)斷狀態(tài)時，通過第一開關(guān)器件Ql及第二開關(guān) 器件Q2的作用，使得整個可控硅關(guān)斷負(fù)載的電路處于低阻狀態(tài)，使得功率消耗電路可以消 耗可控硅及附屬電路產(chǎn)生的漏電流，防止了在可控硅關(guān)斷后產(chǎn)生的漏電流仍然能夠驅(qū)動負(fù) 載工作的情況發(fā)生。而功率消耗電路中的功率電阻產(chǎn)生的功耗很小，在可控硅輸出電源處 于閉合狀態(tài)時，并不會增大整個電路的功耗，而且在可控硅輸出電源的電壓過高時，還能及 時地斷開可控硅輸出電源與負(fù)載的連接。因此，上述的預(yù)設(shè)電壓V2必須大于可控硅處于關(guān) 斷后、第二開關(guān)器件Q2導(dǎo)通時功率消耗電路40的壓降電壓。 上述可控硅關(guān)斷負(fù)載的電路用于可控硅控制負(fù)載為小功率燈的電路上時，則必須 在可控硅輸出電源后連接整流電路及濾波電路。整流電路將可控硅輸出交流電源轉(zhuǎn)變成脈 動直流電源，用于驅(qū)動小功率燈。濾波電路可以濾除脈動直流電源中多余的交流成分，獲得 更好的脈動直流電源。 參照圖3，本發(fā)明還提供了第二實施例的可控硅關(guān)斷負(fù)載的方法。該方法包括以下 步驟 步驟Sll :檢測可控硅輸出電源的電壓，獲得檢測電壓； 步驟S12 :比較檢測電壓與預(yù)設(shè)電壓，并根據(jù)比較結(jié)果產(chǎn)生驅(qū)動電壓； 步驟S13 :根據(jù)驅(qū)動電壓產(chǎn)生控制信號，控制可控硅輸出電源與負(fù)載的連接。
步驟Sll中，檢測電壓可以通過電壓檢測電路與可控硅輸出電源連接，檢測可控
硅輸出電源的電壓而產(chǎn)生。
步驟S12包括 步驟S121 :獲取預(yù)設(shè)電壓； 步驟S122 :比較預(yù)設(shè)電壓及檢測電壓，并產(chǎn)生驅(qū)動電壓。 步驟S121中，預(yù)設(shè)電壓可以通過預(yù)設(shè)產(chǎn)生電路與可控硅輸出電源連接，接收可控 硅輸出電源的電壓而產(chǎn)生。步驟S122通過上述第一開關(guān)器件Q1實現(xiàn)。當(dāng)檢測電壓小于預(yù) 設(shè)電壓時，第一開關(guān)器件Q1處于截止?fàn)顟B(tài)，驅(qū)動電壓等于檢測電壓；當(dāng)檢測電壓大于或等 于預(yù)設(shè)電壓時，第一開關(guān)器件Ql處于導(dǎo)通狀態(tài)，驅(qū)動電壓等于第一開關(guān)器件Ql導(dǎo)通時的壓 降電壓。 步驟S13包括 步驟S131 :判斷驅(qū)動電壓是否大于門檻電壓，當(dāng)驅(qū)動電壓大于或等于門檻電壓 時，執(zhí)行步驟S132 ;當(dāng)驅(qū)動電壓小于門檻電壓時，執(zhí)行步驟S133 ;
步驟S132 :接通可控硅輸出電源與負(fù)載的連接；
步驟S133 :斷開可控硅輸出電源與負(fù)載的連接。 步驟S131可以通過第二開關(guān)器件Q2及功率消耗電路來實現(xiàn)。功率消耗電路包括 至少一功率電阻，串聯(lián)在可控硅輸出電源及負(fù)載之間。第二開關(guān)器件Q2與功率消耗電路及地連接。門檻電壓為第二開關(guān)器件Q2的門限驅(qū)動電壓。當(dāng)驅(qū)動電壓大于或等于門檻電壓 時，第二開關(guān)器件Q2處于導(dǎo)通狀態(tài)，功率消耗電路則通過第二開關(guān)器件Q2與地連接，接通 可控硅輸出電源與負(fù)載的連接。當(dāng)驅(qū)動電壓小于門檻電壓時，第二開關(guān)器件Q2處于截止?fàn)?態(tài)，功率消耗電路則處于懸空狀態(tài)，斷開可控硅輸出電源與負(fù)載的連接。
本實施例的可控硅關(guān)斷負(fù)載的方法通過獲取可控硅輸出電源的檢測電壓，并將該 檢測電壓與預(yù)設(shè)電壓進(jìn)行比較，從而控制可控硅輸出電源對負(fù)載的驅(qū)動。在可控硅輸出電 源關(guān)斷后，控制可控硅關(guān)斷負(fù)載的電路處于低阻狀態(tài)，防止了該可控硅輸出電源關(guān)斷后產(chǎn) 生的漏電流仍然能夠驅(qū)動負(fù)載工作的情況發(fā)生。 在第二實施例的基礎(chǔ)上還提出了第三實施例的可控硅關(guān)斷負(fù)載的方法。該方法包 括以下步驟 步驟S21 :將可控硅輸出的交流電源進(jìn)行整流濾波，得到脈動直流電源； 步驟S22 :檢測脈動直流電源的電壓，獲得檢測電壓； 步驟S23 :比較檢測電壓與預(yù)設(shè)電壓，并根據(jù)比較結(jié)果產(chǎn)生驅(qū)動電壓； 步驟S24 :根據(jù)驅(qū)動電壓產(chǎn)生控制信號，控制脈動直流電源與負(fù)載的連接。 本實施例與第二實施例的區(qū)別在于，該可控硅關(guān)斷負(fù)載的方法用于負(fù)載為小功率
燈的情況。經(jīng)過步驟S21得到脈動直流電源，用于驅(qū)動小功率燈。其他的步驟與第二實施
例的步驟一致，在此就不再贅述。 以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實施例，并非因此限制本發(fā)明的專利范圍，凡是利用 本發(fā)明說明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運用在其他相關(guān) 的技術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本發(fā)明的專利保護(hù)范圍內(nèi)。
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權(quán)利要求
一種可控硅關(guān)斷負(fù)載的電路，連接在可控硅輸出電源及負(fù)載之間，其特征在于，包括電壓檢測電路，檢測可控硅輸出電源的電壓，獲得檢測電壓；比較控制電路，與電壓檢測電路連接，比較檢測電壓與預(yù)設(shè)電壓，并根據(jù)比較結(jié)果產(chǎn)生驅(qū)動電壓；開關(guān)電路，與比較控制電路連接，根據(jù)比較控制電路的驅(qū)動電壓處于導(dǎo)通或截止?fàn)顟B(tài)；功率消耗電路，分別與可控硅輸出電源及負(fù)載連接，根據(jù)開關(guān)電路的導(dǎo)通或截止?fàn)顟B(tài)，接通或斷開可控硅輸出電源與負(fù)載的連接。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種可控硅關(guān)斷負(fù)載的電路，其特征在于，所述比較控制電路包括第一開關(guān)器件及與第一開關(guān)器件連接的預(yù)設(shè)電壓產(chǎn)生電路，預(yù)設(shè)電壓產(chǎn)生電路與可控硅的輸出電源連接，產(chǎn)生所述預(yù)設(shè)電壓；第一開關(guān)器件的基極與預(yù)設(shè)電壓產(chǎn)生電路連接，集電極分別與電壓檢測電路及開關(guān)電路連接，發(fā)射極接地；所述第一開關(guān)器件根據(jù)預(yù)設(shè)電壓及檢測電壓的比較結(jié)果處于導(dǎo)通或截止?fàn)顟B(tài)，并產(chǎn)生驅(qū)動電壓。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種可控硅關(guān)斷負(fù)載的電路，其特征在于，所述開關(guān)電路包括第二開關(guān)器件，該第二開關(guān)器件的基極與第一開關(guān)器件連接，另外兩端分別與功率消耗電路及地連接；所述第二開關(guān)器件設(shè)有門檻電壓，根據(jù)驅(qū)動電壓及門檻電壓的比較結(jié)果處于導(dǎo)通或截止?fàn)顟B(tài)，接通或斷開可控硅輸出電源與負(fù)載的連接。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種可控硅關(guān)斷負(fù)載的電路，其特征在于，所述功率消耗電路包括至少一功率電阻，該功率電阻與可控硅輸出電源及第二開關(guān)器件連接。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的所述的一種可控硅關(guān)斷負(fù)載的電路，其特征在于，所述預(yù)設(shè)電壓大于或等于可控硅處于關(guān)斷后、第二開關(guān)器件導(dǎo)通狀態(tài)時所述功率電阻的壓降電壓。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項所述的一種可控硅關(guān)斷負(fù)載的電路，其特征在于，還包括整流電路及與整流電路連接的濾波電路，其中整流電路與可控硅輸出電源連接，將交流電源轉(zhuǎn)換為直流電源；所述濾波電路用于濾除整流電路產(chǎn)生的直流電源中多余的交流成分。
7. —種可控硅關(guān)斷負(fù)載的方法，其特征在于，包括以下步驟檢測可控硅輸出電源的電壓，獲得檢測電壓；比較檢測電壓與預(yù)設(shè)電壓，并根據(jù)比較結(jié)果產(chǎn)生驅(qū)動電壓；根據(jù)驅(qū)動電壓產(chǎn)生控制信號，控制可控硅輸出電源與負(fù)載的連接。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種可控硅關(guān)斷負(fù)載的方法，其特征在于，所述比較檢測電壓與預(yù)設(shè)電壓，并根據(jù)比較結(jié)果產(chǎn)生驅(qū)動電壓的步驟包括獲取預(yù)設(shè)電壓；比較預(yù)設(shè)電壓及檢測電壓，并產(chǎn)生驅(qū)動電壓。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的一種可控硅關(guān)斷負(fù)載的方法，其特征在于，所述根據(jù)驅(qū)動電壓產(chǎn)生控制信號，控制可控硅輸出電源對負(fù)載的驅(qū)動的步驟包括判斷驅(qū)動電壓是否大于門檻電壓，當(dāng)驅(qū)動電壓大于或等于門檻電壓時，接通可控硅輸出電源與負(fù)載的連接；當(dāng)驅(qū)動電壓小于門檻電壓時，斷開可控硅輸出電源與負(fù)載的連接。
10. 根據(jù)權(quán)利要求7至9中任一項所述的一種可控硅關(guān)斷負(fù)載的方法，其特征在于，所述檢測可控硅輸出電源的電壓，獲得檢測電壓的步驟之前還包括將可控硅輸出的交流電源進(jìn)行整流濾波，得到脈動直流電源。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種可控硅關(guān)斷負(fù)載的電路及方法。該電路與可控硅輸出電源連接，包括電壓檢測電路，檢測電路檢測控硅輸出電源的電壓，獲得檢測電壓；比較控制電路，比較檢測電壓與預(yù)設(shè)電壓，并根據(jù)比較結(jié)果產(chǎn)生驅(qū)動電壓；開關(guān)電路，與比較控制電路連接，根據(jù)比較控制電路的驅(qū)動電壓處于導(dǎo)通或截止?fàn)顟B(tài)；及功率消耗電路，分別與可控硅輸出電源及負(fù)載連接，根據(jù)開關(guān)電路的導(dǎo)通或截止?fàn)顟B(tài)，可以斷開或接通可控硅輸出電源與負(fù)載的連接。本發(fā)明可控硅關(guān)斷負(fù)載的電路及方法使得在可控硅輸出電源關(guān)斷后，整個電路處于低阻狀態(tài)，防止了可控硅輸出電源關(guān)斷后產(chǎn)生的漏電流驅(qū)動負(fù)載工作的情況發(fā)生。
文檔編號H03K17/732GK101702850SQ20091022440
公開日2010年5月5日 申請日期2009年11月17日 優(yōu)先權(quán)日2009年10月27日
發(fā)明者張湋楊 申請人:嘉力時燈光設(shè)備(東莞)有限公司