專利名稱：放大器電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明有關(guān)于一種放大器架構(gòu)，特別是關(guān)于包含堆棧式(stacked) 主方文大器與平朽"欠;改大器(parallel sub-amplifier)的力文大電i 各。
背景技術(shù)：
放大器作為普通電路組件應(yīng)用于許多領(lǐng)域中，以無線通信裝置為 例，RF接收器通常利用低噪聲放大器(Low Noise Amplifier, LNA)來 放大從天線接收的信號。若無線通信裝置是便攜式裝置，則需要相應(yīng) 低功耗的架構(gòu)?？墒?，現(xiàn)有技術(shù)的低噪聲放大器需要高功率消耗來達(dá) 到要求的功率增益。因此，有需要提供一種新型放大電路，其具有低 功耗，高增益與低噪聲來達(dá)到便攜式裝置的設(shè)計(jì)要求。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明為了解決在便攜式裝置中應(yīng)用低功耗的RF的技術(shù)問題， 提供一種放大電路，其具有低功耗，高增益與低噪聲的性能。
本發(fā)明提供一種放大器電路，用于放大輸入信號以產(chǎn)生輸出信號， 包含堆棧式主放大器，其包含第一放大器單元，其中，第一放大 器單元具有用于接收輸入信號的輸入節(jié)點(diǎn)，以及輸出節(jié)點(diǎn)，用于輸出 處理上述輸入信號之后產(chǎn)生的第一放大信號；以及第二放大器單元， 其中，第二放大器單元的輸入節(jié)點(diǎn)耦接至第一放大器單元的輸出節(jié)點(diǎn) 以接收第一放大信號，并且其輸出節(jié)點(diǎn)用于輸出處理第一放大信號之 后產(chǎn)生的第二放大信號，并且第一放大器單元與第二放大器單元分享 偏置電流；平行次放大器，平行次放大器的輸入節(jié)點(diǎn)耦接至第一放大 器單元的輸入節(jié)點(diǎn)，用于接收輸入信號，且平行次放大器的輸出節(jié)點(diǎn) 用于輸出處理輸入信號之后產(chǎn)生的第三放大信號；以及信號合成器， 耦接至第二放大器單元的輸出節(jié)點(diǎn)與平行次放大器的輸出節(jié)點(diǎn)，用于 合成第二放大信號與第三放大信號以產(chǎn)生輸出信號。利用本發(fā)明能夠利用電路特性提高增益，降低電路的噪聲，并可 應(yīng)用于有低功耗要求的環(huán)境中。


圖1是根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施方式放大器的方框圖。
圖2是根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施方式的具有堆棧式主放大器的放大器 電路示意圖。
圖3是根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施方式的電路示意圖。 圖4是根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施方式的放大器電路示意圖。 圖5是根據(jù)本發(fā)明的第二放大器架構(gòu)的方框圖。 圖6是根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施方式的放大器電路的電路示意圖。 圖7是根據(jù)本發(fā)明第三放大器架構(gòu)實(shí)施方式的示意圖。 圖8是根據(jù)本發(fā)明第五實(shí)施方式的具有堆棧式主放大器以及與堆 棧式主放大器堆疊的次放大器的放大器電路的電路示意圖。
具體實(shí)施例方式
在說明書及權(quán)利要求書當(dāng)中使用了某些詞匯來稱呼特定的元件。 本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)可理解，硬件制造商可能會用不同的名詞來稱呼 同一個元件。本說明書及權(quán)利要求書并不以名稱的差異來作為區(qū)分元 件的方式，而是以元件在功能上的差異來作為區(qū)分的準(zhǔn)則。在通篇說 明書及權(quán)利要求書當(dāng)中所提及的"包含"是開放式的用語，故應(yīng)解釋 成"包含但不限定于"。此外，"耦接" 一詞在此是包含任何直接及 間接的電氣連接手段。因此，若文中描述第一裝置耦接于第二裝置， 則代表第一裝置可直接電氣連接于第二裝置，或通過其它裝置或連接 手段間接地電氣連接到第二裝置。
圖1是根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施方式放大器的方框圖。在此實(shí)施方 式中，放大器電路100包含，且并不限于，堆棧式主放大器102,平 行次放大器104,以及信號合成器(signal combiner)106。另夕卜，圖1 更顯示了多個耦接組件(coupling component)108A-108H來作信號耦接 之用。耦接組件可根據(jù)設(shè)計(jì)要求以電阻性組件，電容性組件，電導(dǎo)性 組件，傳輸線或其它各種組合來實(shí)施。由于上述多個耦接組件的實(shí)際應(yīng)用對于本發(fā)明的技術(shù)特征并不相關(guān)，為簡單起見此處不再贅述。因
為耦接組件108B連接放大器單元112的輸出與另 一放大器單元114， 并且放大器單元112與》文大器單元114分享同 一偏置電流(bias current),因此堆棧式主放大器102具有低功耗與高增益。假定放大器 單元112有等同于Gl的增益以及放大器單元114有等同于G2的增益， 堆棧式主放大器102的整體增益值等于Gl與G2的直接乘積(direct multiplication),即Gl x G2。因?yàn)榉窒砥秒娏?即偏置電流重復(fù)使用) 使得功耗減少。放大器單元112作為堆棧式主放大器102的輸入級而 工作，并且可根據(jù)設(shè)計(jì)要求以一個共柵(基極)輸入級配置或共源(射極) 輸入級配置實(shí)施。堆棧式主放大器102用于在低功耗操作中，放大從 輸入節(jié)點(diǎn)IN上接收的需要信號。需要注意的是，圖1中顯示的堆棧式 主放大器102的硬件配置僅為說明之用，并非本發(fā)明的限制。
在第一實(shí)施方式中，平行次放大器104并非用堆棧式放大器實(shí)施， 并在為抑制從堆棧式主放大器102中的放大器單元112產(chǎn)生的噪聲中 扮演重要角色。簡而言之，平行次放大器104以平行連接方式耦接至 堆棧式主放大器102，是用于放大輸入節(jié)點(diǎn)IN上接收的需要信號，并 且為低噪聲操作而感測(sense)堆棧式主放大器102的放大器單元112 處的噪聲干擾。
信號合成器106可設(shè)計(jì)為根據(jù)堆棧式主放大器102與平行次放大 器104的輸出而合成(combine)電壓或電流。在合成了堆棧式主放大器 102與平行次放大器104的輸出之后，從輸出節(jié)點(diǎn)OUT產(chǎn)生低噪聲的 需要的放大信號。需要注意的是，信號合成器106應(yīng)好好配置以達(dá)到 噪聲抑制的目的。舉例來說，為了抑制從放大器單元112產(chǎn)生的噪聲， 信號合成器106應(yīng)配置為根據(jù)實(shí)際的堆棧式主放大器102與平行次放 大器104的設(shè)計(jì)，將平行次放大器104的輸出加至堆棧式主放大器102 的輸出，或者用堆棧式主放大器102的輸出減去平行次放大器104的 輸出來完成操作。實(shí)施方式將介紹如下。
請參考圖2，圖2是根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施方式的具有堆棧式主放 大器的放大器電路示意圖，其中放大器電路包含共柵輸入級。在此實(shí) 施方式中，放大器電^各200包含，但不限于，堆棧式主放大器202， 平行次放大器204與信號合成器206。另外，除了耦接組件208D與200208E是用作負(fù)載，其他多個耦接組件208A-208I用來耦接信號。堆棧 式主放大器202包含兩個晶體管Mil與M21，分別由偏置電壓DC1 與DC2偏壓，其中堆棧式主放大器202具有共柵輸入級配置。平行次 放大器204具有兩個晶體管M31與M41，其中晶體管M41由偏置電 壓DC3所偏壓。在本實(shí)施方式中，信號合成器206利用傳輸線互連分 別直接耦接至堆棧式主放大器2 02的輸出與平行次放大器2 04的輸出。 需要注意的是，圖2中所示的硬件配置為說明之用，并非本發(fā)明的限 制。若結(jié)果大致相同，可對圖2的電路作適當(dāng)?shù)男薷摹?br> 當(dāng)輸入信號Sll輸入至上述輸入節(jié)點(diǎn)IN時，晶體管Mil作為第 一放大器單元工作且根據(jù)輸入信號Sll產(chǎn)生放大的信號S21。由于耦 接組件208B的作用，放大的信號S21更進(jìn)一步被晶體管M21放大， 如第二放大器單元工作。其中耦接組件208B電氣地連接晶體管 Mll(NMOS晶體管)的漏極與晶體管M21(NMOS晶體管)的才冊才及。結(jié) 果，晶體管M21利用處理放大信號S21產(chǎn)生放大信號S31。關(guān)于平行 次放大器204,晶體管M31(NMOS晶體管)在柵極接收同樣輸入信號 Sll，然后根據(jù)輸入信號Sll產(chǎn)生放大信號S41。需要注意的是，因?yàn)?晶體管的特性，輸入信號Sll與放大信號S21是同相的(in-phase);放 大信號S21與S31是異相(out of phase);而llr入信號Sll與力丈大信號 S41也是異相的。
假設(shè)由晶體管Mil產(chǎn)生的噪聲信號以Nil為例。噪聲信號N21 通過耦接組件208B流向晶體管M21的柵極。結(jié)果，根據(jù)接收的噪聲 信號N21，晶體管M21輸出噪聲信號N31給輸出節(jié)點(diǎn)OUT。另外， 因?yàn)榫w管Mil的源極耦接至晶體管M31的柵極，噪聲信號N41傳 導(dǎo)至晶體管M31的柵極。結(jié)果，晶體管M31輸出噪聲信號N51至輸 出節(jié)點(diǎn)OUT。需要注意的是，因?yàn)榫w管的特性，噪聲信號Nil與 N21是異相的；噪聲信號Nil與N41是同相的；而噪聲信號N41與 N51是異相的。
可以了解，被平行次放大器204檢測到的噪聲信號N51與堆棧式 主放大器202輸出的噪聲信號N31是異相的。從堆棧式主放大器202 輸出的放大信號S31與從平行次放大器204輸出的放大信號S41是同 相的。因此，在所有這些輸出信號，包含噪聲信號N31與N51以及放
7大信號S31與S41，都被信號合成器206合成之后，噪聲信號N31被 噪聲信號N41所抑制，而放大信號S31被放大信號S41所抬高(boost) 以在輸出節(jié)點(diǎn)OUT上產(chǎn)生結(jié)果輸出信號S51。簡而言之，如圖2所示 的放大器電路200因?yàn)閷?shí)施了堆棧式主放大器202而具有高功率增益 與低功耗，更在平行次放大器204的幫助下降低了噪聲干擾。
請參考圖3,圖3是根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施方式的電路示意圖， 顯示了具有堆棧式主放大器的放大器電路，其具有共源輸入級的堆棧 式主放大器。在本實(shí)施方式中，放大器電路300包含，但不限于，堆 棧式主放大器302，平行次放大器304，信號合成器306。另外，除了 組件308D是用作負(fù)載，其他多個組件308A-308H用來耦接信號。堆 棧式主放大器302包含兩個晶體管M12與M22，其中晶體管M22是 由偏置電壓DC1所偏壓。另外，圖3中所示的堆棧式主放大器302具 有共源輸入級配置。平行次放大器304包含晶體管M32，其被偏置電 壓DC2所偏壓。如圖3所示，信號合成器306利用傳輸線互連分別耦 接至堆棧式主放大器302的輸出與平行次放大器304的輸出予以實(shí)施。 需要注意的是，如圖3所示的硬件配置僅為說明之用，并非本發(fā)明的 限制。若結(jié)果大致相同，可對圖3的電路作相當(dāng)?shù)男薷摹?br> 當(dāng)輸入信號S12輸入到輸入節(jié)點(diǎn)IN時，晶體管M12(NM0S晶體 管)如第一放大器單元工作并根據(jù)從柵極進(jìn)入的輸入信號S12產(chǎn)生放 大信號S22。放大信號S22更被晶體管M22(PMOS晶體管)所放大， M22如第二放大器單元工作。結(jié)果，晶體管M22通過處理接收的放大 信號S22產(chǎn)生放大信號S32。關(guān)于平行次放大器304,晶體管 M32(NMOS晶體管)在源^l接收同 一輸入信號S12，然后^4居進(jìn)入的 輸入信號S12產(chǎn)生放大信號S42?？梢粤私猓?yàn)榫w管的特性，輸 入信號S12與》丈大信號S22為異相；力丈大信號S22與S32為異相；而 輸入信號S12與放大信號S42為同相。
假設(shè)從晶體管M12(NMOS晶體管)產(chǎn)生的噪聲以N12為例。噪聲 信號N22通過耦接組件308C流至晶體管M22(PMOS晶體管)的柵極。 結(jié)果，晶體管M22根據(jù)接收的噪聲信號N22輸出噪聲信號N32給輸 出節(jié)點(diǎn)OUT。另外，由于晶體管M12的漏極耦接至晶體管M32的源 極，噪聲信號N42被送至晶體管M32(NMOS晶體管)的漏極。結(jié)果，晶體管M32輸出噪聲信號N52至輸出節(jié)點(diǎn)OUT。如圖3所示，噪聲 信號N12與N22為異相；噪聲信號N22與N32為異相；噪聲信號N12 與N42為異相；而噪聲信號N42與N52為同相。
與圖2所示的實(shí)施方式類似，由平行次放大器304所檢測到的噪 聲信號N52與從堆棧式主放大器302輸出的噪聲信號N32為異相，而 從堆棧式主放大器302輸出的放大信號S32與從平行次放大器304輸 出的放大信號S42為同相。因此，所有的輸出信號，包含噪聲信號N32 與N52以及放大信號S32與S42，皆被信號合成器206合成，噪聲信 號N32被噪聲信號N52所抑制，而放大信號S32被放大信號S42抬高 以在輸出節(jié)點(diǎn)OUT產(chǎn)生結(jié)果輸出信號S52。簡而言之，如圖3所示的 放大器電路300因?yàn)閷?shí)施了堆棧式主放大器302而具有高功率增益與 低功耗，另外由于平行次放大器304的幫助降低了噪聲干擾。
請參考圖4，圖4是根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施方式的放大器電路的 電路示意圖，放大器電路400具有共源輸入級的堆棧式主放大器。在 本實(shí)施方式中，放大器電^各400包含，但不限于，堆棧式主放大器202， 平行次放大器404,以及信號合成器206。另外，除了耦接組件208D 與208E是作為負(fù)載，多個耦接組件208A-208I與408用以耦接信號。 如圖4所示的放大器電路400與圖2所示的》文大器電路200類似。區(qū) 別在于，平行次力丈大器404具有耦"J妄組件408,其如反饋組件動作以 將從晶體管M31產(chǎn)生的噪聲信號送至堆棧式主放大器202。本領(lǐng)域內(nèi) 技術(shù)人員在閱讀了如圖2所示的以上發(fā)明實(shí)施方式后應(yīng)能了解，利用 平行次放大器404以抑制噪聲的操作以及利用堆棧式主放大器202與 平行次放大器以產(chǎn)生需要的放大信號的操作，所以此處不再贅述。在 下文中，將要詳細(xì)介紹利用堆棧式主放大器202以抑制噪聲的操作， 其中噪聲由平行次放大器404的晶體管M31所產(chǎn)生的噪聲信號。
假設(shè)從晶體管M31產(chǎn)生的噪聲信號以N13為例。因?yàn)榫w管 M31(NMOS晶體管)的漏極通過反々責(zé)組件(即耦接組件408)耦接至晶 體管M11的源極，因而噪聲信號N33被送至晶體管Mil的源極。接 著，根據(jù)從平行次放大器404傳送的噪聲信號N33，噪聲信號N43被 輸出至晶體管M21(NMOS晶體管)的柵極。接收噪聲信號N43之后， 晶體管M21產(chǎn)生噪聲信號N53給輸出節(jié)點(diǎn)OUT。對于平行次放大器404,噪聲信號N23根據(jù)從晶體管M31產(chǎn)生的噪聲信號N13而送至輸出節(jié)點(diǎn)OUT。需要注意的是，噪聲信號N13與N23為異相；噪聲信號N13與N33為異相；噪聲信號N33與N43為同相；而噪聲信號N43與N53為同相。由于平行次放大器404在輸出節(jié)點(diǎn)OUT上引起的噪聲信號N23與堆棧式主放大器202在輸出節(jié)點(diǎn)OUT上引起的噪聲信號N53是異相的，噪聲信號N23被由堆棧式主放大器202檢測的噪聲信號N53所抑制。簡而言之，；故大器電^各400采用雙噪聲抑制(dualnoise suppression)從而抑制了晶體管Mil與M31產(chǎn)生的噪聲干擾(例如散粒噪聲)。
在本實(shí)施方式中，耦接組件408用電阻實(shí)施。但是，耦接組件408的電阻值決定了輸送到堆棧式主放大器202的噪聲干擾量。恰當(dāng)?shù)卦O(shè)置電阻，可以使整個放大器電路400達(dá)到最佳的噪聲抑制效果。更進(jìn)一步，圖4所示的硬件設(shè)置僅為說明之用，并非本發(fā)明的限制。只要不脫離本發(fā)明的精神，對圖4中的電路所作的任何修改都在本發(fā)明范圍之內(nèi)。
圖5是根據(jù)本發(fā)明的第二放大器架構(gòu)的方框圖。在本實(shí)施方式中，放大器電路500包含，但不限于，堆棧式主放大器502，其包含放大器單元512與514;平行次;故大器504，其包含放大器單元522與524;以及信號合成器506。另夕卜，如圖5所示，應(yīng)用多個耦接組件508A-508L以作信號耦接之用。耦接組件可根據(jù)設(shè)計(jì)需要用電阻性組件，電容性組件，電導(dǎo)性組件，傳輸線或以上的組合構(gòu)成。圖l與圖5所示的放大器架構(gòu)的區(qū)別在于平行次放大器504用堆棧式放大器實(shí)施的。平行次放大器504不僅能檢測噪聲信號以抑制噪聲，還能放大高功率增益與低功耗的需要的信號。為更清楚說明，下文特舉一示例。
請參考圖6。圖6是根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施方式的放大器電路的電路示意圖，其包含堆棧式主放大器與堆棧式次放大器。如圖6所示的放大器電路600與圖2所示的放大器電^各200相似。區(qū)別在于次放大器的應(yīng)用。在本實(shí)施方式中，次放大器利用堆棧式次放大器604來實(shí)施。根據(jù)如圖2所揭示的實(shí)施方式，本領(lǐng)域內(nèi)技術(shù)人員應(yīng)可了解，從堆棧式主放大器602輸出的放大信號S23與輸入節(jié)點(diǎn)IN上的輸入信號S13是異相的；而從堆棧式次放大器604輸出的放大信號S33與輸入信號S13也是異相的。另外，噪聲信號N61與根據(jù)噪聲信號N61從堆棧式主放大器602輸出的噪聲信號N62是同相的，而噪聲信號N61與根據(jù)噪聲信號N61從堆棧式次放大器604輸出的被檢測的噪聲信號N63是異相的。在本實(shí)施方式中，信號合成器606利用傳輸線的互連予以實(shí)施，其中傳輸線分別耦接至堆棧式主放大器602的輸出與平行堆棧式次放大器604的輸出。在合成信號之后，包含放大信號S23與S33以及噪聲信號N62與N63，噪聲信號N62被檢測噪聲信號N63所抑制，而放大信號S23被放大信號S33抬高以在輸出節(jié)點(diǎn)OUT上產(chǎn)生結(jié)果輸出信號S43。
需要注意的是，圖6中所示的硬件配置僅為說明之用，并非本發(fā)明的限制。任何對圖6中電路的修改，只要不偏離本發(fā)明的精神都是允許的。舉例來說，堆棧式次》t大器可應(yīng)用于任何具有共柵輸入級或共源輸入級的堆棧式主放大器的放大器電^各。上述可選的設(shè)計(jì)都在本發(fā)明的范圍之內(nèi)。
圖7是根據(jù)本發(fā)明第三放大器架構(gòu)實(shí)施方式的示意圖。在本實(shí)施方式中，放大器電路700包含，但不限于，堆棧式放大器702,其包含放大器單元712與714;平行次放大器704,其包含放大器單元722;以及信號合成器706。另外，圖7中還有多個耦接組件708A-708I用于信號耦接。耦接組件可根據(jù)設(shè)計(jì)要求以電阻性組件，電容性組件，電導(dǎo)性組件，傳輸線或上述任意組合構(gòu)成。與圖l的放大器架構(gòu)相似，圖7所示的放大器架構(gòu)將輸入節(jié)點(diǎn)IN接收的信號傳輸至堆棧式主放大器702與平行次放大器704，然后利用信號合成器706合成(combine)堆棧式主放大器702與平行次放大器704的輸出。如此，就達(dá)到了利用平行次放大器來獲取高功率增益與低功耗的目的。圖1與圖7中的放大器的區(qū)別在于，平行次放大器704是堆疊(stacked)在堆棧式主放大器702上，這表明放大器單元722， 714與712分享同一偏置電流。與圖1的放大器架構(gòu)相比較，圖7中的放大器架構(gòu)根據(jù)電流復(fù)用(current reuse)而具有低功耗。為清楚起見，下文特舉一例。
請參考圖8。圖8是根據(jù)本發(fā)明第五實(shí)施方式的具有堆棧式主放大器以及與堆棧式主放大器堆棧的次放大器的放大器電路800的電路示意圖。閱讀上述揭示的本發(fā)明實(shí)施方式，本領(lǐng)域內(nèi)技術(shù)人員應(yīng)可了解，放大信號S24與輸入信號S14是異相的。由平行次放大器804與堆棧式主放大器802分別產(chǎn)生的放大信號S34與S44，與在輸入節(jié)點(diǎn)IN接收的輸入信號S14皆為異相。另外，可以看出，噪聲信號N71與噪聲信號N72是異相的，噪聲信號N71與噪聲信號N73是同相的，噪聲信號N71與噪聲信號N74是同相的，噪聲信號N71與噪聲信號N75是異相的。在本實(shí)施方式中，信號合成器806是利用傳輸線互連而予以實(shí)施，其中傳輸線分別耦接至堆棧式主放大器802的輸出與平行次放大器804的輸出。在合成輸出信號之后，放大信號S34與S44以及噪聲信號N73與N75,噪聲信號N73蜂皮才企測的噪聲信號N75所抑制，而放大信號S44被;改大信號S34所抬高以在輸出節(jié)點(diǎn)OUT產(chǎn)生結(jié)果輸出信號S54。
需要注意的是，圖8中所示的硬件配置僅為說明之用，并非本發(fā)明的限制。只要不偏離本發(fā)明的精神可對圖8中的電路作任何修改。舉例來說，可在任何具有堆棧式主放大器的放大電路中實(shí)施與堆棧式主放大器堆疊的次放大器，其中堆棧式主放大器具有共柵輸入級或共源輸入級。上述可選設(shè)計(jì)都在本發(fā)明的范圍內(nèi)。
揭示的放大器電路并不僅限在RF接收器中，也可應(yīng)用于其它需要低功耗，低噪聲與高放大器增益的領(lǐng)域中。舉例來說，揭示的放大器電路可應(yīng)用于模擬信號處理領(lǐng)域，混合信號處理領(lǐng)域等。更進(jìn)一步，在上述實(shí)施方式中，利用單端放大器電^各以說明本發(fā)明的細(xì)節(jié)，需要注意這并非本發(fā)明的限制。同樣的噪聲抑制概念也可用于差動放大器(differential architecture)架構(gòu)中。改變的^殳計(jì)同樣也符合本發(fā)明的賴-神，因此也在本發(fā)明的范圍之內(nèi)。
本發(fā)明雖用較佳實(shí)施方式說明如上，然而其并非用來限定本發(fā)明的范圍，任何本領(lǐng)域中技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，做的任何更動與改變，都在本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)，具體以權(quán)利要求界定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1. 一種放大器電路，用于放大輸入信號以產(chǎn)生輸出信號，包含堆棧式主放大器，包含第一放大器單元，其中，上述第一放大器單元包含輸入節(jié)點(diǎn)，用于接收上述輸入信號，并且上述第一放大器單元包含輸出節(jié)點(diǎn)，用于輸出處理上述輸入信號之后產(chǎn)生的第一放大信號；以及第二放大器單元，其中，上述第二放大器單元的輸入節(jié)點(diǎn)耦接至上述第一放大器單元的上述輸出節(jié)點(diǎn)以接收上述第一放大信號，并且上述第二放大器單元具有輸出節(jié)點(diǎn)，用于輸出處理上述第一放大信號之后產(chǎn)生的第二放大信號，并且上述第一放大器單元與上述第二放大器單元分享偏置電流；平行次放大器，上述平行次放大器的輸入節(jié)點(diǎn)耦接至上述第一放大器單元的上述輸入節(jié)點(diǎn)，用于接收上述輸入信號，且上述平行次放大器的輸出節(jié)點(diǎn)用于輸出處理上述輸入信號之后產(chǎn)生的第三放大信號；以及信號合成器，耦接至上述第二放大器單元的上述輸出節(jié)點(diǎn)與上述平行次放大器的上述輸出節(jié)點(diǎn)，用于合成上述第二放大信號與上述第三放大信號以產(chǎn)生上述輸出信號。
2. 如權(quán)利要求l所述的放大器電路，其特征在于，上述第一放大器單元包含第一晶體管，上述第一晶體管具有控制節(jié)點(diǎn)，作為上述第一放大器單元的上述輸出節(jié)點(diǎn)的第一節(jié)點(diǎn)以及作為上述第一放大器單元的上述輸入節(jié)點(diǎn)的第二節(jié)點(diǎn)；并且，上述平行次放大器包含第二晶體管，上述第二晶體管具有作為上述平行次放大器的上述輸入節(jié)點(diǎn)的控制節(jié)點(diǎn)，耦接至上述信號合成器的第一節(jié)點(diǎn)，以及第二節(jié)點(diǎn)。
3. 如權(quán)利要求2所述的放大器電路，其特征在于，上述平行次放大器更包含反饋組件，電氣地連接上述第二晶體管的上述第一節(jié)點(diǎn)與上述第二晶體管的上述控制節(jié)點(diǎn)。
4. 如權(quán)利要求1所述的放大器電路，其特征在于，上述第一放大器單元包含第一晶體管，上述第一晶體管包含作為上述第一放大器單元的上述輸入節(jié)點(diǎn)的控制節(jié)點(diǎn)，耦接至上述控制節(jié)點(diǎn)以作為上述第一放大器單元的上述輸出節(jié)點(diǎn)的第一節(jié)點(diǎn)，以及第二節(jié)點(diǎn)；以及上述平行次放大器包含第二晶體管，上述第二晶體管包含控制節(jié)點(diǎn)，耦接至上述信號合成器的第一節(jié)點(diǎn)，以及作為上述平行次放大器的上述輸入節(jié)點(diǎn)的第二節(jié)點(diǎn)。
5. 如權(quán)利要求1所述的放大器電路，其特征在于，上述平行次放大器為堆棧式次放大器，上述平行次放大器包含第三放大器單元，其輸入節(jié)點(diǎn)用于接收上述輸入信號，以及其輸出節(jié)點(diǎn)以輸出處理上述輸入信號之后的第四放大信號；以及第四放大器單元，其輸入節(jié)點(diǎn)耦接至上述第三放大器單元的上述輸出節(jié)點(diǎn)以接收上述第四放大信號，以及其輸出節(jié)點(diǎn)用于輸出處理上述第四放大信號之后的上述第三放大信號，其中上述第三放大器單元與上述第四放大器單元分享偏置電流。
6. 如權(quán)利要求1所述的放大器電路，其特征在于，上述平行次放大器與上述堆棧式主放大器堆疊，并與上述堆棧式主放大器分享偏置電流。
全文摘要
本發(fā)明提供一種放大器電路，用于放大輸入信號以產(chǎn)生輸出信號，包含堆棧式主放大器，其包含第一放大器單元以及第二放大器單元；平行次放大器，包含輸入節(jié)點(diǎn)與輸出節(jié)點(diǎn)，其輸入節(jié)點(diǎn)耦接至第一放大器單元的輸入節(jié)點(diǎn)，用于接收輸入信號，且其輸出節(jié)點(diǎn)用于輸出處理輸入信號之后產(chǎn)生的第三放大信號；以及信號合成器，耦接至第二放大器單元的輸出節(jié)點(diǎn)與平行次放大器的輸出節(jié)點(diǎn)，用于合成第二放大信號與第三放大信號以產(chǎn)生輸出信號。本發(fā)明提供的放大電路，具有低功耗，高增益與低噪聲的性能。
文檔編號H03F1/26GK101499778SQ20081014713
公開日2009年8月5日 申請日期2008年8月20日 優(yōu)先權(quán)日2008年1月30日
發(fā)明者賴玠瑋, 民 陳 申請人:聯(lián)發(fā)科技股份有限公司