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振蕩器頻率穩(wěn)定裝置及振蕩器的制作方法

文檔序號:7511052閱讀:216來源:國知局
專利名稱:振蕩器頻率穩(wěn)定裝置及振蕩器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明相關(guān)于一種振蕩器頻率穩(wěn)定裝置,尤指一種應(yīng)用于
RC振蕩器的振蕩器頻率穩(wěn)定裝置。
背景技術(shù)
振蕩器(oscillator)是用來產(chǎn)生重復(fù)同期性的信號(通常是 正弦波或方波)的電子電路,主要可以分成兩種諧波振蕩器 (harmonic oscillator)與弛張4展蕩器(relaxation oscillator )。
R C振蕩器屬于諧波振蕩器的其中 一 種,在振蕩電路中的頻率選 捧部分中僅使用電阻和電容,而不用電感。
在一般的RC振蕩器中,電壓的大小會(huì)造成頻率的改變,請 參閱圖l,圖l顯示不同電壓時(shí)振蕩器頻率的改變,高電壓波形 ll顯示電壓未改變時(shí),振蕩器產(chǎn)生的波形,當(dāng)振蕩器的電壓變 小的時(shí)候,波形會(huì)改變成低電壓波形12,由于低電壓波形12的 振蕩幅度小于高電壓波形ll,因此頻率會(huì)上升,在同樣的時(shí)間 內(nèi),振蕩器會(huì)產(chǎn)生較多周期的波形。
一般在振蕩器中,頻率往往和電壓相關(guān),而當(dāng)振蕩器電壓 不穩(wěn)定時(shí),即會(huì)造成振蕩器頻率改變,使電路造成誤差,因此, 如何設(shè)計(jì)一個(gè)振蕩器頻率穩(wěn)定裝置成為目前迫切需要的技術(shù)。

發(fā)明內(nèi)容
因此,本發(fā)明的目的之一,在于提供一種振蕩器頻率穩(wěn)定 裝置,其用于穩(wěn)定一振蕩器的頻率,使該振蕩器在一輸入電壓 改變時(shí),該振蕩器的頻率不會(huì)改變,該振蕩器頻率穩(wěn)定裝置包 括多個(gè)門裝置,其包括多個(gè)金屬氧化物半導(dǎo)體;多個(gè)電壓源,
其耦接至該多個(gè)門裝置,用以提供該輸入電壓;多個(gè)電阻,其 耦接至該多個(gè)門裝置。其中該多個(gè)門裝置與該電壓源產(chǎn)生 一 電 流,該電流與該輸入電壓正相關(guān)。
本發(fā)明所述的振蕩器頻率穩(wěn)定裝置,該振蕩器為一RC振蕩器。
本發(fā)明所述的振蕩器頻率穩(wěn)定裝置,該多個(gè)門裝置為二傳 輸門,該二傳輸門中每一個(gè)傳輸門分別包括一p型金屬氧化物半
導(dǎo)體以及一n型金屬氧化物半導(dǎo)體。
本發(fā)明所述的振蕩器頻率穩(wěn)定裝置,該多個(gè)電壓源為二電 壓源,該二電壓源與該多個(gè)門裝置會(huì)產(chǎn)生該電流,該電流會(huì)影 響該振蕩器的頻率。
本發(fā)明所述的振蕩器頻率穩(wěn)定裝置,該多個(gè)電阻為二電阻, 該二電阻中一第一電阻的第二端耦接至一第二電阻的第一端, 該第一電阻的第一端耦接至該多個(gè)門裝置中的一第一金屬氧化 物半導(dǎo)體的柵極,該第二電阻的第二端耦接至該多個(gè)門裝置中 的 一 第二金屬氧化物半導(dǎo)體的柵極。
本發(fā)明所述的振蕩器頻率穩(wěn)定裝置,當(dāng)該輸入電壓下降時(shí), 該電流跟著下降,受到輸入電壓下降與電流下降互相補(bǔ)償?shù)挠?響,該振蕩器的頻率不因該輸入電壓下降而改變。
本發(fā)明另提供一種振蕩器頻率穩(wěn)定裝置,其用于穩(wěn)定一振 蕩器的頻率,使該振蕩器在一輸入電壓改變時(shí),該振蕩器的頻 率不會(huì)改變,該振蕩器頻率穩(wěn)定裝置包括多個(gè)傳輸門,用以 接收該輸入電壓以產(chǎn)生一電流;多個(gè)電阻,用以控制該電流的 值;其中該電流與該輸入電壓正相關(guān),該振蕩器的頻率受到該 電;危#》響。
本發(fā)明所述的振蕩器頻率穩(wěn)定裝置,該振蕩器為一 R C振蕩器。
本發(fā)明所述的振蕩器頻率穩(wěn)定裝置,該多個(gè)傳輸門為二傳 輸門,該二傳輸門中每一個(gè)傳輸門分別包括一p型金屬氧化物半
導(dǎo)體以及一n型金屬氧化物半導(dǎo)體。
本發(fā)明所述的振蕩器頻率穩(wěn)定裝置,該多個(gè)電阻為二電阻, 該二電阻中 一第 一 電阻的第二端耦接至 一第二電阻的第 一端, 該第一電阻的第一端耦接至該多個(gè)傳輸門中的一p型金屬氧化 物半導(dǎo)體的柵極,該第二電阻的第二端耦接至該多個(gè)傳輸門中
的一n型金屬氧化物半導(dǎo)體的柵極。
本發(fā)明所述的振蕩器頻率穩(wěn)定裝置,當(dāng)該輸入電壓下降時(shí), 該電流跟著下降,受到輸入電壓下降與電流下降互相補(bǔ)償?shù)挠?響,該振蕩器的頻率不因該輸入電壓下降而改變。
本發(fā)明所述的振蕩器頻率穩(wěn)定裝置,更包括二電壓源以提
供該^r入電壓。
本發(fā)明又提供一種振蕩器,包括一頻率穩(wěn)定裝置,用于穩(wěn) 定一振蕩器的頻率,使該振蕩器在一輸入電壓改變時(shí),該振蕩
器的頻率變化會(huì)減小,該頻率穩(wěn)定裝置包括多個(gè)傳輸門,用 以接收該輸入電壓以產(chǎn)生一電流;多個(gè)電阻,用以控制該電流 的值;其中該電流與該輸入電壓正相關(guān),該振蕩器的頻率受到 該電流影響。
本發(fā)明所迷的振蕩器,該振蕩器為一RC振蕩器。 本發(fā)明所述的振蕩器,該多個(gè)傳輸門為二傳輸門,該二傳 輸門中每一個(gè)傳輸門分別包括一p型金屬氧化物半導(dǎo)體以及一n 型金屬氧化物半導(dǎo)體。
本發(fā)明所述的振蕩器,該多個(gè)電阻為二電阻,該二電阻中 一第一電阻的第二端耦接至一第二電阻的第一端,該第一電阻 的第一端耦接至該多個(gè)傳輸門中的一p型金屬氧化物半導(dǎo)體的 柵極,該第二電阻的第二端耦接至該多個(gè)傳輸門中的一n型金屬 氧化物半導(dǎo)體的柵極。
本發(fā)明所述的振蕩器,當(dāng)該輸入電壓下降時(shí),該電流跟著
下降,受到輸入電壓下降與電流下降互相補(bǔ)償?shù)挠绊?,該振?br> 器的頻率不因該輸入電壓下降而改變。
本發(fā)明所述的振蕩器,更包括二電壓源以提供該輸入電壓。 本發(fā)明所述的振蕩器頻率穩(wěn)定裝置及振蕩器,可以使振蕩
器頻率在輸入電壓改變的時(shí)候不會(huì)跟著改變,以保持振蕩器頻
率的穩(wěn)定性。


圖l顯示不同電壓時(shí)振蕩器頻率的改變;
圖2為本發(fā)明較佳實(shí)施例的振蕩器電路圖3顯示本發(fā)明較佳實(shí)施例的頻率穩(wěn)定裝置電路圖。
具體實(shí)施例方式
請參閱圖2,其顯示本發(fā)明較佳實(shí)施例的振蕩器電路圖,如 圖2所示,振蕩器電路2包括電壓源21、頻率穩(wěn)定裝置22以及比 較器23、 24、 25和電容26。電壓源21提供振蕩器電路2輸入電壓, 使振蕩器電路2產(chǎn)生正弦波。頻率穩(wěn)定裝置22耦接于電壓源21 以及電容26之間,同樣由電壓源2U是供輸入電壓,并且透過頻 率穩(wěn)定裝置2 2產(chǎn)生電流,利用輸入電壓和電流使振蕩器電路21 所產(chǎn)生的波頻率穩(wěn)定。比較器23、 24、 25串聯(lián)而成,比較器23 的輸入端耦接至電容26,輸出端耦接至比較器24的輸入端,比 較器24的輸出端耦接至比較器25的輸入端,比較器25的輸出端 耦接至電壓源21。其中振蕩器電路2為RC振蕩器,但不以此為 限。
振蕩器電路2所產(chǎn)生的正弦波頻率會(huì)受到輸入電壓的影響,
當(dāng)輸入電壓下降的時(shí)候,會(huì)使頻率上升,但是頻率穩(wěn)定裝置22 可以控制頻率在輸入電壓下降的時(shí)候保持穩(wěn)定。
請參閱圖3 ,其顯示本發(fā)明較佳實(shí)施例的頻率穩(wěn)定裝置電路 圖,頻率穩(wěn)定裝置22包括第一p型金屬氧化物半導(dǎo)體(pMOS)31、 第一n型金屬氧化物半導(dǎo)體(nMOS)32、第二pMOS33、第二 nMOS34、第一電阻35、第二電阻36以及接地端37,且頻率穩(wěn) 定裝置22與電壓源21相連。電壓源21與接地端37用以產(chǎn)生輸入 電壓,第一pMOS31和第一nMOS32的源極相互耦接,并耦接至 電壓源21,漏極同樣相互耦接,并耦接至接地端37,第一 nMOS32的柵極耦接第 一電阻35的一端,第一電阻35的另一端 耦接至第二電阻36,第二電阻36耦接至第二pMOS33的柵極。 第二pMOS33的源極耦接至電壓源21與第二nMOS34的源極,第 二pMOS33的漏極耦接至接地端37與第二nMOS34的漏極。
頻率穩(wěn)定裝置22包括兩個(gè)傳輸門(transmission gate),分別 是由第一 pMOS31及第一 nMOS32組成的傳輸門和由第二 pMOS33及第二nMOS34組成的傳輸門,輸入電壓會(huì)通過這兩個(gè) 傳輸門產(chǎn)生電流,電流和輸入電壓正相關(guān),并且由第一電阻35 及第二電阻36來控制電流的值。電流同樣會(huì)影響振蕩器電路2 產(chǎn)生的正弦波頻率,依據(jù)頻率的特性,當(dāng)輸入電壓下降時(shí),電 流會(huì)跟著下降,影響振蕩器電路2的RC值上升,使得頻率跟著 下降。
因此,當(dāng)振蕩器的輸入電壓下降的時(shí)候,振蕩器頻率一方 面會(huì)受到電壓下降的影響而升高,另外一方面會(huì)受到頻率穩(wěn)定 裝置產(chǎn)生的電流影響而下降,在互相補(bǔ)償?shù)那闆r下,頻率穩(wěn)定 裝置可以使振蕩器頻率在輸入電壓改變的時(shí)候不會(huì)跟著改變, 以保持振蕩器頻率的穩(wěn)定性。上述發(fā)明極具價(jià)值。
以上所述僅為本發(fā)明較佳實(shí)施例,然其并非用以限定本發(fā)
明的范圍,任何熟悉本項(xiàng)技術(shù)的人員,在不脫離本發(fā)明的精神 和范圍內(nèi),可在此基礎(chǔ)上做進(jìn)一步的改進(jìn)和變化,因此本發(fā)明 的保護(hù)范圍當(dāng)以本申請的權(quán)利要求書所界定的范圍為準(zhǔn)。 附圖中符號的簡單說明如下11.高電壓波形
12低電壓波形
2:振蕩器電路
21電壓源
22頻率穩(wěn)定裝置
23、24、 25:比較器
31'第一pMOS
32第一nMOS
33第二pMOS
34第二nMOS
35第一電阻
36第二電阻
37接地端
38 電容。
權(quán)利要求
1.一種振蕩器頻率穩(wěn)定裝置,其特征在于,用于穩(wěn)定一振蕩器的頻率,使該振蕩器在一輸入電壓改變時(shí),該振蕩器的頻率不會(huì)隨著輸入電壓改變,該振蕩器頻率穩(wěn)定裝置包括多個(gè)門裝置,其包括多個(gè)金屬氧化物半導(dǎo)體;多個(gè)電壓源,其耦接至該多個(gè)門裝置,用以提供該輸入電壓;多個(gè)電阻,其耦接至該多個(gè)門裝置;其中該多個(gè)門裝置與該電壓源產(chǎn)生一電流,該電流與該輸入電壓正相關(guān)。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的振蕩器頻率穩(wěn)定裝置,其特征在 于,該振蕩器為一RC振蕩器。
3. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的振蕩器頻率穩(wěn)定裝置,其特征在 于,該多個(gè)門裝置為二傳輸門,該二傳輸門中每一個(gè)傳輸門分 別包括一p型金屬氧化物半導(dǎo)體以及一n型金屬氧化物半導(dǎo)體。
4. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的振蕩器頻率穩(wěn)定裝置,其特征在 于,該多個(gè)電壓源為二電壓源,該二電壓源與該多個(gè)門裝置會(huì) 產(chǎn)生該電流,該電流會(huì)影響該振蕩器的頻率。
5. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的振蕩器頻率穩(wěn)定裝置,其特征在 于,該多個(gè)電阻為二電阻,該二電阻中一第一電阻的第二端耦 接至一第二電阻的第一端,該第一電阻的第一端耦接至該多個(gè) 門裝置中的 一 第 一金屬氧化物半導(dǎo)體的柵極,該第二電阻的第 二端耦接至該多個(gè)門裝置中的 一第二金屬氧化物半導(dǎo)體的柵 極。
6. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的振蕩器頻率穩(wěn)定裝置,其特征在 于,當(dāng)該輸入電壓下降時(shí),該電流跟著下降,受到輸入電壓下 降與電流下降互相補(bǔ)償?shù)挠绊?,該振蕩器的頻率不因該輸入電 壓下降而改變。
7. —種振蕩器頻率穩(wěn)定裝置,其特征在于,用于穩(wěn)定一振 蕩器的頻率,使該振蕩器在一輸入電壓改變時(shí),該振蕩器的頻率不會(huì)隨著輸入電壓改變,該振蕩器頻率穩(wěn)定裝置包括 多個(gè)傳輸門,用以接收該輸入電壓以產(chǎn)生一電流; 多個(gè)電阻,用以控制該電流的值;其中該電流與該輸入電壓正相關(guān),該振蕩器的頻率受到該 電流影響。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的振蕩器頻率穩(wěn)定裝置,其特征在 于,該振蕩器為一RC振蕩器。
9. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的振蕩器頻率穩(wěn)定裝置,其特征在 于,該多個(gè)傳輸門為二傳輸門,該二傳輸門中每一個(gè)傳輸門分 別包括一p型金屬氧化物半導(dǎo)體以及一n型金屬氧化物半導(dǎo)體。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的振蕩器頻率穩(wěn)定裝置,其特征在 于,該多個(gè)電阻為二電阻,該二電阻中一第一電阻的第二端耦 接至一第二電阻的第一端,該第一電阻的第一端耦接至該多個(gè) 傳輸門中的一p型金屬氧化物半導(dǎo)體的柵極,該第二電阻的第二 端耦接至該多個(gè)傳輸門中的一n型金屬氧化物半導(dǎo)體的柵極。
11. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的振蕩器頻率穩(wěn)定裝置,其特征在 于,當(dāng)該輸入電壓下降時(shí),該電流跟著下降,受到輸入電壓下 降與電流下降互相補(bǔ)償?shù)挠绊?,該振蕩器的頻率不因該輸入電 壓下降而改變。
12. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的振蕩器頻率穩(wěn)定裝置,其特征在 于,更包括二電壓源以提供該輸入電壓。
13. —種振蕩器,其特征在于,包括一頻率穩(wěn)定裝置,用 于穩(wěn)定一振蕩器的頻率,使該振蕩器在一輸入電壓改變時(shí),該 振蕩器的頻率不會(huì)隨著輸入電壓改變,該頻率穩(wěn)定裝置包括多個(gè)傳輸門,用以接收該輸入電壓以產(chǎn)生一電流; 多個(gè)電阻,用以控制該電流的值;其中該電流與該輸入電壓正相關(guān),該振蕩器的頻率受到該 電流影響。
14. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的振蕩器,其特征在于,該振蕩 器為一RC振蕩器。
15. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的振蕩器,其特征在于,該多個(gè) 傳輸門為二傳輸門,該二傳輸門中每一個(gè)傳輸門分別包括一p型金屬氧化物半導(dǎo)體以及一n型金屬氧化物半導(dǎo)體。
16. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的振蕩器,其特征在于,該多個(gè) 電阻為二電阻,該二電阻中一第一電阻的第二端耦接至一第二 電阻的第一端,該第一電阻的第一端耦接至該多個(gè)傳輸門中的 一 p型金屬氧化物半導(dǎo)體的柵極,該第二電阻的第二端耦接至該 多個(gè)傳輸門中的一n型金屬氧化物半導(dǎo)體的柵極。
17. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的振蕩器,其特征在于,當(dāng)該輸 入電壓下降時(shí),該電流跟著下降,受到輸入電壓下降與電流下 降互相補(bǔ)償?shù)挠绊懀撜袷幤鞯念l率不因該輸入電壓下降而改 變。
18. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的振蕩器,其特征在于,更包括 二電壓源以提供該輸入電壓。
全文摘要
本發(fā)明為一種振蕩器頻率穩(wěn)定裝置及振蕩器,其用于穩(wěn)定一振蕩器的頻率,使該振蕩器在一輸入電壓改變時(shí),該振蕩器的頻率不會(huì)有太大的變化,該振蕩器頻率穩(wěn)定裝置包括多個(gè)傳輸門,用以接收該輸入電壓以產(chǎn)生一電流;多個(gè)電阻,用以控制該電流的值;其中該電流與該輸入電壓正相關(guān),該振蕩器的頻率受到該電流影響。本發(fā)明所述的振蕩器頻率穩(wěn)定裝置及振蕩器,可以使振蕩器頻率在輸入電壓改變的時(shí)候不會(huì)跟著改變,以保持振蕩器頻率的穩(wěn)定性。
文檔編號H03K19/0185GK101364788SQ20071014018
公開日2009年2月11日 申請日期2007年8月8日 優(yōu)先權(quán)日2007年8月8日
發(fā)明者詹勛典 申請人:普誠科技股份有限公司
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