專利名稱：彈性邊界波器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明總體上涉及彈性邊界波器件，并且更具體來說涉及一種能夠抑制不必要響應(yīng)的彈性邊界波器件。
背景技術(shù)：
已知表面聲波(此后稱為SAW)器件是利用彈性波的器件之一。SAW器件應(yīng)用于其中對(duì)頻帶范圍從45MHz到2GHz的無線信號(hào)進(jìn)行處理的各種電路，諸如例如發(fā)送帶通濾波器、接收帶通濾波器、局部濾波器、天線雙工器、中頻(IF)濾波器、以及調(diào)頻調(diào)制器。這些無線信號(hào)典型地由例如移動(dòng)電話使用。
近年來，已經(jīng)開發(fā)了利用彈性邊界波的彈性邊界波器件。在彈性邊界波器件中，彈性波被集中到兩個(gè)不同介質(zhì)的邊界處。因此，與SAW器件不同，即使外物粘附到所述兩個(gè)介質(zhì)的外表面上，也不會(huì)發(fā)生諸如頻率改變或者電損耗增加的特性方面的變化或者劣化。
在SAW器件中，存在具有諧振器從不使用的不必要響應(yīng)的問題。因此，如日本特開平6-112764號(hào)(此后稱為參考文件1)中所述，在SAW器件中在基板的邊緣處提供一種吸收器或者柵以抑制已經(jīng)反射的不必要表面波。另外，如日本特開平4-239210號(hào)(此后稱為參考文件2)中所述，通過在SAW器件的基板的端面處提供吸聲材料來抑制體波的反射。另外，如日本特開平4-82315號(hào)(此后稱為參考文件3)中所述，存在如下一種技術(shù)通過在SAW器件的基板的端面處提供臺(tái)階來抑制體波的反射。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述情況已經(jīng)開發(fā)了本發(fā)明，本發(fā)明提供一種彈性邊界波器件，在所述彈性邊界波器件中，雖然不必要響應(yīng)是受激波，而不是出現(xiàn)在兩種不同介質(zhì)的邊界處的邊界波，但該不必要響應(yīng)能夠被抑制。
根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供了一種彈性邊界波器件，所述彈性邊界波器件包括第一介質(zhì)，其具有壓電性；電極，其被設(shè)置在所述第一介質(zhì)上并激發(fā)彈性波；第二介質(zhì)，其由與所述第一介質(zhì)不同的材料制成，并且被設(shè)置在所述第一介質(zhì)上以覆蓋所述電極；以及吸聲部分，其被設(shè)置在所述第二介質(zhì)上。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供一種彈性邊界波器件，所述彈性邊界波器件包括第一介質(zhì)，其具有壓電性；電極，其被設(shè)置在所述第一介質(zhì)上并激發(fā)彈性波；第二介質(zhì)，其由與所述第一介質(zhì)不同的材料制成并且被設(shè)置在所述第一介質(zhì)上以覆蓋所述電極；以及凸部，其被設(shè)置在所述第二介質(zhì)上。
所述吸聲部分減少了所述第二介質(zhì)或者第三介質(zhì)的表面上的表面波的能量，由此減少了由表面波引起的不必要響應(yīng)。
根據(jù)本發(fā)明的又一方面，提供了一種彈性邊界波器件，所述彈性邊界波器件包括第一介質(zhì)，其具有壓電性；電極，其被設(shè)置在所述第一介質(zhì)上并激發(fā)彈性波；第二介質(zhì)，其由與所述第一介質(zhì)不同的材料制成，并且被設(shè)置在所述第一介質(zhì)上以覆蓋所述電極；以及第三介質(zhì)，其由與所述第一介質(zhì)和所述第二介質(zhì)不同的材料制成，并且被設(shè)置在所述第二介質(zhì)上，并且所述第三介質(zhì)具有所述電極周期的0.25倍或者更多的厚度。


參照下列附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的示例性實(shí)施例，其中圖1示出彈性邊界波器件的通常插入損耗相對(duì)于頻率的變化；圖2是在本發(fā)明的第一示例性實(shí)施例中采用的彈性邊界波器件的剖面圖；圖3示出在本發(fā)明的第一示例性實(shí)施例中采用的彈性邊界波器件的插入損耗相對(duì)于頻率的變化。
圖4是在本發(fā)明的第二示例性實(shí)施例中采用的彈性邊界波器件的剖面圖；圖5A到圖5D是在本發(fā)明的第三示例性實(shí)施例中采用的彈性邊界波器件的第一剖面圖；圖6A到圖6D是在本發(fā)明的第三示例性實(shí)施例中采用的彈性邊界波器件的第二剖面圖；圖7A到圖7D是在本發(fā)明的第三示例性實(shí)施例中采用的彈性邊界波器件的第三剖面圖；圖8A和圖8B是在本發(fā)明的第四示例性實(shí)施例中采用的彈性邊界波器件的剖面圖；圖9A和圖9B是在本發(fā)明的第五示例性實(shí)施例中采用的彈性邊界波器件的剖面圖；圖10A和圖10B是在本發(fā)明的第六示例性實(shí)施例中采用的彈性邊界波器件的剖面圖；圖11是本發(fā)明的第七示例性實(shí)施例中采用的彈性邊界波器件的剖面圖；圖12示出本發(fā)明的第七示例性實(shí)施例中采用的彈性邊界波器件的插入損耗相對(duì)于表面波的頻率的變化。
具體實(shí)施例方式
圖1是示出其中具有彈性邊界波器件的單端口諧振器的通帶特性的圖。除了在較低頻率側(cè)的邊界波的響應(yīng)，還在較高頻率側(cè)出現(xiàn)了不必要響應(yīng)。當(dāng)存在這種不必要響應(yīng)時(shí)，在用于濾波器的彈性邊界波器件中不能獲得優(yōu)良的抑制特性。不必要響應(yīng)阻礙了這種優(yōu)良頻率特性。根據(jù)本發(fā)明的發(fā)明者進(jìn)行的實(shí)驗(yàn)，彈性邊界波器件的這種不必要響應(yīng)在特性上與在傳統(tǒng)SAW器件中發(fā)現(xiàn)的小循環(huán)的亂真(spurious)實(shí)質(zhì)上不同。因此，不能通過在基板的端面處提供吸聲材料或者臺(tái)階(如參考文件1到參考文件3所述)來抑制該不必要響應(yīng)。作為該不必要響應(yīng)的原因，從不必要響應(yīng)的大小上判斷，認(rèn)為不必要響應(yīng)起因于彈性邊界波器件的表面波，并且很可能是作為瑞利波(Rayleigh wave)的高階模態(tài)的賽茲瓦波(sezawa wave)。因此，現(xiàn)在參照附圖，針對(duì)其中可抑制不必要響應(yīng)的彈性邊界波器件，提供對(duì)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的描述。
(第一示例性實(shí)施例)本發(fā)明的第一示例性實(shí)施例是在表面處提供吸聲部分的示例。圖2是本發(fā)明的第一示例性實(shí)施例中采用的彈性邊界波器件的剖面圖。在旋轉(zhuǎn)Y板LN(氧化鋰鈮LiNbO3)基板的壓電基板10(第一介質(zhì))上提供有由諸如Cu(銅等)的金屬制成的電極12。電極12是用于激發(fā)彈性波的叉指換能器(IDT)或者梳狀電極。在壓電基板10上提供有由與壓電基板10不同的材料制成的二氧化硅膜14(第二介質(zhì))，以覆蓋電極12。另外在二氧化硅膜14上提供有由硅樹脂制成的吸聲部分20。二氧化硅膜14具有比壓電基板10的聲速更慢的聲速。因此，彈性邊界波集中在二氧化硅膜14與壓電基板10之間的邊界上，并且沿著該邊界傳播。
圖3示出不包括吸聲部分20的彈性邊界波器件(常規(guī)示例)的插入損耗和在第一示例性實(shí)施例中采用的彈性邊界波器件的插入損耗相對(duì)于頻率的變化。在第一示例性實(shí)施例中采用的彈性邊界波器件中，在較高頻率側(cè)由表面波引起的不必要響應(yīng)較小。根據(jù)本發(fā)明的第一示例性實(shí)施例，設(shè)置在二氧化硅膜14上的吸聲部分20減少了二氧化硅膜14表面上的表面波的能量，由此使得由所述表面波產(chǎn)生的不必要響應(yīng)減少。在此，吸聲部分20由例如樹脂的材料制成，所述材料可減少二氧化硅膜14的表面上的表面波的能量。作為樹脂，可以使用環(huán)氧樹脂、硅樹脂、酚樹脂、紫外線固化樹脂、以及聚酰亞胺樹脂?？紤]到封裝上的安裝處理，樹脂優(yōu)選地具有150℃或者更高的耐熱性。另外，優(yōu)選地在二氧化硅膜14的整個(gè)表面上設(shè)置二氧化硅膜14上的吸聲部分20。然而，也可在二氧化硅膜14上局部設(shè)置吸聲部分20。
(第二示例性實(shí)施例)本發(fā)明的第二示例性實(shí)施例是在二氧化硅膜14與吸聲部分20之間插入氧化鋁膜16的示例?，F(xiàn)在參照?qǐng)D4，在第二示例性實(shí)施例中采用的彈性邊界波器件包括設(shè)置在二氧化硅膜14與吸聲部分20之間的氧化鋁膜16(第三介質(zhì))。氧化鋁膜16由與壓電基板10和二氧化硅膜14不同的材料制成。在第二示例性實(shí)施例中，與第一示例性實(shí)施例所采用的相同的部件和配置具有相同的參考標(biāo)記，并且省略對(duì)其的詳細(xì)描述。根據(jù)第二示例性實(shí)施例，在二氧化硅膜14上提供具有比二氧化硅膜14的聲速更高聲速的氧化鋁膜16，由此將彈性邊界波限制在二氧化硅膜14內(nèi)。另外，設(shè)置在氧化鋁膜16上的吸聲部分20減少了在氧化鋁膜16的表面上傳播的表面波的能量，由此減少了由該表面波引起的不必要響應(yīng)。
(第三示例性實(shí)施例)本發(fā)明的第三示例性實(shí)施例是在二氧化硅膜或者氧化鋁膜上設(shè)置有凸部的示例?，F(xiàn)在參照?qǐng)D5A，在壓電基板10(第一介質(zhì))上設(shè)置有電極12。在壓電基板10上設(shè)置有由與壓電基板10不同的材料制成的二氧化硅膜14(第二介質(zhì))以覆蓋電極12。在二氧化硅膜14上周期性地設(shè)置有由二氧化硅制成的多個(gè)凸部22a。參照?qǐng)D5B，在二氧化硅膜14上設(shè)置圖5B所示的氧化鋁膜16，并且還在氧化鋁膜16上周期性地設(shè)置有由氧化鋁制成的多個(gè)凸部22b。參照?qǐng)D5C，在二氧化硅膜14上不規(guī)則地設(shè)置多個(gè)凸部22c。參照?qǐng)D5D，在二氧化硅膜14上周期性地設(shè)置由氧化鋁制成的多個(gè)凸部22b。
參照?qǐng)D6A，在二氧化硅膜14上周期性地設(shè)置有由二氧化硅制成的多個(gè)凸部22a和由氧化鋁制成的多個(gè)凸部22b。參照?qǐng)D6B，在二氧化硅膜14上不規(guī)則地設(shè)置有由氧化鋁制成的多個(gè)凸部22d。參照?qǐng)D6C，在二氧化硅膜14上不規(guī)則地設(shè)置有由二氧化硅制成的多個(gè)凸部22c和由氧化鋁制成的多個(gè)凸部22d。參照?qǐng)D6D，在氧化鋁膜16上不規(guī)則地設(shè)置由氧化鋁制成的多個(gè)凸部22d，該氧化鋁膜16設(shè)置在二氧化硅膜14上。
參照?qǐng)D7A，在氧化鋁膜16上周期性地設(shè)置有由二氧化硅制成的凸部22a，所述氧化鋁膜16設(shè)置在二氧化硅膜14上。參照?qǐng)D7B，在氧化鋁膜16上周期性地設(shè)置有由二氧化硅制成的多個(gè)凸部22a和由氧化鋁制成的多個(gè)凸部22b，所述氧化鋁膜16設(shè)置在二氧化硅膜14上。參照?qǐng)D7C，在氧化鋁膜16上不規(guī)則地設(shè)置有由二氧化硅制成的多個(gè)凸部22c，所述氧化鋁膜16設(shè)置在二氧化硅膜14上。參照?qǐng)D7D，在氧化鋁膜16上不規(guī)則地設(shè)置有由二氧化硅制成的多個(gè)凸部22c和由氧化鋁制成的多個(gè)凸部22d，所述氧化鋁膜16設(shè)置在二氧化硅膜14上。
根據(jù)本發(fā)明的第三示例性實(shí)施例，在二氧化硅膜14上設(shè)置有多個(gè)凸部22a、多個(gè)凸部22b、多個(gè)凸部22c或者多個(gè)凸部22d。凸部22a、凸部22b、凸部22c或者凸部22d分散了在二氧化硅膜14或者氧化鋁膜16的表面上傳播的表面波。這樣使得能夠降低由該表面波引起的不必要響應(yīng)。在本發(fā)明的第三示例性實(shí)施例中，進(jìn)行如下構(gòu)造使得凸部22a、凸部22b、凸部22c或者凸部22d具有范圍從0.5μm到2.0μm的高度。然而，本發(fā)明不限于此。另外，在本發(fā)明的第三示例性實(shí)施例中，在二氧化硅膜14或者氧化鋁膜16的整個(gè)表面上設(shè)置多個(gè)凸部22a、多個(gè)凸部22b、多個(gè)凸部22c或者多個(gè)凸部22d。然而，僅需要提供凸部22a、凸部22b、凸部22c以及凸部22d中的至少一個(gè)，并且僅需要在二氧化硅膜14或者氧化鋁膜16的表面上局部地設(shè)置凸部。另外，在圖5A到5D中，圖6A到圖6D中以及圖7A到圖7D中所示的凸部22a、凸部22b、凸部22c以及凸部22d具有比電極12更小的周期(periodicity)、寬度以及間隙。然而，由于電極12的六個(gè)指是示意性地示出的，所以凸部22a、凸部22b、凸部22c以及凸部22d一般具有比電極12大的周期、寬度、以及間隙。
如圖5A、圖5B、圖5D、圖6A、圖7A以及圖7B所示，多個(gè)凸部22a或22b可具有與電極12不同的周期。多個(gè)凸部22a或者22b具有與電極12不同的周期，由此使得導(dǎo)致不必要響應(yīng)的表面波被分散。如圖5C、圖6B、圖6C、圖6D、圖7C以及圖7D所示，可以不規(guī)則地設(shè)置多個(gè)凸部22a或者22b。
如圖5A、圖5C、圖7A以及圖7C所示，可針對(duì)凸部22a或者凸部22c采用與二氧化硅膜14的材料相同的材料。如圖5B、圖5D、圖6B以及圖6D所示，可針對(duì)凸部22b或者凸部22d采用與二氧化硅膜14的材料不同的材料。如圖6A、圖6C、圖7B以及圖7D所示，可針對(duì)凸部22a或者凸部22c的一部分采用與二氧化硅膜14的材料相同的材料，并且針對(duì)凸部22b或者凸部22d的一部分采用與二氧化硅膜14的材料不同的材料。
如圖5B、圖6D、以及圖7A到圖7D所示，可將氧化鋁膜16設(shè)置在二氧化硅膜14與凸部22a、凸部22b、凸部22c或者凸部22d之間。如圖5B和圖6D所示，可針對(duì)凸部22b和凸部22d采用與氧化鋁膜16的材料相同的材料。如圖7B和圖7D所示，所述多個(gè)凸部的一部分可以由以與二氧化硅膜14的材料相同的材料制成的凸部22a或者凸部22c組成，并且所述多個(gè)凸部的另一部分可由與氧化鋁膜16的材料相同的材料制成的凸部22a或者凸部22c組成。這樣，可任意選擇用于凸部的材料。
(第四示例性實(shí)施例)本發(fā)明的第四示例性實(shí)施例是凸部包括三種不同材料的示例?，F(xiàn)在參照?qǐng)D8A，在二氧化硅膜14上不規(guī)則地設(shè)置有由二氧化硅制成的多個(gè)凸部22c、由氧化鋁制成的多個(gè)凸部22d、以及由與二氧化硅和氧化鋁不同的材料制成的多個(gè)凸部22e。
圖8B示出本發(fā)明的第四示例性實(shí)施例的另一示例。在二氧化硅膜14與凸部22c和凸部22d之間設(shè)置有氧化鋁膜16(第三介質(zhì))。根據(jù)第四示例性實(shí)施例，針對(duì)凸部22a到22e的每一個(gè)可以使用三種或者更多種不同的材料。在本發(fā)明的第四示例性實(shí)施例中，不規(guī)則地設(shè)置凸部22c、凸部22d以及凸部22e。然而，也可周期性地設(shè)置凸部22c、凸部22d以及凸部22e。
(第五示例性實(shí)施例)本發(fā)明的第五示例性實(shí)施例是凸部22c和凸部22d具有平面表面的示例?，F(xiàn)在參照?qǐng)D9A，在壓電基板10(第一介質(zhì))上設(shè)置有電極12。在壓電基板10上設(shè)置有由與壓電基板10不同的材料制成的二氧化硅膜14(第二介質(zhì))以覆蓋電極12。在二氧化硅膜14上不規(guī)則地設(shè)置有由氧化鋁制成的多個(gè)凸部22d。在凸部22d之間設(shè)置有由二氧化硅制成的凸部22c。
圖9B示出本發(fā)明的第五示例性實(shí)施例的另一示例。在二氧化硅膜14與凸部22c和凸部22d之間設(shè)置有氧化鋁膜16(第三介質(zhì))。根據(jù)本發(fā)明的第五示例性實(shí)施例，將由彼此不同的材料制成的凸部22c和凸部22d設(shè)置為彼此接觸，使得凸部22c和凸部22d具有成為一整體的平面表面。在本發(fā)明的第五示例性實(shí)施例中，不規(guī)則地設(shè)置凸部22c和凸部22d。然而也可周期性地設(shè)置凸部22c和凸部22d。另外，也可針對(duì)凸部22c和凸部22d，使用不同于第二介質(zhì)和第三介質(zhì)的其它材料。
(第六示例性實(shí)施例)本發(fā)明的第六示例性實(shí)施例是在二氧化硅膜或者氧化鋁膜上設(shè)置有一個(gè)或者更多個(gè)凸部和吸聲部分的示例?，F(xiàn)在參照?qǐng)D10A，在壓電基板10(第一介質(zhì))上設(shè)置有電極12。在壓電基板10上設(shè)置有由與壓電基板10不同的材料制成的二氧化硅膜14(第二介質(zhì))以覆蓋電極12。在二氧化硅膜14上周期性地設(shè)置有由二氧化硅制成的多個(gè)凸部22a。還在二氧化硅膜14和凸部22a上設(shè)置有例如由硅樹脂制成的吸聲部分20。
圖10B示出本發(fā)明的第六示例性實(shí)施例的另一示例。在二氧化硅膜14與凸部22a之間設(shè)置有氧化鋁膜16(第三介質(zhì))。根據(jù)第六示例性實(shí)施例，吸聲部分20減少了在二氧化硅膜14的表面和凸部22a的表面上或者在氧化鋁膜16的表面和凸部22a的表面上傳播的表面波的能量。
(第七示例性實(shí)施例)本發(fā)明的第七示例性實(shí)施例是氧化鋁膜16更厚的示例?，F(xiàn)在參照?qǐng)D11，在第七示例性實(shí)施例中采用的彈性邊界波器件包括排列在壓電基板10(第一介質(zhì))上的電極12。在壓電基板10上設(shè)置有由與壓電基板10不同的材料制成的二氧化硅膜14(第二介質(zhì))以覆蓋電極12。在二氧化硅膜14上將氧化鋁膜16(第三介質(zhì))設(shè)置得更厚。圖12是當(dāng)氧化鋁膜16的厚度h改變時(shí)，其中具有彈性邊界波器件的單端口諧振器的通帶特性中的表面波響應(yīng)的放大圖。當(dāng)氧化鋁膜16的厚度h逐漸增加到0.25λ、0.3λ以及0.35λ的厚度時(shí)(其中電極12的周期為λ)，來自表面波的響應(yīng)減少。另外，當(dāng)氧化鋁膜16的厚度h小于0.25λ時(shí)，邊界波衰減。這是不期望的。如上所述，氧化鋁膜16的厚度h較厚是優(yōu)選的。具體來說，通過使氧化鋁膜16的厚度h是周期λ的0.25倍或者更多，可抑制不必要響應(yīng)。另外，在圖9A和圖9B中使用的彈性邊界波器件中，二氧化硅膜14具有500nm的厚度，并且電極12具有2,000nm的周期。
在本發(fā)明的第一到第七示例性實(shí)施例中，已經(jīng)描述了如下示例，其中將LN壓電基板10用作第一介質(zhì)、將二氧化硅膜14用作第二介質(zhì)、將氧化鋁膜16用作第三介質(zhì)，并且針對(duì)電極12使用銅?？蛇x擇的是，第一介質(zhì)可由具有壓電性的材料(例如氧化鋰鉭(LiTaO3)基板)等制成，并且第二介質(zhì)可以由與第一介質(zhì)不同的材料制成。由于彈性邊界波被限制在邊界的外圍，因此優(yōu)選的是，第二介質(zhì)由具有比第一和第三介質(zhì)更低的聲速的材料制成。另外，僅電極12需要由導(dǎo)電材料制成。優(yōu)選的是，針對(duì)電極12采用諸如銅或者金的高密度金屬，以抑制彈性邊界波的反射。
雖然已經(jīng)示出并且描述了本發(fā)明中采用的幾個(gè)具體示例性實(shí)施例，但本領(lǐng)域的其他技術(shù)人員應(yīng)該理解，在不脫離本發(fā)明的原理和精神的情況下，可對(duì)這些示例性實(shí)施例進(jìn)行修改，本發(fā)明的范圍由所附權(quán)利要求及其等同物來限定。
本發(fā)明基于在2006年3月7日提交的日本專利申請(qǐng)2006-061693號(hào)，在此通過引用并入其全部公開內(nèi)容。
權(quán)利要求
1.一種彈性邊界波器件，該彈性邊界波器件包括具有壓電性的第一介質(zhì)；電極，其被設(shè)置在所述第一介質(zhì)上并激發(fā)彈性波；第二介質(zhì)，其由與所述第一介質(zhì)不同的材料制成，并且被設(shè)置在所述第一介質(zhì)上以覆蓋所述電極；以及吸聲部分，其被設(shè)置在所述第二介質(zhì)上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的彈性邊界波器件，所述彈性邊界波器件還包括被設(shè)置在所述第二介質(zhì)與所述吸聲部分之間的第三介質(zhì)，其中，所述第三介質(zhì)由與所述第一介質(zhì)和所述第二介質(zhì)不同的材料制成。
3.一種彈性邊界波器件，該彈性邊界波器件包括具有壓電性的第一介質(zhì)；電極，其被設(shè)置在所述第一介質(zhì)上并激發(fā)彈性波；第二介質(zhì)，其由與所述第一介質(zhì)不同的材料制成并且被設(shè)置在所述第一介質(zhì)上以覆蓋所述電極；以及凸部，其被設(shè)置在所述第二介質(zhì)上。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的彈性邊界波器件，其中，設(shè)置有具有與所述電極不同的周期的多個(gè)凸部。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的彈性邊界波器件，其中，不規(guī)則地設(shè)置有多個(gè)凸部。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的彈性邊界波器件，其中，所述凸部由與所述第二介質(zhì)相同的材料制成。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的彈性邊界波器件，其中，所述凸部由與所述第二介質(zhì)不同的材料制成。
8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的彈性邊界波器件，其中，設(shè)置有多個(gè)凸部，并且所述多個(gè)凸部的一部分由與所述第二介質(zhì)相同的材料制成，并且所述多個(gè)凸部的另一部分由與所述第二介質(zhì)不同的材料制成。
9.根據(jù)權(quán)利要求3所述的彈性邊界波器件，所述彈性邊界波器件還包括設(shè)置在所述第二介質(zhì)與所述凸部之間的第三介質(zhì)，其中，所述第三介質(zhì)由與所述第一介質(zhì)和所述第二介質(zhì)不同的材料制成。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的彈性邊界波器件，其中，所述凸部由與所述第三介質(zhì)相同的材料制成。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的彈性邊界波器件，其中，設(shè)置有多個(gè)凸部，所述多個(gè)凸部的一部分由與所述第二介質(zhì)相同的材料制成，并且所述多個(gè)凸部的另一部分由與所述第三介質(zhì)相同的材料制成。
12.一種彈性邊界波器件，該彈性邊界波器件包括具有壓電性的第一介質(zhì)；電極，其被設(shè)置在所述第一介質(zhì)上并激發(fā)彈性波；第二介質(zhì)，其由與所述第一介質(zhì)不同的材料制成，并且被設(shè)置在所述第一介質(zhì)上以覆蓋所述電極；以及第三介質(zhì)，其由與所述第一介質(zhì)和所述第二介質(zhì)不同的材料制成并且被設(shè)置在所述第二介質(zhì)上，其中，所述第三介質(zhì)的厚度為所述電極的周期0.25倍或者更多。
全文摘要
本發(fā)明公開一種彈性邊界波器件。該彈性邊界波器件包括具有壓電性的第一介質(zhì)；電極，其被設(shè)置在所述第一介質(zhì)上并激發(fā)彈性波；第二介質(zhì)，其由與所述第一介質(zhì)不同的材料制成并且被設(shè)置在所述第一介質(zhì)上以覆蓋所述電極；以及吸聲部分，其被設(shè)置在所述第二介質(zhì)上。
文檔編號(hào)H03H9/00GK101034879SQ20071008602
公開日2007年9月12日 申請(qǐng)日期2007年3月7日 優(yōu)先權(quán)日2006年3月7日
發(fā)明者松田聰, 三浦道雄, 松田隆志, 上田政則 申請(qǐng)人:富士通媒體部品株式會(huì)社, 富士通株式會(huì)社