專利名稱：具有壓電諧振器的壓電諧振裝置形成方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及壓電諧振裝置的形成方法，尤其涉及具有壓電諧振器的壓電 諧振裝置形成方法。
背景技術(shù)：
通常，壓電諧振裝置是使用壓電諧振器從具有各種頻率的電磁波(Hlectromagnetic Wave)得到具有所期望頻率的彈性波(Acoustic Wave )的 電子分立器件。此時(shí)，所述壓電諧振器可以通過前工藝步驟及后工藝步驟而 形成。所述前工藝步驟包含在成形體之間的對(duì)向面上形成內(nèi)部基片電極圖 案(pattern);以及對(duì)成形體進(jìn)行燒結(jié)及拋光工藝而形成成形基片,所述成形 體可以使用壓電材料而形成。并且，所述后工藝步驟包含在成形基片之間 的對(duì)向面的相對(duì)面上形成外部基片電極圖案；以及切割成形基片,.，所述各成形基片的厚度能夠保證向壓電諧振器提供具有所期望頻率的彈性波。但是，所述壓電諧振器有可能不在壓電諧振裝置上顯示具有所期望頻車 的彈性波。這是因?yàn)樗鰤弘娭C振器是經(jīng)過對(duì)成形體進(jìn)行燒結(jié)及拋光的工藝 步驟形成的。即，所述成形體在進(jìn)行燒結(jié)工藝之前在其間具有內(nèi)部基K電極 圖案。并且，在進(jìn)行燒結(jié)工藝時(shí)，所述成形體具有與內(nèi)部基片電極圖案不問 的熱膨脹系數(shù)而發(fā)生燒結(jié)。因此，在進(jìn)行所述燒結(jié)工藝之后，所述成形體可 能在與內(nèi)部基片電極圖案接觸的部位及內(nèi)部基片電極圖案周圍具有不同的厚 度。并且，所述成形體通過拋光工藝由于物理現(xiàn)象引起的重力影響可能在內(nèi) 部基片電極圖案的上部及下部具有不同的厚度。韓國授權(quán)專利公報(bào)"第10-(B07679號(hào)"(發(fā)明人竹島哲夫)公開了一種 所述壓電諧振器的形成方法。根據(jù)所述韓國授權(quán)專利公報(bào)"第10-0307679 號(hào)"，首先準(zhǔn)備多個(gè)電路基片(即成形體)。在所述電路基片上分別覆蓋導(dǎo)電 膏(Conductive Paste )。層疊所述電路基片之后，對(duì)這些基片進(jìn)行燒結(jié)而形成 層疊基件。此時(shí)，所述導(dǎo)電膏在經(jīng)過燒結(jié)之后分別形成為內(nèi)部電極。在所述 層疊基件被選擇的兩個(gè)側(cè)面分別形成極化電極。使用所述極化電極對(duì)層疊基
件進(jìn)行極化。切割所述層疊基件形成層疊體。在所述層疊休上形成絕緣膜及 外部電極。切割所述外部電極、絕緣膜及層疊體形成壓電諧振器,.但是，所述壓電諧振器形成方法在電路基片之間介入導(dǎo)電膏之后通過燒 娃工t形成內(nèi)郜電板。此時(shí)，所述電路基片通過燒結(jié)工藝可能在與導(dǎo)電'g'接 觸的部位及導(dǎo)電膏周圍具有不同的厚度。并且，因?yàn)樗鰤弘娭C振器形成方 法需要經(jīng)過復(fù)雜的步驟，所以會(huì)提高制造成本。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的在于提供能夠最大限度地減小制造工藝對(duì)成形休造成的影 響以提高壓電諧振器的電氣性能的壓電諧振裝置形成方法。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供具有壓電諧振器的壓電諧振裝置形成方法。該形成方法的第一實(shí)施例包含步驟準(zhǔn)備兩個(gè)成形體，所述成形體分別 形成為由六個(gè)平面包圍的立體形狀；對(duì)所述成形體進(jìn)行燒結(jié)工藝對(duì)所述成 形體進(jìn)行拋光工藝而分別形成成形基片；在所述成形基片之間的對(duì)向面及所 述對(duì)向面的相對(duì)面上分別形成基片極化膜；使用所述基片極化膜對(duì)所述成形 基片進(jìn)行極化；使用所述基片極化膜在所述成形基片上形成內(nèi)部基片電極圖 案及外部基片電極圖案，所述內(nèi)部及外部基片電極圖案分別形成在所述成形 基片之間的所述對(duì)向面及所述相對(duì)面上；在所述成形基片之間的所述對(duì)向面 上形成粘接劑；切割所述成形基片形成至少一個(gè)壓電諧振圖案，所述壓電諧 振圖案具有連接粘接圖案、絕緣粘接圖案、諧振圖案、外部諧振電極圖案及 內(nèi)部諧振電極圖案，所述外部及內(nèi)部諧振電極圖案以及所述諧振圖案分別對(duì) 應(yīng)于所述外部及內(nèi)部基片電極圖案以及所述成形基片，所述連接粘接圖案及 絕緣粘接圖案對(duì)應(yīng)于所述粘接劑；形成壓電諧振器，該壓電諧振器在所述內(nèi) 部諧振電極圖案之間以及所述外部諧振電極圖案之間具有連接電極使連接電 極位于所述壓電諧振圖案上。所述形成方法的第二實(shí)施例包含步驟準(zhǔn)備兩個(gè)以上的偶數(shù)個(gè)成形體、 所述成形體分別形成為由六個(gè)平面包圍的立體形狀；對(duì)所述成形體進(jìn)行燒結(jié) 工藝；對(duì)所述成形體進(jìn)行拋光工藝而分別形成成形基片；在所述成形基片之 間的對(duì)向面及所述對(duì)向面的相對(duì)面上形成基片極化膜；使用所述基片極化膜 對(duì)所述成形基片進(jìn)行極化；從所述成形基片中選擇兩個(gè)成形基片，在所述兩
個(gè)成形基片上形成內(nèi)部基片電極圖案及外部基片電極圖案，所述內(nèi)部及外部 基片電極圖案通過使用所述基片極化膜而分別形成在所述兩個(gè)成形基片之間的所述對(duì)向面及所述相對(duì)面上；在所述兩個(gè)成形基片之間的所述對(duì)向面上形 成粘接劑切割所速兩個(gè)成形基片形成至少一個(gè)壓電諧振圖案，所述壓電諧 振圖案具有連接粘接圖案、絕緣粘接圖案、諧振圖案、外部諧振電極圖案及 內(nèi)部諧振電極圖案，所述外部及內(nèi)部諧振電極圖案以及所述諧振圖案分別對(duì) 應(yīng)于所述外部及內(nèi)部基片電極圖案以及所述成形基片，所述連接粘接圖案及 絕緣粘接圖案對(duì)應(yīng)于所述粘接劑；形成壓電諧振器，該壓電諧振器在所述內(nèi) 部諧振電極圖案之間以及所述外部諧振電極圖案之間具有連接電極使連接電 極位于所述壓電諧振圖案上；從剩余的所述成形基片中以兩個(gè)為單位反復(fù)選 擇成形基片并依次形成所述內(nèi)部基片電極圖案及外部基片電極圖案、所述粘 接劑、所述壓電諧振圖案以及所述壓電諧振器。所述形成方法的第三實(shí)施例包含步驟準(zhǔn)備兩個(gè)以上的偶數(shù)個(gè)成形體， 所述成形體分別形成為由六個(gè)平面包圍的立體形狀；對(duì)所述成形體進(jìn)行燒結(jié) 工藝；對(duì)所述成形體進(jìn)行拋光工藝而分別形成成形基片；在所述成形基片之 間的對(duì)向面及所述對(duì)向面的相對(duì)面上形成基片極化膜；使用所述基片極化膜 對(duì)所述成形基片進(jìn)行極化；從所述成形基片中選擇兩個(gè)成形基片，在所述兩 個(gè)成形基片上形成內(nèi)部基片電極圖案及外部基片電極圖案，所述內(nèi)部及外部 基片電極圖案通過使用所述基片極化膜而分別形成在所述兩個(gè)成形基片之間 的所述對(duì)向面及所述相對(duì)面上；在所述兩個(gè)成形基片之間的所述對(duì)向而上形 成粘接劑；從剩余的所述成形基片中以兩個(gè)為單位反復(fù)選擇成形基片依次形 成所述內(nèi)部及外部基片電極圖案以及所述粘接劑；切割所述成形基片形成壓 電諧振圖案，所述各壓電諧振圖案分別具有連接粘接圖案、絕緣粘接圖案、 諧振圖案、外部諧振電極圖案及內(nèi)部諧振電極圖案，所述外部及內(nèi)部諧振電 極圖案以及所述諧振圖案分別對(duì)應(yīng)于所述外部及內(nèi)部基片電極圖案以及所述 成形基片，所述連接粘接圖案及絕緣粘接圖案對(duì)應(yīng)于所述粘接別從所述壓 電諧振圖案中以 一 個(gè)為單位反復(fù)選擇壓電諧振圖案而形成多個(gè)壓電諧振器， 該壓電諧振器在所述一 個(gè)壓電諧振圖案上具有連接電極使所述連接電極位于 所述內(nèi)部諧振電極圖案之間及所述外部諧振電極圖案之間。所述形成方法的第四實(shí)施例包含步驟準(zhǔn)備兩個(gè)成形體，所述成形體分 別形成為由六個(gè)平面包圍的立體形狀；對(duì)所述成形體進(jìn)行燒結(jié)工藝對(duì)所述
成形體進(jìn)4亍4她光工藝而分別形成成形基片；在所述成形基片之間的對(duì)向面及 所述對(duì)向面的相對(duì)面上分別形成內(nèi)部基片電極圖案及外部基片電極圖案使 用所述外部及內(nèi)部基片電極圖案對(duì)所述成形基片進(jìn)行極化；在所述成形基片 之間的所速對(duì)向而上形成粘接劑；切刻所速成形基片形成至少 一個(gè)壓電諧振 圖案，所述壓電諧振圖案具有連接粘接圖案、絕緣粘接圖案、諧振圖案、外 部諧振電極圖案及內(nèi)部諧振電極圖案，所述外部及內(nèi)部諧振電極圖案以及所 述諧振圖案分別對(duì)應(yīng)于所述外部及內(nèi)部基片電極圖案以及所述成形基片，所 述連接粘接圖案及絕緣粘接圖案對(duì)應(yīng)于所述粘接劑；形成壓電諧振器，該壓 電諧振器在所述內(nèi)部諧振電極圖案之間以及所述外部諧振電極圖案之間具有 連接電極使連接電極位于所述壓電諧振圖案上c


圖1至圖7分別是用于說明依據(jù)本發(fā)明所提供的壓電諧振器形成方法的 示意圖；圖8是表示具有圖7所示的壓電諧振器的層疊型壓電諧振裝置的剖面圖； 圖9是表示具有圖7所示的壓電諧振器的罩(Cap)型壓電諧振裝置的 剖面圖。
具體實(shí)施方式
以下，參照附圖詳細(xì)說明具有本發(fā)明所提供的壓電諧振器的壓電諧振裝 置形成方法。圖1至圖7分別是用于說明依據(jù)本發(fā)明所提供的壓電諧振器形成方法的示意圖。如圖1所示，準(zhǔn)備兩個(gè)成形體2、 4。所述成形體可以由成形塊(未圖示) 得到。即，可以通過將本領(lǐng)域4支術(shù)人員所熟知的壓制(Press )、鑄造(Casting ) 或擠壓技術(shù)應(yīng)用在成形塊上而形成所述成形體2、 4。所述成形體2、 4分別 具有六個(gè)平面。并且，所述成形體2、 4可以為兩個(gè)以上的偶數(shù)個(gè),，并且'所 述成形塊可以使用壓電材料(Piezoelectric Material )而形成、此時(shí)，所述成形塊可以由多個(gè)晶體構(gòu)成。如圖1及圖2所示，對(duì)所述成形體2、 4進(jìn)行燒結(jié)。所述燒結(jié)工藝以預(yù)定 溫度加熱成形體2、 4使成形體2、 4硬化。所述燒結(jié)工藝中采用的預(yù)定溫度
可以取本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知的可使成形體2、 4硬化的溫度范圍或本領(lǐng)域技 術(shù)人員所熟知的可以提高圖7所示的壓電諧振器80電氣性能的溫度范圍內(nèi)的 適當(dāng)值。接著，在所述燒結(jié)工藝之后，對(duì)所述成形體2、 4分別進(jìn)行拋光工藝 而形成如圉2所示的成形基片6、 8 另外，當(dāng)成形體2、 4為兩個(gè)時(shí)，根據(jù)本發(fā)明第一及第四實(shí)施例形成所述 成形基片6、 8包含步驟在拋光裝置內(nèi)按二維方向排列所述成形體2、 4; 以及對(duì)所述成形體2、 4同時(shí)進(jìn)行拋光。與此不同，根據(jù)本發(fā)明第一及第四實(shí) 施例形成所述成形基片6、 8也可以包含步驟將所述成形體2、 4中的某一 個(gè)成形體(2或4 ) 4殳入到拋光裝置內(nèi)；對(duì)所述某一個(gè)成形體(2或4 )進(jìn)行 拋光；將所述成形體2、 4中剩余的一個(gè)成形體(4或2 )投入到拋光裝置內(nèi)； 對(duì)所述成形體2、 4中剩余的一個(gè)成形體(4或2 )進(jìn)行拋光。由此，可以使 所述成形基片6、 8通過拋光工藝而具有相同厚度。并且，當(dāng)準(zhǔn)備了兩個(gè)以上且為偶數(shù)個(gè)的成形體時(shí)，根據(jù)本發(fā)明第二及第 三實(shí)施例，形成成形基片包含步驟在拋光裝置內(nèi)按二維方向排列所述成形 體；以及對(duì)所述成形體同時(shí)進(jìn)行拋光。與此不同，形成所述成形基片也可以 包含步驟選擇所述成形體中的一個(gè)成形體投入到拋光裝置內(nèi)對(duì)所述被選 擇的一個(gè)成形體進(jìn)行拋光工藝；在剩余的所述成形體中以一個(gè)為單位反復(fù)選 擇成形體，并將所選擇的成形體依次投入到拋光裝置內(nèi)進(jìn)行所述拋光工藝。 由此，可以使所述成形基片通過拋光工藝而具有相同厚度，如圖2及圖3所示，在所述成形基片6、 8上形成如圖3所示的基片極化 膜12、 14。所述基片極化膜12、 14可以使用包含銀(Ag)的導(dǎo)電材料形成.。 所述各基片極化膜12、 14可以使用至少一個(gè)導(dǎo)電膜而形成。當(dāng)準(zhǔn)備了兩個(gè)成 形體2、 4時(shí)，根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例所述成形基片6、 8通過使用基片極化 膜12、 14而^^皮極化。為此，所述成形基片6, 8的極化步驟包含在基片極化 膜12、 14上直接接觸電導(dǎo)線而將成形基片6、 8內(nèi)晶體的極化軸對(duì)齊為一列 的步驟。與此不同，所述成形基片6、 8的極化步驟可以包含在基片極化膜 12、 14周圍形成電場而將成形基片6、 8內(nèi)晶體的極化軸對(duì)齊為一列的步驟。 另外，當(dāng)準(zhǔn)備了兩個(gè)以上且為偶數(shù)個(gè)的成形體時(shí)，根據(jù)本發(fā)明第二及第 三實(shí)施例，成形基片使用基片極化膜被極化。此時(shí)，所述成形基片的極化步 驟包含在基片極化膜上直接接觸電導(dǎo)線而將成形基片內(nèi)晶體的極化軸對(duì)齊為 一列的步驟。與此不同，所述成形基片的極化步驟可以包含在基片極化膜周
圍形成電場而將成形基片內(nèi)晶體的極化軸對(duì)齊為一列的步驟 因此，衣發(fā)明 第二及第三實(shí)施例所使用的基片極化膜可以采用與本發(fā)明第 一 實(shí)施例所使用的基片極化膜12、 14相同的材料而形成。本發(fā)明的第二及第三實(shí)施例所使用 的各基片板化膜可以卩走用至少 一 個(gè)導(dǎo)電膜而形成。本發(fā)明的第四實(shí)施例與本 發(fā)明的第一至第三實(shí)施例不同，成形基片6、 8上不具有基片極化膜i2, 14。 參照?qǐng)D3及圖4，根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例，在所述成形基片6、 8上形 成內(nèi)部及外部基片電極圖案16、 18,如圖4所示。所述內(nèi)部及外部基片電極 圖案16、 18可以分別形成在成形基片6、 8之間的對(duì)向面及所述對(duì)向面的相 對(duì)面上。為此，當(dāng)準(zhǔn)備了兩個(gè)成形體2、 4時(shí)，形成所述內(nèi)部及外部基對(duì)電極 圖案16、 18的過程包含步驟在所述基片極化膜12、"上形成光刻膠 (Photoresist)圖案；將所述光刻膠圖案及成形基片6、 8分別用作蝕刻掩膜 及蝕刻緩沖層而去除基片極化膜12、 14;從成形基片6、 8上除去所述光刻 膠圖案。此時(shí)，所述光刻膠圖案可以分別對(duì)應(yīng)于各內(nèi)部基片電極圖案16而形 成。接著，形成所述內(nèi)部及外部基片電極圖案16、 18的過程還包含步驟在 所述基片極化膜12、 14上形成另一光刻膠(Photoresist)圖案；將所述另一 光刻膠圖案及所述成形基片6、 8用作蝕刻掩膜及蝕刻緩沖層而去除基片極化 膜12、 14;從成形基片6、 8上除去所述另一光刻膠圖案。此時(shí)，所述另一 光刻膠圖案可以分別對(duì)應(yīng)于各外部基片電極圖案18而形成。由此，所述外部 基片電極圖案18可以位于內(nèi)部基片電極圖案16之間而與內(nèi)部基片電極圖案 16發(fā)生重疊。與此不同，所述外部基片電極圖案18可以位于內(nèi)部基片電極 圖案16之間。再參照?qǐng)D3及圖4，當(dāng)準(zhǔn)備了兩個(gè)以上且為偶數(shù)個(gè)的成形體時(shí)，根據(jù)本 發(fā)明第二及第三實(shí)施例，從所準(zhǔn)備的成形體中選擇兩個(gè)成形體并按照與本發(fā) 明第一實(shí)施例中相同的方法在所述兩個(gè)成形基片6、 8上形成內(nèi)部基片電極圖 案16及外部基片電極圖案18。因此，所述內(nèi)部及外部基片電極圖案16、 18 可以使用基片極化膜12、 14而分別形成在所述兩個(gè)成形基片6、 8之間的對(duì) 向面及所述對(duì)向面的相對(duì)面上。另外，形成所述內(nèi)部及外部基片電極圖案16、 18的過程包含步驟在所 述基片極化膜12、 14上形成光刻膠圖案；將所述光刻膠圖案及所述兩個(gè)成形 基片6、 8分別用作蝕刻掩膜及蝕刻緩沖層而去除基片極化膜12、 14;從所
述兩個(gè)成形基片6、 8上除去所述光刻膠圖案。此時(shí)，所述光刻膠圖案可以分 別對(duì)應(yīng)于各內(nèi)部基片電極圖案16而形成。接著，形成所述內(nèi)部及外部基片電極圖案16、 18的過程還包含步驟在 所速基片極化膜12、 14上形成另一光刻膠圖案；將所述另一光刻膠圖案及所 述兩個(gè)成形基片6、 8用作蝕刻掩膜及蝕刻緩沖層而去除基片極化膜12、 14; 從所述兩個(gè)成形基片6、 8上除去所述另一光刻膠圖案。此時(shí)，所述另一光刻 膠圖案可以分別對(duì)應(yīng)于各外部基片電極圖案18而形成。由此，所述外部基片 電極圖案18可以位于內(nèi)部基片電極圖案16之間而與內(nèi)部基片電極圖案16發(fā) 生重疊。與此不同，所述外部基片電極圖案18可以位于內(nèi)部基片電極圖案 16之間。再次參照?qǐng)D3及圖4，與本發(fā)明的第一至第三實(shí)施例不同，根據(jù)本發(fā)明 的第四實(shí)施例，當(dāng)準(zhǔn)備了兩個(gè)成形體2、 4時(shí)，在所述成形基片6、 8之間的 對(duì)向面及所述對(duì)向面的相對(duì)面上分別形成內(nèi)部基片電極圖案16及外部基片 電極圖案18。為此，形成所述內(nèi)部及外部基片電極圖案16、 18的過程包含 步驟在所述成形基片6、 8上形成導(dǎo)電膏圖案；以及在所述成形基片6、 8 上形成另一導(dǎo)電膏圖案。并且，形成所述內(nèi)部及外部基片電極圖案16、 18的 過程還包含對(duì)所述成形基片(6、 8)、導(dǎo)電膏圖案及另一導(dǎo)電膏圖案進(jìn)行熱處 理的步驟。所述導(dǎo)電膏及另一導(dǎo)電膏可以使用包含銀(Ag)的導(dǎo)電材料而形 成。另外，所述導(dǎo)電膏圖案可以分別對(duì)應(yīng)于各內(nèi)部基片電極圖案16而形成。 所述另一導(dǎo)電膏圖案可以分別對(duì)應(yīng)于各外部基片電極圖案18而形成。并且， 所述外部基片電極圖案18可以位于內(nèi)部基片電極圖案16之間而與內(nèi)部基片 電極圖案16發(fā)生重疊。與此不同，所述外部基片電極圖案18可以位于內(nèi)部 基片電極圖案16之間。接著，根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例，通過使用內(nèi)部及外部 基片電極圖案16、 18對(duì)所述成形基片6、 8進(jìn)行極化。為此，所述成形基片 6、 8的極化步驟包含在所述內(nèi)部及外部基片電極圖案i6、 18上直接接觸電 導(dǎo)線而將成形基片6、 8內(nèi)晶體的極化軸對(duì)齊為一列的步驟.與此不同.所述 成形基片6、 8的極化步驟可以包含在所述內(nèi)部及外部基片電極圖案16、 18 周圍形成電場而將成形基片6、 8內(nèi)晶體的極化軸對(duì)齊為一列的步驟。參照?qǐng)D4及圖5，當(dāng)準(zhǔn)備了兩個(gè)成形體2、 4時(shí)，根據(jù)本發(fā)明的第一及第 四實(shí)施例，在所述成形基片6、 8之間的對(duì)向面上形成如圖5所示的粘接劑
29。所述粘接劑29使用連接粘接膜24及絕緣粘接膜28而形成..所述絕緣粘 接膜28可以使用絕緣材料而形成。所述連接粘接膜24可以使用導(dǎo)電材料而 形成。此時(shí)，所述連接粘接膜24可以與內(nèi)部基片電極圖案16接觸，而所述 絕緣粘接膜28可以位于內(nèi)部基片電極圖案16之間與成形基片6、 8接觸 與此不同，當(dāng)準(zhǔn)備了兩個(gè)以上且為偶數(shù)個(gè)的成形體時(shí)，根據(jù)本發(fā)明第二 及第三實(shí)施例，從成形基片中選擇兩個(gè)成形基片并在所述兩個(gè)成形基片6、 8 之間的所述對(duì)向面上形成粘接劑29。所述粘接劑29使用連接粘接膜24及絕 緣粘接膜28而形成。此時(shí)，所述連接粘接膜24可以與內(nèi)部基片電極圖案16 接觸，而所述絕緣粘接膜28可以位于內(nèi)部基片電極圖案16之間與成形基片 6、 8接觸。參照?qǐng)D5及圖6，當(dāng)準(zhǔn)備了兩個(gè)成形體2、 4時(shí)，根據(jù)本發(fā)明的第一及第 四實(shí)施例，切割所述成形基片6、 8形成至少一個(gè)壓電諧振圖案70,如圖6 所示。切割所述成形基片6、 8可以使用切割鋸(Dicing Saw)技術(shù)進(jìn)行。所 述壓電諧振圖案70具有外部諧振電極圖案(34、 38)、諧振圖案(44、 48)、 內(nèi)部諧振電極圖案(54、 58)、連接粘接圖案64及絕緣粘接圖案68。所述絕 緣粘接圖案68可以位于諧振圖案44、 48之間與連接粘接圖案64、外部諧振 電極圖案(34、 38)及內(nèi)部諧振電極圖案(54、 58)接觸。所述絕緣粘接圖 案68對(duì)應(yīng)于絕緣粘接膜28。所述連接粘接圖案64可以位于內(nèi)部諧振電極圖 案54、 58之間。所述連接粘接圖案64對(duì)應(yīng)于連接粘接膜24。所述內(nèi)部諧振電極圖案54、 58位于諧振圖案44、 48之間的對(duì)向面一側(cè) 而相互對(duì)望。所述外部諧振電極圖案34、 38可以形成在諧振圖案44、 48之 間的對(duì)向面的相對(duì)面上，從而與諧振圖案44、 48的對(duì)向面另一側(cè)重疊所述 外部諧振電極圖案34、 38可以與內(nèi)部諧振電極圖案54、 58重疊 所述外部 諧振電極圖案34、 38可以不與內(nèi)部諧振電極圖案54、 58重疊。所述內(nèi)部及 外部諧振電極圖案54、 58、 34、 38分別對(duì)應(yīng)于內(nèi)部及外部基片電極圖案16、 18。形成所述壓電諧振圖案70時(shí)，如圖5所示，先沿著切割線A1 - A2 、 A3 - A4 、 A5-A6、 A7-A8、 A9-A10穿過所述內(nèi)部及外部基片電極圖案16、 18之間、然 后沿著切割線B1-B2橫穿所述內(nèi)部及外部基片電極圖案16、 18而切割成形基 片6、 8。與此不同，形成所述壓電諧振圖案70時(shí)，可以先沿著切割線Bl-B2 依次橫穿所述內(nèi)部及外部基片電極圖案16、 18,然后沿著切割線A1-A2、A3-A4、 A5-A6、 A7-A8、 A9-A10穿過所述內(nèi)部及外部基片電極圖案16- 18 之間而切割成形基片6、 8。再參照?qǐng)D5及圖6，當(dāng)準(zhǔn)備了兩個(gè)以上且為偶數(shù)個(gè)的成形體時(shí)，根據(jù)本 發(fā)明第二賣施例，在所迷成形基片中選捧兩個(gè)成形基片并切割所述兩個(gè)成形 基片6、 8而形成至少一個(gè)壓電諧振圖案70。切割所述兩個(gè)成形基片6、 8可 以使用切割鋸(Dicing Saw)技術(shù)進(jìn)行。所述壓電諧振圖案70具有外部諧振 電極圖案(34、 38)、諧振圖案(44、 48)、內(nèi)部諧振電極圖案(54、 58)、連 接粘接圖案64及絕緣粘接圖案68。所述絕緣粘接圖案68可以位于諧振圖案 44、 48之間與連接粘接圖案64、外部諧振電極圖案(34、 38)及內(nèi)部諧振電 極圖案(54、 58)接觸。所述絕緣粘接圖案68對(duì)應(yīng)于絕緣粘接膜28,.,所述 連接粘接圖案64可以位于內(nèi)部諧振電極圖案54、 58之間。所述連接粘接圖 案64對(duì)應(yīng)于連接粘接膜24。所述內(nèi)部諧振電極圖案54、 58位于諧振圖案44、 48之間的對(duì)向面一側(cè) 而相互對(duì)望。所述外部諧振電極圖案34、 38可以形成在諧振圖案44、 48之 間的對(duì)向面的相對(duì)面上，從而與諧振圖案44、 48的對(duì)向面另一側(cè)重疊.，所述 外部諧振電極圖案34、 38可以與內(nèi)部諧振電極圖案54、 58重疊.所述外部 諧振電極圖案34、 38可以不與內(nèi)部諧振電極圖案54、 58重疊,，所述內(nèi)部及 外部諧振電極圖案54、 58、 34、 38分別對(duì)應(yīng)于內(nèi)部及外部基片電極圖案16、 18。形成所述壓電諧振圖案70時(shí)，如圖5所示，先沿著切割線A1 -A2、 A3-A4、 A5-A6、 A7-A8、 A9-A10穿過所述內(nèi)部及外部基片電極圖案16, 18之間,然 后沿著切割線B1-B2橫穿所述內(nèi)部及外部基片電極圖案16、 ！8而切割成形基 片6、 8。與此不同，形成所述壓電諧振圖案70時(shí)，可以先沿著切割線B卜B2 橫穿所述內(nèi)部及外部基片電極圖案16、 18，然后沿著切割線Al-A2、 A3-A4、 A5-A6、 A7-A8、 A9-A10穿過所述內(nèi)部及外部基片電極圖案16、 18之間而切 割成形基片6、 8。再次參照?qǐng)D5及圖6，當(dāng)準(zhǔn)備了兩個(gè)以上且為偶數(shù)個(gè)的成形體時(shí)，根據(jù) 本發(fā)明第三實(shí)施例，在剩余的成形基片中以兩個(gè)為單位反復(fù)選擇成形基片依 次形成所述內(nèi)部及外部基片電極圖案以及所述粘接劑。由此，本發(fā)明第三實(shí) 施例可以提供多對(duì)成形基片。接著，切割所述成形基片形成壓電諧振圖案。 切割所述成形基片可以使用切割鋸技術(shù)進(jìn)行。
所述各壓電諧振圖案具有與圖6示出的壓電諧振圖案70相同的結(jié)構(gòu),.因 此，所述各壓電諧振圖案分別具有外部諧振電極圖案(34、 38 )、諧振圖案(44、 48)、內(nèi)部諧振電極圖案(54、 58)、連接粘接圖案64及絕緣粘接圖案68。斬速地《泉4M4圉棄68可以 <立子ilN展圖案44 、 48之間與連4妄粘4秦圖案64 、外部諧振電極圖案(34、 38)及內(nèi)部諧振電極圖案(54、 58)接觸。所述絕緣 粘接圖案68對(duì)應(yīng)于絕緣粘接膜28。所述連接粘接圖案64可以位于內(nèi)部諧振 電極圖案54、 58之間。所述連接粘接圖案64對(duì)應(yīng)于連接粘接膜24 所述內(nèi)部諧振電極圖案54、 58如圖6所示，位于諧振圖案44、 48之間 的對(duì)向面一側(cè)而相互對(duì)望。所述外部諧振電極圖案34、 38可以形成在諧振圖 案44、 48之間的對(duì)向面的相對(duì)面上，從而與諧振圖案44、 48的對(duì)向面另--側(cè)重疊。所述外部諧振電極圖案34、 38可以與內(nèi)部諧振電極圖案54、 58重 疊。所述外部諧振電極圖案34、 38可以不與內(nèi)部諧振電極圖案54、 58重疊。 所述內(nèi)部及外部諧振電極圖案54、 58、 34、 38分別對(duì)應(yīng)于內(nèi)部及外部基片電 極圖案16、 18。形成所述壓電諧振圖案時(shí)，如圖5所示，先沿著切割線A卜A2、 A3-A4、 A5-A6、 A7-A8、 A9-A10穿過所述內(nèi)部及外部基片電極圖案16、 18之間，然 后沿著切割線B1 -B2橫穿所述內(nèi)部及外部基片電極圖案16、 18而切割成形基 片。與此不同，形成所述壓電諧振圖案時(shí)，可以先沿著切割線B1-B2橫穿所 述內(nèi)部及外部基片電極圖案16、 18，然后沿著切割線A1-A2、 A3-A4、 A5-A6、 A7-A8、 A9-A10穿過所述內(nèi)部及外部基片電極圖案16、 18之間而切割成形 基片。參照?qǐng)D6及圖7，當(dāng)準(zhǔn)備了兩個(gè)成形體2、 4時(shí)，根據(jù)本發(fā)明的第一及第 四實(shí)施例形成壓電諧振器80,該壓電諧振器80在外部諧振電極圖案34、 38 之間以及內(nèi)部諧振電極圖案54、 58之間具有連接電極74、 78，以使連接電 極74、 78位于所述壓電諧振圖案70上。所述各連接電極74、 78分別使用至 少一個(gè)導(dǎo)電膜而形成。由此，所述連接電極74、 78可以與外部諧振電極圖案 (34、 38)、諧振圖案(44、 48)、內(nèi)部諧振電極圖案(54、 58)、連接粘接圖 案64及絕緣粘接圖案68進(jìn)行接觸。此時(shí)，所述連接電極74、 78中間隔著諧 振圖案44、 48而被電絕緣。所述連接電極74、 78由于壓電諧振圖案70結(jié)構(gòu) 可能具有不同的厚度。所述連接電極74、 78也可以具有相同厚度。另外，當(dāng)準(zhǔn)備了兩個(gè)以上且為偶數(shù)個(gè)的成形體時(shí)，本發(fā)明第二實(shí)施例與
本發(fā)明第一實(shí)施例相同，提供在所述外部諧振電極圖案34、 38之間以及所述 內(nèi)部諧振電極圖案54、 58之間具有連接電極74、 78使連接電極74、 78位于 所述壓電諧振圖案70上的壓電諧振器80。并且，在剩余的所述成形基片中 以瑪+為單位反復(fù)選槔成形基片依次形成所述內(nèi)部基片電極圖案16及外部 基片電極圖案18、所述粘接劑29、所述壓電諧振圖案70以及所述壓電諧振 器80。并且，本發(fā)明第三實(shí)施例不同于本發(fā)明第一及第二實(shí)施例，在壓電諧 振圖案中以 一個(gè)為單位反復(fù)選擇壓電諧振圖案，從而可以提供多個(gè)在所述一 個(gè)壓電諧振圖案70上具有連接電極74、 78使所述連接電極74、 78位于所述 外部諧振電極圖案34、 38之間及所述內(nèi)部諧振電極圖案54、 58之間的壓電 諧振器80。根據(jù)本發(fā)明的第二及第三實(shí)施例，所述連接電極74、 78由于壓 電諧振圖案70的結(jié)構(gòu)可能具有不同的厚度。所述連接電極74, 78也可以具 有相同厚度。圖8是表示具有圖7所示的壓電諧振器的層疊型壓電諧振裝置的剖面圖， 圖9是表示具有圖7所示的壓電諧振器的罩型壓電諧振裝置的剖面圖。參照?qǐng)D7及圖8,準(zhǔn)備保護(hù)罩115及諧振基件(Resonant Base) 94以及 壓電諧振器80。所述壓電諧振器80可以根據(jù)本發(fā)明的第一至第四實(shí)施例中 的一種方法加以形成。所述諧振基件94可以使用陶資材料加以形成。所述諧 振基件94具有諧振凹槽98。所述諧振基件94的諧振凹槽98具有相互隔開 的側(cè)壁SW1 、 S W2 。在所述諧振凹槽94的側(cè)壁S W1 、 S W2之間設(shè)有安裝面 MSI ( Mounting Surface 1 ) 接著，在所述諧振基件94上形成保護(hù)粘接膜105,, 所述保護(hù)粘接膜105可以形成在諧振基件94上以圍繞諧振凹槽98。所述保 護(hù)粘接膜105可以使用絕緣材料而形成。在所述諧振基件94上安裝壓電諧振器80。此時(shí)，所述壓電諧振器8()可 以位于諧振凹槽98的安裝面MS1上，由此，所述壓電諧振器8()可以使用連 接電極74、 78與諧振基件94進(jìn)行電連接。并且，在所述諧振基件94上形成 保護(hù)罩115。所述保護(hù)罩115可以使用陶瓷材料加以形成。此時(shí)，所述保護(hù)罩 115可以使用保護(hù)粘接膜105而被貼附在諧振基件94上。由此.所述保護(hù)罩 !15與壓電諧振器80及諧振基件94 一起形成層疊型壓電諧振裝置12(X參照?qǐng)D7及圖9,準(zhǔn)備保護(hù)罩145及板基件(Plate Base) 125以及壓電 諧振器80。所述壓電諧振器80可以根據(jù)本發(fā)明的第一至第四實(shí)施例中的一 種方法加以形成。所述板基件125可以使用陶瓷材料加以形成。所述板基件J25具有安裝面MS2。接著，在所述板基件125上安放壓電諧振器80。此時(shí)， 所述壓電諧振器80可以位于板基件125的安裝面MS2上,.由此，所述壓電 諧振器80可以使用連接電極74、 78與板基件125進(jìn)行電連接，在所速板基件125上形成保護(hù)粘接膜135。所迷保護(hù)粘接膜135可以形 成在板基件125上以圍繞壓電諧振器80。所述保護(hù)粘接膜135可以使用絕緣 材料加以形成。此時(shí)，所述保護(hù)罩145可以使用保護(hù)粘接膜135貼附在板基 件125上。由此，所述保護(hù)罩145與壓電諧振器80及板基件125 —起形成罩 型壓電諧振裝置150。綜上所述，本發(fā)明提供具有壓電諧振器的壓電諧振裝置形成方法。由此. 本發(fā)明通過先對(duì)成形體進(jìn)行燒結(jié)及拋光工藝而最大限度地減小制造工藝對(duì)成 形體造成的影響，從而可以提高壓電諧振器的電氣性能。
權(quán)利要求
1. 一種壓電諧振裝置的形成方法，其特征在于包含步驟準(zhǔn)備兩個(gè)成形體，所述各成形體分別形成為由六個(gè)平面包圍的立體形狀；對(duì)所述成形體進(jìn)行燒結(jié)工藝；對(duì)所述成形體進(jìn)行拋光工藝而分別形成成形基片；在所述成形基片之間的對(duì)向面及所述對(duì)向面的相對(duì)面上分別形成基片極化膜；使用所述基片極化膜對(duì)所述成形基片進(jìn)行極化；使用所述基片極化膜在所述成形基片上形成內(nèi)部基片電極圖案及外部基片電極圖案，所述內(nèi)部及外部基片電極圖案分別形成在所述成形基片之間的所述對(duì)向面及所述相對(duì)面上；在所述成形基片之間的所述對(duì)向面上形成粘接劑；切割所述成形基片形成至少一個(gè)壓電諧振圖案，所述壓電諧振圖案具有連接粘接圖案、絕緣粘接圖案、諧振圖案、外部諧振電極圖案及內(nèi)部諧振電極圖案，所述外部及內(nèi)部諧振電極圖案以及所述諧振圖案分別對(duì)應(yīng)于所述外部及內(nèi)部基片電極圖案以及所述成形基片，所述連接粘接圖案及絕緣粘接圖案對(duì)應(yīng)于所述粘接劑；形成壓電諧振器，該壓電諧振器在所述內(nèi)部諧振電極圖案之間以及所述外部諧振電極圖案之間具有連接電極并使連接電極位于所述壓電諧振圖案上。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的壓電諧振裝置形成方法，其特征在于所述各連 接電極分別使用至少一個(gè)導(dǎo)電膜而形成。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的壓電諧振裝置形成方法，其特征在于形成所述 壓電諧振圖案包含按照先穿過所述內(nèi)部及外部基片電極圖案之間，然后橫穿 所述外部及內(nèi)部基片電極圖案的順序切割所述成形基片的步驟，而且所述內(nèi) 部諧振電極圖案位于所述諧振圖案之間的對(duì)向面 一側(cè)而相互對(duì)望，所述外部 諧振電極圖案形成在所述諧振圖案之間的所述對(duì)向面的相對(duì)面上.并與所述 諧振圖案之間的所述對(duì)向面另一側(cè)重疊，所述絕緣粘接圖案位于諧振圖案之 間與連接粘接圖案接觸，所述連接粘接圖案位于所述內(nèi)部諧振電極圖案之間。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的壓電諧振裝置形成方法，其特征在于形成所述壓電諧振圖案包舍按照先橫穿所述外部及內(nèi)部基片電極圖案.然后穿過所述 內(nèi)部及外部基片電極圖案之間的順序切割所述成形基片的步驟.而且所述內(nèi) 部諧振電極圖案位于所述諧振圖案之間的對(duì)向面 一側(cè)而相互對(duì)望，所述外部 諧振電板圖棄形成在所速諧振困棄之間的所述對(duì)向面的相對(duì)面上.并與所述 諧振圖案之間的所述對(duì)向面另 一側(cè)重疊，所述絕緣粘接圖案位于諧振圖案之 間與連接粘接圖案接觸，所述連接粘接圖案位于所述內(nèi)部諧振電極圖案之間.，
5、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的壓電諧振裝置形成方法，其特征在于切割所述 成形基片是使用切割鋸技術(shù)進(jìn)行的。
6、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的壓電諧振裝置形成方法，其特征在于所述粘接 別使用絕緣粘接膜及連接粘接膜而形成，所述連接粘接膜與所述內(nèi)部基M電 極圖案接觸，而所述絕緣粘接膜位于所述內(nèi)部基片電極圖案之間與所述成形 基片接觸。
7、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的壓電諧振裝置形成方法，其特征在于形成所述 內(nèi)部及外部基片電極圖案的過程包含步驟在所述基片極化膜上形成光刻膠圖案，所述光刻膠圖案分別對(duì)應(yīng)于所述 內(nèi)部基片電極圖案；將所述光刻膠圖案及所述成形基片分別用作蝕刻掩膜及蝕刻緩沖層而去 除所述基片極化膜；從所述成形基片上除去所述光刻膠圖案；在所述基片極化膜上形成另 一光刻膠圖案，所述另 一光刻膠圖案分別對(duì) 應(yīng)于所述外部基片電才及圖案；將所述另 一 光刻膠圖案及所述成形基片用作蝕刻掩膜及蝕刻緩沖層而去 除所述基片極化膜；從所述成形基片上除去所述另 一 光刻膠圖案。
8、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的壓電諧振裝置形成方法，其特征在于所述外部 基片電極圖案位于所述內(nèi)部基片電極圖案之間與所述內(nèi)部基片電極圖案重疊。
9、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的壓電諧振裝置形成方法，其特征在于所述外部 基片電極圖案位于所述內(nèi)部基片電極圖案之間。
10、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的壓電諧振裝置形成方法，其特征在于所述成 形基片的極化步驟包含在所述基片極化膜上直接接觸電導(dǎo)線而將所述成形基 片內(nèi)晶體的極化軸對(duì)齊為一列的步驟，所述各基片極化膜使用至少一個(gè)導(dǎo)電 膜而形成。
11、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的壓電諧振裝置形成方法，其特征在于所述成 形基片的板化步驟包舍在所述基片板化膜周圍形成電場而將所述成形基片內(nèi) 晶體的極化軸對(duì)齊為 一列的步驟，所述各基片極化膜使用至少 一 個(gè)導(dǎo)電膜而 形成。
12、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的壓電諧振裝置形成方法，其特征在于形成所 述成形基片包含步驟在拋光裝置內(nèi)按二維方向排列所述成形體以及對(duì)所 述成形體同時(shí)進(jìn)行4旭光工藝。
13、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的壓電諧振裝置形成方法，其特征在于形成所 迷成形基片包含步驟將所述成形體中的一個(gè)成形體投入到拋光裝置內(nèi)對(duì) 所述一個(gè)成形體進(jìn)行拋光工藝；將所述成形體中剩余的一個(gè)成形體投入到所述拋光裝置內(nèi)；對(duì)所述成形體中所述剩余的一個(gè)成形體進(jìn)行拋光工藝，
14、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的壓電諧振裝置形成方法，其特征在于所述成 形基片通過所述拋光工藝而具有相同厚度。
15、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的壓電諧振裝置形成方法，其特征在于所述成 形體使用壓電材料而形成。
16、 一種壓電諧振裝置的形成方法，其特征在于包含步驟 準(zhǔn)備兩個(gè)以上的偶數(shù)個(gè)成形體，所述各成形體分別形成為由六個(gè)平面包圍的立體形狀；對(duì)所述成形體進(jìn)行燒結(jié)工藝；對(duì)所述成形體進(jìn)行拋光工藝而分別形成成形基片；在所述成形基片之間的對(duì)向面及所述對(duì)向面的相對(duì)面上形成基片極化膜；使用所述基片極化膜對(duì)所述成形基片進(jìn)行極化；從所述成形基片中選擇兩個(gè)成形基片，在所述兩個(gè)成形基片上形成內(nèi)部 基片電極圖案及外部基片電極圖案，所述內(nèi)部及外部基片電極圖案通過使用 所述基片極化膜而分別形成在所述兩個(gè)成形基片之間的所述對(duì)向面及所述相 對(duì)面上；在所述兩個(gè)成形基片之間的所述對(duì)向面上形成粘接劑； 切割所述兩個(gè)成形基片形成至少一個(gè)壓電諧振圖案，所述壓電諧振圖案具有連接粘接圖案、絕緣粘接圖案、諧振圖案、外部諧振電極圖案及內(nèi)部諧 振電極圖案，所述外部及內(nèi)部諧振電極圖案以及所述諧振圖案分別對(duì)應(yīng)于所 述外部及內(nèi)部基片電極圖案以及所述成形基片，所述連接粘接圖案及絕緣粘 接困棄對(duì)應(yīng)子所迷粘接劑；形成壓電諧振器，該壓電諧振器在所述內(nèi)部諧振電極圖案之間以及所述 外部諧振電極圖案之間具有連接電極并使連接電極位于所述壓電諧振圖案 上；從剩余的所述成形基片中以兩個(gè)為單位反復(fù)選擇成形基片依次形成所述 內(nèi)部基片電極圖案及外部基片電極圖案、所述粘接劑、所述壓電諧振圖案以 及所述壓電諧振器。
17、 根據(jù)權(quán)利要求16所述的壓電諧振裝置形成方法，其特征在于所述連 接電極以及所述內(nèi)部及外部基片電極圖案使用至少一個(gè)導(dǎo)電膜而形成,.
18、 根據(jù)權(quán)利要求16所述的壓電諧振裝置形成方法，其特征在于形成所述壓電諧振圖案包含按照先穿過所述內(nèi)部及外部基片電極圖案之間，然后橫 穿所述外部及內(nèi)部基片電極圖案的順序切割所述成形基片的步驟，而且所述 內(nèi)部諧振電極圖案位于所述諧振圖案之間的對(duì)向面 一 側(cè)而相互對(duì)望，所述外 部諧振電極圖案形成在所述諧振圖案之間的所述對(duì)向面的相對(duì)面上，并與所 述諧振圖案之間的所述對(duì)向面另一側(cè)重疊，所述絕緣粘接圖案位于諧振圖案 之間與連接粘接圖案接觸，所述連接粘接圖案位于所述內(nèi)部諧振電極圖案之 間。
19、 根據(jù)權(quán)利要求16所述的壓電諧振裝置形成方法，其特征在于形成所 述壓電諧振圖案包含按照先橫穿所述外部及內(nèi)部基片電極圖案，然后lf過所 迷內(nèi)部及外部基片電極圖案之間的順序切割所述成形基片的步驟，而且所述 內(nèi)部諧振電極圖案位于所述諧振圖案之間的對(duì)向面 一 側(cè)而相互對(duì)望，所述夕卜 部諧振電極圖案形成在所述諧振圖案之間的所述對(duì)向面的相對(duì)面上，并與所 述諧振圖案之間的所述對(duì)向面另 一側(cè)重疊，所述絕緣粘接圖案位于諧振圖案 之間與連接粘接圖案接觸，所述連接粘接圖案位于所述內(nèi)部諧振電極圖案之 間。
20、 根據(jù)權(quán)利要求16所述的壓電諧振裝置形成方法，其特征在于切割所 述成形基片是使用切割鋸技術(shù)進(jìn)行的。
21、 根據(jù)權(quán)利要求16所述的壓電諧振裝置形成方法，其特征在于所述粘接劑使用絕緣粘接膜及連接粘接膜而形成，所述連接粘接膜與所述內(nèi)部基片 電極圖案接觸，而所述絕緣粘接膜位于所述內(nèi)部基片電極圖案之間與所述成 形基片接觸。
22、 根據(jù)杈利妻求16所迷的壓電諧振裝置形成方法，其特征在于形成所 述內(nèi)部及外部基片電極圖案的過程包含步驟在所述基片極化膜上形成光刻膠圖案，所述光刻膠圖案分別對(duì)應(yīng)于所述 內(nèi)部基片電極圖案；將所述光刻膠圖案及所述兩個(gè)成形基片分別用作蝕刻掩膜及蝕刻緩沖層 而去除所述基片極化膜；從所述兩個(gè)成形基片上除去所述光刻膠圖案；在所述基片極化膜上形成另 一光刻膠圖案，所述另 一光刻膠圖案分別對(duì) 應(yīng)于所述外部基片電極圖案；將所述另一光刻膠圖案及所述兩個(gè)成形基片用作蝕刻掩膜及蝕刻緩沖層 而去除所述基片極化膜；從所述兩個(gè)成形基片上除去所述另一光刻膠圖案。
23、 根據(jù)權(quán)利要求16所述的壓電諧振裝置形成方法，其特征在于所述外 部基片電極圖案位于所述內(nèi)部基片電極圖案之間與所述內(nèi)部基片電極圖案重
24、 根據(jù)權(quán)利要求16所述的壓電諧振裝置形成方法，其特征在于所述外 部基片電極圖案位于所述內(nèi)部基片電極圖案之間。
25、 根據(jù)權(quán)利要求16所述的壓電諧振裝置形成方法，其特征在于所述成 形基片的極化步驟包含在所述基片極化膜上直接接觸電導(dǎo)線而將所述成形基 片內(nèi)晶體的極化軸對(duì)齊為一列的步驟，所述各基片極化膜使用至少一個(gè)導(dǎo)電 膜而形成。
26、 根據(jù)權(quán)利要求16所述的壓電諧振裝置形成方法，其特征在于所述成 形基片的極化步驟包含在所述基片極化膜周圍形成電場而將所述成形基片內(nèi) 晶體的極化軸對(duì)齊為一列的步驟，所述各基片極化膜使用至少一個(gè)導(dǎo)電膜而 形成。
27、 根據(jù)權(quán)利要求16所述的壓電諧振裝置形成方法，其特征在于形成所 述成形基片包含步驟在拋光裝置內(nèi)按二維方向排列所述成形體；以及對(duì)所 述成形體同時(shí)進(jìn)行拋光工藝。
28、 根據(jù)權(quán)利要求16所述的壓電諧振裝置形成方法，其特征在于形成所 述成形基片包含步驟選擇所述成形體中的一個(gè)成形體投入到拋光裝置內(nèi)； 對(duì)所述被選4奪的一個(gè)成形體進(jìn)行拋光工藝；以及從剩余的所述成形體中以一 f為單位反復(fù)選掩成形休，并將所選掩的成形休依次投入到拋先裝置內(nèi)進(jìn)行 所述拋光工藝。
29、 根據(jù)權(quán)利要求16所述的壓電諧振裝置形成方法，其特征在于所述成 形基片通過所述拋光工藝而具有相同厚度。
30、 根據(jù)權(quán)利要求16所述的壓電諧振裝置形成方法，其特征在于所述成 形體使用壓電材料而形成。
31、 一種壓電諧振裝置的形成方法、其特征在于包含步驟準(zhǔn)備兩個(gè)以上的偶數(shù)個(gè)成形體，所述各成形體分別形成為由六個(gè)平面包 圍的立體形狀；對(duì)所述成形體進(jìn)行燒結(jié)工藝； 對(duì)所述成形體進(jìn)行拋光工藝而分別形成成形基片；膜；使用所述基片極化膜對(duì)所述成形基片進(jìn)行極化；從所述成形基片中選擇兩個(gè)成形基片，在所述兩個(gè)成形基片上形成內(nèi)部 基片電極圖案及外部基片電極圖案，所述內(nèi)部及外部基片電極圖案通過使用 所述基片極化膜而分別形成在所述兩個(gè)成形基片之間的所述對(duì)向面及所述相 對(duì)面上；在所述兩個(gè)成形基片之間的所述對(duì)向面上形成粘接劑；從剩余的所述成形基片中以兩個(gè)為單位反復(fù)選擇成形基片并依次形成所 述內(nèi)部及外部基片電極圖案以及所述粘接劑；切割所述成形基片形成壓電諧振圖案，所述各壓電諧振圖案分別具有連 接粘接圖案、絕緣粘接圖案、諧振圖案、外部諧振電極圖案及內(nèi)部諧振電極 圖案，所述外部及內(nèi)部諧振電極圖案以及所述諧振圖案分別對(duì)應(yīng)于所述外部 及內(nèi)部基片電極圖案以及所述成形基片，所述連接粘接圖案及絕緣粘接圖案 對(duì)應(yīng)于所述粘接劑；以及從所述壓電諧振圖案中以 一個(gè)為單位反復(fù)選擇壓電諧振圖案而形成多個(gè) 壓電諧振器，該壓電諧振器在所述一個(gè)壓電諧振圖案上具有連接電極并使所述連接電極位千所述內(nèi)部諧振電極圖案之間及所述外部諧振電極圖案之間
32、根據(jù)權(quán)利要求31所述的壓電諧振裝置形成方法，其特征在于所述連 接電極以及所述內(nèi)部及外部基片電極圖案使用至少一個(gè)導(dǎo)電膜而形成"
33.根挺杈利要求31所述的壓電諧振裝置形成方法，其特征在于形成所 述壓電諧振圖案包含按照先穿過所述內(nèi)部及外部基片電極圖案之間，然后橫 穿所述外部及內(nèi)部基片電極圖案的順序切割所述成形基片的步驟，而且所述 內(nèi)部諧振電極圖案位于所述諧振圖案之間的對(duì)向面 一 側(cè)而相互對(duì)望，所述外 部諧振電極圖案形成在所述諧振圖案之間的所述對(duì)向面的相對(duì)面上，并與所 述諧振圖案之間的所述對(duì)向面另 一側(cè)重疊，所述絕緣粘接圖案位于諧振圖案 之間與連接粘接圖案接觸，所述連接粘接圖案位于所述內(nèi)部諧振電極圖案之 間。
34、 根據(jù)權(quán)利要求31所述的壓電諧振裝置形成方法.其特征在于形成所 述壓電諧振圖案包含按照先橫穿所述外部及內(nèi)部基片電極圖案，然后穿過所 述內(nèi)部及外部基片電極圖案之間的順序切割所述成形基片的步驟，而且所述 內(nèi)部諧振電極圖案位于所述諧振圖案之間的對(duì)向面一側(cè)而相互對(duì)望，所述外 部諧振電極圖案形成在所述諧振圖案之間的所述對(duì)向面的相對(duì)面上，并與所 述諧振圖案之間的所述對(duì)向面另 一側(cè)重疊，所述絕緣粘接圖案位于諧振圖案 之間與連接粘接圖案接觸，所述連接粘接圖案位于所述內(nèi)部諧振電極圖案之 間。
35、 根據(jù)權(quán)利要求31所述的壓電諧振裝置形成方法，其特征在于切割所 述成形基片是使用切割鋸技術(shù)進(jìn)行的。
36、 根據(jù)權(quán)利要求31所述的壓電諧振裝置形成方法，其特征在于所述粘 接劑使用絕緣粘接膜及連接粘接膜而形成，所述連接粘接膜與所述內(nèi)部基片 電極圖案接觸，而所述絕緣粘接膜位于所述內(nèi)部基片電極圖案之間與所述成 形基片接觸。
37、 根據(jù)權(quán)利要求31所述的壓電諧振裝置形成方法，其特征在于形成所 述內(nèi)部及外部基片電極圖案的過程包含步驟在所述基片極化膜上形成光刻膠圖案，所述光刻膠圖案分別對(duì)應(yīng)于所述 內(nèi)部基片電極圖案；將所述光刻膠圖案及所述兩個(gè)成形基片分別用作蝕刻掩膜及蝕刻緩沖層 而去除所述基片極化膜；從所述兩個(gè)成形基片上除去所述光刻膠圖案在所述基片極化膜上形成另 一光刻膠圖案，所述另 一光刻膠圖案分別對(duì)應(yīng)于所述外部基片電極圖案；將所迷另 一光刻月吏圖棄及所迷兩個(gè)成形基片用作蝕刻4電膜及燭刻緩沖層 而去除所述基片極化膜；從所述兩個(gè)成形基片上除去所述另 一光刻膠圖案。
38、 根據(jù)權(quán)利要求31所述的壓電諧振裝置形成方法，其特征在于所述外 部基片電極圖案位于所述內(nèi)部基片電極圖案之間與所述內(nèi)部基片電極圖案重疊。
39、 根據(jù)權(quán)利要求31所述的壓電諧振裝置形成方法，其特征在于所述外 部基片電極圖案位于所述內(nèi)部基片電極圖案之間。
40、 根據(jù)權(quán)利要求31所述的壓電諧振裝置形成方法，其特征在于所述成 形基片的極化步驟包含在所述基片極化膜上直接接觸電導(dǎo)線而將所述成形基 片內(nèi)晶體的極化軸對(duì)齊為一列的步驟，所述各基片極化膜使用至少一個(gè)導(dǎo)電 膜而形成。
41、 根據(jù)權(quán)利要求31所述的壓電諧振裝置形成方法，其特征在于所述成 形基片的極化步驟包含在所述基片極化膜周圍形成電場而將所述成形基片內(nèi) 晶體的極化軸對(duì)齊為 一列的步驟，所述各基片極化膜使用至少 一 個(gè)導(dǎo)電膜而 形成。
42、 根據(jù)權(quán)利要求31所述的壓電諧振裝置形成方法，其特征在于形成所 述成形基片包含步驟在拋光裝置內(nèi)按二維方向排列所述成形體以及對(duì)所 述成形體同時(shí)進(jìn)行拋光工藝。
43、 根據(jù)權(quán)利要求31所述的壓電諧振裝置形成方法，其特征在于形成所 述成形基片包含步驟選擇所述成形體中的一個(gè)成形體投入到拋光裝置內(nèi)； 對(duì)所述被選擇的一個(gè)成形體進(jìn)行拋光工藝；以及從剩余的所述成形體中以一 個(gè)為單位反復(fù)選擇成形體，并將所選擇的成形體依次投入到拋光裝置內(nèi)進(jìn)行 所述拋光工藝。
44、 根據(jù)權(quán)利要求31所述的壓電諧振裝置形成方法，其特征在于所述成 形基片通過所述拋光工藝而具有相同厚度。
45、 根據(jù)權(quán)利要求31所述的壓電諧振裝置形成方法，其特征在于所述成 形體使用壓電材料而形成。
46、 一種壓電諧振裝置的形成方法，其特征在于包含步驟 準(zhǔn)備兩個(gè)成形體，所述各成形體分別形成為由六個(gè)平面包圍的立體形狀； 對(duì)所述成形體進(jìn)行燒結(jié)工藝；對(duì)所迷成形體進(jìn)4亍4他光工藝而分別形成成形基片；在所述成形基片之間的對(duì)向面及所述對(duì)向面的相對(duì)面上分別形成內(nèi)部基片電極圖案及外部基片電極圖案；使用所述外部及內(nèi)部基片電極圖案對(duì)所述成形基片進(jìn)行極化； 在所述成形基片之間的所述對(duì)向面上形成粘接劑；切割所述成形基片形成至少一個(gè)壓電諧振圖案，所述壓電諧振圖案具有 連接粘接圖案、絕緣粘接圖案、諧振圖案、外部諧振電極圖案及內(nèi)部諧振電 極圖案，所述外部及內(nèi)部諧振電極圖案以及所述諧振圖案分別對(duì)應(yīng)于所述外 部及內(nèi)部基片電極圖案以及所述成形基片，所述連接粘接圖案及絕緣粘接圖 案對(duì)應(yīng)于所述粘接劑；以及形成壓電諧振器，該壓電諧振器在所述內(nèi)部諧振電極圖案之間以及所述 外部諧振電極圖案之間具有連接電極并使連接電極位于所述壓電諧振圖案上。
47、 根據(jù)權(quán)利要求46所述的壓電諧振裝置形成方法，其特征在于所述各 連接電極分別使用至少 一 個(gè)導(dǎo)電膜而形成。
48、 根據(jù)權(quán)利要求46所述的壓電諧振裝置形成方法，其特征在于形成所 述壓電諧振圖案包含按照先穿過所述內(nèi)部及外部基片電極圖案之間，然后橫 穿所述外部及內(nèi)部基片電極圖案的順序切割所述成形基片的步驟，而且所述 內(nèi)部諧振電極圖案位于所述諧振圖案之間的對(duì)向面 一側(cè)而相互對(duì)望.所述外 部諧振電極圖案形成在所述諧振圖案之間的所述對(duì)向面的相對(duì)面上，并與所 述諧振圖案之間的所述對(duì)向面另 一側(cè)重疊，所述絕緣粘接圖案位于諧振圖案 之間與連接粘接圖案接觸，所述連接粘接圖案位于所述內(nèi)部諧振電極圖案之 間
49、 根據(jù)權(quán)利要求46所述的壓電諧振裝置形成方法、其特征在于形成所 述壓電諧振圖案包含按照先橫穿所述外部及內(nèi)部基片電極圖案，然后穿過所 述內(nèi)部及外部基片電極圖案之間的順序切割所述成形基片的步驟，而且所述 內(nèi)部諧振電極圖案位于所述諧振圖案之間的對(duì)向面一側(cè)而相互對(duì)望，所述外 部諧振電極圖案形成在所述諧振圖案之間的所述對(duì)向面的相對(duì)面上，并與所 迷諧振圖案之間的所述對(duì)向面另 一側(cè)重疊，所述絕緣粘接圖案位于諧振圖案 之間與連接粘接圖案接觸，所述連接粘接圖案位于所述內(nèi)部諧振電極圖案之間。
50、 根棍杈利要求46所迷的壓電諧振裝罝形成方法，其特征在于切割所 述成形基片是使用切割鋸技術(shù)進(jìn)行的,.
51、 根據(jù)權(quán)利要求46所述的壓電諧振裝置形成方法'其特征在于所述粘 接劑使用絕緣粘接膜及連接粘接膜而形成，所述連接粘接膜與所述內(nèi)部基片 電極圖案接觸，而所述絕緣粘接膜位于所述內(nèi)部基片電極圖案之間與所述成 形基片接觸。
52、 根據(jù)權(quán)利要求46所述的壓電諧振裝置形成方法，其特征在于形成所 述內(nèi)部及外部基片電極圖案的過程包含在所述成形基片上形成導(dǎo)電膏圖案，所述導(dǎo)電膏圖案分別對(duì)應(yīng)于所述內(nèi) 部基片電極圖案；在所述成形基片上形成另 一導(dǎo)電膏圖案，所述另 一導(dǎo)電膏圖案分別對(duì)應(yīng) 于所述外部基片電極圖案；以及對(duì)所述成形基片、所述導(dǎo)電膏圖案及所述另 一導(dǎo)電膏圖案進(jìn)行熱處理u
53、 根據(jù)權(quán)利要求46所述的壓電諧振裝置形成方法，其特征在于所述外 部基片電極圖案位于所述內(nèi)部基片電極圖案之間與所述內(nèi)部基片電極圖案重 疊。
54、 根據(jù)權(quán)利要求46所述的壓電諧振裝置形成方法，其特征在于所述外 部基片電極圖案位于所述內(nèi)部基片電極圖案之間。
55、 根據(jù)權(quán)利要求46所述的壓電諧振裝置形成方法，其特征在于所述成 形基片的極化步驟包含在所述外部及內(nèi)部基片電極圖案上直接接觸電導(dǎo)線而 將所述成形基片內(nèi)晶體的極化軸對(duì)齊為一列的步驟，所述各外部及內(nèi)部基片 電極圖案分別使用至少一個(gè)導(dǎo)電膜而形成。
56、 根據(jù)權(quán)利要求46所述的壓電諧振裝置形成方法.其特征在于所述成 形基片的極化步驟包含在所述外部及內(nèi)部基片電極圖案周圍形成電場而將所 述成形基片內(nèi)晶體的極化軸對(duì)齊為一列的步驟，所述各外部及內(nèi)部基片電極 圖案使用至少一個(gè)導(dǎo)電膜而形成。
57、 根據(jù)權(quán)利要求46所述的壓電諧振裝置形成方法，其特征在于形成所 述成形基片包含步驟在拋光裝置內(nèi)按二維方向排列所述成形體；以及對(duì)所 述成形體同時(shí)進(jìn)行拋光工藝。
58、 根據(jù)權(quán)利要求恥所述的壓電諧振裝置形成方法，其特征在于形成所 迷成形基片包含步驟將所述成形體中的一個(gè)成形體投入到拋光裝置內(nèi)對(duì) 所速一個(gè)成形休進(jìn)4亍拋光工藝；將所速成形體中剩余的一個(gè)成形體投入到所 述拋光裝置內(nèi)；對(duì)所述成形體中所述剩余的一個(gè)成形體進(jìn)行拋光工藝
59、 根據(jù)權(quán)利要求46所述的壓電諧振裝置形成方法，其特征在于所述成 形基片通過所述拋光工藝而具有相同厚度。
60、 根據(jù)權(quán)利要求46所述的壓電諧振裝置形成方法.其特征在于所述成 形體使用壓電材料而形成。
全文摘要
本發(fā)明提供具有壓電諧振器的壓電諧振裝置形成方法。這些形成方法可以從成形體得到所期望厚度的成形基片從而提高壓電諧振器的電氣性能。形成壓電諧振器包含步驟準(zhǔn)備兩個(gè)成形體；對(duì)所述成形體依次進(jìn)行燒結(jié)及拋光工藝而分別形成成形基片；在所述成形基片的對(duì)向面及所述對(duì)向面的相對(duì)面上形成內(nèi)部基片電極圖案及外部基片電極圖案；在所述成形基片的對(duì)向面上形成粘接劑；切割所述成形基片而形成壓電諧振圖案；在所述壓電諧振圖案兩側(cè)分別設(shè)置連接電極。
文檔編號(hào)H03H3/02GK101212209SQ20071000113
公開日2008年7月2日 申請(qǐng)日期2007年1月19日 優(yōu)先權(quán)日2006年12月29日
發(fā)明者崔在亨, 金周浩, 金起賢, 高秀旼 申請(qǐng)人:株式會(huì)社愛思塞拉