專利名稱：平衡型聲表面波濾波器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及具有平衡—不平衡轉(zhuǎn)換功能的縱耦合諧振子型的平衡型聲表面波濾波器(balanced surface acoustic wave filter)，尤其涉及具有沿聲表面波傳播方向配置了五個(gè)IDT的結(jié)構(gòu)的平衡型聲表面波濾波器。
背景技術(shù)：
近年，作為在移動(dòng)電話機(jī)的RF段使用的帶通濾波器，使用具有平衡—不平衡轉(zhuǎn)換功能的平衡型聲表面波濾波器。尤其是，由于可對應(yīng)于高頻化、且可容易地對應(yīng)于平衡—不平衡轉(zhuǎn)換功能，因此在上述用途中主要使用縱耦合諧振子型的聲表面波濾波器。
具有平衡—不平衡轉(zhuǎn)換功能的平衡型聲表面波濾波器與具有平衡輸入輸出或差動(dòng)輸入輸出的平衡型混頻器IC連接。通過使用該平衡型混頻器IC，可降低噪聲的影響，且可實(shí)現(xiàn)輸出的穩(wěn)定化。因此，為了提高移動(dòng)電話機(jī)的特性，平衡型混頻器IC在近年被廣泛使用。與平衡型混頻器IC連接的聲表面波濾波器可謀求具有平衡—不平衡轉(zhuǎn)換功能。
但是，以往提出了各種具有平衡—不平衡轉(zhuǎn)換功能的聲表面波濾波器。在下述的專利文獻(xiàn)1中公開了這種平衡型聲表面波濾波器的一個(gè)例子。
圖7是示意性表示專利文獻(xiàn)1所公開的平衡型聲表面波濾波器的俯視剖面圖。
平衡型聲表面波濾波器101具有與不平衡端子102連接的單端口型聲表面波諧振子103。在單端口型聲表面波諧振子103的后段連接有聲表面波濾波部104。聲表面波濾波部104具有沿表面波傳播方向依次配置的第一～第五IDT105～109。在設(shè)置有IDT105～109的區(qū)域的表面波傳播方向兩側(cè)配置有反射器110、111。
在此，第二和第四IDT106、108通過單端口型聲表面波諧振子103與不平衡端子102連接。第二IDT106的相位與第四IDT108的相位相差180°。第三IDT107具有沿表面波傳播方向分割的第一分割I(lǐng)DT部107a和第二分割I(lǐng)DT部107b。
第一IDT105和第一分割I(lǐng)DT部107a公共連接，與第一平衡端子112電連接。而且，第二分割I(lǐng)DT部107b和第五IDT109公共連接，與第二平衡端子113連接。近年，在具有平衡—不平衡轉(zhuǎn)換功能的聲表面波濾波器中，強(qiáng)烈要求實(shí)現(xiàn)通帶內(nèi)的插入損耗小、可自由調(diào)整終端阻抗、以及聲表面波裝置本身的小型化等。
如聲表面波濾波器101那樣使用了五個(gè)IDT105～109的縱耦合諧振子型的聲表面波濾波器，具有有利于滿足上述要求的特征。
專利文獻(xiàn)1特開2004-96244號公報(bào)但是，如聲表面波濾波器101那樣5IDT型的具有平衡—不平衡轉(zhuǎn)換功能聲表面波濾波器，雖然可實(shí)現(xiàn)通帶內(nèi)的插入損耗的降低、可自由調(diào)整終端阻抗、以及元件的小型化，但存在會(huì)在通帶附近產(chǎn)生不希望的寄生成分(spurious)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)的現(xiàn)狀而實(shí)現(xiàn)，目的在于提供一種平衡型聲表面波濾波器，其為5IDT型的具有平衡—不平衡轉(zhuǎn)換功能的平衡型聲表面波濾波器，可有效抑制在通帶附近的寄生成分的產(chǎn)生，因此可獲得良好的濾波特性。
根據(jù)本發(fā)明，提供一種平衡型聲表面波濾波器，具有不平衡端子、第一和第二平衡端子，并具有平衡—不平衡轉(zhuǎn)換功能，其中，該平衡型聲表面波濾波器具備壓電基板；和第一～第五IDT，該第一～第五IDT在所述壓電基板上，沿表面波傳播方向配置，所述第二、第四IDT與所述不平衡端子連接，且第二IDT的相位與第四IDT的相位相差180°，所述第三IDT具有沿表面波傳播方向分割的第一分割I(lǐng)DT部和第二分割I(lǐng)DT部，在所述第一平衡端子連接有第一分割I(lǐng)DT部和所述第一IDT，在第二平衡端子連接有所述第二分割I(lǐng)DT部和所述第五IDT，當(dāng)設(shè)確定所述第一IDT的中心頻率的電極指的根數(shù)為N1、確定第三IDT的中心頻率的電極指的根數(shù)為N3、確定第五IDT的中心頻率的電極指的根數(shù)為N5時(shí)，使1.55≤N3/N1≤2.58且N1＝N5。
在本發(fā)明涉及的平衡型聲表面波濾波器的某特定的方式下，由所述第一～第五IDT構(gòu)成第一聲表面波濾波部，還具備與該第一聲表面波濾波部級聯(lián)連接的第二聲表面波濾波部，所述第二聲表面波濾波部具備壓電基板；和在壓電基板上沿聲表面波傳播方向配置的第六～第十IDT，第八IDT具有沿表面波傳播方向分割的第一分割I(lǐng)DT部和第二分割I(lǐng)DT部，當(dāng)設(shè)確定第六IDT的中心頻率的電極指的根數(shù)為N6、確定第八IDT的中心頻率的電極指的根數(shù)為N8、確定第十IDT的中心頻率的電極指的根數(shù)為N10時(shí)，使1.55≤N8/N6≤2.58且N6＝N10。
在本發(fā)明涉及的平衡型聲表面波濾波器的其他特定的方式下，所述第一聲表面波濾波部的所述第一IDT、第一分割I(lǐng)DT部、第二分割I(lǐng)DT部以及第五IDT，分別通過第一～第四信號線，與所述第二聲表面波濾波部的第六IDT、第八IDT的第一分割I(lǐng)DT部、第八IDT的第二分割I(lǐng)DT部以及第九IDT連接。在該情況下，優(yōu)選在所述第一、第三信號線中傳播的信號的相位與在第二、第四信號線中傳播的信號的相位相差180°。
根據(jù)本發(fā)明涉及的平衡型聲表面波濾波器的其他特定的方式，由所述第一～第五IDT構(gòu)成第一聲表面波濾波部，還具備級聯(lián)連接于該第一聲表面波濾波部與所述不平衡端子之間的第二聲表面波濾波部，使所述第二IDT的相位與第四IDT的相位為同相位，所述第二聲表面波濾波部具備壓電基板；和在壓電基板上沿聲表面波傳播方向配置的第六～第十IDT，第七IDT的相位與第九IDT的相位相差180°，第六、第八和第十IDT與所述不平衡端子連接，第七IDT和第九IDT分別通過第一、第二信號線與所述第一聲表面波濾波部的第二以及第四IDT電連接。在該情況下，優(yōu)選在所述第一信號線中傳播的信號的相位與在所述第二信號線中傳播的信號的相位相差180°。
(發(fā)明效果)在本發(fā)明涉及的平衡型聲表面波濾波器中，具有如下構(gòu)成第一～第五IDT沿表面波傳播方向形成于壓電基板上，第二、第四IDT與不平衡端子連接，第三IDT具有第一、第二分割I(lǐng)DT，在第一平衡端子連接有第一分割I(lǐng)DT部和第一IDT，在第二平衡端子連接有第二分割I(lǐng)DT部和第五IDT，因此可提供具有平衡—不平衡轉(zhuǎn)換功能的5IDT型的縱耦合諧振子型聲表面波濾波器。并且，在本發(fā)明中，當(dāng)設(shè)確定第一IDT的中心頻率的電極指的根數(shù)為N1、確定第三IDT的中心頻率的電極指的根數(shù)為N3、確定第五IDT的中心頻率的電極指的根數(shù)為N5時(shí)，使1.55≤N3/N1≤2.58且N1＝N5，因此能可靠抑制在通帶附近產(chǎn)生寄生成分。所以，可獲得良好的濾波特性。
因此，除5IDT型的縱耦合諧振子型聲表面波濾波器的優(yōu)點(diǎn)即1)通帶內(nèi)的插入損耗小、2)可自由調(diào)整終端阻抗、3)有利于實(shí)現(xiàn)元件的小型化之外，根據(jù)本發(fā)明，還可抑制通帶附近的寄生成分的產(chǎn)生。因此，本發(fā)明的平衡型聲表面波濾波器例如適宜用作移動(dòng)電話機(jī)的RF段的帶通濾波器。
在本發(fā)明中，第二聲表面波濾波部與第一聲表面波濾波部級聯(lián)連接，第二聲表面波濾波部與第一聲表面波濾波部同樣具有五個(gè)IDT第六～第十IDT，在使1.55≤N8/N6≤2.58且N6＝N10時(shí)，在第二聲表面波濾波部中也同樣可抑制在通帶附近的寄生成分的產(chǎn)生，而且由于采用兩級級聯(lián)連接，因此可增大頻帶外衰減量。
另外，上述第二聲表面波濾波部與第一聲表面波濾波部級聯(lián)連接的構(gòu)成可通過如下構(gòu)成實(shí)現(xiàn)例如，通過第一～第四信號線，第一IDT、第一分割I(lǐng)DT部、第二分割I(lǐng)DT部以及第五IDT，分別與第二聲表面波濾波部的第六IDT、第八IDT的第一分割I(lǐng)DT部以及第二分割I(lǐng)DT部以及第十IDT電連接。在該情況下，當(dāng)在第一、第三信號線中傳播的信號的相位與在第二、第四信號線中傳播的信號的相位相差180°時(shí)也可提高聲表面波濾波器的平衡度。
在本發(fā)明中，由第一～第五IDT構(gòu)成第一聲表面波濾波部，還具備級聯(lián)連接于該第一聲表面波濾波部與所述不平衡端子之間的第二聲表面波濾波部，使所述第二IDT的相位與第四IDT的相位為同相位，所述第二聲表面波濾波部具備壓電基板；和在壓電基板上沿聲表面波傳播方向配置的第六～第十IDT，第七IDT的相位與第九IDT的相位相差180°，第六、第八和第十IDT與所述不平衡端子連接，第七IDT和第九IDT分別通過第一、第二信號線與所述第一聲表面波濾波部的第二以及第四IDT電連接，該情況下可實(shí)現(xiàn)衰減量的擴(kuò)大。在該情況下，當(dāng)在第一信號線中傳播的信號的相位與在第二信號線中傳播的信號的相位相差180°時(shí)，也可提高聲表面波濾波器的平衡度。


圖1是表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式涉及的聲表面波濾波器的示意俯視圖；圖2是表示第一實(shí)施方式的聲表面波濾波器的衰減量—頻率特性的圖；圖3是表示使確定第一和第三IDT的中心頻率的電極指(electrodefingers)的根數(shù)N1、N3變化時(shí)的通帶低頻側(cè)的頻率特性的變化的圖；圖4是表示使確定第一和第三IDT的中心頻率的電極指的根數(shù)N1、N3變化時(shí)的通帶低頻側(cè)的頻率特性的變化的圖；圖5是表示本發(fā)明的第二實(shí)施方式涉及的聲表面波濾波器的示意俯視圖；圖6是表示本發(fā)明的第三實(shí)施方式涉及的聲表面波濾波器的示意俯視圖；圖7是表示現(xiàn)有的聲表面波濾波器的一例的示意俯視圖。
圖中1-聲表面波濾波器；2-壓電基板；3-不平衡端子；4、5-第一、第二平衡端子；11～15-第一～第五IDT；16、17-反射器；18-聲表面波濾波部；19、20-單端口型聲表面波諧振子；19a、20a-IDT；19b、19c-反射器；20b、20c-反射器；21-聲表面波濾波器；22-壓電基板；23-聲表面波濾波部；24-聲表面波濾波部；25-不平衡端子；26、27-第一、第二平衡端子；30a、30b-反射器；31～35-第一～第五IDT；36～40-第六～第十IDT；41a、41b-反射器；51～54-第一～第四信號線；61-聲表面波濾波器；62-壓電基板；63-第二聲表面波濾波部；64-第一聲表面波濾波部；65-不平衡端子；66、67-第一、第二平衡端子；71～75-第六～第十IDT；76、77-反射器；81～85-第一～第五IDT；86、87-反射器；91、92-第一、第二信號線；N-窄間距電極指部。
具體實(shí)施例方式
下面，通過參照附圖對本發(fā)明的具體實(shí)施方式
進(jìn)行說明，可進(jìn)一步明確本發(fā)明。
(第一實(shí)施方式)圖1是本發(fā)明的一實(shí)施方式涉及的聲表面波濾波器的示意俯視圖。
本實(shí)施方式的聲表面波濾波器1具有板狀的壓電基板2。在本實(shí)施方式中，壓電基板2由40±5°Y切X方向傳送LiTaO3(Y-cut X-propagationLiTaO3)基板構(gòu)成。聲表面波濾波器1是具有不平衡端子3、第一平衡端子4和第二平衡端子5，并具有平衡—不平衡轉(zhuǎn)換功能的平衡型聲表面波濾波器。另外，本實(shí)施方式的聲表面波濾波器1被用作DCS接收用帶通濾波器，設(shè)定不平衡端子3的阻抗為50Ω，設(shè)定第一和第二平衡端子4、5的阻抗為100Ω。
在壓電基板2上，構(gòu)成了具有第一～第五IDT11～15、反射器16、17的縱耦合諧振子型聲表面波濾波部18。第一～第五IDT11～15在縱耦合諧振子型聲表面波濾波部18中沿表面波傳播方向按該順序配置。并且，在配置了第一IDT11～第五IDT15的區(qū)域的表面波傳播方向兩側(cè)，配置有反射器16、17。
在本實(shí)施方式中，第二和第四IDT12、14的一端與不平衡端子3連接。第二和第四IDT12、14的另一端與接地電位連接。第二IDT12的相位與第四IDT14的相位相差180°。
另一方面，中央的第三IDT13沿表面波傳播方向分成兩個(gè)。即，IDT13具有靠近第二IDT12側(cè)的第一分割I(lǐng)DT部13a、和靠近第四IDT14側(cè)的第二分割I(lǐng)DT部13b。
第一IDT11的一端和第三IDT13的第一分割I(lǐng)DT部13a通過后述的單端口型聲表面波諧振子19與第一平衡端子4連接。
另外，第三IDT13的第二分割I(lǐng)DT部13b和第五IDT15的一端公共連接，且通過單端口型聲表面波諧振子20與第二平衡端子5連接。
在本發(fā)明中，也可不設(shè)置單端口型聲表面波諧振子19、20，但通過設(shè)置單端口型聲表面波諧振子19、20，可增大比通帶更高頻側(cè)附近的衰減量。
單端口型聲表面波諧振子19、20分別具有IDT19a、20a。在IDT19a的表面波傳播方向兩側(cè)設(shè)置有反射器19b、19c。在IDT20a的表面波傳播方向兩側(cè)還設(shè)置有反射器20b、20c。
構(gòu)成上述縱耦合諧振子型聲表面波濾波部18、單端口型聲表面波諧振子19、單端口型聲表面波諧振子20的各電極，在本實(shí)施方式中由Al膜形成。可是，在本發(fā)明中，構(gòu)成聲表面波濾波器的各電極還可利用Al以外的適當(dāng)?shù)慕饘倩蚝辖饋硇纬?。另外，電極也可具有層疊了多個(gè)電極層的結(jié)構(gòu)。
在縱耦合諧振子型聲表面波濾波部18中，在兩個(gè)IDT相鄰的部分，各IDT的端部設(shè)置有窄間距電極指部N。例如，若著眼于IDT11和IDT12的相鄰部分，在IDT11和IDT12側(cè)的端部設(shè)置有窄間距電極指部N。窄間距電極指部N是指，在設(shè)置有窄間距電極指部N的IDT中，與窄間距電極指部N以外的電極指部相比電極指間距相對小的電極指部。
通過在IDT彼此相鄰的部分設(shè)置窄間距電極指部N，從而可緩和IDT相鄰的部分的不連續(xù)性。因此，通過調(diào)整IDT彼此相鄰的部分的間隙的大小，可獲得寬帶的濾波特性。
可是，在本發(fā)明中，未必在IDT鄰接的部分設(shè)置窄間距電極指部。
另外，IDT的中心頻率由除窄間距電極指部N之外剩余的電極指部的電極指間距決定。即，對本發(fā)明中的IDT的中心頻率進(jìn)行確定的電極指的根數(shù)是指，在設(shè)置有窄間距電極指部N的IDT的情況下，從該IDT的電極指的根數(shù)中減掉窄間距電極指部的電極指的根數(shù)所得到的值。因此，若以IDT11為例，則確定第一IDT11的中心頻率的電極指的根數(shù)N1為從IDT11的電極指的根數(shù)中減掉IDT11的位于IDT12的側(cè)端部的窄間距電極指部N的電極指的根數(shù)所得到的值。另外，若以第三IDT13為例，在第三IDT13中，在表面波傳播方向兩端分別設(shè)置有窄間距電極指部N。因此，確定IDT13的中心頻率的電極指的根數(shù)N3成為從IDT13的電極指的根數(shù)中減掉兩個(gè)窄間距電極指部N的電極指根數(shù)的合計(jì)值所得到的值。
對于確定第五IDT15的中心頻率的電極指的根數(shù)N5，也與確定第一IDT11的中心頻率的電極指的根數(shù)N1同樣地確定。
本實(shí)施方式的特征在于，在按上述方式確定的N1、N3以及N5之間，滿足1.55≤N3/N1≤2.58，且N1＝N5，由此可有效抑制在通帶附近產(chǎn)生寄生成分。根據(jù)更具體的實(shí)驗(yàn)例對此進(jìn)行說明。
在由40±5°Y切X方向傳送LiTaO3基板構(gòu)成的壓電基板2上，按以下的規(guī)格形成縱耦合諧振子型聲表面波濾波部18、單端口型聲表面波諧振子19、20，從而制作出聲表面波濾波器2。
(縱耦合諧振子型聲表面波濾波部18的規(guī)格)電極指交叉寬度105μmIDT的電極指的根數(shù)第一～第五IDT11～15的順序28(5)/(4)27(4)/(5)54(5)/(4)27(4)/(5)28。其中，()內(nèi)的數(shù)字表示設(shè)置于IDT的一個(gè)窄間距電極指部的電極指的根數(shù)，沒有用()括起來的數(shù)字表示窄間距電極指部以外的電極指的根數(shù)。
反射器16、17的電極指的根數(shù)80根金屬化比率(metallization ratio)0.68電極膜厚0.092λI。其中，λI是由電極指的間距確定的波長。
(聲表面波諧振子19、20的規(guī)格)電極指交叉寬度45μmIDT19a、20a的電極指的根數(shù)161根反射器19b、19c、20b、20c的電極指的根數(shù)15根金屬化比率0.60圖2是表示按照上述方式制作的本實(shí)施方式的聲表面波濾波器1的衰減量頻率特性的圖。本實(shí)施方式的聲表面波濾波器1的通帶為1805～1880MHz。如從圖2可以明確，在通帶附近未出現(xiàn)大的寄生成分。為了更具體地對此進(jìn)行說明，當(dāng)設(shè)確定第一～第五IDT11～15的中心頻率的電極指的根數(shù)為N1～N5時(shí)，在圖3和圖4中表示了使電極指的對的數(shù)量變化時(shí)的通帶低頻側(cè)的頻率特性。
在圖3中，固定為N2＝N4＝27根，設(shè)N1＝N5。并且，按照N3/N1增大的方式改變N1和N3，準(zhǔn)備N3/N1不同的五個(gè)聲表面波濾波器，測定頻率特性。如從圖3可以明確，直至N1為24根且N3為62根為止，在通帶附近不會(huì)產(chǎn)生寄生成分。相對于此，若使N1＝22且N3＝66，則可知在1792MHz附近產(chǎn)生了由箭頭B表示的小的寄生成分。進(jìn)而，若使N1＝18且N3＝74，則可知如箭頭A所示，該寄生成分增大，帶寬變窄。即，若按照使N3/N1增大的方式變化，則可知直至N3/N1＝2.58附近，不會(huì)產(chǎn)生寄生成分。因此，可知希望使N3/N1在2.58以下。
下面，固定為N2＝N4＝27根，設(shè)N1＝N5，反之以N3/N1依次減小的方式改變N1、N3和N5的值，從而制作出多種聲表面波濾波器。在圖4中表示關(guān)于這些聲表面波濾波器的通帶低頻側(cè)的頻率特性。
如從圖4可以明確，當(dāng)N1＝32且N3＝46、即N3/N1＝1.44時(shí)，如箭頭C所示那樣，在通帶低頻側(cè)出現(xiàn)大的寄生成分。相對于此，若N1＝31且N3＝48、即N3/N1達(dá)到1.55以上，則可知幾乎不會(huì)產(chǎn)生寄生成分。即，若按照使N3/N1減小的方式變化，則可知直至N3/N1＝1.55附近，幾乎不會(huì)產(chǎn)生寄生成分。
同樣，改變N2和N4的值為23根和31根，并與上述同樣地改變N1、N3和N5的值，研究不產(chǎn)生寄生成分的N3/N1的值。在表1中表示結(jié)果。


如從表1可以明確，即使較大地改變N2和N4的數(shù)量，在通帶低頻側(cè)不產(chǎn)生寄生成分的N3/N1的范圍也幾乎不變化。即，即使在N2和N4的數(shù)量變化的情況下，若使1.55≤N3/N1≤2.58，則可抑制上述寄生成分的產(chǎn)生。
從以上的實(shí)驗(yàn)結(jié)果可以明確，為了抑制比通帶更靠近低頻側(cè)的距通帶非常近的位置產(chǎn)生的寄生成分，調(diào)整確定第一、第三、第五IDT11、13、15的中心頻率的電極指的根數(shù)N1、N3、N5是重要的，按照1.55≤N3/N1≤2.58且N1＝N5的方式設(shè)定IDT11、13、15的電極指的對的數(shù)量即可。通過滿足1.55≤N3/N1≤2.58且N1＝N5，可抑制通帶低頻側(cè)的寄生成分，這是由本申請發(fā)明者通過實(shí)驗(yàn)得到的結(jié)果。并且，在5IDT型的平衡型聲表面波濾波器中，為了抑制通帶低頻側(cè)的寄生成分，僅著眼于N1、N3、N5的數(shù)量即可，這在本申請?zhí)岢錾暾垥r(shí)是完全未知的。
(第二實(shí)施方式)圖5是表示本發(fā)明的第二實(shí)施方式涉及的聲表面波濾波器的電極結(jié)構(gòu)示意俯視圖。
在第二實(shí)施方式的聲表面波濾波器21中，在壓電基板22上，形成有第一、第二聲表面波濾波部23、24。第一、第二聲表面波濾波部23、24均為5IDT型的縱耦合諧振子型聲表面波濾波器。并且，第二聲表面波濾波部24與第一聲表面波濾波部23級聯(lián)連接。在本發(fā)明中，兩個(gè)聲表面波濾波部23、24也可以兩級級聯(lián)連接。
第一聲表面波濾波部23具有沿表面波傳播方向配置的第一～第五IDT31～35。而且，在設(shè)置有IDT31～35的區(qū)域的表面波傳播方向兩側(cè)配置有反射器30a、30b。IDT31～35和反射器30a、30b與第一實(shí)施方式的IDT11～15和反射器16、17同樣地構(gòu)成。
另外，第二聲表面波濾波部24也同樣具有第六IDT36～第十IDT40作為5個(gè)IDT。在設(shè)置有IDT36～40的區(qū)域的表面波傳播方向兩側(cè)配置有反射器41a、41b。在此，IDT36～40除第九IDT39以外，成為相對于通過聲表面波濾波部23、24間的中心且沿表面波傳播方向延伸的中心線，與IDT31～35對稱的形狀。第九IDT39與第七IDT37的相位成為同相位。另外，第八IDT38與第三IDT33同樣，具有沿表面波傳播方向分為兩個(gè)的第一分割I(lǐng)DT部38a、第二分割I(lǐng)DT部38b。
另外，第六～第十IDT36～40也還具有窄間距電極指部。
在不平衡端子25連接有第一聲表面波濾波部23的第二、第四IDT32、34的一端。并且，第一IDT31通過第一信號線51與第二聲表面波濾波部24的第六IDT36電連接。另外，第一聲表面波濾波部23的第三IDT33的第一、第二分割I(lǐng)DT部33a、33b分別通過第二、第三信號線52、53與第二聲表面波濾波部24的第八IDT38的第一、第二分割I(lǐng)DT部38a、38b電連接。第一聲表面波濾波部23的第五IDT35通過第四信號線54與第二聲表面波濾波部24的第十IDT40電連接。
第二聲表面波濾波部24的第七、第九IDT37、39分別與第一、第二平衡端子26、27電連接。
這樣，即使在第一、第二聲表面波濾波部23、24兩級級聯(lián)連接的結(jié)構(gòu)中，根據(jù)本發(fā)明，在第一聲表面波濾波部23中，使1.55≤N3/N1≤2.58且N1＝N5，進(jìn)而在第二聲表面波濾波部24中，當(dāng)使確定第六～第十IDT36～40的中心頻率的電極指的根數(shù)為N6～N10時(shí)，通過使1.55≤N8/N6≤2.58且N6＝N10，從而可與第一實(shí)施方式同樣有效抑制在通帶附近產(chǎn)生寄生成分。
而且，由于具有兩級級聯(lián)連接結(jié)構(gòu)，因此可實(shí)現(xiàn)頻帶外衰減量的擴(kuò)大。進(jìn)而，如第二實(shí)施方式那樣，當(dāng)按照在第一信號線51和第三信號線53中傳播的信號的相位、與在第二信號線52和第四信號線54中傳播的信號的相位相差180°的方式構(gòu)成IDT31～35和36～40時(shí)，還可改善聲表面波濾波器21的平衡度，因而優(yōu)選。
(第三實(shí)施方式)圖6是表示本發(fā)明的第三實(shí)施方式涉及的聲表面波濾波器的電極結(jié)構(gòu)的示意俯視圖。在第三實(shí)施方式的聲表面波濾波器61中，在壓電基板62上，第二聲表面波濾波部63形成于第一聲表面波濾波部64的前段，第二聲表面波濾波部63和第一聲表面波濾波部64進(jìn)行兩級級聯(lián)連接。
第二聲表面波濾波部63具有沿表面波傳播方向配置的第六～第十IDT71～75、在設(shè)置有IDT71～75的區(qū)域的表面波傳播方向兩側(cè)配置的反射器76、77。IDT71～75在IDT彼此相鄰的部分具有窄間距電極指部N。
可是，第八IDT73與第一實(shí)施方式的聲表面波濾波器1不同，不具有分割I(lǐng)DT部。第二聲表面波濾波部63的第六、第八和第十IDT71、73、75的一端公共連接，與不平衡端子65電連接。并且，第七IDT72的相位與第九IDT74的相位反相。
另一方面，第一聲表面波濾波部64具有第一～第五IDT81～85和反射器86、87。第一～第五IDT81～85和反射器86、87與第一實(shí)施方式的第一～第五IDT11～15和反射器16、17同樣地構(gòu)成。因此，第一IDT81和第三IDT83的第一分割I(lǐng)DT部83a與第一平衡端子66電連接，第三IDT83的第二分割I(lǐng)DT部83b以及第五IDT85與第二平衡端子67電連接。并且，第二IDT82的相位與第四IDT84的相位為同相位。第二IDT82通過第一信號線91與第二聲表面波濾波部63的第七IDT電連接，第四IDT84通過第二信號線92與第二聲表面波濾波部63的第九IDT74電連接。
在本實(shí)施方式中，在第一信號線91中傳播的信號的相位與在第二信號線92中傳播的信號的相位相差180°。
在本實(shí)施方式中，在使確定第一～第五IDT81～85的中心頻率的電極指的根數(shù)分別為N1～N5時(shí)，通過使1.55≤N3/N1≤2.58且N1＝N5，從而也可與第一實(shí)施方式的聲表面波濾波器1同樣有效抑制在通帶附近產(chǎn)生寄生成分。而且，由于在聲表面波濾波部64的前端連接有第二聲表面波濾波部63，因此可實(shí)現(xiàn)頻帶外衰減量的擴(kuò)大。
并且，由于在第一信號線91中傳播的信號的相位與在第二信號線92中傳播的信號的相位相差180°，因此在聲表面波濾波器61中還可有效改善平衡度。
這樣，本發(fā)明中，在滿足1.55≤N3/N1≤2.58且N1＝N5的上述第一實(shí)施方式的聲表面波濾波器的前段，也可連接5IDT型的其他結(jié)構(gòu)的縱耦合諧振子型聲表面波濾波器。
另外，在本發(fā)明中，作為壓電基板，并不限于所述的40±5°Y切X方向傳送LiTaO3基板，可采用64°～72°Y切X方向傳送的LiNbO3基板或41°Y切X方向傳送的LiNbO3基板等各種壓電單晶基板。另外，也可取代壓電單晶而由壓電陶瓷構(gòu)成壓電基板。
權(quán)利要求
1.一種平衡型聲表面波濾波器，具有不平衡端子、第一和第二平衡端子，并具有平衡一不平衡轉(zhuǎn)換功能，其中，該平衡型聲表面波濾波器具備壓電基板；和第一～第五IDT，該第一～第五IDT在所述壓電基板上，沿表面波傳播方向配置，所述第二、第四IDT與所述不平衡端子連接，且第二IDT的相位與第四IDT的相位相差180°，所述第三IDT具有沿表面波傳播方向分割的第一分割I(lǐng)DT部和第二分割I(lǐng)DT部，在所述第一平衡端子連接有第一分割I(lǐng)DT部和所述第一IDT，在第二平衡端子連接有所述第二分割I(lǐng)DT部和所述第五IDT，當(dāng)設(shè)確定所述第一IDT的中心頻率的電極指的根數(shù)為N1、確定第三IDT的中心頻率的電極指的根數(shù)為N3、確定第五IDT的中心頻率的電極指的根數(shù)為N5時(shí)，使1.55≤N3/N1≤2.58且N1＝N5。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的平衡型聲表面波濾波器，其特征在于，由所述第一～第五IDT構(gòu)成第一聲表面波濾波部，還具備與該第一聲表面波濾波部級聯(lián)連接的第二聲表面波濾波部，所述第二聲表面波濾波部具備壓電基板、和在壓電基板上沿聲表面波傳播方向配置的第六～第十IDT，第八IDT具有沿表面波傳播方向分割的第一分割I(lǐng)DT部和第二分割I(lǐng)DT部，當(dāng)設(shè)確定第六IDT的中心頻率的電極指的根數(shù)為N6、確定第八IDT的中心頻率的電極指的根數(shù)為N8、確定第十IDT的中心頻率的電極指的根數(shù)為N10時(shí)，使1.55≤N8/N6≤2.58且N6＝N10。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的平衡型聲表面波濾波器，其特征在于，所述第一聲表面波濾波部的所述第一IDT、第一分割I(lǐng)DT部、第二分割I(lǐng)DT部以及第五IDT，分別通過第一～第四信號線，與所述第二聲表面波濾波部的第六IDT、第八IDT的第一分割I(lǐng)DT部、第八IDT的第二分割I(lǐng)DT部以及第九IDT連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的平衡型聲表面波濾波器，其特征在于，在所述第一、第三信號線中傳播的信號的相位與在第二、第四信號線中傳播的信號的相位相差180°。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的平衡型聲表面波濾波器，其特征在于，由所述第一～第五IDT構(gòu)成第一聲表面波濾波部，還具備級聯(lián)連接于該第一聲表面波濾波部和所述不平衡端子之間的第二聲表面波濾波部，使所述第二IDT的相位與第四IDT的相位為同相位，所述第二聲表面波濾波部具備壓電基板；和在壓電基板上沿聲表面波傳播方向配置的第六～第十IDT，第七IDT的相位與第九IDT的相位相差180°，第六、第八和第十IDT與所述不平衡端子連接，第七IDT和第九IDT分別通過第一、第二信號線與所述第一聲表面波濾波部的第二以及第四IDT電連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的平衡型聲表面波濾波器，其特征在于，在所述第一信號線中傳播的信號的相位與在所述第二信號線中傳播的信號的相位相差180°。
全文摘要
本發(fā)明提供一種聲表面波濾波器(1)，其為具有平衡－不平衡轉(zhuǎn)換功能的5IDT型的聲表面波濾波器，可有效抑制在通帶附近的寄生成分的產(chǎn)生。其中，在壓電基板(2)上，沿表面波傳播方向配置有第一～第五IDT(11～15)，第二IDT(12)與第四IDT(14)的相位相差180°，第二、第四IDT與不平衡端子連接，第三IDT具有第一和第二分割I(lǐng)DT部(13a、13b)，第一IDT(11)和第一分割I(lǐng)DT部(13a)與第一平衡端子(4)連接，第二分割I(lǐng)DT部(13b)和第五IDT(15)與第二平衡端子(5)連接，當(dāng)分別設(shè)確定第一、第三、第五IDT(11、13、15)的中心頻率的電極指的根數(shù)為N1、N3和N5時(shí)，使1.55≤N3/N1≤2.58且N1＝N5。
文檔編號H03H9/145GK101040436SQ20058003490
公開日2007年9月19日 申請日期2005年10月12日 優(yōu)先權(quán)日2004年10月22日
發(fā)明者高峰裕一 申請人:株式會(huì)社村田制作所