專利名稱：電子元件及封裝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明總體上涉及一種封裝和一種具有氣密地密封一芯片的封裝結(jié)構(gòu)的電子元件，并且更具體地，涉及一種封裝和一種具有一封裝結(jié)構(gòu)的電子元件，該封裝結(jié)構(gòu)適于改進(jìn)濾波器器件(如表面聲波器件)的諸如阻帶衰減的電特性。
背景技術(shù)：
傳統(tǒng)上，表面聲波器件(以下簡(jiǎn)稱為SAW器件)已被用作各具有將一芯片氣密地密封在其中的封裝的電子元件。傳統(tǒng)的SAW器件通常包括一SAW器件芯片和一封裝，其中，該SAW器件芯片具有形成在壓電基板上的SAW元件，并且將該SAW器件芯片氣密地密封在所述封裝中。
這種SAW器件廣泛應(yīng)用于電視(TV)接收器、磁帶錄像機(jī)(VTR)、DVD(數(shù)字多媒體光盤)記錄器、以及蜂窩電話裝置的濾波器件和振蕩器。更具體地，SAW器件廣泛應(yīng)用于各種處理45MHz到2GHz頻帶中的無(wú)線電信號(hào)的電路。這些電路包括發(fā)送帶通濾波器、接收帶通濾波器、本機(jī)振蕩濾波器、天線雙工器、中頻濾波器以及調(diào)頻器。
近年來(lái)，隨著這些信號(hào)處理裝置的大小顯著得變小，對(duì)在這些裝置中所采用的更小的電子元件(如SAW器件)的需求日益增加。特別地，對(duì)于諸如蜂窩電話裝置的便攜式電子裝置迫切需要高度較低的表面安裝型(surface-mounted type)SAW器件。
為了進(jìn)行SAW器件的表面安裝，通常使用由陶瓷制成的封裝結(jié)構(gòu)。例如，在日本未審專利公開(kāi)No.7-336186中公開(kāi)了這種封裝結(jié)構(gòu)。但是，如果封裝尺寸較大，則陶瓷封裝可能比較昂貴。
同時(shí)，例如在日本未審專利公開(kāi)No.2001-60842中提出了一種不太昂貴的封裝，該封裝不是由陶瓷制成的。這種封裝結(jié)構(gòu)具有金屬部分和絕緣部分。絕緣部分形成在金屬部分中的多個(gè)通孔中，并且在該絕緣部分中嵌有用于外部連接的多條引線。在兩端支撐容納在該封裝中的晶體振蕩器，并且按不阻礙振蕩的方式將該晶體振蕩器附連到所述封裝。
然而，在日本未審專利公開(kāi)No.2001-60842中所公開(kāi)的封裝并不適合容納要被導(dǎo)線接合并小片安裝到封裝上的芯片(如SAW器件芯片)，這是由于該封裝在兩端對(duì)晶體振蕩器進(jìn)行支撐。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的就在于提供一種電子元件和一種封裝，其中消除了上述缺點(diǎn)。
本發(fā)明的一個(gè)更具體的目的在于提供一種電子元件和一種封裝，其可以容易地彼此進(jìn)行導(dǎo)線接合并且表現(xiàn)出高的可靠性。
本發(fā)明的上述目的通過(guò)一種電子元件來(lái)實(shí)現(xiàn)，該電子元件包括封裝，具有一通過(guò)壓制金屬而形成的金屬部分和一通過(guò)熔接而附連到該金屬部分的絕緣部分；芯片，被容納在所述封裝中；多個(gè)第一外部端子，利用多條金屬導(dǎo)線電連接到所述芯片，并且被部分地嵌入在所述絕緣部分中；以及多個(gè)接地端子，該多個(gè)接地端子為所述金屬部分的多個(gè)凸起，并且通過(guò)多條金屬導(dǎo)線與所述芯片電連接，所述多個(gè)第一外部端子和所述芯片之間的多個(gè)連接點(diǎn)、與所述多個(gè)接地端子和所述芯片之間的多個(gè)連接點(diǎn)位于相同的高度。
本發(fā)明的上述目的還通過(guò)一種封裝來(lái)實(shí)現(xiàn)，該封裝包括通過(guò)壓制金屬而形成的金屬部分；通過(guò)熔接而附連到該金屬部分的絕緣部分；多個(gè)第一外部端子，被部分地嵌入在所述絕緣部分中；以及多個(gè)接地端子，該多個(gè)接地端子為所述金屬部分的多個(gè)凸起，所述多個(gè)第一外部端子的多個(gè)內(nèi)部連接點(diǎn)與所述多個(gè)接地端子的多個(gè)內(nèi)部連接點(diǎn)位于相同的高度。


結(jié)合附圖閱讀以下的詳細(xì)說(shuō)明，本發(fā)明的其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)將變得更加清楚，其中圖1A是作為一對(duì)比示例而顯示的SAW器件的封裝的平面圖；圖1B是透過(guò)外蓋觀察到的所述SAW器件的內(nèi)部的平面圖；圖1C是作為所述對(duì)比示例的所述SAW器件的仰視圖；圖1D是沿圖1B中的線A-A所截取的SAW器件的剖視圖；圖2A是作為另一對(duì)比示例而顯示的SAW器件的封裝的平面圖；圖2B是透外蓋觀察到的所述SAW器件的內(nèi)部的平面圖；圖2C是作為另一對(duì)比示例的所述SAW器件的仰視圖；圖2D是沿圖2B中的線B-B所截取的所述SAW器件的剖視圖；圖3A是根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的SAW器件的封裝的平面圖；圖3B是透過(guò)外蓋觀察到的所述SAW器件的內(nèi)部的平面圖；圖3C是沿圖3A中的線C-C所截取的所述SAW器件的剖視圖；圖4是一曲線圖，顯示了采用250MHz頻帶SAW濾波器作為根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的SAW器件芯片的SAW器件的頻率特性；圖5A是根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的SAW器件的封裝的平面圖；圖5B是透過(guò)外蓋觀察到的所述SAW器件的內(nèi)部的平面圖；圖5C是沿圖5A中的線D-D所截取的所述SAW器件的剖視圖；圖6A是根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的SAW器件的封裝的平面圖；圖6B是透過(guò)外蓋觀察到的所述SAW器件的內(nèi)部的平面圖；圖6C是沿圖6A中的線E-E所截取的所述SAW器件的剖視圖；以及圖7是沿圖6A的線E’-E’所截取的所述SAW器件的剖視圖。
具體實(shí)施例方式
為更好地理解本發(fā)明，首先說(shuō)明對(duì)比示例。各對(duì)比示例示出的有一封裝，具有一通過(guò)壓制金屬而形成的金屬部分和一通過(guò)熔接而附連到該金屬部分的絕緣部分；以及，一SAW器件，包括一被小片安裝(die-mounted)在該封裝中的SAW器件芯片。
圖1A至1D顯示了這種SAW器件。圖1A是封裝100A的平面圖。圖1B是透過(guò)稍后將描述的用作蓋60的板狀部件觀察到的所述SAW器件的內(nèi)部的平面圖。圖1C是該SAW器件的仰視圖。圖1D是沿圖1B中的線A-A所截取的該SAW器件的剖視圖。
圖1A至1D中所示的SAW器件是這樣一種電子元件，該電子元件包括封裝100A和容納在該封裝100A中的SAW器件芯片40。封裝100A具有一通過(guò)壓制金屬而形成的金屬部分10A和一通過(guò)熔接附連到該金屬部分10A的絕緣部分30A。所述SAW器件還包括多個(gè)第一外部端子20，該多個(gè)第一外部端子20與SAW器件芯片40電連接并且被對(duì)齊并嵌入在絕緣部分30A中；以及一板狀部件15A，用于支撐SAW器件芯片40。金屬部分10A具有多個(gè)凹部19，形成多個(gè)第二外部端子；以及，板狀部件15A，被設(shè)置得覆蓋該多個(gè)凹部19。
更具體地，圖1A至1D中所示的SAW器件包括封裝100A和被氣密地密封在該封裝100A中的SAW器件芯片40。封裝100A包括金屬部分10A和絕緣部分30A，并且在該封裝100A的空腔中容納有SAW器件芯片40。該金屬部分10A是通過(guò)壓制金屬而形成的。金屬部分10A厚度為50μm，并且形成封裝100A的主外壁。金屬部分10A還具有多個(gè)凹部19。當(dāng)從封裝100A的內(nèi)部觀察時(shí)，各凹部19具有凹入形狀，但是當(dāng)從封裝100A的外部觀察時(shí)，各凹部19具有凸出的形狀。各凹部19具有一C形截面。所述多個(gè)凹部19也是通過(guò)壓制所述金屬而形成的。各凹部19的外部是平坦的，使得凹部19形成用于外部連接的區(qū)域。多個(gè)凹部19用作在下文中也用標(biāo)號(hào)19來(lái)表示的多個(gè)第二外部端子。該多個(gè)第二外部端子19是封裝100A的部分，也是金屬部分10A的部分。第二外部端子19不直接連接到SAW器件芯片40，并且充當(dāng)封裝100A的接地端子。當(dāng)把所述SAW器件安裝在印刷電路板上時(shí)，盡管沒(méi)有直接連接到SAW器件芯片40，所述多個(gè)第二外部端子19仍具有相同的電勢(shì)(地電勢(shì))。
板狀部件15A可以是具有矩形形狀的金屬板，并且被布置得覆蓋所述多個(gè)凹部19。板狀部件15A具有一接合點(diǎn)70，該接合點(diǎn)70被焊接并固定到封裝100A的金屬部分10A的內(nèi)表面(內(nèi)壁)。板狀部件15A用于提供一個(gè)把SAW器件芯片40安裝(小片安裝)并接合到其上的平坦區(qū)域。利用多條金屬導(dǎo)線50將SAW器件芯片40上的多個(gè)端子和所述多個(gè)第一外部端子20進(jìn)行電連接。
絕緣部分30A設(shè)置在封裝100A的底面上。更具體地，通過(guò)熔接將絕緣部分30A附連到封裝100A的底面上，并且使絕緣部分30A完全充滿多個(gè)通孔18。絕緣部分30A從該多個(gè)通孔18中略微向內(nèi)突出。
將所述多個(gè)第一外部端子20嵌入在絕緣部分30A中。當(dāng)把所述多個(gè)第一外部端子20嵌入在絕緣部分30A中時(shí)，該多個(gè)第一外部端子20貫穿對(duì)齊的所述多個(gè)通孔18。通過(guò)壓制板狀金屬形成所述多個(gè)第一外部端子20，并且通過(guò)熔接將該多個(gè)第一外部端子20附連到絕緣部分30A。各第一外部端子20的一端通過(guò)各對(duì)應(yīng)的絕緣部分30A暴露到所述空腔的內(nèi)部。各第一外部端子20的另一端形成封裝100A的底面的部分。該底面的部分充當(dāng)用于連接外部的區(qū)域。當(dāng)通過(guò)熔接將絕緣部分30A附連到金屬部分10A時(shí)，第一外部端子20為直的。但是，在通過(guò)熔接將絕緣部分30A附連到金屬部分10A之后，各第一外部端子20變彎曲了。因此，沒(méi)有將各第一外部端子20的內(nèi)表面焊接到絕緣部分30A，并且在各第一外部端子20與各對(duì)應(yīng)的絕緣部分30A之間形成有一小的間隙。第一外部端子20的連接區(qū)域、絕緣部分30A的暴露面、以及作為第二外部端子19的凹部19形成封裝100A的底面、或者所述SAW器件的底面(安裝面)。在此，所述底面總體上是平坦的。
SAW器件芯片40具有通過(guò)在壓電基板12上構(gòu)圖而形成的多個(gè)交指型變換器(IDT)13和多個(gè)電極端子11。SAW器件芯片40還具有印刷于其上用于降低表面聲波(SAW)的反射的樹(shù)脂材料14。將該樹(shù)脂材料14布置得覆蓋所述多個(gè)IDT13。壓電基板12沿SAW傳播方向的多個(gè)端面各相對(duì)于該SAW傳播方向形成一預(yù)定角度，使得可以防止由于在壓電基板12的所述多個(gè)端面上的反射而導(dǎo)致的濾波特性惡化。此外，將所述多個(gè)IDT13設(shè)計(jì)得具有一定的電極指間隔和權(quán)重形狀(weighting form)，以實(shí)現(xiàn)期望的濾波特性。在將30MHz至75MHz頻帶的TV中頻濾波器形成為SAW器件芯片40的情況下，SAW器件芯片40的大小近似為10mm×2mm。但是，也可以采用各種其他濾波器，如1.9GHz頻帶SAW濾波器和250MHz頻帶SAW濾波器。
通過(guò)壓制金屬而形成蓋60，并且將其附連到沿封裝100A的外壁邊緣所形成的凸緣16。利用蓋60，將封裝100A的內(nèi)部氣密地密封起來(lái)。
封裝100A的金屬部分10A、多個(gè)第一外部端子20、以及蓋60可以采用金屬(如工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)SPC材料(冷軋鋼板)、42號(hào)合金、或者科瓦鐵鎳鈷合金)制成。優(yōu)選地，在金屬部分10A、多個(gè)第一外部端子20以及蓋60的表面上鍍覆鎳(Ni)或金(Au)。絕緣部分30A可以采用可通過(guò)熔接容易地附連到金屬的絕緣材料(如玻璃或者玻璃陶瓷)制成。這些材料可以容易地附連并結(jié)合到金屬上，并且可以增強(qiáng)抗機(jī)械沖擊性。金屬導(dǎo)線50可以為Au導(dǎo)線或者鋁(Al)導(dǎo)線。可以通過(guò)電阻加熱焊接、縫焊或者激光焊接來(lái)實(shí)現(xiàn)封裝100A的蓋60與凸緣16的接合。
封裝100A至少包括金屬部分10A和絕緣部分30A，但是所述多個(gè)第一外部端子20和蓋60也可以被認(rèn)為是封裝100A的部分。
圖2A至2D顯示了下面將作為另一對(duì)比示例進(jìn)行說(shuō)明的SAW器件。圖2A是封裝100B的平面圖。圖2B是透過(guò)蓋60觀察到的所述SAW器件的內(nèi)部的平面圖。圖2C是所述SAW器件的仰視圖。圖2D是沿圖2B中的線B-B所截取的所述SAW器件的剖視圖。在圖2A至2D中，與圖1A至圖1D中相同的部件采用與圖1A至圖1D中相同的標(biāo)號(hào)來(lái)表示。該對(duì)比示例與前述的圖1A至1D中所示的對(duì)比示例的不同之處在于，多個(gè)第二外部端子不是由封裝的金屬部分形成的，而是利用與該封裝分離的材料形成的，并且將SAW器件芯片直接附連到封裝的金屬部分。
更具體地，圖2A至圖2D中所示的SAW器件包括封裝100B和被氣密地密封在該封裝100B中的SAW器件芯片40。封裝100B包括一金屬部分10B和一絕緣部分30B，并且將SAW器件芯片40容納在封裝100B的內(nèi)空腔中。金屬部分10B是通過(guò)壓制金屬而形成的。金屬部分10B厚度為50μm，并且形成封裝100B的主外壁。金屬部分10B還具有一也是通過(guò)壓制所述金屬而形成的芯片安裝部分15B。該芯片安裝部分15B具有一平坦外表面，通過(guò)焊接等方式將所述多個(gè)第二外部端子21附連到該平坦外表面上。第二外部端子21不直接與SAW器件芯片40相連，并且充當(dāng)封裝100B的接地端子。各第二外部端子21具有一L形截面，并且在接合點(diǎn)70B與金屬部分10B電連接。當(dāng)把所述SAW器件安裝在印刷電路板上時(shí)，所述多個(gè)第二外部端子21具有相同的電勢(shì)(地電勢(shì))。由于第二外部端子21不直接連接到SAW器件芯片40，所以第二外部端子21還用作啞端子(dummy terminal)。
在圖1A至1D中所示的SAW器件中，該SAW器件芯片40上的多個(gè)接地圖案不直接連接到用作封裝100A的接地端子的第二外部端子19。在圖2A至2D中所示的SAW器件中，該SAW器件芯片40上的多個(gè)接地圖案不直接連接到用作封裝100B的接地端子的第二外部端子21。因此，在這兩個(gè)對(duì)比示例中都不能充分地確保阻帶衰減，該阻帶衰減是SAW器件的電特性。而且，為將各SAW器件上的多個(gè)接地圖案連接到封裝100A/100B的金屬部分10A/10B，需要利用金屬導(dǎo)線將所述多個(gè)接地圖案直接連接到芯片安裝表面的金屬部分。然而，該芯片安裝表面可能使一些粘接樹(shù)脂從SAW器件芯片40與封裝100A/100B之間的接合區(qū)域中滲出，并且使用金屬導(dǎo)線50進(jìn)行連接的可靠性可能不夠高。此外，當(dāng)將多條金屬導(dǎo)線連接到位于比SAW器件芯片40的表面高度要低的芯片安裝表面時(shí)，接合工具和金屬導(dǎo)線將干擾SAW器件芯片40，導(dǎo)致不可靠的導(dǎo)線連接。
鑒于上述事實(shí)，本發(fā)明提供一種小型、可靠的電子元件以及一種封裝，其中利用多條金屬導(dǎo)線將金屬部分連接到諸如SAW器件芯片的芯片上的多個(gè)接地圖案，從而可以改進(jìn)電子元件(如SAW器件)的電特性。利用該電子元件和封裝，可以容易地進(jìn)行可靠的導(dǎo)線接合。以下參照附圖對(duì)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行說(shuō)明。
(第一實(shí)施例)參照?qǐng)D3A至3C，對(duì)本發(fā)明的第一實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。圖3A至3C示出了根據(jù)本實(shí)施例的SAW器件。圖3A是封裝100C的平面圖。圖3B是透過(guò)蓋60觀察到的該SAW器件的內(nèi)部的平面圖。圖3C是沿圖3A中的線C-C所截取的該SAW器件的剖視圖。在圖3A至圖3C中，用與圖1A至2D中相同的標(biāo)號(hào)來(lái)表示與圖1A至2D中所示的相同元件。
如圖3A至3C所示，根據(jù)本實(shí)施例的SAW器件是一包括封裝100C和容納在該封裝100C中的SAW器件芯片40的電子元件。封裝100C包括一通過(guò)壓制金屬而形成的金屬部分10C和一通過(guò)熔接附連到該金屬部分10C的絕緣部分30C。所述SAW器件還包括多個(gè)第一外部端子20，電連接到SAW器件芯片40，并且被對(duì)齊并嵌入在該絕緣部分30C中；以及，一板狀部件15C，用于支撐SAW器件芯片40。金屬部分10C具有多個(gè)凹部19，該多個(gè)凹部19形成多個(gè)第二外部端子，并且板狀部件15C被布置得覆蓋該多個(gè)凹部19。金屬部分10C具有呈凸起狀的多個(gè)接地端子22C，將該多個(gè)接地端子22C設(shè)置得夾著對(duì)齊的多個(gè)第一外部端子20。將所述多個(gè)接地端子22C電連接到SAW器件芯片40上的所述多個(gè)接地圖案。
更具體地，圖3A至3C中所示的SAW器件包括封裝100C和被氣密地密封在該封裝100C中的SAW器件芯片40。封裝100C包括金屬部分10C和絕緣部分30C，并且SAW器件芯片40被容納在封裝100C的內(nèi)空腔中。金屬部分10C是通過(guò)壓制金屬而形成的。金屬部分10C厚度為50μm，并且形成封裝100C的主外壁。金屬部分10C還具有多個(gè)凹部19。當(dāng)從封裝100C的內(nèi)部觀察時(shí)，各凹部19具有凹入形狀，但是從封裝100C的外部觀察時(shí)，各凹部19則具有凸起的形狀。各凹部19具有一C形截面。該多個(gè)凹部19也是通過(guò)壓制所述金屬而形成的。各凹部19的外部是平坦的，使得該多個(gè)凹部19形成了用于外部連接的多個(gè)連接區(qū)域。該多個(gè)凹部19用作多個(gè)第二外部端子。該多個(gè)第二外部端子19是封裝100C的一部分，也是金屬部分10C的一部分。金屬部分10C具有多個(gè)接地端子22C，該多個(gè)接地端子22C是通過(guò)壓制所述金屬而形成的多個(gè)凸起，并且被設(shè)置得夾著對(duì)齊的所述多個(gè)第一外部端子20。各接地端子22C的上部在安裝SAW器件芯片40的方向上是平坦的，并且用作通過(guò)金屬導(dǎo)線50連接到SAW器件芯片40的端子。將所述多個(gè)接地端子22C通過(guò)金屬部分10C連接到所述多個(gè)第二外部端子19，并且利用多條金屬導(dǎo)線50將SAW器件芯片40的所述多個(gè)接地端子連接到封裝100C的所述多個(gè)接地端子22C。
利用多條金屬導(dǎo)線50電連接SAW器件芯片40上的多個(gè)端子、多個(gè)第一外部端子20以及多個(gè)接地端子22C。通過(guò)熱壓或超聲焊接來(lái)建立這些連接。為增加使用金屬導(dǎo)線50的電連接的可靠性，優(yōu)選地將多個(gè)第一外部端子20和多個(gè)接地端子22C的被連接到SAW器件芯片40的內(nèi)部連接點(diǎn)設(shè)置得與SAW器件芯片40的多個(gè)連接點(diǎn)(或者端子)處于同一平面(相同高度)上。其中，所述內(nèi)部連接點(diǎn)與SAW器件芯片40的連接點(diǎn)之間的可容許的高度差應(yīng)在±50μm內(nèi)，該高度差基本意指同一平面或高度。
接地端子22C是通過(guò)壓制所述金屬而由金屬部分10C形成的凸起，并且與絕緣部分30C一體地形成的多個(gè)絕緣部件充滿在位于前側(cè)的多個(gè)端子的背面形成的多個(gè)凹部。利用充滿接地端子22C的后表面上的多個(gè)凹部的多個(gè)絕緣部件，防止了接地端子22C受到當(dāng)將金屬導(dǎo)線50接合到接地端子22C時(shí)所引起的重量和超聲振蕩的破壞。
現(xiàn)在參照?qǐng)D4，對(duì)具有上述結(jié)構(gòu)的本實(shí)施例的SAW器件的電特性進(jìn)行說(shuō)明。圖4顯示了采用250MHz頻帶SAW濾波器作為根據(jù)本實(shí)施例的SAW器件芯片40的SAW器件的頻率特性。在圖4中，實(shí)線表示本實(shí)施例的SAW器件的頻率特性，在本實(shí)施例的SAW器件中，利用多條金屬導(dǎo)線50將SAW器件芯片40上的所述多個(gè)端子電連接到所述多個(gè)第一外部端子20和所述多個(gè)接地端子22C。虛線表示兩個(gè)對(duì)比示例中的任一個(gè)的頻率特性，在該對(duì)比示例中，SAW器件芯片40上的端子不與多個(gè)第一外部端子20和多個(gè)第二外部端子19/21相連。從圖4可見(jiàn)，把SAW器件芯片40上的端子電連接到多個(gè)第一外部端子20和多個(gè)接地端子22C，使得該SAW器件的阻帶衰減改進(jìn)了10dB或更多。不僅可以利用250MHz頻帶濾波器來(lái)獲得該效果，而且可以利用任何使用應(yīng)該根據(jù)用途而選擇的其他各種頻帶的濾波器來(lái)獲得該效果。
為將所述SAW器件上的所述多個(gè)接地圖案連接到本實(shí)施例的封裝100C的金屬部分10C，和在對(duì)比示例中一樣，需要利用多條金屬導(dǎo)線將所述SAW器件上的所述多個(gè)接地圖案直接連接到芯片安裝面的金屬部分。然而，在本實(shí)施例中，多個(gè)接地端子22C(是通過(guò)壓制封裝100C的金屬部分10C的一部分而形成的凸起)可以防止與金屬導(dǎo)線50的不良連接，該不良連接可能是由從SAW器件芯片40與封裝100C之間的小片接合(die-bonding)區(qū)域所滲出來(lái)的粘接樹(shù)脂所引起的。而且，將呈凸起形式的接地端子22C設(shè)置在與SAW器件芯片40基本相同的高度，以便可以防止接合工具和金屬導(dǎo)線對(duì)SAW器件芯片40的干擾。因此，可以進(jìn)行可靠的導(dǎo)線連接。
(第二實(shí)施例)現(xiàn)在將參照附圖詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的第二實(shí)施例。圖5A至5C示出了根據(jù)本實(shí)施例的SAW器件。圖5A是封裝100D的平面圖。圖5B是透過(guò)蓋60觀察到的該SAW器件的內(nèi)部的平面圖。圖5C是沿圖5A中的線D-D所截取的該SAW器件的剖視圖。在圖5A至圖5C中，用與圖1A至圖3C相同的標(biāo)號(hào)來(lái)表示與圖1A至3C中相同的部件。
本實(shí)施例的SAW器件與第一實(shí)施例的SAW器件的不同之處在于所述多個(gè)第二外部端子由與封裝分離的多個(gè)元件而非封裝的金屬部分來(lái)形成，并且所述SAW器件芯片被直接安裝到封裝的金屬部分上。
如圖5A至5C所示，根據(jù)本實(shí)施例的SAW器件為一包括封裝100D和容納在該封裝100D中的SAW器件芯片40的電子元件。封裝100D包括一通過(guò)壓制金屬而形成的金屬部分10D、以及一通過(guò)熔接附連到該金屬部分10D的絕緣部分30D。該SAW器件還包括多個(gè)第一外部端子20，與SAW器件芯片40電連接，并且被對(duì)齊并嵌入在絕緣部分30D中；以及多個(gè)第二外部端子21，附連到金屬部分10D的外表面(與圖2A至2D中的對(duì)比示例所示的SAW器件的多個(gè)第二外部端子21相同)。將SAW器件芯片40小片安裝到金屬部分10D的內(nèi)表面上，并且將其設(shè)置為正對(duì)第二外部端子21。金屬部分10D具有呈凸起狀的多個(gè)接地端子22D，將該多個(gè)接地端子22D設(shè)置得夾著對(duì)齊的所述多個(gè)第一外部端子20。所述多個(gè)接地端子22D與SAW器件芯片40上的多個(gè)接地圖案電連接。
更具體地，圖5A至5C所示的SAW器件包括封裝100D和被氣密地密封在該封裝100D中的SAW器件芯片40。封裝100D包括金屬部分10D和絕緣部分30D，并且SAW器件芯片40被容納在該封裝100D的內(nèi)空腔中。金屬部分10D是通過(guò)壓制金屬而形成的。金屬部分10D厚度為50μm，并且形成封裝100D的主外壁。金屬部分10D還具有一通過(guò)壓制所述金屬所形成的芯片安裝部分15D。該芯片安裝部分15D具有一平坦外表面，通過(guò)焊接等方式將第二外部端子21附連于該平坦外表面上。第二外部端子21不直接與SAW器件芯片40相連接，并且充當(dāng)封裝100D的接地端子。各第二外部端子21具有一L形截面，并且在接合點(diǎn)71處與金屬部分10D電連接。當(dāng)把所述SAW器件安裝在印刷電路板上時(shí)，所述多個(gè)第二外部端子21具有相同的電勢(shì)(地電勢(shì))。由于第二外部端子21不直接連接到SAW器件芯片40，所以該第二外部端子21還用作啞端子。
利用多條金屬導(dǎo)線50來(lái)電連接SAW器件芯片40上的多個(gè)端子、多個(gè)第一外部端子20以及多個(gè)接地端子22D。通過(guò)熱壓或超聲焊接來(lái)建立這些連接。為增加使用金屬導(dǎo)線50的電連接的可靠性，優(yōu)選地將多個(gè)第一外部端子20和多個(gè)接地端子22D的被連接到SAW器件芯片40的多個(gè)內(nèi)部連接點(diǎn)設(shè)置得與SAW器件芯片40的多個(gè)連接點(diǎn)(或者多個(gè)端子)處于同一平面(相同高度)上。其中，所述多個(gè)內(nèi)部連接點(diǎn)與SAW器件芯片40的所述多個(gè)連接點(diǎn)之間的可容許高度差應(yīng)在±50μm之間。
接地端子22D是通過(guò)壓制所述金屬而由金屬部分10D形成的凸起，并且與絕緣部分30D一體地形成的多個(gè)絕緣件充滿在位于前側(cè)的多個(gè)端子的背面所形成的多個(gè)凹部。利用充滿接地端子22D的后表面上的多個(gè)凹部的多個(gè)絕緣部件，防止了接地端子22D受到當(dāng)把金屬導(dǎo)線50接合到接地端子22D時(shí)所引起的重量和超聲振蕩的破壞。
利用上述結(jié)構(gòu)，可以將SAW器件芯片40上的多個(gè)端子電連接到多個(gè)第一外部端子20和多個(gè)接地端子22D。因此，與第一實(shí)施例相同，該實(shí)施例可以將該SAW器件的阻帶衰減提高到改進(jìn)10dB或者更多(見(jiàn)圖4)。
為將所述SAW器件上的多個(gè)接地圖案連接到本實(shí)施例的封裝100D的金屬部分10D，和在對(duì)比示例中一樣，需要利用金屬導(dǎo)線將所述SAW器件上的多個(gè)接地圖案直接連接到芯片安裝面的金屬部分。然而，在本實(shí)施例中，接地端子22D(是通過(guò)壓制封裝100D的金屬部分10D的一部分而形成的凸起)可以防止與金屬導(dǎo)線50的不良連接，該不良連接可能是由從SAW器件芯片40與封裝100D之間的接合區(qū)域滲出來(lái)的粘接樹(shù)脂所引起的。而且，將呈凸起狀的接地端子22D設(shè)置在與SAW器件芯片40基本相同的高度，以便可以防止接合工具和金屬導(dǎo)線對(duì)SAW器件芯片40的干擾。因此，可以進(jìn)行可靠的導(dǎo)線連接。
(第三實(shí)施例)
現(xiàn)在將參照附圖詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的第三實(shí)施例。圖6A至6C以及圖7示出根據(jù)本實(shí)施例的SAW器件。圖6A是封裝100E的平面圖。圖6B是透過(guò)蓋60觀察到的該SAW器件的內(nèi)部的平面圖。圖6C是沿圖6A中的線E-E所截取的該SAW器件的剖視圖。圖7是沿圖6A中的線E’-E’所截取的該SAW器件的剖視圖。在圖6A至圖6C和圖7中，與圖1A至5C中相同的部件由與圖1A至圖5C中相同的標(biāo)號(hào)來(lái)表示。
本實(shí)施例的SAW器件與第一實(shí)施例和第二實(shí)施例的SAW器件的不同之處在于，將所述多個(gè)第一外部端子設(shè)置在所述SAW器件芯片的兩側(cè)。
如圖6A至6C和圖7所示，根據(jù)本實(shí)施例的該SAW器件為一包括封裝100E和容納在該封裝100E中的SAW器件芯片40的電子元件。封裝100E包括一通過(guò)壓制金屬而形成的金屬部分10E、以及一通過(guò)熔接附連到該金屬部分10E的絕緣部分30E。該SAW器件還包括多個(gè)第一外部端子20，該多個(gè)第一外部端子20與SAW器件芯片40電連接，并且被嵌入在絕緣部分30E中。在SAW器件芯片40的兩側(cè)來(lái)對(duì)齊排列本實(shí)施例的多個(gè)第一外部端子20。金屬部分10E具有呈現(xiàn)凸起狀的多個(gè)接地端子22E，所述凸起是通過(guò)壓制所述金屬而形成的并且被布置得夾著全部?jī)尚械谝煌獠慷俗?0。所述多個(gè)接地端子22E與SAW器件芯片40上的多個(gè)接地圖案電連接。
更具體地，圖6A至6C和圖7所示的SAW器件包括封裝100E和被氣密地密封在該封裝100E中的SAW器件芯片40。封裝100E包括金屬部分10E和絕緣部分30E，并且SAW器件芯片40被容納在封裝100E的內(nèi)空腔中。金屬部分10E是通過(guò)壓制金屬而形成的。金屬部分10E厚度為50μm，并且形成該封裝100E的主外壁。金屬部分10E具有通過(guò)壓制所述金屬所形成的平坦的芯片安裝部分15E。
利用金屬導(dǎo)線50電連接SAW器件芯片40上的多個(gè)端子、多個(gè)第一外部端子20以及多個(gè)接地端子22E。通過(guò)熱壓或者超聲焊接來(lái)建立這些連接。為增加使用金屬導(dǎo)線50的這些電連接的可靠性，優(yōu)選地將第一外部端子20和接地端子22E的被連接到SAW器件芯片40的多個(gè)內(nèi)部連接點(diǎn)設(shè)置得與SAW器件芯片40的多個(gè)連接點(diǎn)(或者多個(gè)端子)位于同一平面(相同高度)上。其中，所述多個(gè)內(nèi)部連接點(diǎn)與SAW器件芯片40的所述多個(gè)連接點(diǎn)之間的可容許高度差應(yīng)在±50μm之間。
接地端子22E是通過(guò)壓制所述金屬而由金屬部分10E形成的凸起，并且與絕緣部分30E一體地形成的多個(gè)絕緣部件充滿在位于前側(cè)的多個(gè)端子的背面形成的多個(gè)凹部。利用充滿接地端子22E的后表面上的多個(gè)凹部的多個(gè)絕緣部件，防止了接地端子22E受到當(dāng)把金屬導(dǎo)線50接合到接地端子22E時(shí)所引起的重量和超聲振蕩的破壞。
利用上述結(jié)構(gòu)，可以將SAW器件芯片40上的多個(gè)端子電連接到多個(gè)第一外部端子20和多個(gè)接地端子22E。因此，與第一實(shí)施例相同，本實(shí)施例可以將所述SAW器件的阻帶衰減改進(jìn)10dB或者更多(見(jiàn)圖4)。
為將所述SAW器件上的多個(gè)接地圖案連接到本實(shí)施例的封裝100E的金屬部分10E，和在對(duì)比示例中一樣，需要利用金屬導(dǎo)線將所述SAW器件上的多個(gè)接地圖案直接連接到芯片安裝面的金屬部分。不過(guò)，在本實(shí)施例中，接地端子22E(是通過(guò)壓制封裝100E的金屬部分10E的一部分而形成的凸起)可以防止與金屬導(dǎo)線50的不良連接，該不良連接可能是由從SAW器件芯片40與封裝100E之間的接合區(qū)域滲出來(lái)的粘接樹(shù)脂所引起的。而且，將呈凸起狀的接地端子22E設(shè)置得與SAW器件芯片40基本上處于相同的高度，以便可以防止接合工具和金屬導(dǎo)線對(duì)SAW器件芯片40的干擾。因此，可以進(jìn)行可靠的導(dǎo)線連接。
盡管，已示出并且說(shuō)明了本發(fā)明的一些優(yōu)選實(shí)施例，但是本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該理解，在不違背本發(fā)明的原理和精神的情況下可以對(duì)這些實(shí)施例進(jìn)行各種改變，本發(fā)明的范圍由權(quán)利要求及其等效物來(lái)限定。
權(quán)利要求
1.一種電子元件，包括封裝，包括一通過(guò)壓制金屬而形成的金屬部分、和一通過(guò)熔接而附連到該金屬部分的絕緣部分；芯片，被容納在所述封裝中；多個(gè)第一外部端子，利用多條金屬導(dǎo)線電連接到該芯片，并且被部分地嵌入在所述絕緣部分中；以及多個(gè)接地端子，是所述金屬部分的多個(gè)凸起，并且通過(guò)多條金屬導(dǎo)線與所述芯片電連接，所述多個(gè)第一外部端子和所述芯片之間的多個(gè)連接點(diǎn)與所述多個(gè)接地端子和所述芯片之間的多個(gè)連接點(diǎn)位于相同的高度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子元件，還包括一絕緣材料，該絕緣材料充滿在所述多個(gè)接地端子的多個(gè)連接點(diǎn)的背側(cè)形成的多個(gè)凹腔。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子元件，其中，所述金屬部分與所述芯片電連接，并且包括多個(gè)凹部，該多個(gè)凹部用作所述封裝的多個(gè)第二外部端子。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電子元件，還包括一板狀部件，該板狀部件在所述芯片的背面支撐該芯片，并且被固定到所述金屬部分以覆蓋所述多個(gè)凹部。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電子元件，其中，所述板狀部件由金屬制成。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子元件，還包括多個(gè)第二外部端子，該多個(gè)第二外部端子附連到所述金屬部分的外表面，并且與所述芯片電連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子元件，其中，所述絕緣部分由玻璃或玻璃陶瓷制成。
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電子元件，其中，所述絕緣材料是玻璃或玻璃陶瓷。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子元件，其中，所述金屬部分由冷軋鋼、42號(hào)合金、或者科瓦鐵鎳鈷合金制成。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子元件，其中，所述芯片是表面聲波器件芯片，該表面聲波器件芯片包括形成在壓電基板上的多個(gè)交指型變換器。
11.一種封裝，包括通過(guò)壓制金屬而形成的金屬部分；通過(guò)熔接而附連到所述金屬部分的絕緣部分；多個(gè)第一外部端子，被部分地嵌入在所述絕緣部分中；以及多個(gè)接地端子，該多個(gè)接地端子為所述金屬部分的多個(gè)凸起，所述多個(gè)第一外部端子的多個(gè)內(nèi)部連接點(diǎn)與所述多個(gè)接地端子的多個(gè)內(nèi)部連接點(diǎn)位于相同的高度。
全文摘要
一種電子元件，包括封裝，該封裝具有一通過(guò)壓制金屬而形成的金屬部分和一通過(guò)熔接附連到該金屬部分的絕緣部分；容納在該封裝中的芯片；多個(gè)第一外部端子，利用多條金屬導(dǎo)線電連接到該芯片，并且被部分嵌入在所述絕緣部分中；以及多個(gè)接地端子，該多個(gè)接地端子為所述金屬部分的多個(gè)凸起，并且通過(guò)多條金屬導(dǎo)線與所述芯片電連接，所述多個(gè)第一外部端子和所述芯片之間的多個(gè)連接點(diǎn)與所述多個(gè)接地端子和所述芯片之間的多個(gè)連接點(diǎn)位于相同的高度。
文檔編號(hào)H03H9/25GK1574624SQ20041004554
公開(kāi)日2005年2月2日 申請(qǐng)日期2004年5月28日 優(yōu)先權(quán)日2003年5月30日
發(fā)明者三島直之, 市川聰, 大藤剛理 申請(qǐng)人:富士通媒體部品株式會(huì)社, 藤丸工業(yè)株式會(huì)社