專利名稱：以激光加工法制作低雜波表聲波濾波器基板的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于一種制作表聲波濾波器基板的方法，尤指一種以激光加工法制作低雜波表聲波濾波器基板的方法請(qǐng)參閱圖2，圖2為

圖1所示表聲波濾波器10沿切線A-A’的剖視圖。由于壓電材料基板12包含有一正面22及一背面24，當(dāng)輸入端交叉指型電能轉(zhuǎn)換器14振動(dòng)時(shí)，除了產(chǎn)生表面波Ws外，于壓電材料基板12的厚度方向亦伴隨著多個(gè)固體波Wb(Bulk Wave)的產(chǎn)生，當(dāng)固體波Wb傳導(dǎo)至壓電材料基板12的背面24時(shí)，常因不同介質(zhì)而造成固體波Wb的反射。而當(dāng)這些反射的固體波Wb傳導(dǎo)至表聲波濾波器10的輸出端交叉指型電能轉(zhuǎn)換器16，容易導(dǎo)致輸出雜波進(jìn)而降低表聲波濾波器10的信噪比(S/N Ratio)。
面對(duì)上述問(wèn)題，現(xiàn)有技術(shù)常利用將壓電材料基板12的背面24粗化，借以降低固體波Wb的反射對(duì)于表聲波濾波器10的濾波質(zhì)量的影響。其中，噴砂法以及鉆石切割法為現(xiàn)有常用來(lái)粗化壓電材料基板背面24的方法。然而，使用噴砂法常因彈痕過(guò)深，進(jìn)而造成壓電材料基板12容易破裂及不易清洗的缺點(diǎn)；而鉆石切割法的加工效率太慢、粗化細(xì)度受到限制，且鉆石刀刃損耗嚴(yán)重，進(jìn)而造成成本過(guò)高的問(wèn)題。
本發(fā)明提出一種于一晶圓上制作一表聲波濾波器(SAW Filter)基板的方法，該晶圓具有一背面，該方法包含有于該晶圓的背面進(jìn)行一激光粗化處理。
本發(fā)明提出一種于一晶圓上制作一表聲波濾波器基板的方法、該晶圓具有一正面以及一背面，該方法包含有于該晶圓上進(jìn)行一研磨處理；于該晶圓的背面進(jìn)行一激光粗化處理；于該晶圓的正面進(jìn)行一拋光處理；以及于該晶圓上進(jìn)行一清洗處理。
本發(fā)明提出一種于一晶圓上制作一表聲波濾波器基板的方法，該晶圓具有一正面以及一背面，該方法包含有于該晶圓上進(jìn)行一研磨處理；于該晶圓的正面上進(jìn)行一拋光處理；于該晶圓上進(jìn)行一第一清洗處理；于該晶圓的背面上進(jìn)行一激光粗化處理；以及于該晶圓上進(jìn)行一第二清洗處理。
本發(fā)明是關(guān)于一種于一晶圓上制作一表聲波濾波器基板的方法，該晶圓具有一正面以及一背面，本發(fā)明方法包含有于該晶圓上進(jìn)行一研磨處理；于該晶圓的背面進(jìn)行一激光粗化處理；于該晶圓的正面進(jìn)行一拋光處理；以及于該晶圓上進(jìn)行一清洗處理。其中，激光粗化處理是利用一激光光束于該晶圓的背面形成多個(gè)溝槽，而該多個(gè)溝槽排列成一網(wǎng)格交錯(cuò)狀的圖樣。借由本發(fā)明方法除能提高表聲波器濾波器的信噪比外，亦較其他加工法具有自動(dòng)化、加工速度怏以及高良率等優(yōu)點(diǎn)。
此外，本發(fā)明方法亦可先進(jìn)行步驟44的拋光處理后，再進(jìn)行步驟42的激光粗化處理，其結(jié)果并不影響本發(fā)明方法所欲解決的問(wèn)題。
請(qǐng)參閱圖5，圖5為圖4所示粗化后晶圓背面34的示意圖。本發(fā)明方法步驟42的激光粗化處理可以利用一激光光束于晶圓背面34形成多個(gè)溝槽38，而多個(gè)溝槽38可以排列成一網(wǎng)格交錯(cuò)狀的圖樣，其中每一溝槽38的線寬(LineWidth)是介于1μm至1mm之間，相鄰二溝槽38之間距(Pitch)是介于5μm至2mm之間，而粗化后的晶圓背面34的粗糙度(Roughness)是介于0.5μmRa至8μmRa之間。再者，本發(fā)明方法步驟42亦可利用冷加工激光(例如ExcimerLased，直接將晶圓背面34的分子鍵打斷以形成多個(gè)溝槽38，由于不會(huì)造成晶圓背面34的污染而大幅降低本發(fā)明方法步驟46的清洗處理的成本與時(shí)間。
請(qǐng)參閱圖6至圖8，圖6為應(yīng)用本發(fā)明方法的粗糙度示意圖，圖7為應(yīng)用本發(fā)明方法的S/N比示意圖，圖8為應(yīng)用本發(fā)明方法的濾波信號(hào)示意圖，其中C1為激光粗化前的S/N比曲線，C2為激光粗化后的S/N比曲線，C3為激光粗化前的濾波信號(hào)曲線，C4為激光粗化后的濾波信號(hào)曲線。舉例而言，本發(fā)明方法可以利用一能量60W、波長(zhǎng)Nd-YAG 1.064μm的激光光束，于晶圓背面34形成線寬0.18mm、間距0.5mm的網(wǎng)格交錯(cuò)狀的多個(gè)溝槽38，而激光粗化后的晶圓背面34的粗糙度將為0.6946mmRa，如圖6所示。再者，借由比較激光粗化后基板所制作的表聲波濾波器以及未經(jīng)激光粗化的基板所制作的表聲波濾波器發(fā)現(xiàn)，表聲波濾波器的S/N比將由激光粗化前的45dB提升至激光粗化后的55dB，如圖7所示而表聲波濾波器的濾波信號(hào)將由激光粗化前的C3曲線改善至激光粗化后的C4曲線，如圖8所示。
因此，本發(fā)明方法乃利用激光粗化處理以制作表聲波濾波器基板，根據(jù)本發(fā)明表聲波濾波器基板所制作的表聲波濾波器，將借由粗化后的基板背面以降低固體波Wb的反射強(qiáng)度，進(jìn)而提升表聲波濾波器的濾波質(zhì)量。因此，本發(fā)明方法除了可以提高表聲波濾波器的S/N比之外，更由于雜波的降低而提高表聲波濾波器的濾波質(zhì)量。
請(qǐng)參閱圖4以及圖9，圖9為本發(fā)明方法的第二實(shí)施例的流程圖。本發(fā)明方法的第二實(shí)施例包含有下列步驟步驟50于晶圓30上進(jìn)行一研磨處理，借以使得晶圓30的正面32以及背面34較為平整；步驟52于晶圓30的正面32進(jìn)行一拋光處理，借以使得晶圓30的正面32平坦化；步驟54于晶圓30上進(jìn)行一第一清洗處理，借以清除晶圓30上的碎屑；步驟55于晶圓30的正面32進(jìn)行表聲波濾波器的元件制作制程；步驟56于晶圓30的背面34進(jìn)行一激光粗化處理，借以使得晶圓30的背面34粗糙化；以及步驟58于晶圓30上進(jìn)行一第二清洗處理，借以清除晶圓30上的碎屑。
本發(fā)明方法的第二實(shí)施例的步驟56中，激光粗化處理的方式、條件以及所達(dá)成的功效，與本發(fā)明的第一實(shí)施例相同，因此不再贅述。
相較于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明提出一種于晶圓上制作表聲波濾波器基板的方法。由于本發(fā)明方法利用一激光光束于晶圓的背面形成多個(gè)溝槽，而多個(gè)溝槽排列成一網(wǎng)格交錯(cuò)狀的圖樣，借以達(dá)到將晶圓背面粗糙化的目的。因此，根據(jù)本發(fā)明方法所備制的表聲波濾波器基板所制作的表聲波濾波器，將借由粗化后的基板背面以降低固體波Wb的反射強(qiáng)度，進(jìn)而提升表聲波濾波器的濾波質(zhì)量。再者，相較于現(xiàn)有噴砂法以及鉆石切割法，由于本發(fā)明方法采用激光粗化處理，因此無(wú)論是在自動(dòng)化、加工速度以及產(chǎn)品良率上均有較佳表現(xiàn)。
借由以上較佳具體實(shí)施例的詳述，是希望能更加清楚描述本發(fā)明的特征與精神，而并非以上述所揭露的較佳具體實(shí)施例來(lái)對(duì)本發(fā)明的范疇加以限制。相反地，其目的是希望能涵蓋各種改變及具相等性的安排于本發(fā)明所欲申請(qǐng)的專利范圍的范疇內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種于一晶圓上制作一表聲波濾波器基板的方法，該晶圓具有一背面，其特征在于該方法包含有于該晶圓的背面進(jìn)行一激光粗化處理。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于所述的激光粗化處理是利用一激光光束于該晶圓的背面形成多個(gè)溝槽。
3.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于每一溝槽的線寬是介于1μm至1mm之間。
4.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于所述的相鄰二溝槽之間距是介于5μm至2mm之間。
5.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于所述的晶圓背面的粗造度是介于0.5μmRa至8μmRa之間。
6.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于所述的多個(gè)溝槽排列成一網(wǎng)格交錯(cuò)狀的圖樣。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于所述的晶圓是一壓電材料晶圓。
8.一種于一晶圓上制作一表聲波濾波器基板的方法、該晶圓具有一正面以及一背面，其特征在于該方法包含有于該晶圓上進(jìn)行一研磨處理；于該晶圓的背面進(jìn)行一激光粗化處理；于該晶圓的正面進(jìn)行一拋光處理；以及于該晶圓上進(jìn)行一清洗處理。
9.如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于所述的激光粗化處理是利用一激光光束于該晶圓的背面形成多個(gè)溝槽。
10.如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于每一溝槽的線寬是介于1μm至1mm之間。
11.如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于所述的相鄰二溝槽之間距是介于5μm至2mm之間。
12.如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于所述的晶圓背面的粗造度是介于0.5μmRa至8μmRa之間。
13.如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于所述的多個(gè)溝槽排列成一網(wǎng)格交錯(cuò)狀的圖樣。
14.如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于所述的晶圓是一壓電材料晶圓。
15.一種于一晶圓上制作一表聲波濾波器基板的方法，該晶圓具有一正面以及一背面，其特征在于該方法包含有于該晶圓上進(jìn)行一研磨處理；于該晶圓的正面上進(jìn)行一拋光處理；于該晶圓上進(jìn)行一第一清洗處理；于該晶圓的背面上進(jìn)行一激光粗化處理；以及于該晶圓上進(jìn)行一第二清洗處理。
16.如權(quán)利要求15所述的的方法，其特征在于所述的激光粗化處理是利用一激光光束于該晶圓的背面形成多個(gè)溝槽。
17.如權(quán)利要求16所述的的方法，其特征在于每一溝槽的線寬是介于1μm至1mm之間。
18.如權(quán)利要求16所述的的方法，其特征在于所述的相鄰二溝槽之間距是介于5μm至2mm之間。
19.如權(quán)利要求16所述的的方法，其特征在于所述的晶圓背面的粗造度是介于0.5μmRa至8μmRa之間。
20.如權(quán)利要求16所述的的方法，其特征在于所述的多個(gè)溝槽排列成一網(wǎng)格交錯(cuò)狀的圖樣。
21.如權(quán)利要求15所述的的方法，其特征在于所述的該晶圓是一壓電材料晶圓。
全文摘要
本發(fā)明是關(guān)于一種于一晶圓上制作一表聲波濾波器(SAW Filter)基板的方法，該晶圓具有一正面以及一背面，本發(fā)明方法包含有于該晶圓上進(jìn)行一研磨處理；于該晶圓的背面進(jìn)行一激光粗化處理；于該晶圓的正面進(jìn)行一拋光處理；以及于該晶圓上進(jìn)行一清洗處理。其中，該激光粗化處理是利用一激光光束于該晶圓的背面形成多個(gè)溝槽，該多個(gè)溝槽是排列成一網(wǎng)格交錯(cuò)狀的圖樣。
文檔編號(hào)H03H3/08GK1420628SQ0113483
公開(kāi)日2003年5月28日 申請(qǐng)日期2001年11月15日 優(yōu)先權(quán)日2001年11月15日
發(fā)明者張有全, 何世賢, 曾永富 申請(qǐng)人:晶向科技股份有限公司