專利名稱：縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器，尤其涉及在表面波傳播方向排列至少3根IDT的縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器。
近年來，隨著客戶數(shù)量與各種服務的增長，許多移動電話系統(tǒng)應用著相互接近的發(fā)射側(cè)頻率與接收側(cè)頻率。此外，為防止干擾其它通信系統(tǒng)，要求增大極靠近通帶的衰減量。
結果，在被廣泛用作移動電話RF級的帶通濾波器的表面聲波濾波器，強烈要求在極靠近通帶之處有一衰減帶。
另一方面，近年為了減少元件數(shù)量，對平衡—不平衡轉(zhuǎn)換功能(所謂的對稱—不對稱功能)的要求在不斷增長。因此，作為移動電話中RF級的帶通濾波器，一直在使用容易接受平衡—不平衡轉(zhuǎn)換功能的縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器，并且有各種類型的縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器(如日本待審專利申請公報NO.5-267990等)。
然而，在縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器中，一種不希望有的響應(指橫向響應)出現(xiàn)在高于通帶賓頻率一側(cè)，因而就無法例如在通帶頻側(cè)獲得大的衰減，而這種衰減卻是PCS系統(tǒng)的移動電話系統(tǒng)所要求的。


圖10示出的示意平面圖，表明日本待審專利申請公報NO.10-190394揭示的一種縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器的電極結構。在該縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器101中，IDT102～104沿表面波傳播方向排列。在IDT102～104的兩側(cè)，裝有反射器105和106，此時IDT102與103之間的IDT間隙P不同于IDT103與104之間的IDT間隙Q，這種結構抑制了上述的橫向響應。在普通的3IDT型縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器中，除了零次模與二次模以外，在IDT之間的間隙中，在表面聲波強度分布曲線的峰值上還產(chǎn)生一種諧振模(下面稱作IDT間隙產(chǎn)生的諧振模)。這三種諧振模用來產(chǎn)生濾波器的通帶。
在常規(guī)技術描述的方法中，通過使IDT間隙P與IDT間隙Q不同，可在IDT的每個間隙中產(chǎn)生由IDT間隙造成的諧振模。這兩種諧振模用來產(chǎn)生通帶。在這種方法中，靠近通帶，特別在其高頻側(cè)產(chǎn)生的衰減量，減小的程度比普通縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器的減小程度更大。
然而，IDT間隙P與Q必須基本上與電極指間距確定的波長相差0.50倍，結果由于失去了表面聲波的傳播連續(xù)性，嚴重劣化了通帶中的插入損失。
為了解決原有技術的上述問題，本發(fā)明的較佳實施例提供了一種可消除橫向響應的縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器，由此在通帶高頻側(cè)得到足夠大的衰減量，大大減小了通帶中的插入損失。
本發(fā)明較佳實施例的縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器包括壓電基片和第一、第二與第三IDT，各IDT的多根電極指設置在壓電基片與且沿表面波傳播方向排列，使第二IDT插在第一與第三IDT之間。
第一與第二IDT的窄電極指間距部分，在第一與第二IDT相鄰的各端部有一比其余電極指間距更窄的電極指間距。第二與第三IDT的窄電極指間距部分，在第二與第三IDT相鄰的各端部有一比其余電極指間距更窄的電極指間距。
根據(jù)本發(fā)明的一實施例，第一與第二IDT中窄電極指間距部分的電極指間距不同于第二與第三IDT中窄電極指間距部分的電極指間距。
根據(jù)本發(fā)明的第二實施例，第一與第二IDT中窄電極指間距部分的電極指數(shù)不同于第二與第三IDT中窄電極指間距部分的電極指數(shù)。
根據(jù)本發(fā)明的第三實施例，只有第一與第二IDT或只有第二與第三IDT在它們相鄰的各端部才具有窄電極指間距部分，其電極指間距比其余電極指間距更窄。
根據(jù)這些實施例獨特的結構，大大減小了橫向響應。此外，通過調(diào)節(jié)窄電極指間距部分的間距，不增大通帶的插入損失，可容易地調(diào)節(jié)通帶寬度。可將第一與第二實施例結合起來進一步減弱橫向響應。
本發(fā)明的第一至第三實施例已成功地應用于包括第一與第二縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器單元的縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器。具體而言，窄縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器部分的間距和/或電極指數(shù)，在第一與第二縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器單元之間是不同的?；蛘?，或?qū)⒄g距電極指部分只設置在第一或第二縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器單元中。利用上述結構，容易調(diào)節(jié)帶寬而不劣化插入損失。
在本發(fā)明各實施例的縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器中，當?shù)诙蘒DT的電極指數(shù)為偶數(shù)時，或當?shù)诙c第五IDT的電極指數(shù)各為偶數(shù)時，可以減小中央IDT兩側(cè)窄電極指間距部分之間的電極指間距之差。因此，與中央IDT為奇數(shù)根電極指的情況相比，電極指間最窄的間距擴大了，因此便于以穩(wěn)定的方式制造本發(fā)明第一與第二實施例的縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器。此外，如上述第三實施例所示，進一步減小了通帶內(nèi)的插入損失。
當至少一根IDT變薄并加重時，特別是當變薄與加重同表面波傳播方向兩側(cè)的縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器的傳播方向中心不對稱時，就更有效地抑制橫向響應。
當縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器與表面聲波諧振器串聯(lián)和/或并聯(lián)時，大大增強了通帶外的衰減作用。另外，在此情況下，當縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器的至少一根IDT加重時，更有效地抑制了橫向響應，結果由于減小了表面聲波諧振器的數(shù)量，單元尺寸可實現(xiàn)超小型化。
在本發(fā)明諸實施例的縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器中，當設置了平衡輸入或輸出端且設置了不平衡輸出或輸入端時，根據(jù)本發(fā)明諸實施例，縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器就具有平衡/不平衡的轉(zhuǎn)換功能，有效地消除了橫向響應。
通過下面參照附圖對本發(fā)明諸實施例的詳述，本發(fā)明的其它特點、要素、特征與優(yōu)點就更清楚了。
圖1是本發(fā)明第一實施例的縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器的平面圖。
圖2曲線表示第一實施例中縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器的頻率特性與作比較的常規(guī)例子。
圖3是表示比較用常規(guī)縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器的電極結構的平面圖。
圖4曲線表示第一實施例與比較用常規(guī)例子二者的縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器單元的頻率特性。
圖5A與5B曲線表示第一實施例中縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器的原理，圖5A示出諧振模的位置，圖5B表示相位特性。
圖6曲線示出當?shù)谝粚嵤├目v向耦合諧振器型表面聲波濾波器中將兩個縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器單元相互并聯(lián)時得到的諧振模的位置。
圖7的平面圖示出第一實施例修改例中的縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器。
圖8平面圖示出第一實施例另一修改例的縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器。
圖9平面圖示出第一實施例另一修改例的縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器。
圖10平面圖示出常規(guī)縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器的電極結構。
圖11平面圖示出第二實施例的縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器。
圖12平面圖示出第三實施例的縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器。
圖13曲線表示第三實施例中縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器的頻率特性和圖14所示用于比較的縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器的頻率特性。
圖14平面圖表示與第三實施例作比較的縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器。
圖15框圖為一例用本發(fā)明一較佳實施例的表面聲波濾波器構成的通信設備。
圖16圖為另一例用本發(fā)明一較佳實施例的表面聲波濾波器構成的通信設備。
圖17平面圖示出第四實施例的縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器。
圖18平面圖示出第四實施例的縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器中的一個縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器單元。
圖19平面圖示出與本發(fā)明諸實施例作比較的縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器。
圖20曲線圖表示第四實施例與圖19所示常規(guī)例二者的縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器的頻率特性。
圖21平面圖示出與本發(fā)明諸實施例作比較的另一常規(guī)縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器。
圖22的曲線圖表示第四實施例與圖21的常規(guī)例中縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器的頻率特性。
圖23曲線圖表示第四實施例中縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器與圖21用常規(guī)技術方法修改的縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器的頻率特性。
圖24是第四實施例修改例的平面圖，表示包括電極指數(shù)為奇數(shù)的中同IDT的縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器。
圖25曲線圖表示第四實施例與圖24的修改例的縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器的頻率特性。
圖26是第一實施例修改例中縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器的平面圖。
圖27是圖26第一實施例修改例中縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器的頻率特性曲線。
圖28是第一實施例另一修改例中縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器的平面圖。
圖29是圖26第一實施例另一修改例中縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器的頻率特性曲線。
下面參照附圖詳細說明本發(fā)明諸實施例。
圖1平面圖示出本發(fā)明第一實施例中縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器的電極結構。
本例的縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器1最好用作PCS系統(tǒng)中Rx的帶通濾波器。
本例中，圖1所示電極結構最好由壓電基片2上的鋁構成，壓電基片2最好包括40±5°y切割x傳播的LiTaO3基片。
在壓電基片2上，設置有縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器單元3，它連接有表面聲波諧振器4與5。
縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器單元3最好包括沿表面波傳播方向排列的第一至第三IDT6～8，后者具有成對的梳形電極6a與6b、7a與7b和8a與8b，排列成使電極指相互交指。
在沿表面波傳播方向排列的IDT6～8的每一側(cè)，設置有反射器9與10，它們最好是柵狀反射器，通過對多根電極指兩端短路而限定。
在IDT6與7相鄰的區(qū)內(nèi)，從各IDT6與7的某一端部接近相對端部分，其電極指間距不同于其余部分的電極指間距。換言之，以IDT6為例，沿著從面對IDT7的IDT6的端部出發(fā)的表面波傳播方向，沿遠離該端部的方向延伸的某一部分，即窄電極指間距部分N1的電極指間距X1小于其余部分的電極指間距。同樣在IDT7中，作為從面對IDT6的IDT7端部開始的某一部分，把窄電極指間距部分N2的電極指間距設置成X1，它小于其余部分的電極指間距。
另一方面，IDT7包括窄電極指間距部分N2和窄電極指間距部分N3，下面再作描述。其余電極指間的電極指間距則大于窄電極指間距部分N2與N3的電極指間距。但在IDT7中，其余窄電極指間距部分的電極指間距卻不一樣。
在IDT相鄰的區(qū)中，如上所述，將每個IDT6與7的窄電極指間距部分的間距均勻地設置成X1。此外，IDT6與7中相鄰電極指間的間距也設置成X1。
同樣地，在IDT7與8相鄰的地方，窄電極指間距部分N3與N4設置在IDT7與8中，即從面對IDT8的IDT7端部開始的一部分，把窄電極指間距部分N3的電極指間距設置成Y1，它小于其余部分的電極指間距。在IDT8中，在從面對IDT7的IDT8端部開始的某一部分，同樣把窄間距電極指N4的電極指間距設置成Y1，它也小于其余部分的電極指間距。此外，還將IDT7與8的相鄰電極指間的間距設置成Y1。
在IDT6～8中，除了窄電極指間距部分N1～N4以外，電極指間的電極指間距最好基本上相等。此外，作為對某個實驗例的詳細說明，下面將描述窄電極指間距部分與其余電極指部分間電極指間距的確定方法。在IDT6與7相鄰的地方設置的窄電極指間距部分的間距X1，不同于在IDT7與8相鄰的地方設置的窄電極指間距部分的間距Y1。本例中，X1小于Y1。
圖1中，為便于理解，電極指數(shù)顯示成少于實際的電極指數(shù)。
IDT6與8的梳形電極6a與8a經(jīng)表面聲波諧振器4與5接至輸入端11。表面聲波諧振器4與5是單端成對表面聲波諧振器，串接在梳形電極6a與8a和輸入端11之間。各梳形電極6b與8b接地電位。此外，梳形電極7a也接地電位。另一方面，梳形電極7b電氣連接至輸出端口。
下面將描述第一實施例中縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器1的詳細結構與特性。
由IDT6與7相鄰的窄電極指間距部分的間距X1確定的表面聲波波長設置為λI2，而把由IDT7與8相鄰的窄電極指間距部分的間距Y1確定的表面聲波波長設置為λI3。由其余電極指間的間距確定的表面聲波波長設置為λI1。IDT6～8按下述方法設置。
即跨超寬度的電極指最好基本上等于69.0λI1。
IDT6的電極指數(shù)窄電極指間距部分的電極指數(shù)為4，其余電極指部分的電極指數(shù)為21。
配置IDT7，使面對IDT6的窄電極指間距部分的電極指數(shù)為4；面對IDT8的窄電極指間距部分的電極指數(shù)為4；而其余電極指部分的電極指數(shù)為27。
配置IDT28，使窄電極指間距部分的電極指數(shù)為4，其余電極指部分的電極指數(shù)21。
λI1等于約2.03μm；λI2等于約1.62μm；λI3等于約1.98μm。
各反射器9與10的波長λR約為2.05μm，各反射器9與10的電極指數(shù)為100。
圖1中箭頭Z1所指部分的距離(電極指中心之間的距離)，即波長λI1電極指6b1與波長λI2電極指6a1之間的距離等于約0.25λI1＋0.25λI2。
波長λI1電極指7b1與波長λI2電極指7a1之間的距離等于約0.25λI1＋0.25λI2。
圖1箭頭Z2所指的距離，即波長電極指8a1與波長λI1電極指8b1間的距離等于約0.25λI1＋0.25λI3。
波長λI3電極指7b2與波長λI1電極指7a2間的距離也等于約0.25λI1＋0.25λI3。
相鄰IDT6與7的電極指中心距離X1約0.50λI2。
相鄰IDT7與8的電極指中心距離Y1約0.50λI3。
像電極指中心距離一樣，IDT6與反射器9的距離和IDT8與反射器10的距離都等于0.55λR。
各IDT6～8的能率，即電極指橫向尺寸/(電極指橫向＋相鄰電極指間間隙的橫向尺寸)等于約0.60。
各反射器的能率約為0.60。
各IDT6～8和反射器9與10的膜厚度均等于約0.08λI1。
此外，表1列出所設置的表面聲波諧振器4和5。
表1
為了比較，制作了圖3的常規(guī)縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器201。在該常規(guī)縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器中，下述(1)～(4)點同于本實施例中縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器的結構(1)電極指的交叉寬度為69.0(λI＝λI1，即不設窄間距電極指部分)。
(2)中央IDT207的電極指數(shù)為41，表面波傳播方向兩側(cè)各IDT206與208的電極指數(shù)為26。
(3)相鄰IDT間的距離為0.77λI，即相鄰電極指中心之間的距離。
(4)當IDT間的距離為0.77λI時，IDT間的間隙內(nèi)的元電極部分增大。因而如圖3所示，IDT207兩側(cè)IDT209與210的寬度增大了。
其余部分則與本發(fā)明第一實施例的縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器1相同。
圖2示出本例與以上述方法制得的常規(guī)縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器二者的頻率特性。
圖2中，實線B1與B2表示第一實施例的結構，虛線C1與C2表示原有常規(guī)技術的結果。實線B2與虛線C2以垂直軸適當比例表示特性。
從圖2可看出，在常規(guī)縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器201中，通常高頻側(cè)有一箭頭D指示的很大的橫向響應。但在第一實施例的縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器中，橫向響應約比原有常規(guī)技術的響應低5dB。而且，在第一實施例中，通帶低頻側(cè)的濾波器特性的陡度大大增加了。此外，本實施例中通常內(nèi)插入損失與從通過電平衰減4dB的通帶寬度，都與常規(guī)縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器中的相似。
因此在第一實施例中，大大減小了橫向響應，且明顯增大了通常附近濾波器特性的陡度。
現(xiàn)在描述第一實施例中縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器的原理。
圖4示出第一實施例中縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器單元3的頻率特性和縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器單元203的頻率特性，單元203與本例中常規(guī)縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器201的表面聲波諧振器4與5斷接。實線E1與E2表示第一實施例的頻率特性，實線F1與F2表示原有常規(guī)技術的頻率特性。實線E2和虛線F2表示以垂直軸適當?shù)谋壤龑嵕€E1與虛線F1指示的特性作放大而得到的特性。
如圖4所示，在第一實施例中使用的縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器單元3中，通常高頻側(cè)的橫向響應比常規(guī)技術抑制得更多。
圖5A示出濾波器(下指濾波器1)諸諧振模的位置，其中電極指間距X1等于Y1，窄間距電極指的間距在圖1結構中最好都約為1.62μm，還示出了某濾波器(下指濾波器2)的諧振模，其中窄間距電極指的間距X1與Y1最好都約為1.98μm。圖5B示出相位特性。在圖5A與5B中，實線H表示濾波器1的結果，虛線I表示濾波器2的結果。
此外，圖6示出濾波器1和2并聯(lián)時的諧振膜。
圖5和6示出為檢查諧振膜而有意明顯偏離阻抗匹配條件得出的特性。
如圖5與6所示，濾波器1和2中都有兩個諧振膜，即在濾波器1示中示出了諧振膜J和L，在濾波器2中示出了諧振膜J和K。在常規(guī)縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器中，可用這兩種諧振模得到濾波器特性。
在這兩種諧振模中，諧振模J的頻率在濾波器1和2中接近相同，此時，諧振模J的相位在濾波器1與2之間的偏移120°。因此，如圖6箭頭M所示，諧振模的幅值減小了。
在希望減小諧振模J的幅值時，必須使濾波器1與2的相位差接近約180°。
另一方面，濾波器1與2其余諧振模K和L的相移為180°。因此，通過以適當?shù)念l距安排這兩個諧振模以允許在其間作聲耦合，便可得到濾波器特性。此時，各濾波器的通帶寬度由兩諧振模K與L間的頻率差確定。改變窄間距電極指間的間距，可改變各諧振模K與L的頻率。
即改變各濾波器1與2中窄電極指間距部分的電極指間距，可在兩諧振模作聲耦合的范圍內(nèi)產(chǎn)生任意的通帶寬度。
此外，橫向響應部分的相位在濾波器1與2之間的偏移180°，結果減小了鄰近部分的幅值電平(圖6箭頭P所指)。因此，如上所述，與常規(guī)縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器相比，本實施例進一步抑制了橫向響應。
在圖10的縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器101中，通過改變IDT之間的間隙(圖10的IDT間隙P與Q)，也獲得了這類結果。然而，在這種方法中，必須將IDT之間的間隙明顯改變超過電極指間距確定的波長的0.50倍，結果失去了表面聲波傳播的連續(xù)性，增大了通帶內(nèi)插入損失。
與此對照，在本實施例中，最好將IDT的間隙設置成加上相鄰電極指間的間距確定的波長約0.25倍的值而得到的值，因而基本上不丟失表面聲波傳播的連續(xù)性，所以通帶內(nèi)插入損失不會增大。
下面的表2列出通帶內(nèi)最小插入損失和通帶度至少為75MHz的電平，該電平在上述實施例和相當于用圖10所示方法設計的圖1實施例的PCS-Rx濾波器中得到。
表2
如表2所示，與原有常規(guī)技術方法相比，通帶內(nèi)插入損失減小得多得多。
如上所述，在本實施例的縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器中，通帶寬度可任意設置，而且可有效地抑制橫向響應。
雖然IDT6與7相鄰部分的窄間距電極指數(shù)與IDT6與7相鄰部分的窄間距電極指數(shù)相同，但是通過設置不同數(shù)量的窄間距電極指，可得到同樣的效果。在圖26的結構中，將IDT7與IDT6相鄰一側(cè)的窄間距電極指數(shù)減少了一根。圖26的結構與圖1的結構相同，只是除了上述的指數(shù)以外，窄間距電極指部分N1與N2的波長約為1.57λ。
圖27示出圖26中縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器的頻率特性。從圖27可明顯看出，將通帶高頻側(cè)橫向響應減至最小的方法與圖1縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器的一樣。因此，使右側(cè)IDT與中央IDT相鄰的部分和中央IDT與左側(cè)IDT相鄰的部分的窄間距電極指數(shù)不同，可以明顯改善通帶高頻側(cè)的橫向響應。
雖然在圖26示出的實施例中，IDT6與7相鄰部分的窄間距電極指的間距為IDT7與8相鄰部分的窄間距電極指的間距不同，但是只有使這些部分的窄間距電極指部分的數(shù)量不同，才能明顯改進通帶高頻側(cè)的橫向響應。
在上述實施例中，雖然在IDT6與7相鄰的區(qū)域與IDT7與8相鄰的區(qū)域都設置了窄間距電極指部分，但是窄間距電極指部分只設置在其一側(cè)。
在圖28示出的實施例中，IDT7與8沒有窄間距電極指部分，而在IDT6與7相鄰的區(qū)域設置窄間電極指部分。圖28的實施例與圖1的實施例相同，只是IDT6與7的電極中心距X1約為0.42λI2，IDT7與8的電極中心距Y1約為λ0.50I2，再加上有關窄間距電極指部分的特點有所不同。表面聲波裝置中電極指的連續(xù)性未受損害。
圖29示出圖28所示縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器的頻率特性。從圖29可看出，通帶高頻側(cè)橫向響應的抑制方法與圖1中的縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器相同。這樣，通過在右側(cè)IDT與中央IDT相鄰的部分或同IDT與左側(cè)IDT相鄰的部分設置窄間距電極指部分，可大大改善通帶高頻側(cè)的橫向響應。另外，使IDT6與7相鄰的部分或IDT7與8相鄰的部分的間距做得大于其余間距，可得到同樣的效果。
在上述實施例中，作為壓電基片2，最好使用一種40±5°Y切割X傳播的LiTaO3基片。然而，本發(fā)明的壓電基片并不限于上述材料。例如，作為壓電基片，可以使用另一種壓電單晶制作的壓電基片，諸如64～72°Y切割X傳播的LiNbO3基片、41°Y切割X手段的LiNbO3基片等。
再者，在上述實施例中，表面聲波濾波器4和5串接至縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器單元3。然而，這些表面聲波諧振器可以同縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器單元3并聯(lián)，還可以串并聯(lián)。而且如圖7所示，類似于縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器單元3的縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器單元3A與3B可以串接起來。當這種雙級縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器單元串接時，各級的電極指定叉寬度可以不一樣，因而這兩個縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器單元3A與3B的設計有差異。
另外，如圖7所示，例如，相鄰IDT最接近的電極指，電極指6a2與7b3的板性可以不同，以便限定為信號電極與接地電極。這種配置可得到上述諸實施例中的同樣的優(yōu)點。
還有，如圖8所示，通過從作輸出端的端子21與22提取信號，可提供平衡—不平衡轉(zhuǎn)換功能，此時也可獲得上述諸實施例同樣的優(yōu)點。
與圖8的配置相反，端子21與22可用作輸入端。
此外，如圖9所示，除了第一到第三IDT以外，一個或多個IDT可以沿表面波傳播方向排列。在圖9的修改例中，由于在第一至第三IDT6～8上表面波傳播方向的每一側(cè)安置了IDT13與14，提供了一種5根IDT的結構。同樣地，此時當設置在至少一個IDT-IDT間隙內(nèi)的窄電極指間距部分的間距與設置在其余IDT-IDT間隙內(nèi)的窄電極指間距部分的間距不同時，可獲得上述諸實施例同樣的優(yōu)點。
圖11平面圖示出本發(fā)明第二實施例的縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器。
在該實施例的縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器31中，將第一實施例使用的縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器單元3并聯(lián)于縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器單元3C，后者的結構與縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器單元3一樣。此時，縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器單元3最好具有基本上與第一實施例相同的結構。然而，在靠近箭頭S與T指示的部分，窄電極指間距部分的間距最好約為1.98μm。關于這方面，在縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器單元3C中，靠近箭頭U與V所指部分的窄電極指間距部分的間距最好約為1.62μm。另外，縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器單元3和3C各自的電極指交叉寬度W最好是第一實施例中電極指交叉寬度的約一半，即最好為約34.5λI1。在其它部分中，縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器單元3與3C的結構，最好同第一實施例的縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器中使用的縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器單元3的結構相同。
在第二實施例中，縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器單元3和3C同樣并聯(lián)在一起，它們各自具有與第一實施例使用的縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器單元3一樣的結構。結果，與第一實施例一樣，明顯減小了通帶內(nèi)插入損失，而且出現(xiàn)在通帶高頻側(cè)的橫向響應減至最小。
另外，與第一實施例相似，調(diào)節(jié)窄間距電極指的間距，可容易地調(diào)節(jié)寬度。
此外，在第二實施例的第一和第二縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器部分3與3C中，雖然窄間距電極指部分的間距不同，但是除了間距以外，窄間距電極指部分的電極指數(shù)也可以不同。或者，電極指數(shù)和間距二者均可以不一樣。此外，縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器部分3和3C中可以只有一個包括窄間距電極部分。
圖12平面圖示出本發(fā)明第三實施例中縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器的電極結構。
在第三實施例的縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器41中，表面聲波諧振器42串接至縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器單元3D。縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器單元3D的具體設計與第一實施例中縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器單元3的設計相似，第三實施例的一個不同特點是置于中同的第二IDT47變薄且加重。
如圖12所示，相對于縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器41的中央，變薄和加重在左右兩側(cè)(即表面波傳播方向的兩側(cè))是不對稱的。此外，電極指交叉寬度最好接近83.7λI1，而IDT的波長λI3最好接近1.97μm。其它結構與第一實施例中表面聲波諧振器濾波器單元3的結構基本上相同。另外，表面聲波諧振器4的形成方法與第一實施例使用的表面聲波諧振器4相同。
圖13示出第三實施例中縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器41的頻率特性。為作比較，虛線表示圖14所示縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器51的頻率特性。圖14所示縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器51的結構，類似于從第一實施例的縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器1中去除表面聲波諧振器5以后的結構。圖14所示縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器51也包括在本發(fā)明的范圍內(nèi)。
圖13中，實線W1與W2表示第三實施例的結果，虛線W3與W4表示上述對比例的結果。
在圖13中發(fā)現(xiàn)，當在圖1實施例中的縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器1里去除表面聲波諧振器5后，橫向響應的幅值電平略有增大。但像第三實施例一樣，使IDT47變薄加重，可抑制橫向響應。
如上所述，在本發(fā)明諸實施例的縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器中，該IDT最好對傳播方向兩側(cè)的表面聲波傳播方向中心不對稱地變薄加重，以上將橫向響應有效地減至最小并消除。
根據(jù)第二實施例，由于表面聲波諧振器數(shù)量比第一實施例少一個，可明顯地使縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器的單元尺寸超小型化。
圖15和16的框圖表示包括本發(fā)明一實施例中縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器的通信設備60。
圖15中，天線61接至雙工器62，在雙工器62與接收側(cè)混頻器63之間接有表面聲波濾波器64和放大器65，此外在雙工器62與發(fā)射側(cè)混頻器66之間接有放大器67和表面聲波濾波器68。此以方法，當放大器65適合平衡信號時，可有效地將本發(fā)明諸實施例的縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器用作表面聲波濾波器64。
此外，如圖16所示，當接收側(cè)使用的放大器65A適合不平衡信號時，則本發(fā)明諸實施例的縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器適于用作表面聲波濾波器65A。
在通信設備60中，通過應用按本發(fā)明諸實施例形成的縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器，大大減小了通帶內(nèi)插入損失。
在本發(fā)明第一與第二實施例各自的縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器中，排列在表面波傳播方向中心的IDT最好具有偶數(shù)根電極楷。換言之，在第一實施例中，第二IDT的電極指最好是偶數(shù)，而在第二實施例中，第二和第五根IDT的電極指最好為偶數(shù)。在本發(fā)明第一與第二實施例中，把中央IDT的電極指數(shù)設成偶數(shù)，進一步減小了損失。這一情況將參照下面的第四與第五實施例來說明。
圖17平面圖表示第四實施例中縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器的電極結構。
該實施例的縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器201包括第一與第二縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器單元202和203。單元202包括沿表面波傳播方向排列的第一到第三IDT204～206，在排列IDT204～206的區(qū)域的兩側(cè)設置有反射器207和208。此外，在單元203中，沿表面波傳播方向排列了第四到第六IDT209～211，并在IDT209～211兩側(cè)設置有反射器212和213。
縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器單元203類似于縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器單元202，只是IDT210具有IDT205倒置的結構。
在縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器202中，在IDT204～206中設置了窄電極指間距部分N1～N4。然而，窄電極指間距部分N1與N2的電極指間距不同于窄電極指間距部分N3與N4的電極指間距。
此外，中央IDT205的電極指最好為偶數(shù)。
輸入端214經(jīng)表面聲波諧振器215接至縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器單元202，表面聲波諧振器215電連接至各IDT204與206的一端。另一方面，輸入端214經(jīng)表面聲波諧振器216接至縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器單元203，此時將表面聲波諧振器的一端電連接至各IDT209與211。
此外，IDT205經(jīng)表面聲波諧振器217電連接至第一輸出端218。同樣地，IDT210的一端經(jīng)表面聲波諧振器219接至第二輸出端220，在輸出端218與220之間接電感221。
在本實施例中，如上所述，把縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器單元202串接至表面聲波諧振器215與217的第一濾波器并聯(lián)于將縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器單元203串接至表面聲波諧振器216與219的濾波器。運用這種結構，可從輸出端218與220輸出相位差為180°的信號，由此實現(xiàn)平衡—不平衡轉(zhuǎn)換功能。
圖18平面圖表示圖17所示縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器單元202修改例的電極結構。如圖18所示，第一至第三IDT204A～206A具有把梳形電極接至地電位的結構。此外，在縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器單元203中，同樣將第四到第六IDT209～211配置成把梳形電極電連接至地電位。
下面根據(jù)一更詳盡地實施例子說明本實施例中縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器201的工作原理。
在該實施例中，上述電極設置在40±5°Y切割X傳播的LiTaO3基片上。下面說明電極的細節(jié)。當由窄電極指間距部分N3與N4的間距確定的表面波波長最好約為λI2時，由窄電極指間距部分N3與N4的間距確定的該波長最好為約λI3，而由其余電極指的間距確定的該波長最好約為λI1。
IDT204～206和209～211各自的電極指交叉寬度W1基本上約為41.7λI1。
IDT204與209的電極指數(shù)窄電極指間距部分的電極指數(shù)為4，其余電極指部分的電極指數(shù)為21。
在IDT205與210中，窄電極指間距部分N2的電極指數(shù)為4；窄電極指間距部分N3的電極指數(shù)為4，其余電極指數(shù)為24。
在IDT206與211中，窄電極指間距部分N4的電極指數(shù)為4，其余電極指部分的電極指數(shù)為21。
λI1為2.04μm，λI2約1.85μm，λI3約2.05μm。
各反射器的波長λR約2.05μm.
各反射器的電極指數(shù)為100。
窄電極指間距部分N1與N2和續(xù)接的其余電極指的電極指中心距約為0.25λI1＋0.25λI2。
窄電極指間距部分N3與N4和續(xù)接至這些部分的其余電極指的電極指中心距約為0.25λI1＋0.25λI3。
IDT204與205的電極指中心距和IDT209與210的電極指中心距(即IDT之間的間隙)約為0.50λI2。
IDT205與206的電極指中心距和IDT210與211的電極指中心距(即IDT之間的間隙)約為0.50λI3。
IDT與反射器之間的間隙約為0.55λR。
各IDT的能率約為0.60。
各反射器的能率約為0.60。
電極模厚度約為0.08λI1。
電感220的值為27nH。
下面的表3列出了表面聲波諧振器215、216、217與219的詳細情況。
表3
圖19平面圖示出的縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器，用于同第四實施例的縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器210作比較。在常規(guī)縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器301中，其結構基本上與第四實施例中縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器210的結構相同，但在縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器單元302與303中無窄電極指間距部分。下面將詳細描述為比較而制備的縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器301的設計情況。
電極指交叉寬度W約為29.7λI1。
IDT的電極指數(shù)IDT304與306為23；IDT305為35；IDT309與311為22；IDT310為35。
各IDT的波長λI1約為2.02μm。
各反射器307、308、312與313的波長λR約為2.05μm。
各反射器307、308、312與313的的電極指數(shù)為100。
縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器單元302中IDT之間的間隙約為λ0.785λI。
縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器單元303中IDT之間的間隙約為λ1.285λI。
IDT與反射器之間的間隙約為0.52λR。
各IDT的能率約為0.60。
各反射器的能率約為0.60。
電極膜厚度約為0.08λI。
表4列出了表面聲波諧振器315、316、317與319的設計參數(shù)。
表4
圖20示出圖17中縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器201和圖19中供比較的常規(guī)縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器301的頻率特性。在圖20中，實線表示第四實施例獲得的結果，虛線表示作比較的常規(guī)縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器301的特性。此外，在圖20中，示出的特性通過以垂直軸適當?shù)乇壤龑︻l率特性的主要部分作了放大。
在圖30中發(fā)現(xiàn)，在第四實施例中，箭頭Z指示的橫向響應約比常規(guī)例低5dB。此外，通帶內(nèi)插入損失和離通過電平約4dB的通帶寬度幾乎與常規(guī)例一樣。因此在本實施例中，當與常規(guī)縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器301比較時，不改變插入損失與帶寬，就可明顯減弱橫向響應。
在縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器301中，作為一種抑制橫向響應的方法，考慮過添加另一個串接的表面聲波諧振器。這樣，如圖21所示，在縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器301的輸入側(cè)裝一個縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器400，其中增加了表面聲波諧振器401與402。此時，表面聲波諧振器401與402的技術指標列于表5。
表5
圖22示出縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器400和第四實施例中縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器的頻率特性。在添加了表面聲波諧振器401與402的縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器400中，改變了其它元件的某些設計參數(shù)。
在圖22中，實線表示第四實施例的結果，虛線表示縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器400的結果。
如圖22所示，通過對縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器301添加表面聲波諧振器401與402，在縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器400中，在205MHz范圍內(nèi)衰減量比第四實施例有了提高，但在2010～2050MHz附近的衰減作用比第四實施例劣化了。此外，添加表面聲波諧振器401與402后，濾波器的阻抗增大了，結果增大了通帶內(nèi)插入損失。
還有，增加了表面聲波諧振器401與402后，裝置無法超小型化。
因此，應用第四實施例的縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器201，提供的表面聲波濾波器允許較小的通帶內(nèi)插入損失，橫向響應比常規(guī)縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器301和使用許多表面聲波諧振器的表面聲波濾波器400更小。
圖23示出的結果是將日本等專利申請公報NO.10-190394描述聽上述縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器的頻率特性與第四實施例中縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器的頻率特性比較后得到的。為比較而制備的表面聲波濾波器的結構基本上與圖19的縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器的結構相同，其設計參數(shù)如下交叉寬度W約為29.7λI。
IDT的電極指數(shù)、中央IDT的電極指數(shù)為37，中央IDT兩側(cè)設置的IDT的電極指數(shù)為23。
各IDT的波長λI約為2.04μm。
各反射器的波長λR約為2.05μm。
各反射器的電極指數(shù)100。
IDT之間的間隙圖21中箭頭Z1所指IDT之間的間隙約為0.370λI，箭頭Z2所指IDT之間的間隙約為0.690λI，箭頭Z3所指IDT之間的間隙約為0.870λI，而箭頭Z4所指IDT之間的間隙約為λ1.190I。
IDT-反射器間隙約為0.52λR。
IDT能率約為0.60。
反射器能率約為0.60。
電極膜厚度約為λ0.08λI。
表6列出了表面聲波諧振器315與316以及317與319的詳細設計參數(shù)。
表6
如圖23所示，在按日本待審專利申請公報NO.10-190394描述的縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器形成的縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器的頻率特性中，(圖23虛線所示)，當與第四實施例中縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器的頻率特性(實線)比較時，通帶內(nèi)插入損失未處于合適的電平，且通帶寬度更窄。以這種方式，通過應用第四實施例的縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器，若與應用常規(guī)技術描述的表面聲波濾波器的情況相比，不引起插入損失明顯的劣化，可有效地減弱橫向響應。
下面說明在第四實施例中中央IDT205和210具有偶數(shù)根電極指的理由。
在第四實施例的縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器中，像第一實施例那樣，通過使中央IDT兩側(cè)窄電極指間距部分的電極指間距不同，可有效地減弱橫向響應。即中央IDT可以具有奇數(shù)根電極指。
然而，如圖24所示，在縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器501中，當中央IDT502與503具有奇數(shù)根電極指而實現(xiàn)最合適的設計時，則在各中央IDT502與503兩側(cè)的窄電極指間距部分之間出現(xiàn)簋大的間距差。結果，當各中央IDT一側(cè)的窄電極指間距部分的電極指間距極窄時，表面聲波傳播通路就失去了連續(xù)性，由此明顯增大了通帶內(nèi)插入損失。
因此，在本發(fā)明諸實施例中，中央IDT最好有偶數(shù)根電極指。利用這種結構，可大大減小各中央IDT兩側(cè)窄電極指間距部分之間的電極指間距差，從而有效地減小通帶內(nèi)插入損失。
此外，在用于處理諸如PCS系統(tǒng)等高頻的濾波器中，當電極指間距很窄時，電極指寬度與電極指間隙也變窄了。因此，通過讓中央IDT具有偶數(shù)根電極指，可大大減小各中央IDT兩側(cè)電極指間距之差。換言之，由于可擴展最窄的電極指間距，容易得到所需的IDT。
圖25示出第四實施例中縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器與圖24所示作為第四實施例修改例的縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器的頻率特性。圖25中，實線表示第四實施例，虛線表示圖24修改例的頻率特性。在圖25的特性中，圖24中縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器的特性，是通過將中央IDT配置成具有奇數(shù)根電極指并且各中央IDT兩側(cè)窄電極指間距部分的間距最好約為1.62μm與1.98μm而得到的特性。即設置的電極指部分，其間距約比第四實施例中電極指間距的最窄間距還要窄0.23μm。
從圖25可看出，在修改例中，橫向響應的衰減量約增大2dB，大于第四實施例的衰減量。然而，通帶內(nèi)插入損失卻大于第四實施例。
因此，如在第四實施例中一樣，將中央IDT配置成有偶數(shù)根電極指，可大大減弱橫向響應，而且還明顯減少了通帶內(nèi)插入損失。
雖然已指示了本發(fā)明的諸較佳實施例，但是仍試圖將實施這里揭示的原理的各種方式包括在所附權項的范圍內(nèi)。因此，應當理解，本發(fā)明的范圍并不受此限制，它只受所附權項的限制。
權利要求
1.一種縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器，其特征在于包括壓電基片；和設置在壓電基片上并沿表面波傳播方向排列而第二IDT插在第一與第三IDT之間的第一、第二和第三IDT，各IDT有多根電極指；其中第一與第二IDT在它們相鄰的各個端部具有窄電極指間距部分，其電極指間距比其余電極指間距更窄；第二與第三IDT在它們相鄰的各個端部具有窄電極指間距部分，其電極指間距比其余電極指間距更窄；和第一與第二IDT中窄電極指間距部分的電極指間距，不同于第二與第三IDT中窄電極指間距部分的電極指間距。
2.如權利要求1所述的縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器，其中第一與第二IDT中窄電極指間距部分的電極指數(shù)，不同于第二與第三IDT中窄電極指間距部分的電極指數(shù)。
3.一種縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器，其特征在于包括壓電基片；和設置在壓電基片上并沿表面波傳播方向排列而第二IDT插在第一與第三IDT之間的第一、第二和第三IDT，各IDT有多根電極指；其中第一與第二IDT在它們相鄰的各個端部具有窄電極指間距部分，其電極指間距比其余電極指間距更窄；第二與第三IDT在它們相鄰的各個端部具有窄電極指間距部分，其電極指間距比其余電極指間距更窄；和第一與第二IDT中窄電極指間距部分的電極指數(shù)，不同于第二與第三IDT中窄電極指間距部分的電極指數(shù)。
4.一種縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器，其特征在于包括壓電基片；和設置在壓電基片上并沿表面波傳播方向排列而使第二IDT插在第一與第三IDT之間的第一、第二與第三IDT，各IDT有多根電極指；其中只有第一與第二IDT或只有第二與第三IDT在它們相鄰的各端部具有窄電極指間距部分，其電極指間距比其余電極指間距更窄。
5.一種縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器，其特征在于包括壓電基片；第一縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器單元，它包括設置在壓電基片上并沿表面波傳播方向排列而使第二IDT插在第一與第三IDT之間的第一、第二與第三IDT，各IDT有多根電極指；第二縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器單元，它包括設置在壓電基片上并沿表面波傳播方向排列而使第五IDT插在第四與第六IDT之間的第四、第五與第六IDT，各IDT有多根電極指；其中第一、第二與第三IDT在它們相鄰的各端部具有窄電極指間距部分，其電極指間距比其余電極指間距更窄；第四、第五與第六IDT在它們相鄰的各端部具有窄電極指間距部分，其電極指間距比其余電極指間距更窄；和第一、第二與第三IDT中窄電極指間距部分的電極指間距，不同于第四、第五與第六IDT中窄電極指間距部分的電極指間距。
6.如權利要求5所述的縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器，其中第一、第二與第三IDT中窄電極指間距部分的電極指數(shù)，不同于第四、第五一第六IDT中窄電極指間距部分的電極指數(shù)。
7.一種縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器，其特征在于包括壓電基片；第一縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器單元，它包括設置在壓電基片上并沿表面波傳播方向排列而使第二IDT插在第一與第三IDT之間的第一、第二與第三IDT，各IDT有多根電極指；第二縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器單元，它包括設置在壓電基片上并沿表面波傳播方向排列而使第五IDT插在第四與第六IDT之間的第四、第五與第六IDT，各IDT有多根電極指；其中第一、第二與第三IDT在它們相鄰的各端部具有窄電極指間距部分，其電極指間距比其余電極指間距更窄；第四、第五與第六IDT在它們相鄰的各端部具有窄電極指間距部分，其電極指間距比其余電極指間距更窄；和第一、第二與第三IDT中窄電極指間距部分的電極指數(shù)，不同于第四、第五與第六IDT中窄電極指間距部分的電極指數(shù)。
8.如權利要求7所述的縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器，其中第一、第二與第三IDT中窄電極指間距部分的電極指數(shù)，不同于第四、第五與第六IDT中窄電極指間距部分的電極指數(shù)。
9.一種縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器，其特征在于包括壓電基片；第一縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器單元，它包括設置在壓電基片上并沿表面波傳播方向排列而使第二IDT插在第一與第三IDT之間的第一、第二與第三IDT，各IDT有多根電極指；第二縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器單元，它包括設置在壓電基片上并沿表面波傳播方向排列而使第五IDT插在第四與第六IDT之間的第四、第五與第六IDT，各IDT有多根電極指；其中只有第一、第二與第三IDT或只有第四、第五與第六IDT在它們各自相鄰的端部才具有窄電極指間距部分，其電極指間距比其余電極指間距更窄。
10.如權利要求1～9中任一權項的縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器，其中第二IDT有偶數(shù)根電極指。
11.如權利要求1～9中任一權項的縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器，其中至少一根IDT變薄加重。
12.如權利要求1～9中任一權項的縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器，其中變薄和加重沿表面波傳播方向與縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器的中央不對稱。
13.如權利要求1～9中任一權項的縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器，其特征在于還包括與縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器串接的表面聲波諧振器和與縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器并聯(lián)的表面聲波諧振器中的至少一個。
14.如權利要求1～9中任一權項的縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器，其特征在于還包括配置成提供平衡—不平衡轉(zhuǎn)換功能的平衡型輸入端或輸出端和不平衡型輸出端或輸入端。
15.一種通信設備，其特征在于包括權項1～9中任一權項的縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器。
全文摘要
一種縱向耦合諧振器型表面聲波濾波器,包括壓電基片和第一、第二與第三IDT,所述IDT設置在壓電基片上且沿表面波傳播方向排列,使第二IDT插在第一與第三IDT之間。各第一、第二與第三IDT都有多根電極指。第一與第二IDT在它們相鄰的各端部具有窄電極指間距部分,其電極指間距比其余電極指間距更窄。第二與第三IDT在它們相鄰的各端部具有窄電極指間距部分,其電極指間距比其余電極指間距更窄。第一與第二IDT中窄電極指間距部分的電極指間距,不同于第二與第三IDT中窄電極指間距的電極指間距。
文檔編號H03H9/145GK1333596SQ0111976
公開日2002年1月30日 申請日期2001年5月22日 優(yōu)先權日2000年5月22日
發(fā)明者高峰裕一 申請人:株式會社村田制作所