混合疊壓的內(nèi)置式永磁電機(jī)轉(zhuǎn)子沖片結(jié)構(gòu)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
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[0001]本實用新型涉及一種混合疊壓的內(nèi)置式永磁電機(jī)轉(zhuǎn)子沖片結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
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[O002 ] 永磁電機(jī)的轉(zhuǎn)子結(jié)構(gòu)按照永磁體布置形式可以分為表面式、內(nèi)置式和爪極式三類。其中內(nèi)置式轉(zhuǎn)子結(jié)構(gòu)的永磁體位于轉(zhuǎn)子內(nèi)部，永磁體外表面與定子鐵心內(nèi)圓之間有鐵磁物質(zhì)(通常是疊層硅鋼片)制成的極靴，從而有助于利用磁阻轉(zhuǎn)矩提高電動機(jī)的過載能力和功率密度，并且易于弱磁擴(kuò)速。因此該類轉(zhuǎn)子被永磁電機(jī)所廣泛采用。
[0003]但是由于內(nèi)置式轉(zhuǎn)子中永磁體被導(dǎo)磁材料所包裹，因而都存在很嚴(yán)重的漏磁現(xiàn)象。同時極靴之間用于限制漏磁的磁橋又必須承受較大的載荷，因此限制漏磁的要求和提高轉(zhuǎn)子強(qiáng)度的要求之間就有了無法調(diào)和的矛盾。
[0004]因此，確有必要對現(xiàn)有技術(shù)進(jìn)行改進(jìn)以解決現(xiàn)有技術(shù)之不足。
【實用新型內(nèi)容】:
[0005]本實用新型是為了解決上述現(xiàn)有技術(shù)存在的問題而提供一種混合疊壓的內(nèi)置式永磁電機(jī)轉(zhuǎn)子沖片結(jié)構(gòu)。
[0006]本實用新型所采用的技術(shù)方案有:一種混合疊壓的內(nèi)置式永磁電機(jī)轉(zhuǎn)子沖片結(jié)構(gòu)，包括第一轉(zhuǎn)子沖片、永磁體、定位銷釘和由四片扇形狀的硅鋼片拼合形成的第二轉(zhuǎn)子沖片，若干第一轉(zhuǎn)子沖片相隔一定間距的插接在定位銷釘上，若干第二轉(zhuǎn)子沖片插接于兩第一轉(zhuǎn)子沖片之間，每片第二轉(zhuǎn)子沖片中相鄰兩硅鋼片之間留有間隙，第一轉(zhuǎn)子沖片上設(shè)有與所述間隙相貫通的安裝槽孔，永磁體插接在第一轉(zhuǎn)子沖片的安裝槽孔內(nèi)和第二轉(zhuǎn)子沖片的間隙內(nèi)。
[0007]進(jìn)一步地，相鄰兩第一轉(zhuǎn)子沖片之間設(shè)有四片第二轉(zhuǎn)子沖片。
[0008]進(jìn)一步地，所述第一轉(zhuǎn)子沖片上且沿第一轉(zhuǎn)子沖片的圓周方向設(shè)有若干第一通孔，第一轉(zhuǎn)子沖片通過該第一通孔插接在定位銷釘上。
[0009]進(jìn)一步地，所述硅鋼片上設(shè)有第二通孔，第二轉(zhuǎn)子沖片通過該第二通孔插接在銷釘上。
[0010]進(jìn)一步地，所述第一轉(zhuǎn)子沖片采用不銹鋼材料制成。
[0011 ]本實用新型具有如下有益效果:
[0012]I)本實用新型結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)子漏磁少，永磁體用量??；
[0013]2)本實用新型結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)子強(qiáng)度高，許用轉(zhuǎn)速高；
[0014]3)本實用新型結(jié)構(gòu)的氣隙磁場軸向分布更均勻，磁力線接近平行；
[0015]4)本實用新型結(jié)構(gòu)中的沖片與銷釘應(yīng)力小，更安全更緊湊。
【附圖說明】
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[0016]圖1為本實用新型結(jié)構(gòu)主視圖。
[0017]圖2為本實用新型結(jié)構(gòu)左視圖。
[0018]圖3為本實用新型結(jié)構(gòu)中第二轉(zhuǎn)子沖片的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0019]圖4為本實用新型結(jié)構(gòu)中第一轉(zhuǎn)子沖片的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
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[0020]下面結(jié)合附圖對本實用新型作進(jìn)一步的說明。
[0021]如圖1至圖4所示，本實用新型混合疊壓的內(nèi)置式永磁電機(jī)轉(zhuǎn)子沖片結(jié)構(gòu)包括第一轉(zhuǎn)子沖片1、永磁體3、定位銷釘4和扇形狀的硅鋼片2，四片扇形狀的硅鋼片2拼合形成第二轉(zhuǎn)子沖片5，若干第一轉(zhuǎn)子沖片I相隔一定間距的插接在定位銷釘4上，四片第二轉(zhuǎn)子沖片5插接在相鄰兩第一轉(zhuǎn)子沖片I之間的定位銷釘4上，每片第二轉(zhuǎn)子沖片5中相鄰兩硅鋼片2之間留有間隙7，第一轉(zhuǎn)子沖片I上設(shè)有四個安裝槽孔6，在第一轉(zhuǎn)子沖片I和第二轉(zhuǎn)子沖片5插接于定位銷釘4上后，第一轉(zhuǎn)子沖片I上的安裝槽孔6與第二轉(zhuǎn)子沖片5上的間隙7相貫通，永磁體3插接安裝槽孔6內(nèi)和間隙7內(nèi)。
[0022]在第一轉(zhuǎn)子沖片I上且沿第一轉(zhuǎn)子沖片的圓周方向設(shè)有若干第一通孔11，第一轉(zhuǎn)子沖片I通過該第一通孔11插接在定位銷釘4上。在硅鋼片2上設(shè)有第二通孔21，第二轉(zhuǎn)子沖片5通過該第二通孔21插接在銷釘4上。
[0023]本實用新型中的第一轉(zhuǎn)子沖片I采用不銹鋼材料制成。
[0024]本實用新型結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)子沖片，即使用一定比例的磁導(dǎo)率接近I的不銹鋼材料的第一轉(zhuǎn)子沖片I混合在取消了磁橋的硅鋼片材料的第二轉(zhuǎn)子沖片5中承受轉(zhuǎn)子離心載荷，并用定位銷釘4在沖片之間傳遞作用力，就可以完全取消磁橋，消除由于磁橋存在而導(dǎo)致的漏磁磁通和電機(jī)磁路的非線性問題。
[0025]以上所述僅是本實用新型的優(yōu)選實施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本實用新型原理的前提下還可以作出若干改進(jìn)，這些改進(jìn)也應(yīng)視為本實用新型的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項】
1.一種混合疊壓的內(nèi)置式永磁電機(jī)轉(zhuǎn)子沖片結(jié)構(gòu)，其特征在于:包括第一轉(zhuǎn)子沖片(1)、永磁體(3)、定位銷釘(4)和由四片扇形狀的硅鋼片(2)拼合形成的第二轉(zhuǎn)子沖片(5)，若干第一轉(zhuǎn)子沖片(I)相隔一定間距的插接在定位銷釘(4)上，若干第二轉(zhuǎn)子沖片(5)插接于兩第一轉(zhuǎn)子沖片(I)之間，每片第二轉(zhuǎn)子沖片(5)中相鄰兩硅鋼片(2)之間留有間隙(7)，第一轉(zhuǎn)子沖片(I)上設(shè)有與所述間隙(7)相貫通的安裝槽孔(6)，永磁體(3)插接在第一轉(zhuǎn)子沖片(I)的安裝槽孔(6)內(nèi)和第二轉(zhuǎn)子沖片(5)的間隙(7)內(nèi)。2.如權(quán)利要求1所述的混合疊壓的內(nèi)置式永磁電機(jī)轉(zhuǎn)子沖片結(jié)構(gòu)，其特征在于:相鄰兩第一轉(zhuǎn)子沖片(I)之間設(shè)有四片第二轉(zhuǎn)子沖片(5)。3.如權(quán)利要求2所述的混合疊壓的內(nèi)置式永磁電機(jī)轉(zhuǎn)子沖片結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述第一轉(zhuǎn)子沖片(I)上且沿第一轉(zhuǎn)子沖片的圓周方向設(shè)有若干第一通孔(11)，第一轉(zhuǎn)子沖片(I)通過該第一通孔(11)插接在定位銷釘(4)上。4.如權(quán)利要求3所述的混合疊壓的內(nèi)置式永磁電機(jī)轉(zhuǎn)子沖片結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述硅鋼片(2)上設(shè)有第二通孔(21)，第二轉(zhuǎn)子沖片(5)通過該第二通孔(21)插接在銷釘(4)上。5.如權(quán)利要求4所述的混合疊壓的內(nèi)置式永磁電機(jī)轉(zhuǎn)子沖片結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述第一轉(zhuǎn)子沖片(I)采用不銹鋼材料制成。
【專利摘要】本實用新型公開了一種混合疊壓的內(nèi)置式永磁電機(jī)轉(zhuǎn)子沖片結(jié)構(gòu)，其包括第一轉(zhuǎn)子沖片、永磁體、定位銷釘和由四片扇形狀的硅鋼片拼合形成的第二轉(zhuǎn)子沖片，若干第一轉(zhuǎn)子沖片相隔一定間距的插接在定位銷釘上，若干第二轉(zhuǎn)子沖片插接于兩第一轉(zhuǎn)子沖片之間，每片第二轉(zhuǎn)子沖片中相鄰兩硅鋼片之間留有間隙，第一轉(zhuǎn)子沖片上設(shè)有與所述間隙相貫通的安裝槽孔，永磁體插接在第一轉(zhuǎn)子沖片的安裝槽孔內(nèi)和第二轉(zhuǎn)子沖片的間隙內(nèi)。本實用新型結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)子漏磁少，永磁體用量小，本實用新型結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)子強(qiáng)度高，許用轉(zhuǎn)速高，本實用新型結(jié)構(gòu)的氣隙磁場軸向分布更均勻，磁力線接近平行，本實用新型結(jié)構(gòu)中的沖片與銷釘應(yīng)力小，更安全更緊湊。
【IPC分類】H02K1/27
【公開號】CN205178685
【申請?zhí)枴緾N201521020247
【發(fā)明人】胡思寧, 李健, 吳立華, 董繼勇
【申請人】南京磁谷科技有限公司
【公開日】2016年4月20日
【申請日】2015年12月9日