封裝的三相全橋式整流模塊的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種封裝的三相全橋式整流模塊，主要適用于三相電源的初級全橋整流。
【背景技術(shù)】
[0002]三相全橋式整流模塊主要用于三相電源的初級全橋整流，在中小型功率的直流電源和變頻設(shè)備中使用相當(dāng)廣泛。但是，目前，市場上封裝的三相全橋式整流模塊體積普遍較大，使用時(shí)所占用的空間較大，而且通常模塊的功能端都是直接由電極通過緊固件引出，電極的設(shè)置不合理，這樣在一些終端設(shè)備上使用不方便。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0003]本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問題是:基于上述問題，提供一種封裝的三相全橋式整流模塊。
[0004]本實(shí)用新型解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是:一種封裝的三相全橋式整流模塊，包括銅基板、DCB板、二極管芯片、電極和塑料殼體組成，所述銅基板位于模塊底部，所述DCB板焊接與銅基板上方，DCB板具有覆銅區(qū)域，所述二極管芯片焊接在DCB板的覆銅區(qū)域，并通過純銅連接片連接組成完整的三相橋電路，所述塑料殼體套在上述完整的三相橋電路上，所述電極為引出端，其焊接在DCB板上，所述電極具有并排設(shè)置的兩列電極片組，一列電極片組由三片結(jié)構(gòu)相同的電極片組成，另一列電極片組由相互配合的電極片組件I和電極片組件II構(gòu)成，電極片組件I包括底座和位于底座一端的一片電極片，電極片組件II包括與上述底座相配合的底座塊以及位于底座塊上的兩片電極片。
[0005]進(jìn)一步地，所述銅基板為T2純銅所制。銅基板為T2純銅所制，確保模塊高效的散熱。
[0006]更進(jìn)一步地，所述銅基板上設(shè)有橢圓形安裝孔。銅基板上設(shè)有橢圓形安裝孔，便于安裝。
[0007]進(jìn)一步地，所述DCB板為覆銅陶瓷板。DCB板為覆銅陶瓷板，上面電路圖案布局合理。
[0008]進(jìn)一步地，所述電極為T2純銅連接器。電極為T2純銅連接器，確保模塊高效的導(dǎo)電性。
[0009]進(jìn)一步地，所述塑料殼體采用阻燃高強(qiáng)度的PBT材質(zhì)。塑料殼體采用阻燃高強(qiáng)度的PBT材質(zhì)，與銅基板和電極裝配關(guān)系精準(zhǔn)。
[0010]本實(shí)用新型的有益效果是:本實(shí)用新型合理布局電極位置，方便在一些終端設(shè)備上使用，本模塊廣泛適用于中小功率直流電源和變頻等設(shè)備。
【附圖說明】
[0011]下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對本實(shí)用新型進(jìn)一步說明。
[0012]圖1是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0013]圖中:1.銅基板，2.DCB板，3.二極管芯片，4.電極，5.塑料殼體，6.純銅連接片，7.橢圓形安裝孔，41.電極片，42.電極片組件I，43.電極片組件II，421.底座，431.底座塊。
【具體實(shí)施方式】
[0014]現(xiàn)在結(jié)合附圖對本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。這些附圖均為簡化的示意圖，僅以示意方式說明本實(shí)用新型的基本結(jié)構(gòu)，因此其僅顯示與本實(shí)用新型有關(guān)的構(gòu)成。
[0015]如圖1所示，一種封裝的三相全橋式整流模塊，包括銅基板1、DCB板2、二極管芯片3、電極4和塑料殼體5組成，銅基板I位于模塊底部，DCB板2焊接與銅基板I上方，DCB板2具有覆銅區(qū)域，二極管芯片3焊接在DCB板2的覆銅區(qū)域，并通過純銅連接片6連接組成完整的三相橋電路，塑料殼體5套在上述完整的三相橋電路上，電極4為引出端，其焊接在DCB板2上，電極4具有并排設(shè)置的兩列電極片組，一列電極片組由三片結(jié)構(gòu)相同的電極片41組成，另一列電極片組相互配合的電極片組件I 42和電極片組件II 43構(gòu)成，電極片組件I 42包括底座421和位于底座421 —端的一片電極片，電極片組件II 43包括與上述底座421相配合的底座塊431以及位于底座塊431上的兩片電極片。
[0016]其中，銅基板I為T2純銅所制，銅基板I上設(shè)有橢圓形安裝孔7，DCB板2為覆銅陶瓷板，電極4為T2純銅連接器，塑料殼體5采用阻燃高強(qiáng)度的PBT材質(zhì)。
[0017]以上述依據(jù)本實(shí)用新型的理想實(shí)施例為啟示，通過上述的說明內(nèi)容，相關(guān)工作人員完全可以在不偏離本項(xiàng)實(shí)用新型技術(shù)思想的范圍內(nèi)，進(jìn)行多樣的變更以及修改。本項(xiàng)實(shí)用新型的技術(shù)性范圍并不局限于說明書上的內(nèi)容，必須要根據(jù)權(quán)利要求范圍來確定其技術(shù)性范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種封裝的三相全橋式整流模塊，包括銅基板⑴、DCB板(2)、二極管芯片(3)、電極(4)和塑料殼體(5)組成，所述銅基板(I)位于模塊底部，所述DCB板(2)焊接與銅基板(I)上方，DCB板⑵具有覆銅區(qū)域，其特征在于:所述二極管芯片(3)焊接在DCB板⑵的覆銅區(qū)域，并通過純銅連接片(6)連接組成完整的三相橋電路，所述塑料殼體(5)套在上述完整的三相橋電路上，所述電極⑷為引出端，其焊接在DCB板⑵上，所述電極⑷具有并排設(shè)置的兩列電極片組，一列電極片組由三片結(jié)構(gòu)相同的電極片(41)組成，另一列電極片組由相互配合的電極片組件I (42)和電極片組件II (43)構(gòu)成，電極片組件I (42)包括底座(421)和位于底座(421) —端的一片電極片，電極片組件II (43)包括與上述底座(421)相配合的底座塊(431)以及位于底座塊(431)上的兩片電極片。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝的三相全橋式整流模塊，其特征在于:所述銅基板(I)為T2純銅所制。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的封裝的三相全橋式整流模塊，其特征在于:所述銅基板(I)上設(shè)有橢圓形安裝孔(7)。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝的三相全橋式整流模塊，其特征在于:所述DCB板(2)為覆銅陶瓷板。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝的三相全橋式整流模塊，其特征在于:所述電極(4)為T2純銅連接器。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝的三相全橋式整流模塊，其特征在于:所述塑料殼體(5)采用阻燃高強(qiáng)度的PBT材質(zhì)。
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及一種封裝的三相全橋式整流模塊，包括銅基板、DCB板、二極管芯片、電極和塑料殼體組成，銅基板位于模塊底部，DCB板焊接與銅基板上方，DCB板具有覆銅區(qū)域，二極管芯片焊接在DCB板的覆銅區(qū)域，并通過純銅連接片連接組成完整的三相橋電路，塑料殼體套在上述完整的三相橋電路上，電極為引出端，其焊接在DCB板上，電極具有并排設(shè)置的兩列電極片組，一列電極片組由三片結(jié)構(gòu)相同的電極片組成，另一列電極片組由相互配合的電極片組件Ⅰ和電極片組件Ⅱ構(gòu)成，電極片組件Ⅰ包括底座和位于底座一端的一片電極片，電極片組件Ⅱ包括與上述底座相配合的底座塊以及位于底座塊上的兩片電極片。本實(shí)用新型合理布局電極位置，方便在一些終端設(shè)備上使用。
【IPC分類】H02M7/00
【公開號(hào)】CN204886720
【申請?zhí)枴緾N201520651763
【發(fā)明人】沈富德
【申請人】江蘇矽萊克電子科技有限公司
【公開日】2015年12月16日
【申請日】2015年8月26日