負(fù)載欠流過流保護(hù)裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
:
[0001]本實(shí)用新型涉及電器技術(shù)領(lǐng)域，更具體地說(shuō)涉及一種電器的欠流過流保護(hù)裝置?！颈尘凹夹g(shù)】:
[0002]很多電子設(shè)備都有個(gè)額定電流，不允許超過額定電流，不然會(huì)燒壞設(shè)備。所以有些設(shè)備就做了電流保護(hù)模塊。當(dāng)電流超過設(shè)定電流時(shí)候，設(shè)備自動(dòng)斷電，以保護(hù)設(shè)備。如主板USb 一般有USb過流保護(hù)，保護(hù)主板不被燒壞。電流保護(hù)主要包括欠流保護(hù)和過流保護(hù)兩種類型。過流保護(hù)的特點(diǎn)是整定電流大、瞬時(shí)動(dòng)作。故過流保護(hù)能起到保護(hù)設(shè)備，將故障設(shè)備脫離系統(tǒng)，確保系統(tǒng)運(yùn)行的安全和穩(wěn)定。某些電路電流過小，驅(qū)動(dòng)不了負(fù)載，故電流的大小需要固定在一個(gè)合適的范圍之內(nèi)，否者都不能正常工作，故此電路由此而生。
[0003]現(xiàn)有電器設(shè)備的欠流過流保護(hù)裝置結(jié)構(gòu)各異，有些存在結(jié)構(gòu)復(fù)雜，成本過高的問題，有些存在保護(hù)效果不夠理想的問題。
【實(shí)用新型內(nèi)容】:
[0004]本實(shí)用新型的目的就是針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)之不足，而提供一種負(fù)載欠流過流保護(hù)裝置，它結(jié)構(gòu)相對(duì)比較簡(jiǎn)單，保護(hù)效果好，成本低；它同時(shí)對(duì)負(fù)載進(jìn)行了欠流和過流保護(hù)。
[0005]本實(shí)用新型的技術(shù)解決措施如下:
[0006]負(fù)載欠流過流保護(hù)裝置，第一電阻和第四電阻為第三芯片內(nèi)部的兩個(gè)比較器的輸出端的上拉電阻，電路上電后，第三芯片內(nèi)部的兩個(gè)比較器輸出端輸出為低電平，此時(shí)第一芯片和第二芯片的G極為低電平，電壓電流通過選擇電阻給負(fù)載供電；
[0007]第三芯片內(nèi)部有一個(gè)內(nèi)部比較器標(biāo)準(zhǔn)參考電壓為600Mv，經(jīng)過選擇電阻采樣負(fù)載M端電流輸入給第三芯片后，如果第三芯片的2腳輸出端電壓經(jīng)過第二電阻和第五電阻分壓后第三芯片的4腳輸入電壓值大于600mV，則此時(shí)第三芯片的11腳輸出高電平，關(guān)斷第二芯片，使負(fù)載斷電；
[0008]第三芯片內(nèi)部有另一個(gè)比較器標(biāo)準(zhǔn)參考電壓600Mv，經(jīng)過選擇電阻采樣負(fù)載端電流輸入給第三芯片后，如果第三芯片的2腳輸出電壓經(jīng)過電阻第三電阻和第六電阻分壓后第三芯片的5腳輸入端電壓值小于600mV，則此時(shí)第三芯片的10腳輸出高電平，關(guān)斷第一芯片，同樣使負(fù)載斷電。
[0009]所述第一芯片和第二芯片均為SI9433DY型芯片，第三芯片為MAX4375型芯片。
[0010]本實(shí)用新型的有益效果在于:
[0011]它結(jié)構(gòu)相對(duì)比較簡(jiǎn)單，保護(hù)效果好，成本低；它同時(shí)對(duì)負(fù)載進(jìn)行了欠流和過流保護(hù)。
【附圖說(shuō)明】
:
[0012]圖1為本實(shí)用新型的電路圖。【具體實(shí)施方式】:
[0013]實(shí)施例:見圖1所示，負(fù)載欠流過流保護(hù)裝置，第一電阻Rl和第四電阻R4為第三芯片內(nèi)部的兩個(gè)比較器的輸出端的上拉電阻，電路上電后，第三芯片U3內(nèi)部的兩個(gè)比較器輸出端輸出為低電平，此時(shí)第一芯片Ul和第二芯片U2的G極為低電平，電壓電流通過選擇電阻RSENSE給負(fù)載M供電；
[0014]第三芯片U3內(nèi)部有一個(gè)內(nèi)部比較器標(biāo)準(zhǔn)參考電壓為600Mv，經(jīng)過選擇電阻RSENSE采樣負(fù)載M端電流輸入給第三芯片U3后，如果第三芯片U3的2腳OUT輸出端電壓經(jīng)過第二電阻R2和第五電阻R5分壓后第三芯片U3的4腳CNl輸入電壓值大于600mV，則此時(shí)第三芯片U3的11腳COUTl輸出高電平，關(guān)斷第二芯片U2，使負(fù)載M斷電；
[0015]第三芯片U3內(nèi)部有另一個(gè)比較器標(biāo)準(zhǔn)參考電壓600Mv，經(jīng)過選擇電阻RSENSE采樣負(fù)載M端電流輸入給第三芯片U3后，如果第三芯片U3的2腳OUT輸出電壓經(jīng)過電阻第三電阻R3和第六電阻R6分壓后第三芯片U3的5腳CN2輸入端電壓值小于600mV，則此時(shí)第三芯片U3的10腳C0UT2輸出高電平，關(guān)斷第一芯片U1，同樣使負(fù)載M斷電。
[0016]所述第一芯片Ul和第二芯片U2均為SI9433DY型芯片，第三芯片U3為MAX4375型芯片。
[0017]工作原理:第三芯片U3內(nèi)部有一個(gè)內(nèi)部比較器標(biāo)準(zhǔn)參考電壓為600Mv，經(jīng)過選擇電阻RSENSE采樣負(fù)載M端電流輸入給第三芯片U3后，如果第三芯片U3的2腳OUT輸出端電壓經(jīng)過第二電阻R2和第五電阻R5分壓后第三芯片U3的4腳CNl輸入電壓值大于600mV，則此時(shí)第三芯片U3的11腳COUTl輸出高電平，關(guān)斷第二芯片U2，使負(fù)載M斷電；這樣就做到了過流保護(hù)。
[0018]第三芯片U3內(nèi)部有另一個(gè)比較器標(biāo)準(zhǔn)參考電壓600Mv，經(jīng)過選擇電阻RSENSE采樣負(fù)載M端電流輸入給第三芯片U3后，如果第三芯片U3的2腳OUT輸出電壓經(jīng)過電阻第三電阻R3和第六電阻R6分壓后第三芯片U3的5腳CN2輸入端電壓值小于600mV，則此時(shí)第三芯片U3的10腳C0UT2輸出高電平，關(guān)斷第一芯片U1，同樣使負(fù)載M斷電。這樣就做到了欠流保護(hù)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.負(fù)載欠流過流保護(hù)裝置，第一電阻(Rl)和第四電阻(R4)為第三芯片內(nèi)部的兩個(gè)比較器的輸出端的上拉電阻，電路上電后，第三芯片(U3)內(nèi)部的兩個(gè)比較器輸出端輸出為低電平，此時(shí)第一芯片(Ul)和第二芯片(U2)的G極為低電平，電壓電流通過選擇電阻(RSENSE)給負(fù)載(M)供電； 第三芯片(U3)內(nèi)部有一個(gè)內(nèi)部比較器標(biāo)準(zhǔn)參考電壓為600Mv，經(jīng)過選擇電阻(RSENSE)采樣負(fù)載(M)端電流輸入給第三芯片(U3)后，如果第三芯片(U3)的2腳(OUT)輸出電壓經(jīng)過第二電阻(R2)和第五電阻(R5)分壓后第三芯片(U3)的4腳(CNl)輸入電壓值大于600mV，則此時(shí)第三芯片(U3)的11腳(COUTl)輸出高電平，關(guān)斷第二芯片(U2)，使負(fù)載(M)斷電； 第三芯片(U3)內(nèi)部有另一個(gè)比較器標(biāo)準(zhǔn)參考電壓600Mv，經(jīng)過選擇電阻(RSENSE)采樣負(fù)載(M)端電流輸入給第三芯片(U3)后，如果第三芯片(U3)的2腳(OUT)輸出電壓經(jīng)過電阻第三電阻(R3)和第六電阻(R6)分壓后第三芯片(U3)的5腳(CN2)輸入端電壓值小于600mV，則此時(shí)第三芯片(U3)的10腳(C0UT2)輸出高電平，關(guān)斷第一芯片(Ul)，同樣使負(fù)載(M)斷電；第一芯片(Ul)和第二芯片(U2)均為SI9433DY型芯片，第三芯片(U3)為MAX4375型芯片。
【專利摘要】負(fù)載欠流過流保護(hù)裝置，經(jīng)過選擇電阻采樣負(fù)載M端電流輸入給第三芯片后，如果第三芯片的2腳輸出端電壓經(jīng)過第二電阻和第五電阻分壓后第三芯片的4腳輸入電壓值大于600mV，則此時(shí)第三芯片的11腳輸出高電平，關(guān)斷第二芯片，使負(fù)載斷電；經(jīng)過選擇電阻采樣負(fù)載端電流輸入給第三芯片后，如果第三芯片的2腳輸出電壓經(jīng)過電阻第三電阻和第六電阻分壓后第三芯片的5腳輸入端電壓值小于600mV，則此時(shí)第三芯片的10腳輸出高電平，關(guān)斷第一芯片，同樣使負(fù)載斷電。它結(jié)構(gòu)相對(duì)比較簡(jiǎn)單，保護(hù)效果好，成本低；它同時(shí)對(duì)負(fù)載進(jìn)行了欠流和過流保護(hù)。
【IPC分類】H02H3-08, H02H3-24
【公開號(hào)】CN204497720
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520139040
【發(fā)明人】呂紹林, 楊愉強(qiáng), 王建福, 談賢紅
【申請(qǐng)人】蘇州博眾精工科技有限公司
【公開日】2015年7月22日
【申請(qǐng)日】2015年3月12日