一種適用于晶體硅組件的新型邊框的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及太陽能組件裝置改進(jìn)技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種用于晶體硅組件的新型邊框。
【背景技術(shù)】
[0002]晶體硅組件的邊框不僅能夠保護(hù)、支撐電池片封裝件，也是太陽能組件系統(tǒng)安裝的必要配件。目前，市場上的晶體硅組件邊框四周為光面，邊框角槽為5.2mm，不利于補(bǔ)膠。邊框角槽底部為5.2mm，為直筒型的角槽，需要補(bǔ)膠。光電建筑一體化中的組件邊框?yàn)樗拿嫖聪蛲庋由?，達(dá)不到組件與組件相扣，容易出現(xiàn)硅膠裂口，從而導(dǎo)致漏水現(xiàn)象。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]為解決上述現(xiàn)有技術(shù)缺陷，本發(fā)明的目的在于提供一種適用于晶體硅組件的新型邊框，使其通過結(jié)構(gòu)上的改進(jìn)，不僅能夠在裝配過程中減少二次補(bǔ)膠，而且能夠克服在使用過程中遇到閃電時因組件絕緣程度不夠而出現(xiàn)閃電紋的現(xiàn)象。
[0004]為實(shí)現(xiàn)上述技術(shù)目的，本發(fā)明所采取的技術(shù)方案如下:
[0005]—種適用于晶體硅組件的新型邊框，包括主體框架，所述主體框架上端設(shè)有插接口，下端設(shè)有下邊板，所述插接口包括上邊框和下邊框，其特征在于:所述上邊框的長度大于下邊框的長度，且所述上邊框外端內(nèi)側(cè)與所述下邊框外端內(nèi)側(cè)相互之間的水平間距為
4.4-4.6mm，所述下邊框內(nèi)側(cè)配置有向下開設(shè)的凹槽，由上邊框與主體框架連接處到上邊框端部為一段向下的弧線，弧線末端設(shè)置有下凸頭，下邊框的末端與下邊框的下表面連接處為一弧形連接，所述凹槽的上表面與下邊框的的下表面處于同一水平面，所述下邊框的型材厚度為0.7mm，主框架外表面設(shè)置有主體框架凹槽，下邊板設(shè)置有下邊板凹槽。
[0006]進(jìn)一步地，優(yōu)選的是，所述凹槽深度為0.6-0.8mm。
[0007]進(jìn)一步地，優(yōu)選的是，所述主體框架凹槽的形狀為三角形，主體框架凹槽寬度為
0.4mm，深度為0.2mm。
[0008]進(jìn)一步地，優(yōu)選的是，所述下邊板凹槽的形狀為三角形，下邊板凹槽寬度為0.4mm，深度為0.2mm。
[0009]通過以上技術(shù)方案，本發(fā)明的有益效果如下:
[0010]1、上邊框端部及下邊板端部凸點(diǎn)的設(shè)計(jì)，使邊框裝配時同晶體硅組件接觸的四邊可以作為摩擦線，如果需要打膠可以作為存膠槽，有利于組件與組件之間的結(jié)合；
[0011]2、通過將上、下邊框之間的水平間距由正常的5.2mm減少至4.5mm，實(shí)現(xiàn)里大外小，能夠有效地減少二次補(bǔ)膠；
[0012]3、在下邊框的內(nèi)側(cè)配置處向里伸進(jìn)去0.7mm，有助于EVA膠與邊框的結(jié)合，同時減少二次補(bǔ)膠對組件的轉(zhuǎn)化效率等各方面的影響，并增加組件絕緣程度，防止光伏電站并網(wǎng)發(fā)電后遇到閃電出現(xiàn)閃電紋。
[0013]4、通過將邊框中的一條邊加寬，在光電建筑一體化應(yīng)用上可以減少組件與組件之間的打膠，并形成內(nèi)扣，避免出現(xiàn)漏水現(xiàn)象。
【附圖說明】
[0014]圖1是本發(fā)明結(jié)構(gòu)示意圖；
[0015]具體附圖標(biāo)記如下:
[0016]1-主體框架；101-空腔；2-插接口 ； 201-上邊框；202-下邊框；203-下凸頭；204-凹槽;3-下邊板;301-上凸頭，102-主體框架凹槽，303-下邊板凹槽。
【具體實(shí)施方式】
[0017]本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】:
[0018]—種適用于晶體硅組件的新型邊框，包括主體框架1，主體框架1上端設(shè)有插接口2，下端設(shè)有下邊板3，其中，插接口 2包括上邊框201和下邊框202，其中，上邊框201的長度大于下邊框202的長度，且上邊框201外端內(nèi)側(cè)與下邊框202外端內(nèi)側(cè)相互之間的水平間距為
4.4-4.6mm，下邊框202內(nèi)側(cè)配置有向下開設(shè)的凹槽204，由上邊框201與主體框架1連接處到上邊框端部為一段向下的弧線，弧線末端設(shè)置有下凸頭203，下邊框202的末端與下邊框201的下表面連接處為一弧形連接，凹槽204的上表面與下邊框的的下表面處于同一水平面，下邊框202的型材厚度為0.7mm，主體框架1外表面設(shè)置有主體框架凹槽102，下邊板3設(shè)置有下邊板凹槽303。凹槽204深度為0.6-0.8mm;主體框架凹槽102的形狀為三角形，主體框架凹槽102寬度為0.4mm，深度為0.2mm;下邊板凹槽303的形狀為三角形，下邊板凹槽303寬度為
0.4mm，深度為0.2mm。
[0019]以上顯示和描述了本發(fā)明的基本原理、主要特征和本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)。本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該了解本發(fā)明不受上述實(shí)施例的限制，上述實(shí)施例和說明書中描述的只是說明本發(fā)明的原理，在不脫離本發(fā)明精神和范圍的前提下，本發(fā)明還會有各種變化和改進(jìn)，這些變化和改進(jìn)都落入要求保護(hù)的范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種適用于晶體硅組件的新型邊框，包括主體框架(1)，所述主體框架(1)上端設(shè)有插接口(2)，下端設(shè)有下邊板(3)，所述插接口(2)包括上邊框(201)和下邊框(202)，其特征在于:所述上邊框(201)的長度大于下邊框(202)的長度，且所述上邊框(201)外端內(nèi)側(cè)與所述下邊框(202)外端內(nèi)側(cè)相互之間的水平間距為4.4-4.6mm，所述下邊框(202)內(nèi)側(cè)配置有向下開設(shè)的凹槽(204)，由上邊框(201)與主體框架連接處到上邊框端部為一段向下的弧線，弧線末端設(shè)置有下凸頭(203)，下邊框的末端與下邊框(202)的下表面連接處為一弧形連接，所述凹槽(204)的上表面與下邊框(202)的下表面處于同一水平面，所述下邊框(202)的型材厚度為0.7mm，主體框架(1)外表面設(shè)置有主體框架凹槽(102)，下邊板(3)設(shè)置有下邊板凹槽(303)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種適用于晶體硅組件的新型邊框，其特征在于:所述凹槽(204)深度為 0.6-0.8mm。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種適用于晶體硅組件的新型邊框，其特征在于:所述主體框架凹槽(102)的形狀為三角形，主體框架凹槽(102)寬度為0.4mm，深度為0.2mm。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種適用于晶體硅組件的新型邊框，其特征在于:所述下邊板凹槽(303)的形狀為三角形，下邊板凹槽(303)寬度為0.4mm，深度為0.2mm。
【專利摘要】本發(fā)明的目的在于提供一種適用于晶體硅組件的新型邊框，包括主體框架，主體框架上端設(shè)有插接口，下端設(shè)有下邊板，插接口包括上邊框和下邊框，其特征在于：上邊框的長度大于下邊框的長度，且上邊框外端內(nèi)側(cè)與所述下邊框外端內(nèi)側(cè)相互之間的水平間距為4.4-4.6mm,下邊框內(nèi)側(cè)配置有向下開設(shè)的凹槽，由上邊框與主體框架連接處到上邊框端部為一段向下的弧線，弧線末端設(shè)置有下凸頭，下邊框的末端與下邊框的下表面連接處為一弧形連接，凹槽的上表面與下邊框的下表面處于同一水平面，下邊框的型材厚度為0.7mm，主框架外表面設(shè)置有主體框架凹槽，下邊板設(shè)置有下邊板凹槽。
【IPC分類】H02S30/10
【公開號】CN105429579
【申請?zhí)枴緾N201511002843
【發(fā)明人】陳五奎, 劉強(qiáng), 雷曉全, 李社平, 劉俊, 韓珍, 陳曉華
【申請人】陜西拓日新能源科技有限公司
【公開日】2016年3月23日
【申請日】2015年12月28日