和存儲(chǔ)器212。
[0023] 在諧振逆變器電路202中，H橋206被施加正的高電壓直流（+HVDC)。由有源FET 開關(guān)Ql、Q2、Q3和Q4驅(qū)動(dòng)全橋結(jié)構(gòu)中的儲(chǔ)能回路208。如圖2中所示，PWM控制器208向 FET開關(guān)Ql、Q2、Q3和Q4提供相移PWM定時(shí)信號(hào)。FETQ1和Q2向儲(chǔ)能回路208提供電壓 VS1，F(xiàn)ETQ3和Q4向儲(chǔ)能回路208提供電壓VS2。
[0024] 儲(chǔ)能回路208經(jīng)由有源端子214向器械(未示出）輸出電外科能量。具體來說，有 源端子214提供連續(xù)的或者脈沖化的正弦波形的高RF能量。有源端子214配置為提供具 有各種占空比、峰值電壓、峰值因數(shù)（crestfactor)和其他適當(dāng)參數(shù)的多個(gè)波形。有些類 型的波形適合于特定的電外科模式。例如，有源端子214可以以切割方式提供100%占空比 正弦波形，其最適合于燒蝕、熔化和解剖組織，還可以以凝結(jié)方式提供1-25%占空比波形， 其最適用于燒灼組織以停止流血。
[0025] 返回端子216耦接到返回墊(未示出），用于單極過程。作為選擇，返回端子216電 耦接到器械上的返回電極(未示出）。
[0026] 為了扼制由FET開關(guān)Q1、Q2、Q3和Q4的躍遷產(chǎn)生的CM電流，儲(chǔ)能回路208包括CM 扼流圈218。CM扼流圈傳輸差模電流，相等但是相反的電流，同時(shí)阻擋CM電流，相等并且相 位相同的電流。該CM扼流圈傳輸儲(chǔ)能回路208中的差模電流，并且扼制CM電流。圖3示 出根據(jù)本公開一實(shí)施例的CM扼流圈218的示意圖。如圖3中所示，CM扼流圈218包括諧 振部件U和L2。諧振部件U和L2代替圖1中所示的現(xiàn)有技術(shù)發(fā)生器結(jié)構(gòu)中作為能量存儲(chǔ) 元件的諧振部件Ls，以減少電外科發(fā)生器200中部件的數(shù)目。因此，CM扼流圈218包括儲(chǔ) 能回路208中所需的差模電感，并且CM扼流圈218的互感扼制CM電流。
[0027] 如圖3中所示，CM扼流圈218包括鐵氧體芯220,如可從FERR0XCUBE(以前是Yageo 公司的PhilipsComponents公司分部)獲得的PQ2625FERROXCUBE'?鐵氧體芯。初 級(jí)繞組222和次級(jí)繞組224纏繞芯220的中心部分226。初級(jí)繞組222和次級(jí)繞組224二 者都包括10-15匝，匝之間的間隙可以忽略。初級(jí)繞組222以第一方向（例如，左手方向)纏 繞中心構(gòu)件226,次級(jí)繞組224以與初級(jí)繞組222相反的第二方向(例如，右手方向)纏繞中 心構(gòu)件226。初級(jí)繞組222和次級(jí)繞組224間隔距離"d"。距離"d"確定CM扼流圈218的 漏電感。距離"d"越大，漏電感越大。
[0028] 圖4是根據(jù)本公開的另一個(gè)實(shí)施例的CM扼流圈300的視圖。CM扼流圈300包括由 兩個(gè)分開的半芯302a和302b制成的鐵氧體芯302。鐵氧體芯302可以是工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的芯，如 來自FERR0XCUBE的PQ2625。半芯302a包括具有圓筒形構(gòu)件或線筒306的中心構(gòu)件304a。 半芯302b也包括具有圓筒形構(gòu)件或線筒308的中心構(gòu)件304b。線筒306和308可以在平 行于由中心構(gòu)件304a和304b限定的軸線"X"的縱向上移動(dòng)。
[0029] 初級(jí)繞組310設(shè)置在線筒306周圍。初級(jí)繞組306包括10-15阻，匝之間的間隙可 以忽略，并且以第一方向纏繞。次級(jí)繞組312設(shè)置在線筒308周圍。次級(jí)繞組也包括10-15 匝，匝之間的間隙可以忽略，并且以與初級(jí)繞組的方向相反的第二方向纏繞。如上所述，初 級(jí)繞組和次級(jí)繞組之間的距離"d"確定CM扼流圈的漏電感。在CM扼流圈300中，距離"d" 可以通過相對(duì)于彼此移動(dòng)線筒306和308來調(diào)節(jié)，從而改變距離"d"。通過調(diào)節(jié)距離"d"， 可以增加或減小漏電感。
[0030] 應(yīng)當(dāng)理解，以上描述僅對(duì)本公開的說明。在不偏離本公開的情況下，本領(lǐng)域的技術(shù) 人員可以想到各種替換和修改。因此，本公開意圖涵蓋所有這種替換、修改和變化。參照附 圖描述的實(shí)施例僅是為了說明本公開的某些例子。與以上的描述本質(zhì)上相同的和/或在所 附權(quán)利要求內(nèi)的其他要素、步驟、方法和技術(shù)也意圖在本公開的范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種電外科發(fā)生器，包括： 儲(chǔ)能回路，被配置為輸出能量； H橋，被配置為驅(qū)動(dòng)所述儲(chǔ)能回路；以及 扼流圈，被配置為扼制由所述H橋產(chǎn)生的共模電流，并且為所述儲(chǔ)能回路提供漏電感。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電外科發(fā)生器，其中所述扼流圈包括： 具有中心構(gòu)件的芯； 纏繞所述中心構(gòu)件的初級(jí)繞組；以及 纏繞所述中心構(gòu)件的次級(jí)繞組。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的電外科發(fā)生器，其中所述初級(jí)繞組包括10至15匝。
4. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的電外科發(fā)生器，其中所述次級(jí)繞組包括10至15匝。
5. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的電外科發(fā)生器，其中所述初級(jí)繞組以第一方向纏繞。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的電外科發(fā)生器，其中所述次級(jí)繞組以與所述初級(jí)繞組的第一 方向相反的第二方向纏繞。
7. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的諧振逆變器，其中所述初級(jí)繞組和所述次級(jí)繞組之間的距離 確定所述扼流圈的漏電感。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的諧振逆變器，其中所述扼流圈包括： 具有第一中心構(gòu)件的第一半芯； 具有第二中心構(gòu)件的第二半芯； 圍繞所述第一中心構(gòu)件設(shè)置的第一線筒； 圍繞所述第二中心構(gòu)件設(shè)置的第二線筒； 圍繞所述第一線筒設(shè)置的初級(jí)繞組；以及 圍繞所述第二線筒設(shè)置的次級(jí)繞組。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的諧振逆變器，其中所述初級(jí)繞組包括10至15匝。
10. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的諧振逆變器，其中所述次級(jí)繞組包括10至15匝。
11. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的諧振逆變器，其中所述初級(jí)繞組以第一方向纏繞。
12. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的諧振逆變器，其中所述次級(jí)繞組以與所述初級(jí)繞組的第一 方向相反的第二方向纏繞。
13. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的諧振逆變器，其中所述初級(jí)繞組和所述次級(jí)繞組之間的距 離確定所述扼流圈的漏電感。
14. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的諧振逆變器，其中所述初級(jí)繞組和所述次級(jí)繞組之間的距 離是可調(diào)的。
15. -種調(diào)節(jié)扼流圈的漏電感的方法，所述扼流圈包括具有第一中心構(gòu)件的第一半芯、 具有第二中心構(gòu)件的第二半芯、圍繞所述第一中心構(gòu)件設(shè)置的第一線筒、圍繞所述第二中 心構(gòu)件設(shè)置的第二線筒、圍繞所述第一線筒設(shè)置的初級(jí)繞組以及圍繞所述第二線筒設(shè)置的 次級(jí)繞組，所述方法包括改變所述初級(jí)繞組和所述次級(jí)繞組之間的距離。
16. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中改變所述距離包括相對(duì)于所述第二線筒移動(dòng)所 述第一線筒。
【專利摘要】本公開涉及一種電外科發(fā)生器，其包括配置為輸出能量的儲(chǔ)能回路和配置為驅(qū)動(dòng)該儲(chǔ)能回路的H橋。該發(fā)生器還包括扼流圈。該扼流圈扼制由該H橋產(chǎn)生的共模電流，并且為該儲(chǔ)能回路提供漏電感。
【IPC分類】H02P13-10, H01F27-28, H01F17-04, H02M7-48
【公開號(hào)】CN104578854
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201410093850
【發(fā)明人】J·H·約翰遜, J·A·吉爾伯特
【申請(qǐng)人】柯惠有限合伙公司
【公開日】2015年4月29日
【申請(qǐng)日】2014年3月14日
【公告號(hào)】CA2846469A1, CN203851055U, EP2868284A1, US20150119871