本實(shí)用新型屬于充電保護(hù)技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種抑制開機(jī)浪涌電流和電壓的電路。
背景技術(shù)：
伴隨電動(dòng)汽車的發(fā)展，傳統(tǒng)的充電方式，慢充遠(yuǎn)遠(yuǎn)不能滿足需求，為了適應(yīng)市場的需求，各個(gè)公司都在開發(fā)快速充電電池?？焖俪潆娦枰砑犹砑觿┑?，但核心的理念還是增加了一個(gè)超級電容在電池的內(nèi)部，由于有容性負(fù)載的存在，充電過程中，浪涌問題就不可避免，同時(shí)，浪涌產(chǎn)生的能量不可能被消耗掉，在現(xiàn)有技術(shù)中，由于電路設(shè)計(jì)普遍存在開機(jī)沒有軟啟動(dòng)，當(dāng)有浪涌電流或者浪涌電壓進(jìn)來的時(shí)候，容易擊穿電路中的元器件，產(chǎn)品容易被浪涌電流或者浪涌電壓激壞，安全性沒有保障。為了盡可能的減輕對電路的影響，需要將浪涌的峰值電流降低到可控的范圍內(nèi)。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
為了解決現(xiàn)有技術(shù)存在的上述問題，本實(shí)用新型公開了一種抑制開機(jī)浪涌電流和電壓的電路，包括：
電阻R1、R2、R3、R4，電容C1、C2，MOS管M1、M2；
所述電阻R1、R2、R3、R4組成分壓網(wǎng)絡(luò)，電阻R1與電阻R2并聯(lián)，電阻R3與電阻R4并聯(lián)，且電阻R1、R2形成的并聯(lián)電路與電阻R3、R4組成的并聯(lián)電路串聯(lián)；
所述電阻R1與電阻R2并聯(lián)、電阻R3與電阻R4并聯(lián)后的輸出電路連接MOS管M1、M2的源極，并鉗位MOS管M1、M2的源極電壓，避免MOS管源極-漏極電壓過高而損壞MOS管；
所述電容C1、C2串聯(lián)，并與MOS管M1、M2的源極并聯(lián)，所述電容C1、C2串聯(lián)后提高了電容的耐壓作用，并且使MOS管源極的電壓緩慢上升和下降，達(dá)到軟啟動(dòng)的效果。
基于上述抑制開機(jī)浪涌電流和電壓的電路的另一個(gè)實(shí)施例中，所述電容C1、C2均為2.2μf
基于上述抑制開機(jī)浪涌電流和電壓的電路的另一個(gè)實(shí)施例中，所述電阻R1、R2為100KΩ，電阻R3、R4為47KΩ。
與現(xiàn)有技術(shù)相比較，本實(shí)用新型具有以下優(yōu)點(diǎn)：
本實(shí)用新型采用分壓電阻網(wǎng)絡(luò)來鉗位MOS管的驅(qū)動(dòng)電壓，減緩并聯(lián)在源極上面的電容充放電變慢的作用，從而達(dá)到軟啟動(dòng)的功能，使后級電路的供電延緩，當(dāng)有浪涌電流和浪涌電壓過來的時(shí)候，通過保護(hù)電路將浪涌電流和浪涌電壓隔擋，有效的抑制浪涌電流和浪涌電壓對后級電路的沖擊，使產(chǎn)品更加安全可靠。
下面通過附圖和實(shí)施例，對本實(shí)用新型的技術(shù)方案做進(jìn)一步的詳細(xì)描述。
附圖說明
為了更清楚地說明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所使用的附圖做一簡單地介紹。
圖1是本實(shí)用新型的一種抑制開機(jī)浪涌電流和電壓的電路的一個(gè)實(shí)施例的電路圖。
具體實(shí)施方式
為使本實(shí)用新型實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本實(shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。
圖1是本實(shí)用新型的一種抑制開機(jī)浪涌電流和電壓的電路的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖1所示，所述抑制開機(jī)浪涌電流和電壓的電路包括：
電阻R1、R2、R3、R4，電容C1、C2，MOS管M1、M2；
所述電阻R1、R2、R3、R4組成分壓網(wǎng)絡(luò)，電阻R1與電阻R2并聯(lián)，電阻R3與電阻R4并聯(lián)，且電阻R1、R2形成的并聯(lián)電路與電阻R3、R4組成的并聯(lián)電路串聯(lián)；
所述電阻R1與電阻R2并聯(lián)、電阻R3與電阻R4并聯(lián)后的輸出電路連接MOS管M1、M2的源極，并鉗位MOS管M1、M2的源極電壓，避免MOS管源極-漏極電壓過高而損壞MOS管；
所述電容C1、C2串聯(lián)，并與MOS管M1、M2的源極并聯(lián)，所述電容C1、C2串聯(lián)后提高了電容的耐壓作用，并且使MOS管源極的電壓緩慢上升和下降，達(dá)到軟啟動(dòng)的效果。
由于采用分壓電阻網(wǎng)絡(luò)來鉗位MOS管的驅(qū)動(dòng)電壓，避免MOS管源極-漏極電壓過高而損壞MOS管，分壓網(wǎng)絡(luò)還起到減緩并聯(lián)在源極上面的電容充放電變慢的作用；
MOS管的源極并聯(lián)電容，由于電容兩端的電壓不能突變，使得控制源極的電壓緩慢上升，使MOS管打開的速度減慢，從而達(dá)到軟啟動(dòng)的功能，MOS管的導(dǎo)通時(shí)間變慢，使后級電路的供電延緩，當(dāng)有浪涌電流和浪涌電壓過來的時(shí)候，將浪涌電流和浪涌電壓擋在外面。
所述電容C1、C2均為2.2μf，所述電阻R1、R2為100KΩ，電阻R3、R4為47KΩ。
以上對本實(shí)用新型所提供的一種抑制開機(jī)浪涌電流和電壓的電路進(jìn)行了詳細(xì)介紹，本文中應(yīng)用了具體個(gè)例對本實(shí)用新型的原理及實(shí)施方式進(jìn)行了闡述，以上實(shí)施例的說明只是用于幫助理解本實(shí)用新型的方法及其核心思想；同時(shí)，對于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，依據(jù)本實(shí)用新型的思想，在具體實(shí)施方式及應(yīng)用范圍上均會(huì)有改變之處，綜上所述，本說明書內(nèi)容不應(yīng)理解為對本實(shí)用新型的限制。
最后應(yīng)說明的是：以上所述僅為本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例而已，并不用于限制本實(shí)用新型，盡管參照前述實(shí)施例對本實(shí)用新型進(jìn)行了詳細(xì)的說明，對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，其依然可以對前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對其中部分技術(shù)特征進(jìn)行等同替換,凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。