本發(fā)明屬于開關(guān)電源技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種無變壓器恒流輸出開關(guān)電源。
背景技術(shù)：
可見光led照明及攝像頭紅外led照明驅(qū)動技術(shù)，正在隨著城市智慧交通體系建設(shè)成為智慧交通整體解決方案的一個重要組成部分。由于led是一個電流隨電壓變化敏感的非線性器件，其正向電壓的微小變化會引起正向電流的很大變化，led半導(dǎo)體器件pn結(jié)正向?qū)ê螅Y(jié)電壓vf隨環(huán)境和工作溫度上升而下降，即：-2mv/℃，稱為pn結(jié)的負溫度效應(yīng)，led的壽命及光亮度衰減與驅(qū)動電流的穩(wěn)定性直接相關(guān)，決定led的性能和壽命的核心部分是led恒流驅(qū)動電路，當led散熱不良導(dǎo)致溫度升高時，其工作電流也會較初始階段有明顯升高，這也是市面上led照明產(chǎn)品和攝像頭紅外照明led快速老化的主要原因。對于穩(wěn)壓式led驅(qū)動電源而言，當溫度升高負載變化時，電流增加較大，led在超過額定工作電流較長時間時會損壞；因此，恒流式驅(qū)動電源是比較理想的led驅(qū)動方式。通常led會首先采用專用驅(qū)動芯片的恒流源驅(qū)動，就目前而言，pwm控制方式設(shè)計的led驅(qū)動電源是比較普遍和廣泛采用的方案，雖然這種開關(guān)電源的轉(zhuǎn)換效率比較高，輸出穩(wěn)定，但是存在著專用芯片技術(shù)壟斷、成本較高、電路復(fù)雜、功率因數(shù)pf值低的問題。
技術(shù)實現(xiàn)要素：
本發(fā)明為了彌補現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，提供了一種無變壓器恒流輸出開關(guān)電源。
本發(fā)明是通過如下技術(shù)方案實現(xiàn)的：
一種無變壓器恒流輸出開關(guān)電源，包括bx熔絲管，所述bx熔絲管，串聯(lián)在市電交流電輸入回路整流全橋的輸入端；d1-d4為整流全橋，輸出電源正、負極；d5正極接全橋輸出的電源正極，d5負極接r1的一端，r1的另一端接dz的負極、c1正極、ic的8腳和r4的一端；r2一端接全橋輸出的電源正極，r2的另一端接ic的2腳、6腳和rp1的一端；rp1的另一端接電源負極；dz的正極、c1的負極接電源的負極；r3的一端接電源正極，另一端接mosfetvt的漏極d，vt的柵極g經(jīng)過串聯(lián)的r5接ic的3腳；ic的1腳接電源負極，ic的5腳經(jīng)c2接電源負極，ic的4腳接rp2的滑動端，ic的7腳接vd的負極；vd的正極接r4的另一端；vt的源極s接r6的一端、c3的正極、crd的正極；r6的另一端接rp2的一端，rp2的另一端接電源負極；c3的負極接電源負極，crd的負極接負載led的正極，負載led的負極接電源負極。
進一步，所述bx熔絲管為0.5a-1a熔絲管；d1-d4為1a/1000v整流全橋；d5為1n4007整流隔離二極管；dz為0.5w/5v-13v穩(wěn)壓二極管；vd為發(fā)光二極管作供電指示。
進一步，所述r1為40kω—80kω降壓電阻；r2為市電檢測分壓電阻，阻值為120kω-420kω；r3為0.2ω--2ω限流電阻；r4為vd的限流電阻，阻值為3kω—6.2kω；r5為3kω--21kω限流電阻；r6為反饋分壓電阻，阻值為5.1kω--22kω。
進一步，所述c1為47μf/50v—1000μf/50v低壓濾波電容；c2為0.01μf抗干擾電容；c3為3300μf—1f大容量電容；rp1為10kω--33kω分壓導(dǎo)通可調(diào)電阻，rp2為100kω--470kω直流低壓輸出可調(diào)電阻。
進一步，所述ic為時基集成電路en555或ne7555。
進一步，所述vt為mosfet開關(guān)場效應(yīng)管，可選用irf342；crd為恒流管，恒流值可根據(jù)負載led的工作電流的需要確定，如20ma--100ma；led為負載，根據(jù)需要由led顆粒串聯(lián)并聯(lián)組合而成。
本發(fā)明的有益效果是：本發(fā)明一種無變壓器恒流輸出開關(guān)電源克服了傳統(tǒng)專用芯片技術(shù)壟斷、成本較高、電路復(fù)雜、功率因數(shù)pf值低的弊端，本發(fā)明另辟蹊徑，具有了成本低廉、可靠性好、功率因數(shù)pf值高、適合批量生產(chǎn)、便于推廣應(yīng)用的特點。
附圖說明
下面結(jié)合附圖對本發(fā)明作進一步的說明。
附圖1為本發(fā)明的電路原理示意圖。
具體實施方式
附圖1為本發(fā)明的一種具體實施例。該發(fā)明一種無變壓器恒流輸出開關(guān)電源，包括bx熔絲管，所述bx熔絲管，串聯(lián)在市電交流電輸入回路整流全橋的輸入端；d1-d4為整流全橋，輸出電源正、負極；d5正極接全橋輸出的電源正極，d5負極接r1的一端，r1的另一端接dz的負極、c1正極、ic的8腳和r4的一端；r2一端接全橋輸出的電源正極，r2的另一端接ic的2腳、6腳和rp1的一端；rp1的另一端接電源負極；dz的正極、c1的負極接電源的負極；r3的一端接電源正極，另一端接mosfetvt的漏極d，vt的柵極g經(jīng)過串聯(lián)的r5接ic的3腳；ic的1腳接電源負極，ic的5腳經(jīng)c2接電源負極，ic的4腳接rp2的滑動端，ic的7腳接vd的負極；vd的正極接r4的另一端；vt的源極s接r6的一端、c3的正極、crd的正極；r6的另一端接rp2的一端，rp2的另一端接電源負極；c3的負極接電源負極，crd的負極接負載led的正極，負載led的負極接電源負極。
進一步，所述bx熔絲管為0.5a-1a熔絲管；d1-d4為1a/1000v整流全橋；d5為1n4007整流隔離二極管；dz為0.5w/5v-13v穩(wěn)壓二極管；vd為發(fā)光二極管作供電指示。
進一步，所述r1為40kω—80kω降壓電阻；r2為市電檢測分壓電阻，阻值為120kω-420kω；r3為0.2ω--2ω限流電阻；r4為vd的限流電阻，阻值為3kω—6.2kω；r5為3kω--21kω限流電阻；r6為反饋分壓電阻，阻值為5.1kω--22kω。
進一步，所述c1為47μf/50v—1000μf/50v低壓濾波電容；c2為0.01μf抗干擾電容；c3為3300μf—1f大容量電容；rp1為10kω--33kω分壓導(dǎo)通可調(diào)電阻，rp2為100kω--470kω直流低壓輸出可調(diào)電阻。
進一步，所述ic為時基集成電路en555或ne7555。
進一步，所述vt為mosfet開關(guān)場效應(yīng)管，可選用irf342；crd為恒流管，恒流值可根據(jù)負載led的工作電流的需要確定，如20ma--100ma；led為負載，根據(jù)需要由led顆粒串聯(lián)并聯(lián)組合而成。
該發(fā)明一種無變壓器恒流輸出開關(guān)電源，使用時將220v交流市電首先由d1-d4整流全橋整流，獲得l00hz的脈動直流電壓，其最高峰值可達310v，時基電路ic及其外圍阻容件組成市電過零控制電路，由控制電路檢測市電的周期變化，脈動直流電經(jīng)d5隔離、r1降壓、dz穩(wěn)壓、c1濾波，為檢測控制電路ic提供穩(wěn)定的工作電源，r2、rp1組成市電檢測分壓電路，利用vtmosfet開關(guān)場效應(yīng)管的電子開關(guān)作用，當市電在過零點附近時，mosfet開關(guān)場效應(yīng)管關(guān)閉；通過調(diào)節(jié)設(shè)定rp1與r2的分壓值，使得市電在某一電壓數(shù)值時，mosfet開關(guān)場效應(yīng)管可以導(dǎo)通，對大容量電容c3進行充電存儲電能；脈動直流電經(jīng)r3限流，通過vt對c3迅速充電。當脈動直流電過零電壓低于設(shè)定值時，ic的第2腳被觸發(fā)，第3腳輸出高電平，mosfet開關(guān)場效應(yīng)管vt導(dǎo)通；當ic的第4腳電壓大于0.7v，ic即被復(fù)位，第3腳輸出低電平，vt截止；r6、rp2及ic的第4腳組成電壓反饋控制電路，調(diào)節(jié)rp2可獲得特定的直流低壓輸出，除vt導(dǎo)通的時間外，大容量電容c3保持向負載輸出電流，r4、vd為供電指示電路，由于ic第7腳內(nèi)晶體管的導(dǎo)通與第3腳輸出高電平錯開，這就減輕了控制電路的耗電，保證了控制電路工作的可靠性，ic的第2腳與第6腳共同對市電檢測，使得電路具有過電壓閉鎖功能，利用大容量電容的充放電，保證對負載具有一定功率的直流低電壓輸出，輸出直流電壓可以根據(jù)負載led和恒流管crd的工作需要，通過調(diào)節(jié)rp2進行設(shè)定。
本發(fā)明不局限于上述實施方式，任何人應(yīng)得知在本發(fā)明的啟示下作出的與本發(fā)明具有相同或相近的技術(shù)方案，均落入本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
本發(fā)明未詳細描述的技術(shù)、形狀、構(gòu)造部分均為公知技術(shù)。