本發(fā)明涉及電機(jī)設(shè)計(jì)領(lǐng)域,特別是一種采用混合永磁體的交替極永磁電機(jī)轉(zhuǎn)子。
背景技術(shù):
永磁電機(jī)具有高轉(zhuǎn)矩密度和高效率,已經(jīng)廣泛應(yīng)用于醫(yī)療器械、家用電器、電動(dòng)汽車、風(fēng)力發(fā)電和航空航天等領(lǐng)域。不同的永磁電機(jī)轉(zhuǎn)子結(jié)構(gòu),使得磁路不同,這就使得電機(jī)性能、控制系統(tǒng)、制造工藝和適用場(chǎng)合也不同。根據(jù)永磁同步電機(jī)的坐標(biāo)變換理論,表面式永磁電機(jī)的直軸磁路和交軸磁路。直軸磁路:永磁體→氣隙→定子鐵心→氣隙→相鄰的永磁體→轉(zhuǎn)子鐵心→回到永磁體。(圖中定子鐵心和氣隙沒有畫出,但是行業(yè)內(nèi)都知道)。交軸磁路:兩個(gè)永磁體的邊界處→氣隙→定子鐵心→氣隙→相鄰的兩個(gè)永磁體的邊界處→轉(zhuǎn)子鐵心→回到開始兩個(gè)永磁體的邊界處。
可見,其直軸磁路的磁阻與交軸磁路的磁阻相等,所以其直軸電感等于交軸電感。
永磁同步電機(jī)的電磁轉(zhuǎn)矩te表達(dá)式,如式(a)所示。
式(a)中,p為電機(jī)的極對(duì)數(shù),ψpm為永磁磁鏈,ld和lq分別為直軸電感和交軸電感,id和iq分別為電樞繞組的直軸電流和交軸電流。ia是正弦相電流的峰值,β是電流相位角。tpm和tr分別是永磁轉(zhuǎn)矩分量和磁阻轉(zhuǎn)矩分量。
由于表面式永磁電機(jī)的直軸電感等于交軸電感,所以其磁阻轉(zhuǎn)矩分量為0。只含有永磁轉(zhuǎn)矩分量,即表面式永磁電機(jī)的電磁轉(zhuǎn)矩te表達(dá)式,可由式(b)所示。
表面式永磁電機(jī)轉(zhuǎn)子的制造工藝簡單,其輸出轉(zhuǎn)矩中不含有磁阻轉(zhuǎn)矩分量,故控制方法簡單,廣泛應(yīng)用于機(jī)床、機(jī)器人和醫(yī)療器械等伺服傳動(dòng)場(chǎng)合。傳統(tǒng)的表面式永磁電機(jī)使用大量價(jià)格較高的稀土永磁材料,是其生產(chǎn)成本較高的主要原因。為了降低其成本,申請(qǐng)?zhí)枮?00710010915.0的發(fā)明專利,提供了一種表面式永磁伺服電機(jī)轉(zhuǎn)子,永磁體與“假極”交替布置,永磁體的數(shù)量僅為傳統(tǒng)表面式永磁電機(jī)的一半,節(jié)省了永磁材料,從而降低了電機(jī)的總成本。
然而,正如ieee磁學(xué)會(huì)刊發(fā)表的文章:comparativeanalysisofendeffectinpartitionedstatorfluxreversalmachineshavingsurface-mountedandconsequentpolepermanentmagnets,所指出的,交替極結(jié)構(gòu)的永磁電機(jī),其端部漏磁比較嚴(yán)重。
另外,交替極表面式永磁電機(jī)的轉(zhuǎn)軸端部會(huì)有單極性漏磁,使得電機(jī)的轉(zhuǎn)軸端部發(fā)生磁化,這將對(duì)整個(gè)電機(jī)系統(tǒng)的可靠性和安全性產(chǎn)生影響。發(fā)明專利201611011019.1提出采用轉(zhuǎn)子分段的方法,在轉(zhuǎn)子和轉(zhuǎn)軸內(nèi)部提供漏磁路徑,削弱了轉(zhuǎn)軸端部的磁化。然而,兩段轉(zhuǎn)子交界處的漏磁會(huì)降低轉(zhuǎn)矩輸出能力,永磁體的利用率較低。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)的不足,而提供一種采用混合永磁體的交替極永磁電機(jī)轉(zhuǎn)子,該采用混合永磁體的交替極永磁電機(jī)轉(zhuǎn)子能在節(jié)省電機(jī)成本和削弱交替極表面式永磁電機(jī)轉(zhuǎn)軸漏磁的同時(shí),進(jìn)一步提高交替極表面式永磁電機(jī)的轉(zhuǎn)矩輸出能力。
為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明采用的技術(shù)方案是:
一種采用混合永磁體的交替極永磁電機(jī)轉(zhuǎn)子,包括轉(zhuǎn)子鐵心段、導(dǎo)磁環(huán)、高能量密度永磁體和低能量密度永磁體。
轉(zhuǎn)子鐵心段至少有兩個(gè),且均同軸設(shè)置;相鄰兩個(gè)轉(zhuǎn)子鐵心段之間同軸設(shè)置一個(gè)導(dǎo)磁環(huán)。
交替極永磁電機(jī)轉(zhuǎn)子能作為內(nèi)轉(zhuǎn)子,也能作為外轉(zhuǎn)子。
當(dāng)交替極永磁電機(jī)轉(zhuǎn)子作為內(nèi)轉(zhuǎn)子時(shí),布設(shè)方式包括。
1)轉(zhuǎn)子鐵心段和導(dǎo)磁環(huán)均同軸套裝在轉(zhuǎn)軸上。
2)每個(gè)轉(zhuǎn)子鐵心段的外表面沿周向均勻布設(shè)有p個(gè)弧形的外凸極,其中,p為電機(jī)極對(duì)數(shù);相鄰兩個(gè)外凸極之間形成一個(gè)外弧形槽,每個(gè)外弧形槽內(nèi)布設(shè)一個(gè)外瓦片式永磁體,每個(gè)外瓦片式永磁體均為高能量密度永磁體。
3)每個(gè)轉(zhuǎn)子鐵心段的內(nèi)側(cè)圓環(huán)面上沿周向均勻布設(shè)有n個(gè)內(nèi)弧形槽,且n≥p;每個(gè)內(nèi)弧形槽的內(nèi)徑均大于轉(zhuǎn)子鐵心段的內(nèi)徑,相鄰兩個(gè)內(nèi)弧形槽之間的轉(zhuǎn)子鐵心段構(gòu)成內(nèi)加強(qiáng)筋;每個(gè)內(nèi)弧形槽內(nèi)布設(shè)一個(gè)內(nèi)瓦片式永磁體,每個(gè)內(nèi)瓦片式永磁體均為低能量密度永磁體。
當(dāng)交替極永磁電機(jī)轉(zhuǎn)子作為外轉(zhuǎn)子時(shí),布設(shè)方式包括。
(1)每個(gè)轉(zhuǎn)子鐵心段的外側(cè)圓環(huán)面上沿周向均勻布設(shè)有n個(gè)外弧形槽,且n≥p;每個(gè)外弧形槽的外徑均小于轉(zhuǎn)子鐵心段的外徑,相鄰兩個(gè)外弧形槽之間的轉(zhuǎn)子鐵心段構(gòu)成外加強(qiáng)筋;每個(gè)外弧形槽內(nèi)布設(shè)一個(gè)外瓦片式永磁體,每個(gè)外瓦片式永磁體均為低能量密度永磁體;
(2)每個(gè)轉(zhuǎn)子鐵心段的內(nèi)表面沿周向均勻布設(shè)有p個(gè)弧形的的內(nèi)凸極,相鄰兩個(gè)內(nèi)凸極之間形成一個(gè)內(nèi)弧形槽,每個(gè)內(nèi)弧形槽內(nèi)布設(shè)一個(gè)內(nèi)瓦片式永磁體,每個(gè)內(nèi)瓦片式永磁體均為高能量密度永磁體。
交替極永磁電機(jī)轉(zhuǎn)子無論作為內(nèi)轉(zhuǎn)子,還是作為外轉(zhuǎn)子,均還具有如下布設(shè)方式。
相鄰兩個(gè)轉(zhuǎn)子鐵心段上的高能量密度永磁體沿周向偏移的電周期角度為360°/2p。
位于同一個(gè)轉(zhuǎn)子鐵心段上的所有外瓦片式永磁體的充磁方向一致,位于同一個(gè)轉(zhuǎn)子鐵心段上的所有內(nèi)瓦片式永磁體的充磁方向一致,位于同一個(gè)轉(zhuǎn)子鐵心段上的外瓦片式永磁體和內(nèi)瓦片式永磁體的充磁方向相反。
相鄰兩個(gè)轉(zhuǎn)子鐵心段上的外瓦片式永磁體的充磁方向相反;相鄰兩個(gè)轉(zhuǎn)子鐵心段上的內(nèi)瓦片式永磁體的充磁方向相反。
每個(gè)外瓦片式永磁體和每個(gè)內(nèi)瓦片式永磁體的兩側(cè)均設(shè)置有隔磁槽。
高能量密度永磁體兩側(cè)的隔磁槽的系數(shù)
低能量密度永磁體兩側(cè)的隔磁槽的系數(shù)
導(dǎo)磁環(huán)的外周或內(nèi)周同軸套設(shè)有軸向充磁永磁體;假設(shè)軸向充磁永磁體的外徑為r1,高能量密度永磁體的外徑為r3,高能量密度永磁體的內(nèi)徑為r4,則r3≤r1≤r4。
位于同一個(gè)轉(zhuǎn)子鐵心段兩側(cè)的兩個(gè)軸向充磁永磁體的充磁方向相反。
導(dǎo)磁環(huán)的軸向長度系數(shù)
高能量密度永磁體的極弧系數(shù)αp1=θm1p/(2π),其中θm1為高能量密度永磁體的圓心角,αp1取值范圍為0.35-0.75。
低能量密度永磁體的極弧系數(shù)αp2=θm2n/(2π),其中n為低能量密度永磁體槽的個(gè)數(shù),θm2為低能量密度永磁體的圓心角,αp2取值范圍為0.7-0.99。
高能量密度永磁體為釹鐵硼,低能量密度永磁體為鐵氧體。
本發(fā)明采用上述結(jié)構(gòu)后,能在節(jié)省電機(jī)成本和削弱交替極表面式永磁電機(jī)轉(zhuǎn)軸漏磁的同時(shí),進(jìn)一步提高交替極表面式永磁電機(jī)的轉(zhuǎn)矩輸出能力。
附圖說明
圖1顯示了本發(fā)明作為內(nèi)轉(zhuǎn)子時(shí)轉(zhuǎn)子鐵心段的二維結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2顯示了本發(fā)明作為內(nèi)轉(zhuǎn)子時(shí)相鄰兩個(gè)轉(zhuǎn)子鐵心段中永磁體充磁方向二維示意圖。
圖3顯示了本發(fā)明作為內(nèi)轉(zhuǎn)子且不含軸向充磁永磁體時(shí)的三維結(jié)構(gòu)示意圖。
圖4顯示了本發(fā)明作為內(nèi)轉(zhuǎn)子時(shí)轉(zhuǎn)軸端部漏磁磁通路徑圖。
圖5顯示了本發(fā)明作為內(nèi)轉(zhuǎn)子時(shí)低能量密度永磁體的主磁通路徑圖。
圖6顯示了本發(fā)明作為內(nèi)轉(zhuǎn)子且含有軸向充磁永磁體時(shí)的三維結(jié)構(gòu)示意圖。
圖7顯示了本發(fā)明作為外轉(zhuǎn)子時(shí)相鄰兩個(gè)轉(zhuǎn)子鐵心段中永磁體充磁方向二維示意圖。
圖8顯示了本發(fā)明作為外轉(zhuǎn)子時(shí)的三維結(jié)構(gòu)示意圖。
圖9顯示了本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)電機(jī)的電磁轉(zhuǎn)矩對(duì)比(半個(gè)電周期)。
其中有:
10.轉(zhuǎn)子鐵心段;11.外凸極;12.外弧形槽;13.內(nèi)加強(qiáng)筋;14.內(nèi)弧形槽;15.隔磁槽;16.內(nèi)凸極;17.外加強(qiáng)筋;
21.高能量密度永磁體;22.低能量密度永磁體;
30.導(dǎo)磁環(huán);31.軸向充磁永磁體;
40.轉(zhuǎn)軸;50.轉(zhuǎn)軸端部漏磁磁通路徑;60.主磁通路徑。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合附圖和具體較佳實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。
本發(fā)明以10極電機(jī)(5對(duì)極,即p=5)為例,分別以作為內(nèi)轉(zhuǎn)子和外轉(zhuǎn)子單獨(dú)進(jìn)行說明。
一、交替極永磁電機(jī)轉(zhuǎn)子作為內(nèi)轉(zhuǎn)子使用
如圖1至圖6所示,一種采用混合永磁體的交替極永磁電機(jī)轉(zhuǎn)子,包括轉(zhuǎn)子鐵心段10、導(dǎo)磁環(huán)30、高能量密度永磁體21和低能量密度永磁體22。
高能量密度永磁體優(yōu)選為釹鐵硼,低能量密度永磁體優(yōu)選為鐵氧體。
轉(zhuǎn)子鐵心段至少有兩個(gè),相鄰兩個(gè)轉(zhuǎn)子鐵心段之間同軸設(shè)置一個(gè)導(dǎo)磁環(huán)。
本發(fā)明中將以兩個(gè)轉(zhuǎn)子鐵心段為例進(jìn)行詳細(xì)說明,導(dǎo)磁環(huán)將為1個(gè)。兩個(gè)轉(zhuǎn)子鐵心段和一個(gè)導(dǎo)磁環(huán)均同軸套裝在轉(zhuǎn)軸上。
每個(gè)轉(zhuǎn)子鐵心段的外表面沿周向均勻布設(shè)有p個(gè)弧形的外凸極,其中,p為電機(jī)極對(duì)數(shù),本發(fā)明中p=5。
相鄰兩個(gè)外凸極之間形成一個(gè)外弧形槽,每個(gè)外弧形槽內(nèi)布設(shè)一個(gè)外瓦片式永磁體,每個(gè)外瓦片式永磁體均為高能量密度永磁體。
每個(gè)轉(zhuǎn)子鐵心段的內(nèi)側(cè)圓環(huán)面上沿周向均勻布設(shè)有n個(gè)內(nèi)弧形槽,且n≥p,本發(fā)明中,優(yōu)選n=5。
每個(gè)內(nèi)弧形槽的內(nèi)徑均大于轉(zhuǎn)子鐵心段的內(nèi)徑。
相鄰兩個(gè)內(nèi)弧形槽之間的轉(zhuǎn)子鐵心段構(gòu)成內(nèi)加強(qiáng)筋13;每個(gè)內(nèi)弧形槽內(nèi)布設(shè)一個(gè)內(nèi)瓦片式永磁體,每個(gè)內(nèi)瓦片式永磁體均為低能量密度永磁體。
相鄰兩個(gè)轉(zhuǎn)子鐵心段上的外瓦片式永磁體(也即高能量密度永磁體)沿周向偏移的電周期角度為360°/2p,本發(fā)明優(yōu)選為36°。
如圖2所示,位于同一個(gè)轉(zhuǎn)子鐵心段上的所有外瓦片式永磁體的充磁方向一致,位于同一個(gè)轉(zhuǎn)子鐵心段上的所有內(nèi)瓦片式永磁體的充磁方向一致,位于同一個(gè)轉(zhuǎn)子鐵心段上的外瓦片式永磁體和內(nèi)瓦片式永磁體的充磁方向相反。
相鄰兩個(gè)轉(zhuǎn)子鐵心段上的外瓦片式永磁體的充磁方向相反;相鄰兩個(gè)轉(zhuǎn)子鐵心段上的內(nèi)瓦片式永磁體的充磁方向相反。
每個(gè)外瓦片式永磁體和每個(gè)內(nèi)瓦片式永磁體的兩側(cè)均設(shè)置有隔磁槽15。
外瓦片式永磁體兩側(cè)的隔磁槽的系數(shù)
內(nèi)瓦片式永磁體兩側(cè)的隔磁槽的系數(shù)
導(dǎo)磁環(huán)的外周同軸套設(shè)有軸向充磁永磁體31,軸向充磁永磁體31既可以是高能量密度永磁體,也可以是低能量密度永磁體,本發(fā)明中優(yōu)選為高能量密度永磁體。
如圖9所示,軸向充磁永磁體31的設(shè)置,能大幅提高交替極永磁電機(jī)的轉(zhuǎn)矩輸出能力。
假設(shè)軸向充磁永磁體的外徑為r1,高能量密度永磁體的外徑為r3,高能量密度永磁體的內(nèi)徑為r4,則r3≤r1≤r4。
位于同一個(gè)轉(zhuǎn)子鐵心段兩側(cè)的兩個(gè)軸向充磁永磁體的充磁方向相反。
導(dǎo)磁環(huán)的軸向長度系數(shù)
外瓦片式永磁體的極弧系數(shù)αp1=θm1p/(2π),其中θm1為外瓦片式永磁體的圓心角,αp1取值范圍為0.35-0.75。
內(nèi)瓦片式永磁體的極弧系數(shù)αp2=θm2n/(2π),其中n為內(nèi)瓦片式永磁體槽的個(gè)數(shù),θm2為內(nèi)瓦片式永磁體的圓心角,αp2取值范圍為0.7-0.99。
在交替極永磁電機(jī)的內(nèi)側(cè)設(shè)置有內(nèi)弧形槽,用于放置低能量密度永磁體。由于內(nèi)弧形槽的存在,所以外瓦片式永磁體通過轉(zhuǎn)軸端部的漏磁的磁通路徑中的磁阻變大,因此由外瓦片式永磁體產(chǎn)生的轉(zhuǎn)軸端部的漏磁降低了,如圖4所示的轉(zhuǎn)軸端部漏磁磁通路徑50。由于內(nèi)瓦片式永磁體也采用單極性充磁,所以相鄰兩段的低能量密度永磁體的充磁方向相反,這樣磁路可以通過定子鐵心、兩段轉(zhuǎn)子鐵心和導(dǎo)磁環(huán)構(gòu)成閉合的回路:一段內(nèi)瓦片式永磁體→外凸極→氣隙→定子鐵心→氣隙→另一段外凸極→另一段內(nèi)瓦片式永磁體→導(dǎo)磁環(huán)→回到開始的內(nèi)瓦片式永磁體,如圖5所示的內(nèi)瓦片式永磁體的主磁通路徑60。正是因?yàn)閮?nèi)瓦片式永磁體的主磁通路徑經(jīng)過導(dǎo)磁環(huán)閉合,其產(chǎn)生的轉(zhuǎn)軸端部漏磁很小。另外,內(nèi)瓦片式永磁體可以進(jìn)一步增加電機(jī)的主磁通,從而提高交替極永磁電機(jī)的轉(zhuǎn)矩輸出能力。如圖9所示,本發(fā)明的電磁轉(zhuǎn)矩遠(yuǎn)高于背景技術(shù)201611011019.1中的電磁轉(zhuǎn)矩。
二、交替極永磁電機(jī)轉(zhuǎn)子作為外轉(zhuǎn)子使用
如圖7和圖8所示,一種采用混合永磁體的交替極永磁電機(jī)轉(zhuǎn)子,也包括轉(zhuǎn)子鐵心段10、導(dǎo)磁環(huán)30、高能量密度永磁體21和低能量密度永磁體22。
轉(zhuǎn)子鐵心段至少有兩個(gè),相鄰兩個(gè)轉(zhuǎn)子鐵心段之間同軸設(shè)置一個(gè)導(dǎo)磁環(huán)。
本發(fā)明中將以兩個(gè)轉(zhuǎn)子鐵心段為例進(jìn)行詳細(xì)說明,導(dǎo)磁環(huán)將為1個(gè)。
定子同軸固定套裝在固定軸的外周,兩者形成為一體結(jié)構(gòu);固定軸兩端分別從定子兩端伸出,并且固定軸的兩個(gè)伸出端各套裝一個(gè)軸承。
兩個(gè)轉(zhuǎn)子鐵心段和一個(gè)導(dǎo)磁環(huán)均同軸套設(shè)在定子外周,并且通過支撐體同軸安裝在軸承上。
每個(gè)轉(zhuǎn)子鐵心段的內(nèi)表面沿周向均勻布設(shè)有p個(gè)弧形的的內(nèi)凸極,本發(fā)明中優(yōu)選p=5。
相鄰兩個(gè)內(nèi)凸極之間形成一個(gè)內(nèi)弧形槽,每個(gè)內(nèi)弧形槽內(nèi)布設(shè)一個(gè)內(nèi)瓦片式永磁體,每個(gè)內(nèi)瓦片式永磁體均為高能量密度永磁體。
每個(gè)轉(zhuǎn)子鐵心段的外側(cè)圓環(huán)面上沿周向均勻布設(shè)有n個(gè)外弧形槽,且n≥p,本發(fā)明中優(yōu)選n=5。
每個(gè)外弧形槽的外徑均小于轉(zhuǎn)子鐵心段的外徑,相鄰兩個(gè)外弧形槽之間的轉(zhuǎn)子鐵心段構(gòu)成外加強(qiáng)筋17。
每個(gè)外弧形槽內(nèi)布設(shè)一個(gè)外瓦片式永磁體,每個(gè)外瓦片式永磁體均為低能量密度永磁體。
相鄰兩個(gè)轉(zhuǎn)子鐵心段上的內(nèi)瓦片式永磁體(也即高能量密度永磁體)沿周向偏移的電周期角度為360°/2p,本發(fā)明優(yōu)選為36°。
如圖7所示,位于同一個(gè)轉(zhuǎn)子鐵心段上的所有外瓦片式永磁體的充磁方向一致,位于同一個(gè)轉(zhuǎn)子鐵心段上的所有內(nèi)瓦片式永磁體的充磁方向一致,位于同一個(gè)轉(zhuǎn)子鐵心段上的外瓦片式永磁體和內(nèi)瓦片式永磁體的充磁方向相反。
相鄰兩個(gè)轉(zhuǎn)子鐵心段上的外瓦片式永磁體的充磁方向相反;相鄰兩個(gè)轉(zhuǎn)子鐵心段上的內(nèi)瓦片式永磁體的充磁方向相反。
每個(gè)外瓦片式永磁體和每個(gè)內(nèi)瓦片式永磁體的兩側(cè)均設(shè)置有隔磁槽15。
高能量密度永磁體兩側(cè)的隔磁槽的系數(shù)
低能量密度永磁體兩側(cè)的隔磁槽的系數(shù)
導(dǎo)磁環(huán)的內(nèi)周同軸套設(shè)有軸向充磁永磁體,軸向充磁永磁體既可以是高能量密度永磁體,也可以是低能量密度永磁體,本發(fā)明中優(yōu)選為高能量密度永磁體。
如圖9所示,軸向充磁永磁體31的設(shè)置,能大幅提高交替極永磁電機(jī)的轉(zhuǎn)矩輸出能力。
假設(shè)軸向充磁永磁體的外徑為r1,高能量密度永磁體的外徑為r3,高能量密度永磁體的內(nèi)徑為r4,則r3≤r1≤r4。
位于同一個(gè)轉(zhuǎn)子鐵心段兩側(cè)的兩個(gè)軸向充磁永磁體的充磁方向相反。
導(dǎo)磁環(huán)的軸向長度系數(shù)
高能量密度永磁體的極弧系數(shù)αp1=θm1p/(2π),其中θm1為高能量密度永磁體的圓心角,αp1取值范圍為0.35-0.75。
低能量密度永磁體的極弧系數(shù)αp2=θm2n/(2π),其中n為低能量密度永磁體槽的個(gè)數(shù),θm2為低能量密度永磁體的圓心角,αp2取值范圍為0.7-0.99。
作為外轉(zhuǎn)子時(shí),在交替極永磁電機(jī)的外側(cè)設(shè)置有外弧形槽,用于放置低能量密度永磁體。由于外弧形槽的存在,所以內(nèi)瓦片式永磁體通過固定軸端部的漏磁的磁通路徑中的磁阻變大,因此由內(nèi)瓦片式永磁體產(chǎn)生的固定軸端部的漏磁降低了。由于外瓦片式永磁體也采用單極性充磁,所以相鄰兩段的低能量密度永磁體的充磁方向相反,外瓦片式永磁體的主磁通路徑經(jīng)過導(dǎo)磁環(huán)閉合,其產(chǎn)生的固定軸端部漏磁很小。另外,外瓦片式永磁體可以進(jìn)一步增加電機(jī)的主磁通,從而提高交替極永磁電機(jī)的轉(zhuǎn)矩輸出能力。
以上詳細(xì)描述了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式,但是,本發(fā)明并不限于上述實(shí)施方式中的具體細(xì)節(jié),在本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思范圍內(nèi),可以對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行多種等同變換,這些等同變換均屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。