本發(fā)明涉及高壓電器領(lǐng)域，特別是涉及到了一種vfto抑制裝置、阻尼母線單元、母線及gis。

背景技術(shù)：

氣體絕緣金屬封閉開關(guān)設(shè)備（gis）中，隔離開關(guān)開合空載短母線時，會產(chǎn)生特快速瞬態(tài)過電壓（vfto），對gis及其連接的繞組設(shè)備絕緣產(chǎn)生影響；同時，會產(chǎn)生瞬態(tài)殼體電位升（tev）及電磁騷擾，對gis臨近二次設(shè)備絕緣產(chǎn)生威脅，干擾其正常運行，并威脅工作人員安全。在低壓場合，上述不利影響尚不明顯，但是隨著系統(tǒng)電壓等級的提高，vfto、tev和電磁騷擾越來越嚴重，影響也越來越大。

gis隔離開關(guān)通過加裝阻尼電阻來抑制vfto是非常有效的，但阻尼電阻需要和隔離開關(guān)主斷口并聯(lián)，使得隔離開關(guān)結(jié)構(gòu)復雜，并導致gis隔離開關(guān)在殼體直徑和高度方面都比較大，占用大量空間，gis隔離開關(guān)一般都設(shè)計為立式，使得成本和造價增大很多，而且也降低了gis設(shè)備布置的靈活性，造成建設(shè)用地增加，設(shè)備檢修不方便。

高頻磁環(huán)法是解決超/特高壓gis中的vfto問題的一個非?？尚卸纸?jīng)濟方法，如果能夠?qū)嶋H應用，其將大大降低特高壓gis隔離開關(guān)的設(shè)計復雜程度，減小其體積，降低成本。但是磁環(huán)鐵氧體材料脆性高，易斷裂、掉渣，在運輸、安裝、檢修及gis運行過程中，如遇到?jīng)_擊或振動極易造成高頻磁環(huán)損傷，降低抑制vfto的功能效果，同時，鐵氧體材料掉渣、掉塊擴散到gis內(nèi)部可能會引起絕緣隱患，造成設(shè)備放電故障，高頻磁環(huán)直接安裝在導電回路中無法實現(xiàn)工程應用。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種vfto抑制裝置，簡化gis隔離開關(guān)的結(jié)構(gòu)，降低gis成本。

同時，本發(fā)明的目的還在于提供使用所述vfto抑制裝置的阻尼母線單元、母線及gis。

為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的vfto抑制裝置采用以下技術(shù)方案：vfto抑制裝置，包括套式的絕緣外殼，所述絕緣外殼的壁中設(shè)置有至少一個磁環(huán)。

所述絕緣外殼灌封在磁環(huán)外部。

所述絕緣外殼為聚氨酯外殼。

所述磁環(huán)有兩個以上，各磁環(huán)位于絕緣外殼的壁中所設(shè)的相互獨立的空腔中。

阻尼母線單元采用以下技術(shù)方案：阻尼母線單元，包括筒體、觸座和通過絕緣支撐安裝在筒體中的導電桿，所述導電桿上套有至少一個vfto抑制裝置，所述vfto抑制裝置包括套式的絕緣外殼，所述絕緣外殼的壁中設(shè)置有至少一個磁環(huán)。

所述絕緣外殼灌封在磁環(huán)外部。

所述絕緣外殼為聚氨酯外殼。

所述磁環(huán)有兩個以上，各磁環(huán)位于絕緣外殼的壁中所設(shè)的相互獨立的空腔中。

所述vfto抑制裝置的外部設(shè)有屏蔽罩。

所述導電桿通過接頭與相應的觸座連接，所述屏蔽罩固定在相應的接頭或者觸座上。

母線采用以下技術(shù)方案：母線，包括兩個以上依次設(shè)置的母線單元，所述母線單元中的至少一個為阻尼母線單元，阻尼母線單元包括筒體、觸座和通過絕緣支撐安裝在筒體中的導電桿，所述導電桿上套有至少一個vfto抑制裝置，所述vfto抑制裝置包括套式的絕緣外殼，所述絕緣外殼的壁中設(shè)置有至少一個磁環(huán)。

所述絕緣外殼灌封在磁環(huán)外部。

所述絕緣外殼為聚氨酯外殼。

所述磁環(huán)有兩個以上，各磁環(huán)位于絕緣外殼的壁中所設(shè)的相互獨立的空腔中。

所述vfto抑制裝置的外部設(shè)有屏蔽罩。

所述導電桿通過接頭與相應的觸座連接，所述屏蔽罩固定在相應的接頭或者觸座上。

gis采用以下技術(shù)方案：gis，包括隔離開關(guān)和母線，所述母線包括兩個以上依次設(shè)置的母線單元，所述母線單元中的至少一個為阻尼母線單元，阻尼母線單元包括筒體、觸座和通過絕緣支撐安裝在筒體中的導電桿，所述導電桿上套有至少一個vfto抑制裝置，所述vfto抑制裝置包括套式的絕緣外殼，所述絕緣外殼的壁中設(shè)置有至少一個磁環(huán)。

所述絕緣外殼灌封在磁環(huán)外部。

所述絕緣外殼為聚氨酯外殼。

所述磁環(huán)有兩個以上，各磁環(huán)位于絕緣外殼的壁中所設(shè)的相互獨立的空腔中。

所述vfto抑制裝置的外部設(shè)有屏蔽罩。

所述導電桿通過接頭與相應的觸座連接，所述屏蔽罩固定在相應的接頭或者觸座上。

所述母線的阻尼母線單元靠近隔離開關(guān)設(shè)置。

本發(fā)明的有益效果是：本發(fā)明的vfto抑制裝置通過在磁環(huán)外部設(shè)置絕緣外殼的方式，杜絕了磁環(huán)鐵氧體材料掉渣、掉塊以及碰損（掉塊、斷裂等）的問題的出現(xiàn)，從而可實際應用于gis中，結(jié)構(gòu)簡單，無動作部件，從而可簡化gis隔離開關(guān)的結(jié)構(gòu)，降低gis成本。

更進一步的，以灌封的方式形成絕緣外殼，可以避免其他裝配方式中可能造成的磁環(huán)碰損的問題，保證制造工藝的可行性；聚氨酯彈性好，抗機械性沖擊性能好，提高了磁環(huán)抗沖擊、振動的能力，另外，聚氨酯絕緣性能、溫度使用范圍均能滿足gis要求，可常溫固化，灌封工藝簡單；將多個磁環(huán)設(shè)于相互獨立的空腔中，可以防止磁環(huán)之間相互接觸，由此避免磁環(huán)之間碰損的問題出現(xiàn)。在阻尼母線單元、母線及gis中，屏蔽罩可以提高電場均勻性，優(yōu)化抑制效果；在gis中，磁環(huán)的安裝位置越靠近隔離開關(guān)，其抑制效果越好。

附圖說明

圖1是vfto抑制裝置的實施例1的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是vfto抑制裝置的實施例2的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是vfto抑制裝置的實施例3的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4是阻尼母線單元的實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實施方式

下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的實施方式作進一步說明。

本發(fā)明的vfto抑制裝置的實施例1：

如圖1所示，包括絕緣外殼11和設(shè)在絕緣外殼11中的磁環(huán)12。磁環(huán)12為高頻磁環(huán)，具體為鐵氧體材料，絕緣外殼11的材料為聚氨酯材料，是以灌封的方式成型在磁環(huán)的外部。由圖1可知，在本實施例中，磁環(huán)12的數(shù)量為兩個，兩磁環(huán)同軸設(shè)置，絕緣外殼11的壁中設(shè)有兩個相互獨立的空腔，兩個磁環(huán)分別設(shè)在兩個空腔中。聚氨酯材料的絕緣外殼具有彈性好，抗機械性沖擊性能好的優(yōu)勢，可提高高頻磁環(huán)抗沖擊、振動的能力。聚氨酯絕緣性能、溫度使用范圍均能滿足gis要求，可常溫固化，灌封工藝簡單。

本發(fā)明的vfto抑制裝置的實施例2：

如圖2所示，本實施例與實施例1的不同之處在于，在本實施例中，絕緣外殼11中的磁環(huán)12僅有一個，在使用時，可根據(jù)需要并排采用多個該裝置。

本發(fā)明的vfto抑制裝置的實施例3：

如圖3所示，本實施例與實施例1的不同之處在于，在本實施例中，絕緣外殼11中的磁環(huán)12有三個，絕緣外殼11的壁中設(shè)有它們的公共空腔，三個磁環(huán)12之間互相緊貼位于同一個空腔中。

在vfto抑制裝置的其它實施例中，絕緣外殼中磁環(huán)的數(shù)量可根據(jù)需要設(shè)置；絕緣外殼除了以灌封的形式成型以外，還可以是分體式的結(jié)構(gòu)，如采用內(nèi)套+外套+端蓋的結(jié)構(gòu)形式，其材質(zhì)除了聚氨酯以外，與聚氨酯有共同特性的材料均可。該裝置既可以適用于特高壓的場合，也可以適用于超高壓的場合。

本發(fā)明的阻尼母線單元的實施例：

如圖4所示，該阻尼母線單元包括筒體21、觸座22、接頭23、導電桿24、絕緣支撐25、vfto抑制裝置26和屏蔽罩27。

其中絕緣支撐25具體為盆式絕緣子，固定在筒體21的兩端處，觸座22固定在絕緣支撐25上，導電桿24的兩端分別通過接頭23與相應的觸座22連接，由此固定在筒體21中。vfto抑制裝置的結(jié)構(gòu)與上述vfto抑制裝置的實施例1的結(jié)構(gòu)相同，此處不予贅述。vfto抑制裝置套在導電桿上，由圖4可知，導電桿24的兩端分別套裝了vfto抑制裝置，具體可根據(jù)需要設(shè)置vfto抑制裝置的數(shù)量，屏蔽罩27設(shè)在vfto抑制裝置的外部，當單處采用的vfto抑制裝置的數(shù)量為兩個以上時，此處的vfto抑制裝置均位于同一屏蔽罩中。在本實施例中，屏蔽罩是通過與接頭相固定而設(shè)在vfto抑制裝置的外部，當然，在其它實施例中，屏蔽罩27還可以選擇與觸座固定。

在阻尼母線單元的其它實施例中，所述屏蔽罩還可以省略。

母線的實施例：

該母線包括兩個以上依次設(shè)置的母線單元，各母線單元中的一個為阻尼母線單元，其中阻尼母線單元的結(jié)構(gòu)與上述阻尼母線單元的實施例的結(jié)構(gòu)相同，此處不予贅述。當然，在其它實施例中，阻尼母線單元的具體數(shù)量還可以根據(jù)需要設(shè)置。

gis的實施例：

該gis包括隔離開關(guān)和母線，其中母線的結(jié)構(gòu)與上述母線的實施例的結(jié)構(gòu)相同，此處不予贅述。母線的阻尼母線單元靠近隔離開關(guān)設(shè)置。