本實用新型涉及電子電路技術領域，特別是涉及一種用于控制芯片的供電電路。

背景技術：

傳統(tǒng)的控制芯片供電電路主要是在主回路的磁性器件中增加輔助繞組，通過耦合和整流后得到一個直流電壓，供給控制芯片的VCC端口，如圖4中的BOOST升壓電路，根據(jù)同名端的繞法，分兩種情況：

(1)QB2導通時L2B繞組供能，

(2)QB2關斷時L2B繞組供能，

其中Vin為輸入整流的電壓，Vo為BOOST輸出控制電壓，Nb和Na分別為輔助繞組匝數(shù)和主繞組匝數(shù)，Duty為控制芯片輸出占空比，占空比主要受輸入電壓和負載大小影響，是一個動態(tài)調整的變量，范圍為0-1。

由以上兩式可已看出，在保證輸入電壓Vin不變的情況下，VCC電壓在這兩種應用中都受到Duty變量參數(shù)的影響，具體可參見圖5，VCC電壓受到Duty變量參數(shù)的影響，在一些輸入電壓范圍寬和負載變化較大的應用場合VCC電壓容易出現(xiàn)大范圍的波動，影響控制芯片的供電效果。

技術實現(xiàn)要素：

本實用新型旨在至少解決現(xiàn)有技術中存在的技術問題之一。為此，本實用新型的目的在于提出一種用于控制芯片的供電電路，使VCC電壓不受輸出占空比的影響，保證供電的穩(wěn)定性。

根據(jù)本實用新型實施例的用于控制芯片的供電電路，包括依次連接的輸入濾波電路、整流電路、升壓電路，所述升壓電路與控制芯片連接，所述供電電路還包括第一控制儲能電路及與所述第一控制儲能電路連接的第二控制儲能電路；

所述升壓電路包括電感和第一開關管；

所述第一控制儲能電路同時與所述電感的輔助繞組端和所述整流電路連接；

所述第二控制儲能電路還與所述控制芯片的VCC端口和GND端口連接；

所述第一控制儲能電路包括第二開關管和第一儲能器；

所述第二控制儲能電路包括第三開關管和第二儲能器，所述控制芯片由所述第二儲能器供電；

所述第一開關管導通，且所述第二開關管導通時，所述第一儲能器由所述電感的輔助繞組充電，所述第一儲能器的充電電壓與控制芯片輸出占空比呈正比；

所述第一開關管關閉，且所述第三開關管導通時，所述第二儲能器的充電電壓由所述電感的輔助繞組和所述第一儲能器儲存的充電電壓共同提供，使所述第二儲能器的充電電壓與控制芯片輸出占空比成的關系呈水平直線。

根據(jù)本實用新型實施例的用于控制芯片的供電電路，通過控制電路控制所述升壓電路給所述控制芯片提供的電壓，使控制芯片的供電不再受輸出占空比的影響，從而使控制芯片的供電電壓不再受到輸入電壓范圍和負載條件限制，提高整個系統(tǒng)的穩(wěn)定性和適應性。

另外，根據(jù)本實用新型上述實施例的消音測試裝置，還可以具有如下附加的技術特征：

進一步地，在本實用新型的一個實施例中，所述第一開關管為MOS管，所述第二開關管為第一二極管，所述第一儲能器為第一電容，所述第三開關管為第二二極管，所述第二儲能器為第二電容；

所述MOS管的柵極與所述控制芯片連接，所述MOS管的漏極與所述電感的主繞組連接；

所述第一二極管的陰極同時與所述第一電容的正極和所述第二二極管的陽極連接，所述第一二極管的陽極與所述電感的輔助繞組連接且接地，所述第一電容的負極與所述電感的輔助繞組連接，所述第二二極管的陰極分別與所述電感的主繞組和所述控制芯片的VCC端口連接，所述第二電容的正極與所述控制芯片的VCC端口連接，所述第二電容的負極與所述控制芯片的GND端口連接且接地。

進一步地，在本實用新型的一個實施例中，所述第一控制儲能電路還包括第一電阻，所述第一電阻的一端與所述第一電容的負極連接，另一端與所述電感的輔助繞組連接。

進一步地，在本實用新型的一個實施例中，所述第二控制儲能電路還包括第二電阻，所述第二電阻的一端與所述電感的主繞組連接，另一端與所述控制芯片的VCC端口連接。

進一步地，在本實用新型的一個實施例中，所述升壓電路還包括第三二極管，所述第三二極管的陽極與所述電感的主繞組連接，所述第三二極管的陰極接地。

進一步地，在本實用新型的一個實施例中，所述升壓電路還包括第三電容，所述第三電容的正極與所述第三二極管的陰極連接，所述第三電容的負極接地。

進一步地，在本實用新型的一個實施例中，所述第三電容為貼片電容。

進一步地，在本實用新型的一個實施例中，所述整流電路采用橋式整流電路。

進一步地，在本實用新型的一個實施例中，所述濾波電路采用RC濾波電路。

本實用新型的附加方面和優(yōu)點將在下面的描述中部分給出，部分將從下面的描述中變得明顯，或通過本實用新型的實踐了解到。

附圖說明

本實用新型的上述和/或附加的方面和優(yōu)點從結合下面附圖對實施例的描述中將變得明顯和容易理解，其中：

圖1是根據(jù)本實用新型一實施例的用于控制芯片的供電電路的結構示意圖；

圖2是根據(jù)本實用新型另一實施例的用于控制芯片的供電電路的電路結構示意圖；

圖3是采用本實用新型實施例的用于控制芯片的供電電路后VCC與占空比的關系圖；

圖4是現(xiàn)有技術的控制芯片的供電電路的電路結構示意圖；

圖5是采用現(xiàn)有技術的控制芯片的供電電路后VCC1和VCC2分別與占空比的關系圖，其中，VCC1(Duty)為QB2關斷時L2B繞組功能下，VCC與占空比關系；VCC2(Duty)為QB2開通時L2B繞組功能下，VCC與占空比關系。

具體實施方式

為使本實用新型的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更加明顯易懂，下面結合附圖對本實用新型的具體實施方式做詳細的說明。附圖中給出了本實用新型的若干實施例。但是，本實用新型可以以許多不同的形式來實現(xiàn)，并不限于本文所描述的實施例。相反地，提供這些實施例的目的是使對本實用新型的公開內容更加透徹全面。

需要說明的是，當元件被稱為“固設于”另一個元件，它可以直接在另一個元件上或者也可以存在居中的元件。當一個元件被認為是“連接”另一個元件，它可以是直接連接到另一個元件或者可能同時存在居中元件。本文所使用的術語“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”、“上”、“下”以及類似的表述只是為了說明的目的，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構造和操作，因此不能理解為對本實用新型的限制。

在本實用新型中，除非另有明確的規(guī)定和限定，術語“安裝”、“相連”、“連接”、“固定”等術語應做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或一體地連接；可以是機械連接，也可以是電連接；可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連，可以是兩個元件內部的連通。對于本領域的普通技術人員而言，可以根據(jù)具體情況理解上述術語在本實用新型中的具體含義。本文所使用的術語“及/或”包括一個或多個相關的所列項目的任意的和所有的組合。

請參閱圖1，本實用新型一實施例提出的用于控制芯片200的供電電路，該供電電路包括依次連接的輸入濾波電路101、整流電路102、升壓電路103，所述升壓電路103與所述控制芯片200連接，該供電電路還包括第一控制儲能電路104及與所述第一控制儲能電路104連接的第二控制儲能電路105。

其中，所述升壓電路103包括電感1031和第一開關管1032；

所述第一控制儲能電路104同時與所述電感1031的輔助繞組端和所述整流電路連接；

所述第二控制儲能電路105還與所述控制芯片200的VCC端口和GND端口連接；

所述第一控制儲能電路104包括第二開關管1041和第一儲能器1042；

所述第二控制儲能電路105包括第三開關管1051和第二儲能器1052，所述控制芯片200由所述第二儲能器1052供電；

所述第一開關管1032導通，且所述第二開關管1041導通時，所述第一儲能器1042由所述電感1031的輔助繞組充電，所述第一儲能器1042的充電電壓與控制芯片輸出占空比呈正比；

所述第一開關管1032關閉，且所述第三開關管1051導通時，所述第二儲能器1052的充電電壓由所述電感1031的輔助繞組和所述第一儲能器1042儲存的充電電壓共同提供，使所述第二儲能器1052的充電電壓與控制芯片輸出占空比成的關系呈水平直線。

根據(jù)本實用新型上述實施例的用于控制芯片的供電電路，通過控制電路控制所述升壓電路給所述控制芯片提供的電壓，使所述控制芯片的VCC端口獲得的電壓值與占空比的關系曲線呈水平直線，保證控制芯片的供電不再受輸出占空比的影響，從而使控制芯片的供電電壓不再受到輸入電壓范圍和負載條件限制，提高整個系統(tǒng)的穩(wěn)定性和適應性。

請參閱圖2，本實用新型另一實施例提出的用于控制芯片200的供電電路，該供電電路包括依次連接的輸入濾波電路201、整流電路202、升壓電路203，所述升壓電路203與所述控制芯片200連接，該供電電路還包括第一控制儲能電路204及與所述第一控制儲能電路204連接的第二控制儲能電路205。

具體在本實施例中，所述輸入濾波電路201采用RC濾波電路，所述整流電路202采用橋式整流電路，具體包括橋式整流BD1。

所述升壓電路203包括電感L1、第三二極管D1、MOS管QB1和第三電容EC1。

所述第一控制儲能電路204包括第一二極管D2和第一電容C1，所述第二控制儲能電路205包括第二二極管D3和第二電容C2。

所述第一二極管D2的陰極同時與所述第一電容C1的正極和所述第二二極管D3的陽極連接，所述第一二極管D2的陽極與所述電感L1的輔助繞組L1B連接且接地，所述第一電容C1的負極與所述電感L1的輔助繞組L1B連接，所述第二二極管D3的陰極分別與所述電感L1的主繞組L1A和所述控制芯片200的VCC端口連接，所述第二電容C2的正極與所述控制芯片200的VCC端口連接，所述第二電容C2的負極與所述控制芯片的GND端口連接且接地。

進一步地，所述第一控制儲能電路204還包括第一電阻R1，所述第一電阻R1的一端與所述第一電容C1的負極連接，另一端與所述電感L1的輔助繞組L1B連接，所述第一電阻R1用于限制所述第一電容C1和所述第一電容C2的上電沖擊電流。

本實施例中，所述第三電容EC1為貼片電容，所述電感L1、第三二極管D1、MOS管QB1和第三電容EC1組成了BOOST升壓拓撲，所述電感L1的主繞組L1A的一端與所述整流電路202連接，另一端分別與所述第三二極管D1的陽極和所述MOS管QB1的漏極連接，所述電感L1的輔助繞組L1B的一端同時與所述整流電路202和所述第一二極管D2的陽極連接且接地，所述第三二極管D1的陰極與所述第三電容EC1的正極連接，所述第三電容EC1的負極和所述MOS管QB1的源極接地，所述MOS管QB1的柵極與所述控制芯片200連接。

進一步地，本實施例中，所述升壓電路203還包括第二電阻R2，所述第二電阻R2，所述第二電阻R2的一端與所述電感L1的主繞組L1A連接，另一端與所述控制芯片200的VCC端口連接，所述第二電阻R2用于給控制芯片200在上電時提供啟動電流。

具體實施時，主繞組L1A為BOOST升壓拓撲主繞組，輔助繞組L1B通過與主繞L1A的耦合給控制芯片200供電，當所述MOS管QB1導通時，第一二極管D2導通，輔助繞組L1B繞組給第一電容C1充電，控制芯片200靠第二電容C2供電，最終第一電容C1充電到電壓VCC1，

其中，其中Vin為輸入整流的電壓，Vo為BOOST輸出控制電壓，Nb和Na分別為輔助繞組匝數(shù)和主繞組匝數(shù)，Duty為控制芯片輸出占空比，范圍為0-1。

當MOS管QB1關斷時，第二二極管D3導通，給第二電容C2充電，最終第二電容C2充電電壓VCC，由于控制芯片200靠第二電容C2供電，因此第二電容C2充電電壓VCC即為控制芯片200的供電電壓，其中，

此外，根據(jù)電感L1的伏秒平衡得Vin*Duty＝(Vo-Vin)*(1-Duty)，得到：

將VCC1和Duty與Vo及Vin的關系代入VCC的表達式，最終得到VCC與占空比的關系為一條水平直線，具體可參閱圖3，控制芯片的供電不再受輸出占空比的影響，使得控制芯片的供電電壓不再受到輸入電壓范圍和負載條件限制，提高了整個系統(tǒng)的穩(wěn)定性和適應性。

可以理解的，本實施例以BOOST升壓拓撲為例進行說明，但不限于該拓撲的應用，任何其他電路通過輔助繞組L1B與第一二極管D2和第一電容C1的組合應用，以及利用開關管開通和關斷兩個狀態(tài)對供電電路進行供能的應用，都屬于該實用新型的保護范圍。

在本說明書的描述中，參考術語“一個實施例”、“一些實施例”、“示例”、“具體示例”、或“一些示例”等的描述意指結合該實施例或示例描述的具體特征、結構、材料或者特點包含于本實用新型的至少一個實施例或示例中。在本說明書中，對上述術語的示意性表述不一定指的是相同的實施例或示例。而且，描述的具體特征、結構、材料或者特點可以在任何的一個或多個實施例或示例中以合適的方式結合。

以上所述實施例僅表達了本實用新型的幾種實施方式，其描述較為具體和詳細，但并不能因此而理解為對本實用新型專利范圍的限制。應當指出的是，對于本領域的普通技術人員來說，在不脫離本實用新型構思的前提下，還可以做出若干變形和改進，這些都屬于本實用新型的保護范圍。因此，本實用新型專利的保護范圍應以所附權利要求為準。