本發(fā)明涉及發(fā)電機(jī)轉(zhuǎn)子滅磁及過電壓保護(hù)技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種可控硅整流勵(lì)磁系統(tǒng)的過電壓保護(hù)裝置。
背景技術(shù)：
發(fā)電機(jī)組的內(nèi)部或發(fā)電機(jī)出口端發(fā)生故障以及正常停機(jī)時(shí)都要快速切斷勵(lì)磁電源，由于轉(zhuǎn)子繞組是個(gè)儲(chǔ)能的大電感，因此勵(lì)磁電流突變勢(shì)必在轉(zhuǎn)子繞組兩端引起相當(dāng)大的暫態(tài)過電壓，造成轉(zhuǎn)子絕緣擊穿，所以必須盡快對(duì)轉(zhuǎn)子電感進(jìn)行滅磁，對(duì)于可控硅整流勵(lì)磁系統(tǒng)，因發(fā)電機(jī)斷路的非全相或非同期合閘等原因會(huì)使發(fā)電機(jī)非全相運(yùn)行或大滑差異不運(yùn)行，在這兩種運(yùn)行狀況下，轉(zhuǎn)子繞組中將產(chǎn)生劇烈的過電壓，由于此時(shí)電網(wǎng)和勵(lì)磁電源的能量均能傳到轉(zhuǎn)子繞組中，能量運(yùn)超過滅磁裝置的滅磁能量，當(dāng)滅磁裝置中的熔斷器全部熔斷時(shí)，轉(zhuǎn)子繞組開路，此時(shí)轉(zhuǎn)子繞組相當(dāng)于恒流源，產(chǎn)生的過電壓將會(huì)擊穿轉(zhuǎn)子繞組的絕緣，造成機(jī)組設(shè)備的損壞。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
本發(fā)明的目的是提供一種發(fā)電機(jī)轉(zhuǎn)子滅磁及過電壓保護(hù)裝置，它不但滅磁能力強(qiáng)，滅磁速度快，而且過電業(yè)保護(hù)動(dòng)作快，可避免轉(zhuǎn)子繞組開路，有效的放置繞組絕緣擊穿事故飛發(fā)生。
為了解決背景技術(shù)中所存在的問題，本發(fā)明是采用以下技術(shù)方案：它包括滅磁開關(guān)FMK、尖峰過電壓吸收器SPA、非線性電阻FR、可控制硅觸發(fā)器CF、可控硅KPT、二極管D、電流互感器CT、線性電阻R1和R2，所述的滅磁開關(guān)FMK一端與尖峰過電壓吸收器SPA一端連接后接整流電源，另一端分別接線性電阻R1一端、線性電阻R2一端和非線性電阻FR一端線性電阻R1另一端與非線性電阻FR另一端并聯(lián)后接二極管D一端和可控硅KPT一端，線性電阻R2另一端接可控硅觸發(fā)器CF，可控硅觸發(fā)器CF在分別接客控硅KPT另一端。二極管D另一端及電流互感器CT一端，電流互感器CT另一端與尖峰過電壓吸收器SPA另一端連接后接轉(zhuǎn)子繞組。
當(dāng)發(fā)電機(jī)斷路器因非全相或非同期合閘等原因會(huì)使發(fā)電機(jī)非全相運(yùn)行或大滑差異步運(yùn)行時(shí)，會(huì)產(chǎn)生劇烈的正向過電壓，線性電阻R2和可控硅觸發(fā)器CF組成的過電壓測(cè)量回路將運(yùn)作，發(fā)出觸發(fā)脈沖，可控硅KPT導(dǎo)通，非線性電阻FR進(jìn)入工作狀態(tài)，限制發(fā)電機(jī)轉(zhuǎn)子的過電壓，保護(hù)轉(zhuǎn)子繞組不受損害，當(dāng)產(chǎn)生方向過電壓時(shí)，二極管D支路進(jìn)入工作狀態(tài)，與此同時(shí)，線性電阻R也參與工作，使轉(zhuǎn)子過壓被限制在允許范圍內(nèi)，保障轉(zhuǎn)子不受損害，從而確保了發(fā)電機(jī)組的安全。
本發(fā)明它不但滅磁能力強(qiáng)，滅磁速度快，而且過電業(yè)保護(hù)動(dòng)作快，對(duì)于發(fā)電機(jī)組全相運(yùn)行或大滑差異不運(yùn)行時(shí)產(chǎn)生正反向過電壓，均可有效的控制，使過壓值在允許范圍內(nèi)，從而避免了轉(zhuǎn)子繞組開路，有效的防止了轉(zhuǎn)子繞組絕緣擊穿事故的發(fā)生，保護(hù)了轉(zhuǎn)子繞組的運(yùn)行安全。
附圖說明
圖1是本發(fā)明的電氣原理圖。
具體實(shí)施方式
參見圖1，一種發(fā)電機(jī)轉(zhuǎn)子滅磁及過壓保護(hù)裝置，它包括滅磁開關(guān)FMK、尖峰過電壓吸收器SPA、非線性電阻FR、可控制硅觸發(fā)器CF、可控硅KPT、二極管D、電流互感器CT、線性電阻R1和R2，所述的滅磁開關(guān)FMK一端與尖峰過電壓吸收器SPA一端連接后接整流電源，另一端分別接線性電阻R1一端、線性電阻R2一端和非線性電阻FR一端線性電阻R1另一端與非線性電阻FR另一端并聯(lián)后接二極管D一端和可控硅KPT一端，線性電阻R2另一端接可控硅觸發(fā)器CF，可控硅觸發(fā)器CF在分別接客控硅KPT另一端。二極管D另一端及電流互感器CT一端，電流互感器CT另一端與尖峰過電壓吸收器SPA另一端連接后接轉(zhuǎn)子繞組LQ。
當(dāng)發(fā)電機(jī)斷路器因非全相或非同期合閘等原因會(huì)使發(fā)電機(jī)非全相運(yùn)行或大滑差異步運(yùn)行時(shí)，會(huì)產(chǎn)生劇烈的正向過電壓，線性電阻R2和可控硅觸發(fā)器CF組成的過電壓測(cè)量回路將運(yùn)作，發(fā)出觸發(fā)脈沖，可控硅KPT導(dǎo)通，非線性電阻FR進(jìn)入工作狀態(tài)，限制發(fā)電機(jī)轉(zhuǎn)子的過電壓，保護(hù)轉(zhuǎn)子繞組不受損害，當(dāng)產(chǎn)生方向過電壓時(shí)，二極管D支路進(jìn)入工作狀態(tài)，與此同時(shí)，線性電阻R也參與工作，使轉(zhuǎn)子過壓被限制在允許范圍內(nèi)，保障轉(zhuǎn)子不受損害，從而確保了發(fā)電機(jī)組的安全。
本發(fā)明它不但滅磁能力強(qiáng)，滅磁速度快，而且過電業(yè)保護(hù)動(dòng)作快，對(duì)于發(fā)電機(jī)組全相運(yùn)行或大滑差異不運(yùn)行時(shí)產(chǎn)生正反向過電壓，均可有效的控制，使過壓值在允許范圍內(nèi)，從而避免了轉(zhuǎn)子繞組開路，有效的防止了轉(zhuǎn)子繞組絕緣擊穿事故的發(fā)生，保護(hù)了轉(zhuǎn)子繞組的運(yùn)行安全。